Зародыши двойников

При статическом растяжении в жидком азоте до разрушения двойникования в образцах второй партии не обнаружено в тех же условиях в образцах третьей партии на границах зерен, как правило, возникают двойники. При хрупком разрушении в образцах первой и второй партий двойниковые включения не обнаружены, в образцах третьей партии, как правило, двойниковые включения в крупных зернах имеются в больших количествах, преимущественно вблизи контактов с мелкими зернами. Внутри мелких зерен двойниковых включений не обнаружено. По-видимому, в таких зернах невозможно создать неоднородного распределения напряжений. Замечено также, что в тех местах, где трещина или двойниковая прослойка доходит до границы зерен, возникают зародыши двойникования в соседнем зерне даже при значительном угле разориентации плоскостей двойникования смежных зерен. [c.23]

Имеется значительное число работ, авторы которых пытаются переход от первой стадии ко второй описать на дислокационном уровне. В работе [65] содержится краткий обзор этих исследований, включающий десять различных вариантов зарождения двойникующих дислокаций, в каждом из которых приходится полагать, что О/ имеет очень большие значения (порядка (10 - 10" )м). Следует заметить, что если для объяснения легкого скольжения при пластической деформации успешно используется представление о наличии в кристаллах дислокаций, то для объяснения двойникования на второй стадии обычно исключают возможность существования в кристаллах двойникующих дислокаций, являющихся зародышами двойникования. Двойникующие дислокации, по мнению авторов, на которых содержатся ссылки в [65], порождаются под влиянием указанных огромных напряжений в области сосредоточения нагрузок. Экспериментальных доказательств наличия в недеформированных кристаллах двойникующих дислокаций, по-видимому, не имеется. [c.25]

Отчетливые скачки с большой амплитудой изменения М имеют место лишь в высококачественных кристаллах при полном отсутствии в образце зародышей доменов в виде неисчезающих при разгрузке клиновидных упругих двойников. Наличие в кристалле таких двойников приводит к сглаживанию (или даже полному исчезновению скачков), так как новые домены образуются за счет постепенного роста таких двойников. Зарождение и развитие доменов типа упругих двойников связано с постепенным увеличением сверхупругой деформации на этапе увеличения их длины, что приводит к сглаживанию скачков релаксации на кривых кручениях. Остающиеся небольшие скачки отвечают резкому утолщению доменов, проросших на всю длину образца. [c.194]

Было показано также [5], что в отсутствие какой-либо пластической деформации до начала осаждения предпочтительного образования на границах сцепленных между собой двойников не происходит для того чтобы началось образование кристаллов, необходимо, чтобы термической обработке в области образования карбида предшествовала небольшая деформация. Здесь упругое поле дислокаций, накапливающихся на границе двойников, вызывает уменьшение величины энергии активации, необходимой для образования зародыша, и кристалл образуется в плоскости (111) из множества зародышей. Как показали наши опыты по коррозии, образование обедненных хромом зон и обеднение хромом остальной области (впрочем, недостаточное для [c.211]

Источники ступеней. Для роста сингулярных граней необходимы те или иные источники ступеней. Зачастую такими источниками служат дислокации ими могут стать также места соприкосновения между кристаллом и его контейнером или подставкой, границы зерен между двумя соприкасающимися кристаллами различной ориентации, инородные макроскопические частицы, двойники, двумерные зародыши, а в случае испарения или растворения края кристаллов и краевые дислокации. [c.444]

Реальные металлы обладают большим числом дефектов кристаллической решетки, что приводит к усложнению механизма роста кристалла. Дефекты кристаллической решетки в основном можно разделить на три группы точечные (вакансии и внедренные атомы), линейные (дислокации) и плоскостные (двойники и границы зерен). При электроосаждении металлов, как и при их росте из паровой фазы, большое значение имеют линейные дефекты. Например, если в кристалле имеются винтовые дислокации, то рост кристалла может идти даже без образования двумерных зародышей. [c.330]

Если вдуматься в эти опыты, они покажутся не такими уж удивительными. Ведь размножаются же растения вегетативно земляника усами, картофель глазками, а бегония листьями. Во всех этих случаях получаются генетические двойники правда, зародышами вегетативного размножения служат все-таки специальные органы, а в опытах с морковью речь идет об одной клетке. [c.306]

На реальных металлах, обладающих несовершенствами структуры и имеющих примеси, рост зародышей зависит от многих факторов, что приводит к образованию различных типов микрокристаллов. Отдельные микрокристаллы за счет неравновесности процесса электроосаждения уже сами по себе могут иметь несовершенства структуры краевые и винтовые дислокации, двойники, включения атомов, вакансии. [c.34]

При внесении зародыша кристалла гликокола в раствор аспарагина нужно остерегаться употреблять двойники кристаллов. Предусмотреть, [c.162]

Механизм наблюдаемого хемомеханического эффекта, исходя из теоретических и экспериментальных данных, можно представить следующим образом. Первоначальный пластический накол обусловил образование зародышей двойников сдвига, которые затем росли вследствие перемещения двойникующих дислокаций. связанного с химическим растворением поверхности кристалла, понижающим поверхностный потенциальный барьер и облегчающим движение этих дислокаций (хемомеханический эффект для двойникового сдвига). Полные дислокации, юзникавшие в матрице при деформировании, взаимодействовали с двойниковыми (в частности, препятствовали росту двойника, вызывая большие локальные напряжения), но, испытывая з>начительно большее сопротивление движению [c.127]

Максимальная температура двойникования Т — это температура, выше которой пересыщение так мало, что уже не может происходить двойникование. Так как при двойниковой ор.и-ентации наблюдается наименьшее различие свободных энтальпий по сравнению с параллельной ориентацией, то при температуре выше Т кристалл растет без изменейия структуры. Поэтому Т = Те2. Однако это справедливо лишь в случае совершенства кристалла, ка котором образуется зародыш двойника. Па-личие границ зерен, дислокаций, напряжений и других дефектов [74, 75, 83] приводит к увеличению Т. [c.314]

Напряжения в области, где возникает упругий двойник, могут быть определены с помошью соображений, высказанных в гл. 3 а1 = 5 п + 5 о-Величину оценим (подробнее см. 3.3 и 4.5) как 10" м- Поэтому будем считать, что теоретическая оценка (10 - 10" ) ц (0,3—3)Х X10 МПа. В экспериментах Фойгта, согласно [38], в однородном внешнем поле двойники появлялись при а 32 - 75 МПа, что согласуется с теоретической оценкой. В то же время отметим, что приведенная оценка О] характеризует локальные напряжения в районе возникновения двойникового зародыша. Поскольку последний возникает обычно в резко неоднородном упругом поле, то для определения макроскопических условий возникновения двойника, х.е. для получения критерия механического двойникования, оценки Ох недостаточно (подробнее о критерия двойникования см, ниже). [c.132]

Следует все же подчеркнуть, что, несмотря на то что дислокационная теория дает правильную оценку aJ, не решенной остается проблема возникновения двойникового зародыша, так что в силе остается замечание [82] о том, что эта проблема является наиболее сложной в физике двойникования, связанной с проблемой концентрации напряжений на полумикроскопическом уровне. В частности, отмеченное выше поведение Гщ, несомненно, свидетельствует о большой роли концентраторов напряжений при зарождении двойников. [c.134]

Ряд макромолекулярных кристаллов может существовать в различных полиморфных состояниях (разд. 2.4). При любой заданной температуре стабильна лишь одна полиморфная кристаллическая структура. Метастабильные полиморфные кристаллические структуры при отжиге в соответствующих условиях путем фазовых переходов в твердом состоянии превращаются в стабильные полиморфные структуры. Протекающие при различных температурах обратимые переходы между полиморфными структурами влияют на изменения, которые происходят при отжиге и выражаются в увеличении подвижности. Хотя эта возросшая подвижность может привести к уменьшению числа дефектов, часто при этом наблюдается процесс разрушения кристаллических зерен или образования муль тип летных двойников, вызванный наличием напряжений, которые возникают в процессе перехода из-за геометрических ограничений. Механизм зарождения и роста новой фазы в кристалле был рассмотрен Делингером [28]. Основная движущая сила перехода в новую фазу - более низкая свободная энтальпия этой фазы. Однако образование зародыша новой фазы и, возможно, также дальнейший его рост связаны с появлением значительной положительной энергии деформации (свободной энтальпии), которая распределяется между существовавшими кристаллами, новой фазой и меж фазными областями. Если существует вторая метастабильная <ристаллическая структура с промежуточной свободной энтальпией, обладающая близкими к исходной метастабцльной структуре геометрическими соотшениями, т.е. если она обладает более низкой [c.457]

Деформационным отжигом чаще всего пользуются для выращивания кристаллов металлов. Исходным материалом обычно служит затвердевшая в изложнице заготовка. Такая отливка представляет собой поликрнсталлическую массу. Зародыши образуются либо хаотично у стенок изложницы, либо в какой-то определенной области расплава в зависимости от температурного градиента при охлаждении. Поэтому зерна могут иметь либо произвольную, либо преимущественную ориентацию. Если слиток предназначается для изготовления прутка, тонкого или толстого листа, проволоки и т. д., то следующей операцией должно быть деформировлние металла. Когда материал механически деформируют, возникает пла стическая деформация, меняется форма зерен, возникают дислокации и иногда двойники, наблюдаются сдвиги. Очень часто существенно меняются прочность и твердость, особенно если материал обрабатывают при температуре гораздо ниже температуры рекристаллизации. Таким образом, холодная обработка приводит к деформационному упрочнению [нагартовыванию) материала. Среди способов обработки металлов обычны прокатка, волочение, ковка и экстру-дирование. На фиг. 4.3 показана структура исследуемого образца после его вытягивания в проволоку. [c.136]

Если полиморфные превращения связаны с незначительным изменением симметрии (см. разд. 2.3), часто возможно провести монокристалл через фазовый переход без возникновения поликристаллов, двойников, больших деформаций и других дефектов ). В случае же переходов, связанных со значительным изменением симметрии, часто возникают дефекты упаковки и политипия при этом нельзя даже гарантировать сохранение монокристальности образца. Без растворителей такие системы обычно метастабильны. Таким образом, чем больше различаются между собой по структуре две фазы, тем труднее вырастить монокристалл твердофазным способом. Обычно температуру поддерживают постоянной вдоль всего кристалла, а подъем и понижение температуры осуществляется для всей печи в целом. При этом часто наблюдается зарождение новой фазы одновременно во многих точках матрицы, что приводит к образованию двойников или поликристаллов. Ясно, что гораздо целесообразнее было бы инициировать зарождение новой фазы в каком-либо одном месте, а затем обеспечивать возникшему зародышу главную роль в создании фазовой границы между модификациями. Таким образом, хотя это и не принято, но полиморфный переход эффективнее осуществлять методом, аналогичным методу Бриджмена— Стокбаргера при выращивании кристаллов из расплава (см. разд. 5.3). Кристалл, помещенный в одном конце печи, следовало бы перемещать через зону с температурным градиентом или же двигать печь относительно неподвижного кристалла. [c.164]

При кристаллизации солей из раствора на металлах с гексагональной решеткой (Mg, Zn, d) ориентированный рост наблюдался лишь на поликристаллах Zn независимо от ориентировки различных зерен (рис. 39). Как видно из рис. 39, границы зерен и двойников являются благоприятными местами для образования ориентированных зародышей. Отсутствие срастания Na l с d и Mg можно объяснить существованием неориентированной окисной пленки. Известно, что окись, образующаяся на магнии, в тонких слоях аморфна. Существование аморфного или произвольно ориентированного слоя окислов, ПО-видимому, было причиной отсутствия эпитаксии солей на кристаллах In, Sn, Sb, Ni и Fe. [c.101]

Когда результаты искусственного отбора можно будет считать удовлетворительными, наступает очередь полевых испытаний, и если данный вид уже обосновался в намеченном для колонизации районе, то задачей становится сохранение целостности новой расы. Такой проблемы, конечно, не возникает, если используется недавно интродуцированный вид, который ранее не сумел обосноваться. В иных случаях обеспечить целостность улучшенной расы можно путем создания физиологической нли репродуктивной изоляции в процессе дальнейшего отбора. Механизмы физиологической изоляции чрезвычайно разнообразны и включают невозможность скрещивания вследствие различий в предпочитаемых местах обитания, несовпадения сезонов или сроков выхода взрослых насекомых, отсутствия стремления самцов и самок друг к другу, физических или физиологических препятствий для копуляции или физиологической неспособности к оплодотворению и неспособности оплодотворенного яйца или зародыша развиться [522]. Наилучший тип генетической изоляции — это отбор апо-миктической линии из приспособленной расы. У паразитических перепончатокрылых парте-ногенетические расы или виды-двойники, производящие только самок, — явление довольно обычное в целом ряде групп. Выделение большого числа неоплодотворенных самок может выявить возможные случаи апомиксиса и у нормально обоеполых видов. [c.348]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология