Дефекты двойниковые

Результаты исследований тонкой структуры осадков никеля в присутствии сахарина, 2,6-2,7-дисульфонафталиновой кислоты и тиомочевины приведены в работе [33]. Рассчитаны истинные и эффективные размеры областей когерентного рассеяния, относительные микронапряжения кристаллической решетки, вероятность появления дефектов упаковки деформационного и двойникового типа, плотность дислокаций. Выявлено, что указанные добавки уменьшают размеры блоков в 2—4 раза, резко увеличивают концентрацию дефектов упаковки и плотность дислокаций. Исследователи объясняют эти изменения протеканием на электроде химических превращений с выделением серы, которая входит в решетку никеля или образует сульфиды. [c.101]

Структура осадков меди, полученных при t = 1,1 А/дм, характеризовалась присутствием большого числа дефектов упаковки двойникового типа толщина двойников колебалась от 10 до 100 нм число дефектов деформационного типа и дислокаций было незначительным. Осадки, полученные при tj, = 5,4 А/дм , содержали [c.149]

В кристаллической решетке дефекты обычно не остаются на месте, они перемещаются в результате разности их концентраций АС, температуры ДГ, теплового движения, напряжения и т. д. Из кристалла дефекты переносятся на его поверхность, и наоборот, внутри кристалла за счет окружающей среды их число может возрастать. При наличии дефектов в кристаллах происходит массоперенос, перемещающиеся дефекты обусловливают движение атомов в кристаллической решетке и дырочную электропроводность в полупроводниках. Скорость движения точечных дефектов сильно зависит от температуры, однако при нормальных условиях она имеет значение 10 см/с. В природных кристаллах заметного движения макродефектов — двойниковых швов, границ раздела макроблоков, залеченных трещин — не отмечено. [c.26]

Бразильские двойники в кварце представляют собой закономерные срастания правого и левого кварца с параллельным расположением осей 3 и антипараллельным расположением полярных осей 2 в двойниковых индивидах. Они относятся к одному из двух (наряду с дофинейскими двойниками) наиболее распространенных типов двойников в кварце вообще. Широко распространены эти двойники и в, кристаллах синтетического кварца. В последние годы применение метода дифракционного контраста в сочетании с детальным геометрическим анализом структуры кварца позволило построить модель бразильской двойниковой границы и понять условия формирования этих дефектов во время роста кристаллов. К построению модели бразильской двойниковой границы можно подойти двумя путями. [c.100]

Неудачной оказалась предложенная ранее рекомендация вести выжиг кокса при открытых дверках двойниковых коробок для лучшего охлаждения двойников. Открытие двойниковых коробок на время выжига кокса может быть причиной двух серьезных дефектов. Один из них — возможная закалка двойников из стали Х5М, особенно в зимнее время года. [c.85]

Пленки никеля, палладия и золота [20] состоят из хорошо ограненных кристаллитов большей частью правильной геометрической формы с гранями (111), параллельными подложке. На рис. 9 и 10 показаны такие пленки золота и палладия. На снимках видно много кристаллов треугольной формы, которые на самом деле, несомненно, представляют собой тетраэдры, вероятно усеченные в вертикальном направлении в газовую фазу обраш,ены, безусловно, только грани (111). Часто встречаются также пяти- (рис. 9) и шестиугольники (рис. 9 и 10). Обе эти неидеальные формы можно считать структурами многократного двойникования по тетраэдрическим граням (111). Иногда наблюдаются и другие двойниковые структуры [20]. Доказательства многократного двойникования можно получить из электронно-микроскопических снимков темного поля или данных по относительным интенсивностям на дифрактограммах [20]. Очевидно, что пятиугольные кристаллиты не могут иметь идеальную кристаллографическую структуру кубической симметрии. Очень маленькие пятиугольные частицы наблюдаются для ряда систем, в том числе дыма (аэрозоля) серебра [23], золота, напыленного на золотую подложку [24], золота, осажденного из водных растворов [25] или нанесенного на поваренную соль [26, 27], а также для приведенных ранее случаев [20]. Пятиугольная частица фактически является пентагональной бипирамидой (рис. И, а), которая может образоваться в результате многократного двойникования пяти тетраэдров по граням (111) (рис. 11, б) [20, 23, 26]. Электронно-микроскопические снимки не показывают деформации, дислокации или другие дефекты, соответствующие щели на рис. 11, б. По-видимому, структура реальных кристаллитов релаксирует, и поэтому между двойниками не образуются дислокации. Структуру с гексагональной в плане симметрией и отвечающими эксперименту дифракционными свойствами на первый взгляд можно получить двойникованием 16 тетраэдров, однако нерегулярный характер одной из граней делает труднообъяснимой частоту появления гексагональной структуры. Двойникование 20 тетраэдров дает трехмерный икосаэдр (рис. 11, в), имеющий гексагональную проекцию и требуемые дифракционные свойства. Кристаллиты с гексагональной проекцией скорее всего представляют собой икосаэдры. [c.261]

Предельные напряжения, при которых наблюдаются переходы из одной стадии двойникования в следующие описаны в [38]. Установка для двойникования кристаллов в однородном упругом поле показана на рис, 1.7. В целях обеспечения однородности распределения напряжений опыты проводились с длинными образцами. При этом исключалась возможность распространения упругих двойников, возникающих вблизи контактов с щеками пресса, в среднюю часть образца. Однородность распределения напряжений могла быть нарушена только внутренними дефектами материала. Прочность приконтактных концов образца обеспечивалась специальными зажимами, препятствовавшими утолщению двойниковых прослоек вблизи контактов с щеками пресса. [c.22]

Во многом аналогично развивались исследования в области изучения границ раздела в твердых телах - границ зерен и двойников, свободных поверхностей, границ раздела фаз (подробнее см. обзоры [123—126]). Систематические исследования атомной структуры дефектов упаковки, а затем и двойниковых границ методами математического моделирования [c.36]

Напомним, что упрочнение остаточных двойниковых прослоек в кальците было обнаружено в [67]. В [75] было показано, что оно связано с возникновением дефектов. [c.101]

К трехмерным дефектам относятся прежде всего области кристалла, ограниченные рассмотренными выше двумерными дефектами, — двойниковые прослойки, включения других политипных или полиморфных модификаций, макроблоки. Важным типом трехмерных дефектов являются включения раствора, рассматриваемые в 1.6. Сюда же относятся включения посторонних твердых фаз. Твердые включения подразделяются на протогенетические — захваченные кристаллом при росте, сингенетические — возникшие и разраставшиеся одновременно с кристаллом, и- эпигенетические — возникшие при преобразовании готового кристалла. [c.12]

Двойники являются потенциально опасной частью трубного змеевика. В процессе эксплуатации из-за некачественной развальцовки труб, вследствие непрочно поставленных пробок, при образовании дефектов в металле, особенно при его перенапряжении, при подтягиваиии болтов возможен пропуск продукта, начиная от небольших выделений и кончая выбросом пробки. При этом происходит загорание продукта обычно нагретого выше температуры самовоспламенения. Двойники труб поэтому заключены в двойниковые (ретурбентные) камеры, закрывающиеся металлическими дверцами для защиты персонала и предотвращения распространения огня. В камеры для тушения загораний подводится водяной пар. [c.334]

Пластическая деформация, внося в ферромагнетик дефекты кристаллической структуры (зоны неоднородных внутренних деформаций, полосы скольжения, двойниковые прослойки и т. п.), измельчает магнитную доменную структуру (уменьшает размеры основных и увеличивает количество замыкающих доменов), то есть затрудняет процессы смешения основных доменных фаниц. При этом характер возникающих дефектов и особенности их распределения в кристалле, задавая определенный вид и поведение магнитных доменов, обусловливают ссютветствующие изменения электромагнитных свойств. Так, в (ПО) кристалле кремнистого железа с простой структурой основных 180° доменов в форме полос в исходном не деформированном состоянии (рисунок 2.2.5, а) появление в различных [c.64]

Пластическое деформирование кристаллических твердьа тел связано с появлением и передвижением в их объеме особых линейных дефектов структуры, подзываемых дислокациями (см. гл. IV, 4). Дислокация отделяет в плоскости скольжения ту часть кристалла, в которой произошло смешение атомов на одно межатомное расстояние, от той части кристалла, где такого смещения еще ае происходило (рис. Х1-31). Перемещение дислокации через весь кристалл приводит к сдвигу в плоскости скольжения на одно межатомное расстояние. Движение дислокаций может тормозиться различными дефектами кристаллической решет -кн инородными атомами, включениями, другими дислокациями, границами блоков монокристаллов, двойниковыми гр 1вицами, границами зерен в полик- [c.404]

В работах Ю. М. Полукарова с сотр. [82] установлено, что увеличение перенапряжения катода при электроосаждении меди вызывает переход от слоисто-спирального роста осадка к образованию и росту двумерных зародышей с появлением дефектов упаковки двойникового типа добавки к электролиту меднения поверхностно активных веществ резко повышают вероятность образования дефектов упаковки, увеличивают искажения кристаллической решетки и плотность дислокаций. Заряд двойного электрического слоя ускоряет процессы возврата в тонких осадках меди (эффект Ребиндера), приводящие к появлению внутренних напряжений растяжения. Влияние электрохимических условий осаждения на состояние кристаллической решетки осадков становится определяющим при достаточно большой толщине осажденного слоя на пластически деформированной монокристал-лической подложке дефектность слоев осадка постепенно уменьшалась при утолщении слоя, а при росте осадка на подложке из граней совершенного монокристалла, наоборот, увеличивалась до значений, соответствующих условиям электролиза. [c.93]

В работах Ю. М. Полукарова с сотр. [90] установлено, что увеличение перенапряжения катода при электроосаждении меди вызывает переход от слоисто-спирального роста осадка к образованию и росту двумерных зародышей с появлением дефектов упаковки двойникового типа добавка к электролиту меднения поверхностно-активных веществ резко повышают вероятность обра- [c.96]

Макродефекты в кристаллах лучше всего наблюдаются на гранях (паркетоподобное строение), на плоскостях спайности или поверхности излома, где границы однородных блоков, двойниковые швы и залеченные трещины видны в виде четких линий, а если кристалл переполнен дефектами, то грани и плоскости спайности искривлены, характеризуются мерцающим или матовым блеском. [c.25]

В двойниках по бразильскому закону [18) срастаются левый и правый индивиды кварца плоскостью срастания служат грани основного ромбоэдра двойниковой плоскостью является 1120 двойниковой оси нет, так как поворотом невозможно левый индивид совместить с правым. При травлении в НР выявляется картина Щ, отличающаяся от свойственной дофи-нейским двойникам. На поверхности излома кристаллов видны залеченные трещины и двойниковые швы — криволинейные в двойниках по дофинейскому закону и прямолинейные в бразильских двойниках. Кроме того, на изломах заметны дефекты роста кристаллов, известные под названием свили . Спайность в кристаллах кварца очень слабо проявляется по 1011 и ЮГО . [c.169]

Дефектом упаковки называется всякое отклонение от нормальной для данного кристалла последовательности в чередовании атомарных слоев. Дефекты упаковки имеют ту же природу, что и двойники. На когерентной двойниковой границе меняется первоначальная последовательность слоев на последовательность, находящуюся с первоначальной в двойниковом соответствии, в то время как после дефекта упаковки первоначальная последовательность полностью восстанавливается. Таким образом, дефект упаковки можно расматривать как двойниковую прослойку толщиной в один элементарный слой, ограниченную с двух сторон когерентными двойниковыми границами. Дефекты упаковки особенно часто образуются в кристаллах со слоистой структурой (типа С(112, желтой кровяной соли и т. д.), т. е. веществах, обладающих политипией. Собственно, легкость образования дефектов упаковки и определяет склонность соединения к политипии. Сама структура политипной модификации может быть описана как упорядоченное расположение в одном измерении ( сверхструктура ) дефектов упаковки. При этом на правильную сверхструктуру может быть наложено беспорядочное распределение дефектов упа- [c.10]

Источником слоев роста, помимо отдельных дислокаций и их групп, могут служить и двумерные дефекты — сетки дислокаций вдоль границ макроблоков и залеченных трещин (рис. 1-19), а также двойниковые швы. Последние заслуживают несколько более подробного рассмотрения. Давно известно, что двойники, у которых между индивидами имеется входящий угол, растут значительно быстрее монокристаллов. Объясняют это явление более легким присоединением частиц во входящем углу двойника. В этом случае двойниковый шов должен служить линейным источником слоев роста. Однако при росте двойников винной кислоты из водного раствора мы наблюдали распространение слоев роста из двух-трех точечных источников, расположенных на двойниковом шве. Об аналогичном расположении центров роста на двойниках природного флюорита сообщал Ф. К. Франк [1950]. Таким образом, по крайней мере в некоторых случаях слои генерируются дислокациями, лежащими в плоскости двойниковой границы (по-види-мому, это имеет место для некогерентных границ). [c.34]

На слюде можно получить довольно совершенные монокристаллические эпитаксиальные пленки ряда металлов. Например, серебро, напыленное и отожженное при повышенных температурах, образует монокристаллические пленки с ориентацией [111]. Если пленки напылены при 570—670 и отожжены при 720— 920 К, образцы свободны от таких дефектов, как границы зерен и границы некогерентных двойников, хотя все-таки содержат по 10 —10 мм-2 дислокаций и по 40—300 мм дефектов упаковки и границ когерентных двойников [41]. В пленках, полученных при несколько более низких температурах, наблюдаются параллельные подложке двойниковые кристаллиты, некогерентные границы которых разрезают поверхность, образуя углубления и небольшие участки с ориентацией, отличающейся от идеальной [96]. Однако те переходные металлы, которые имеют наибольшее значение для катализа, в виде монокристаллических пленок на слюде не применяют, по-видимому, из-за ограниченной термостойкости стеклянной аппаратуры. Переходные металлы с г.ц.к. структурой, напыленные на слюду при 620—670 К в условиях высокого или сверхвысокого вакуума, образуют поликристалли-ческие пленки, в которых каждый кристаллит ориентирован осью < 111 > перпендикулярно поверхности подложки, но все кристаллиты разупорядочены в отношении поворота вокруг зтой оси [97]. Характерные данные электронно-микроскопического исследования поликристаллической пленки платины представлены [c.146]

Несколько слов об отношении излагаемых в книге вопросов к общему положению, сложившемуся в физике дефектов к настоящему времени. В последние годы стало очевидным, что механические свойства сильно деформированных твердых тел или кристаллов со сложной дислокационной или двойниковой структурой очень трудно выразить непосредственно через микроскопические свойства дефектов (дислокаций). Возникла необходимость пользоваться свойствами коллективных образований типа ансамблей дислокаций, дисклинаций и штнарных дефектов, описывающих ротационные степени свободы пластической деформации. Переход к этим представлениям отвечает переходу от микроскопического рассмотрения к следующему структурному уровню (условно, - уровню мезоэф-фектов), удобному для анализа механических свойств деформированных кристаллов. В случае обратимой пластичности подобными коллективными образованиями являются гшоские скопления дислокаций превращения на межфазных границах или скопления двойникующих дислокаций на двойниковых границах. Именно в этих терминах удобно описывать основные закономерности обратимой пластичности кристаллов. [c.12]

Концентрация напряжений при образовании двойниковых включений необходима для предварительного образования упругого двойника. Это подтверждается тем, что при равномерном распределении напряжений и отсутствии дефектов (концентраторов напряжений) кристалл можно поломать, раздробить, не вызывая его двойникования, В особых условиях при больших сжимающих нагрузках иногда двойники возникают, возможно, вблизи скрытых концентраторов. Сосредоточенная нагрузка приводит к появлению упругого двойника, увеличение нагрузки - к увеличению размеров упругого двойника. Когда часть площади поперечного сечения, занятая упругим двойником, достаточно велика, происходит скачкообразное превращение упругого двойника в стабильное двойшковое включение. В опытах, при которых стерженьки сжимаются % прессе, двойникование начинается вблизи контакта с щеками пресса, где действуют сосредоточенные нагрузки. В работе [36] детально показана роль концентраторов напряжения в области контактов между поверхностью нагру ющего устройства и кристаллом. [c.20]

Определенный набор двойникующих дислокаций может обеспечить любой наклон макроскопической границы двойника к плоскости двойни кования. На рис. 2.3 показано возможное расположение дислокаций по кр№ туру двойниковой прослойки. Прямые экспериментальные доказа рельетва дислокационного строения границы двойника были получены после того, как достигла высокого уровня методика избирательного травления. Травление поверхности образца кальцита, На которую выходит граница упругого двойника, показало [71], что эта граница состоит из протяженных когерентных участков, слабо протравленных в виде узких канавок, и отдельных характерных для дислокаций глубоких ямок травления, находящихся на расстоянии нескольких микрометров одна от другой. Следы этих дефектов исчезают после выхода упругого двойника из кристалла. Наблю- [c.30]

Наиболее убедительное доказательство связи указанных фигур травления в кальците с двойникующими дислокациями получено в [89], где, в частности, наблюдалось перемещение этих дефектов под действием механических нагр>уок. Прямые наблюдения двойникующих дислокаций в сурьме описаны в [90], где показано, что дислокации расположены в границе двойника на расстоянии около 1 мкм. Известны работы по изучению двой-никуюших дислокаций методами рентгеновской топографии [91] и по непосредственному наблюдению с помощью электронной микроскопии высокого разрешения как отдельных неподвижных двойникующих дислокаций [92], так и их движения [93] (исследование атомной структуры двойниковых границ и двойникующих дислокаций будет рассмотрено в 2.3). [c.31]

Второй тип сил неупругого происхождения появляется при изучении частичных дислокаций в кристалле, представителями которых выступают двойникуюшие дислокации и дислокации превращения. Отдельная частичная дислокация ограничивает некоторый дефект упаковки (моноатомную двойниковую прослойку, моноатомную прослойку новой фазы при фазовом превращений) и испытывает действие силы поверхностного натяжения, связанного с поверхностью дефекта. Эта сипа всегда направлена в плоскости дефекта по нормали к линии дислокации в данной точке. [c.33]

Распределение напряжений вблизи границы (плоскость границы совпадает с плоскостью ху) таково компонента а у вблизи границы не меняется, а 0у2 и о а экспоненциально возрастают, достигая значений (10 -10" )JU (рис. 2.10). Наличие больших напряжений вблизи границы существенно облегчает возникновение двойникуюпдах дислокаций именно на границе, а не в объеме. Во-первых, при образовании петли дислокации в плоскости границы практически не возникает дефекта упаковки, а, во-вторых, как это явствует из полученньхх здесь машинных результатов, уже при небольшом дополнительном концентраторе напряжений возникновение дислокаций на двойниковой границе обеспечено. [c.42]

Сила неупругого происхождения включает в себя и силу поверхностного натяжения. Очевидно, что действие такой силы испытьшают лишь дислокации, расположенные только на конце двойника. В самом деле, добавление одной дислокации в той части двойника, ширина которой имеет макроскопические размеры, практически не меняет поверхности раздела материнского и сдвойникованного кристаллов и не изменяет сушественно поверхностную энергию. В то же время добавление одной дислокации у острия двойника, где границы раздела удалены одна от другой на несколько атомных слоев, может значительно изменить соответствующую поверхностную энергию. Это предположение подтверждается качественным рассмотрением [167]. В работе [1671 показано, что межфазная поверхностная энергия в двойнике существенно уменьшается с увеличением числа атомных слоев, перешедших в двойниковое положение. В частности, оказьшается, что уже трехслойный двойник практически можно рассматривать как таковой, обладающий двумя когерентными двойниковыми границами. К подобному же выводу приводят и результаты математического моделирования многослойных дефектов упаковки и двойниковых границ [128]. [c.56]

В [76J был предложен следующий механизм размножения дефектов при многократном возвратно-поступательном перемещении двойниковой границы через покоящуюся полную дислокацию. Известно [218], что полные дислокации в кальците включаются в двойник неконсервативно. Поскольку должен выполняться закон сохранения вектора Бюргерса, то На двойниковой границе должна существовать дислокация, несутцая дефект вектора Бюргерса ). Многократное включение полной дислокации поочередно то в двойник, то в материнскии кристалл приводит к размножению дефектов. В каждом 1ЩКле ситуация полностью воспроизводится (по крайней мере на начальных этапах циклирования). Поэтому плотность возникающих дефектов Рд>= п (п число циклов), а поскольку Д5 VPn = <Уэф — So , го AS y/n, что и обнаруживается в эксперименте. Из соотношения дая длины заклинивания i з [c.102]

Косвенные свидетельства о подвижности границ получены с помощью измерений внутреннего трения, поглощения ультразвука и дефекта модуля в У—Ва-Си-0 [512], причем поведение измеряемых величин аналогично таковым при наличии термоупругого мартенсита ). Отмечается легкость движения двойниковых границ с этим движением под действием механических напряжешй связываются пики внутреннего трения. [c.244]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология