Кривые отражения основой

Рис. 1.29. Кривые отражения красной пленки над черно-белой основой 1 — над белым 2 над черным.

Зная характер кривых отражения эталонных окрасок, приготовленных на основе использующегося ассортимента пигментов, и закономерности сложения кривых, при наличии определенного опыта идентификации содержащихся в образце пигментов легко определить, можно ли (а если можно — то с каким набором имеющихся в распоряжении пигментов) [c.66]

Идентификация упрощается, если имеются в распоряжении кривые log K/S, которые можно сравнить с соответствующими кривыми образца. Преимущество кривых log/С/S в том, что, в противоположность кривым отражения, они при любой концентрации имеют свою характерную форму. Изменение концентрации отражается только на параллельном смещении кривых. Некоторые спектрофотометры снабжены самописцами функции log K/S. На основе сравнения кривых выбор красящего вещества можно провести легче и скорее, чем обычным способом, без использования спектрофотометра. Таким образом, решающее преимущество РРК проявляется уже на стадии, не предусматривающей использование ЭВМ. [c.67]

В другом случае, когда показатель преломления больше показателя преломления основы, т. е. % > з и при этом возможно увеличение отражения, положение максимумов будет, например, у пленок с оптической толщиной, равной Л/4, /Д, а положение минимумов отражения — в области толщин равных /2 , Я,, 2% и т. д. Величина максимального отражения в этом случае будет также определяться разностью между показателями преломления пленки и основы. Указанный метод пригоден для определения широкого диапазона толщин, если имеется возможность проведения измерения в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра [86, 295]. Точность определения толщины пленок зависит от точности измерения коэффициента отражения. Характер кривых отражения обусловливается также дисперсией пленок, поглощением и однородностью их по толщине и по величине показателя преломления. [c.118]

На рис. 5 представлены кривые отражения от покрытий. Кривая 1 соответствует отражению от покрытия на основе стекла, не содержащего окиси меди. Как видно, по своему характеру она значительно ближе к кривой отражения 2 от красного стекла. Это значит, что при обжиге покрытий на меди в стекло медь преимущественно переходит в том виде, какой она имеет в стеклах красного цвета, хотя в некотором количестве возможно и в виде ионов Си - , так как кривая 1 этого не исключает. Кривые 3 а 4 на рис. 5 показывают, что в покрытиях на основе стекол, содержащих [c.111]

Рис. 1.29. Кривые отражения красной пленки над черно-белой основой

Отечественные приборы ранних моделей (ФБ-1А, ФБ-2) предусматривали применение фотодатчиков на базе селеновых фотоэлементов, спектральная характеристика которых имеет вид кривой с экстремумом в желто-зеленой области спектра. Но фотоэлементы на основе селена не обладают достаточно высокой, чувствительностью, поэтому в схеме прибора есть дополнительные устройства, усиливающие первичный сигнал. С этой же целью прибегают к увеличению апертур осветителя и фотодатчика. Поэтому вместе с зеркально отраженными лучами на фотоэлемент попадают и лучи, отраженные диффузно. Для получения более объективной оценки блеска покрытия попадание диффузно отраженных лучей должно быть сведено к минимуму. [c.160]

Таким образом, для описания роста микробной популяции в замкнутой системе (в условиях периодического культивирования), представляющего достаточно сложный процесс перехода субстрата питательной среды в организованную биомассу популяции, предложены различные математические выражения. При этом подавляющее число зависимостей относятся только к фазам увеличения численности особей популяции. Их выбор осуществляется на основе внешнего сходства описываемых кривых с экспериментальным, после чего проводятся биологические аналогии и поиски физического смысла рассчитываемых параметров. Однако приведенные выше уравнения представляют собой только аппроксимационные подходы к более или менее точному описанию феноменологии процесса нарастания численности без отражения его главной стороны — перехода компонентов питательной среды в биомассу популяции (но не отдельной клетки). Математическое описание процессов микробиологического синтеза можно считать только собственно моделированием тогда, когда в рассмотрение принимаются, по крайней мере, оба [c.53]

Кинетику испарения примесей исследовали путем съемки спектров на движущуюся фотопластинку. Было установлено, что такие зависимости представляют собой почти прямые линии, мало изменяющиеся во времени. Для легколетучих элементов (1п, 5п, РЬ) наблюдается спад /д к концу испарения для труднолетучих вначале (в течение 5—10 с) наблюдается некоторое возрастание /д. Вид кривых, представленных на рис. 3.4, характеризует поведение элементов средней фугитивности, к которым относится Мп. На рассматриваемых зависимостях сказывается природа основы. Так, характер зависимости при испарении Мп из легколетучей РЬО (кривая 1) заметно отличается от других. В этом случае при некотором т наблюдается максимум, соответствующий испарению пробы из средней части электрода. Если начальный участок кривой 1 определяется процессами разогрева электрода, то нисходящий участок при больших т обусловлен свойствами самой основы — РЬО. Это вещество может испаряться даже в тех участках электрода, которые в данный момент еще не находятся в зоне дугового разряда, но из-за теплопроводности графита имеют температуру, достаточно высокую для испарения РЬО (а следовательно, и примесей) таким образом, к концу экспозиции воздействию разряда подвергается уже часть электрода с частично испарившейся пробой, что и находит отражение на ходе кривой. [c.65]

Рис. 19.16. Распределение цвета кожи у негров и людей белой расы. Цвет кожи оценивали по величине отражения света с длиной волны 685 нм. Кривые представляют собой теоретически ожидаемые на основе различных предположений о числе генов, определяющих различие в цвете кожи между

На рис. 16 дана принципиальная схема полярографической установки, на основе которой разработано значительное количество полярографических установок для получения поляризационных кривых визуально или при помощи автоматической записи. В 1925 г. Я. Гейровский сконструировал прибор, автоматически регистрирующий кривые сила тока — напряжение при помощи луча света, отраженного зеркальцем гальванометра на бумагу. Получаемые кривые являются графическим отображением процесса поляризации, /происходящего на электродах поэтому Прибор называется полярографом, а получаемая запись — полярограммой. [c.42]

Два самолета окрашены разными эмалями белого цвета. При визуальном наблюдении, т. е. невооруженны.м глазом., оба са,молета на фоне снега мало заметны потому, что кривые огра.кения тих эм.алей в видимой части спектра совпадают со спектральной кривой отражения снега. Я о стоит сфотографировать самолеты в ультрафиолетовой части спектра, как один из них будет вылядеть на снимке черны.м, а другой — белы.ч. Нетрудно догадаться, что первый са.чолет был окрашен э.чалью на основе цинковых белил, которые поглощают ультрафиолетовое излучение, другой —. /.малью, содержащей пигмент, отражающий, как и снег, почти все ультрафиолетовое излучение. [c.118]

По мере того как электроны пучка движутся внутри образца, различные процессы неупругого рассеяния приводят к передаче энергии атомам и электронам твердого тела и уменьшению энергии электронов пучка. Типичные значения скоростей потери энергии, вычисленные на основе соотношения Бете (3.5), составляют по порядку величины 10 эВ/нм и зависят от энергии электрона (рис. 3.18). Электроны пучка, которые вылетают с поверхности образца в качестве отраженных электронов, выходят с меньшей энергией из-за прохождения некоторого расстояния внутри твердого тела. Графики распределения по энергии отраженных электронов в зависимости от нормированной энергии =Е1Ео для некоторых элементов показаны на рис. 3.19 [32]. Для легких элементов распределение имеет вид широкой плавной кривой, в то время как для тяжелых элементов наблюдает- [c.51]

Такое уравнение было получено Уайтлоу Греем и Паттерсоном , но они не смогли определить значение р за исключением релеевской области и области отражения Это удалось сделать Синклеру и Ла Меру на основе значений (11 -Ь12), приведенных в таблицах Лоуена Они построили кривую зависимости 1д(г -Ь 2) от %г, затем определили ее наклон в различных точках и отсюда на шли значения р в функции г для нескольких углов рассеяния [c.127]

Принять что у, = 0,05 и вычертить аккуратно две кривых а, и в, в интервале X, = 0-Ю,1. Отметим, что, как видно из кривизны а, при отрицательных отклонениях от идеальности (7, мало), кривая тем ближе к своей касательной, чем меньше наклон. Это противоречит тому, что мы ожидали на основе простой графической интерполяции между касательной с малым наклоном 7 при X, = О и ка-сятйтп-нпй с наклоном 1 при X, = 1. Обратное справедливо при сильных положительных отклонениях от идеальности (большая кривизна). При малых концент рациях формы кривых активности с каждой из сторон от идеальной линии не являются таким образом обычно зеркальным отражением одна другой. [c.180]

Далее определяется интенсивность образования фоторельефа в полимере, что находит отражение на графике в координатах d — Ig Я, где d — толщина слоя полимера, а Я =1/5 — экспозиция, т. е. величина, обратная светочувствительности. Мерой интенсивности процесса является коэффициент контрастности, который оценивается по тангенсу угла наклона прямолинейного участка характеристической кривой. Эта методика впервые была предложена Ляликовым с сотр. [5] и нашла признание во всем мире. В настоящее время на основании ее получают ряд дополнительных параметров, характеризующих фототропизм в слоях. Показана зависимость светочувствительности слоя от квантового выхода формирования рельефа, спектральных свойств и концентрации фо-тоактивного хромофора и молекулярно-массового распределения полимера [6]. Установлено по параметрам светочувствительности отсутствие радикальных процессов в исследованных фоторезистах на основе поливинилциннаматов, диазидов, нафтохинондиазидов. [c.96]

В основе этих методов лежат реакции осаждения определяемого компонента с образованием тонкодисперсной пжеси. Измеряемой величиной служит интенсивность рассеянного светового потока. Она является сложной функцией коэффициентов преломления среды и твердой фазы, угла отражения, объема, степени дисперсности и числа частиц. Поэтому в нефелометрии и турбиди-метрии воспроизводимые результаты получаются при строгом соблюдении постоянства условий приготовления как стандартных суспензий, так и исследуемых образцов, в том числе одинаковой последовательности и скорости смешивания растворов. Количественный анализ проводится методом калибровочных кривых. [c.83]

Уинтфботтом [633] отмечает, что те же самые данные можно использовать для вычисления толщин пленок, соответствующих различным порядкам интерференции, на основе классической теории света. Следует заметить, что при этом нужно учесть изменение фаз, возникающее на границах пленка — воздух и пленка — металл. Вычисления требуют знания оптических постоянных металла и пленки, а не только показателя преломления вещества плевки. Эти данные получают в процессе определения толщины пленок по методу поляризованного света, использованному Уитерботтомом, и вычисляют амплитуды отраженного света для параллельной и нормальной составляющих к плоскости падения. Средняя сумма квадратов значений отраженных амплитуд дает величину интенсивности отраженного неполяризованного света. Таким нуте.м можно построить кривые отражательная апособность — толщина пленки, причем толщины, соответствующие минимальной отражательной способности, дают толщины интерференции различного порядка при заданной длине волны. При нор мальном падении пучка света вычисления упрощаются Уинтерботтом приводит приближенные формулы, дополнительно сокращающие вычисления. Таким образом, поляризационный и интерференционный методы могут применяться одновременно к пленкам в соответствующем диапазоне толщины. [c.266]

Скорость кристаллизации стекла будет меньше или равна скорости химической реакции между компонентами, богатыми кремнеземом, и компонентами, богатыми натрием. В этом случае новое химическое соединение начинает образовываться в веществе, находящемся еще в стеклообразном состоянии, и при кристаллизации выпадает в качестве первой фазы. Процесс кристаллизации стекла состава бисиликата натрия , развивающийся таким образом, представлен на рис. П.107 и 11.109. После часа тепловой обработки образец представлял собой в основной массе стекло, после 3 ч на его поверхности образовалась первая кристаллическая дымка, все же остальные образцы были закристаллизованы. Как показывает кривая 2 на рис. 11.107, при тепловой обработке стекла между компонентами, богатыми кремнеземом, и компонентами, богатыми натрием, начинается химическая реакция основой всякой химической реакции являются диффузионные процессы. Если из областей, богатых натрием, часть ионов натрия начинает уходить и перемещаться в области, обедненные натрием, то полоса отражения, соответствующая этим группировкам атомов, должна смещаться в сторону коротких длин волн, так как у кристаллических си.яикатов натрия (как показывает схематически рис. П.42) по мере уменьшения содержания натрия полоса сдвигается в сторону коротких длин волн. Наоборот, если области, богатые кремнеземом, будут обогащаться натрием, то соответствующая полоса должна смещаться в сторону длинных волн. Такой ход полос в действительности и наблюдается на кривой 2. При дальнейшей обработке в качестве первой фазы выпадает бисиликат натрия, максимум селективного отражения которого лежит у 9,80 л1к (рис. 11.107, 3, 4 и 5). Последующее длительное выдерживание образцов при постоянной температуре приводит к тому, что силикат, имеющий главный максимум отражения у 9,80 мк, перестраивается постепенно в силикат, имеющий максимум у 9,65 мк (рис. 11.109, 1). [c.182]

В основе метода малоуглового рассеяния лежит явление рассеяния рентгеновских фононов на оптических неоднородностях образца как единого целого (кластерах, порах) с размерами несколько десятков нанометров. Измеряется зависимость спада интенсивности рассеянного излучения от угла рассеяния в угловом диапазоне от нескольких угловых минут до нескольких градусов, т е. в интервале изменения волнового вектора О < А < 0,2. На дифрактофамме в малоугловой области также могут проявляться дифракционные максимумы, соответствующие отражениям от атомных плоскостей с межплоскостным расстоянием от 10 до 50 нм. Периодическая структура может быть образована упаковкой полимерных глобул, нанокластеров, молекулярных афегатов. Анализ кривой спада интенсивности рассеянного излучения дает возможность оценить средний размер кластера (области неоднородности), а также распределение кластеров по размерам и форме [11-14]. [c.65]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология