Дефект линейный одномерный

Линейными (одномерными) дефектами кристаллической решетки являются дислокации. Дислокации возникают как в процессе затвердевания охлаждающегося металла, так и при механических или иных воздействиях на металл. В конструкционных материалах дислокации образуют сплошные сетки. В зависимости от условий изготовления металлических изделий плотность дислокаций в них может изменяться от 10 -10 см (в хорошо отожженных материалах) до 10 -10 см (в пластически деформированных материалах). Средняя плотность дислокаций в поликристаллических материалах составляет 10 -10 см . [c.25]

К линейным (одномерным) дефектам кристаллической решетки относятся дислокации. Простейшими видами дислокаций являются краевые и винтовые. Если одна из атомных плоскостей обрывается внутри кристалла, то место ее обрыва образует краевую дислокацию. Винтовые дислокации плоскостей представляют собой систему, похожую на винтовую лестницу. [c.454]

Линейные (одномерные) и поверхностные (двумерные) дефекты— это дислокации (линейная, краевая, винтовая и др.), границы блоков, зерен, двойников, доменов. Они являются определяющими в процессах кристаллизации, пластической деформации, зародышеобразования и диффузии. [c.33]

По природе и происхождению дефекты подразделяют на следующие типы точечные (нульмерные), линейные, или дислокации (одномерные), поверхностные (двухмерные) и объемные (трехмерные). [c.178]

Одномерные дефекты представляют собой линейную последовательность узлов решетки, вдоль которых обрывается периодиче- [c.270]

К одномерным (линейным) дефектам относятся дислокации. Если частично разрезать кристалл вдоль некоторой поверхности, [c.5]

Одномерные дефекты представляют собой линейную последовательность узлов решетки, вдоль которых обрывается периодическая или почти периодическая структура решетки. К таким дефектам относятся краевая и винтовая дислокации. [c.110]

Любое искажение или нарушение регулярности в расположении атомов кристалла естественно считать дефектом кристаллической решетки. Наличием дефектов реальный кристалл отличается от идеальной кристаллической решетки, и ряд свойств реального кристалла определяется его дефектной структурой. Характер влияния дефекта на физические свойства кристалла существенно зависит от размерности дефекта. Под размерностью мы понимаем количество измерений, по которым дефект имеет макроскопические размеры. . Точечным (или нульмерным) дефектом называется искажение кристаллической решетки, сконцентрированное в объеме порядка величины атомного объема. Если правильное расположение атомов нарушается лишь в малой окрестности некоторой линии, то соответствующий дефект мы будем называть линейным (или одномерным). Наконец, когда нарушение правильного расположения атомов в решетке сосредоточено вдоль участка некоторой поверхности, захватывая слой толщиной порядка межатомных расстояний, то в кристалле существует поверхностный (или двухмерный) дефект. [c.174]

Колебания кристалла с одномерным (линейным) дефектом [c.236]

Расчет потока I на дислокацию обычно предполагает следующий механизм конденсации или испарения точечных дефектов. Дислокационное ядро окружается трубкой радиуса (го 6 а) и считается, что точечный дефект, достигший поверхности этой трубки, поглощается (или испускается) дислокацией. Этот модельный механизм ставит дислокацию в ряд макроскопических дефектов типа поры в кристалле и позволяет использовать изложенный выше метод анализа диффузионной кинетики дислокации как макроскопического дефекта. В этом методе задача о неконсервативном движении дислокации сводится к расчету объемных потоков точечных дефектов. В дальнейшем, как и в предыдущем разделе, будем учитывать только потоки вакансий, полагая / = 1 . Если физические условия неоднородны по длине дислокации, то помимо объемных потоков точечных дефектов через боковую поверхность дислокационной трубки в величину / дают самостоятельный вклад линейные диффузионные потоки вдоль дислокационной петли. Дело в том, что ядро дислокации является особой линией в кристалле, вдоль которой может происходить одномерная диффузия, не сводящаяся к обычной объ- [c.314]

Классификация возможных структурных дефектов в решетке кристалла возможна на основе их пространственной протяженности. Мы различаем поэтому точечные, линейные и поверхностные дефекты или соответственно нуль — мерные, одномерные и двухмерные дефекты. Важнейшие типы дефектов строения кристалла приведены ниже. [c.216]

Линейные дефекты — одномерные, т. е. протяженные в одном измерении нарушения периодичности в одном измерении простираются на расстояния, сравнимые с размером кристалла, а в двух других измерениях не превышают нескольких параметров решетки. [c.308]

Вторую группу нарушений кристаллической решетки составляют одномерные, линейные дефекты, называемые дислокациями, и двумерные, поверхностные дефекты. [c.81]

ДЕФЕКТЫ в кристаллах (от лат. <1еГес1из - недостаток, изъян), нарушения полностью упорядоченного расположения частиц (атомов, ионов, молекул), характерного для идеального кристалла. Образуются в процессе роста кристалла из расплава или р-ра, а также под влиянием внеш. воздействий (тепловых, электрич., мех., при разл. видах облучения), при введении примесей. Различают точечные (нульмерные), линейные (одномерные), поверхностные (двухмерные) и объемные (трехмерные) Д (см. рис. 1). [c.29]

Предельной является цепь со статистически беспорядочным расположением элементов А и В. Такая цепь — простейший пример неупорядоченной решетки. Сравнение спектра этой цепи со спектром регулярной цепи. ..АВАВ... позволяет получить первое представление о влиянии неупорядоченности и дефектов на распределение частот. Плотность спектрального распределения частот р(о)2) для статистически беспорядочной цепи АВ представлена на рис. П. 13 [Дин (1960), ср. также Мартин (1960, 1961) Дин (1961) Матсуда, Ожита (1967)]. В протироположность спектру цепи с чередующимися элементами в этом случае между оптическими и акустическими ветвями щелей практически нет. У верхнего края акустической ветви число частот резко уменьшается, а в оптической ветви появляется множество новых максимумов, которые связаны с локальными колебаниями в цепи (ср. разд. 11,4.5). Если линейная цепь из элементов одинаковой массы все больше принимает конформацию, отличную от конформации полностью вытянутой цепи, то ее спектр все больше изменяется [Янник (1968)]. С увеличением в цепи числа статистически распределенных гош-конформаций плотность спектрального распределения частот на обоих краях спектра уменьшается и, наконец, в области и = (72) %тах становится равной нулю, В возникающих в результате этого щелях появляются частоты локальных колебаний оставшихся участков цепи с транс-конформацией. Строго линейная одномерная цепь является прежде всего простой математической моделью в общей теории колебаний. Однако она имеет мало общего с реальной цепной молекулой. По крайней мере следует учитывать, что [c.82]

И. Jl. Журавлев, В. И. Шимулис, А. В. Верное (Университет дружбы народов им. П. Лумумбы, Москва). Теоретическое описание и численное моделирование мономолекулярных адсорбционных слоев осуществляются, как правило, для модельных бесконечно больших систем. Однако поверхность реального адсорбента всегда содержит ступени роста, их изломы, ребра граней и другие дефекты. Наличие на поверхности указанных линейных структур должно приводить к изменению свойств адсорбированного монослоя, так как, во-первых, появляются дополнительные потенциальные поля вдоль ступеней, во-вторых, ослабляются корреляции между областями миграции адсорбированных молекул разделенными линейными дефектами. С этой точки зрения адсорбент можно представить в виде набора ограниченных площадок, а не бесконечной поверхности. Сами ступени роста тоже являются ограниченными по длине участками, разделенными изломами, поэтому моделью цепочки молекул, адсорбированных на ступени роста, может служить одномерная система конечных размеров. [c.29]

Одномерные (линейные) дефекты описываются линиями, протяженность которых велика по сравнению с межатомными расстояниями и во многих случаях достигает макроскопической протяженности кристаллов. Такими дефектами являются дислокации, особенно подробно изученные для монокристалли-ческих простых веществ — металлов и атомных полупроводников [2]. Схематическое изображение простейших видов дислокаций— краевой и винтовой — дано на рис. 1.7 и 1.8. Как видно из рис. 1.7, в случае краевой дислокации нарушение правильной периодичности кристаллической решетки достигается наличием неполной атомной плоскости, пронизывающей лишь [c.44]

Дефекты в кристаллах принято классифицировать по их размерам точечные и атомные дефекты (нульмерные), линейные дефекты (одномерные), поверхностные дефекты (двумерные). Появление объемных дефектов соответствует выделению второй фазы и, следовательно, нарушению монокристалличности обра з-ца. В этом случае создается гетерогенная система, в которой выделившаяся фаза не оказывает непосредственного влиякия на структурно-чувствительные свойства материнской фазы, хотя свойства образца в целом претерпевают заметные и часто резкие изменения. [c.161]

Применение этого метода дало возможность изучить дефекты структуры в кристаллах 4Nb205-22W03 наблюдать плоскость решетки в сплаве Си—Ti определить межплоскостное расстояние в кристаллах d—Те (/=373 пм) и отметить в них одномерные дефекты решетки (линейные дислокации). В частности, были получены последовательные снимки с интервалом в 0,3— 0,4 мин, демонстрирующие перемещение отдельных атомов тория в одну линию при воздействии облучения электронами, что предшествовало заро-дышеобразованию. Подсоединением телевизионного устройства к микроскопу [c.151]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология