Диффракционная пластинка

В настоящее время путем гальванопластики готовят волноводы, колпачки для вечных ручек, рефлекторы, матрицы для прессования различных изделий из пластмассы (граммофонных пластинок, искусственных зубов, шестерен, кулачков, брошек, пуговиц, коробок, тарелок, кукол и других игрушек), матрицы для прессования мыла и свечей, для изготовления резиновых изделий (шин, перчаток, подошвы), матрицы для изготовления диффракционных решеток, светосильных стереоэкранов. [c.11]

Рассмотрим условия, при которых свет ведет себя как волна. В типичном диффракционном опыте свет из точечного или линейного источника проходит через систему щелей, после чего диффракционная картина регистрируется на фотографической пластинке. В настоящее время экспериментально найдено, что образование скрытого изображения на фотографической пластинке так же, как и фотоэлектрический эффект, является квантовым процессом. Таким образом, с точки зрения фотонной теории света этот опыт можно рассматривать как переход потока фотонов от источника к пластинке. Если бы возможно было произвести опыт с единственным фотоном, мы не могли бы получить полной диффракционной картины самое большее, одно зерно эмульсии на пластинке получило бы способность проявиться. Опыт с большим числом фотонов можно рассматривать как повторенный многократно опыт с единственным фотоном. Поэтому диффракционная картина является выражением вероятности того, что фотон, испускаемый из источника, ударится об определенное место пластинки. Волны сами по себе не наблюдаются ни в этом, ни в каких-либо других оптических опытах фактическое наблюдение света всегда квантовано, обнаруживаем ли мы свет фотографической пластинкой, фотоэлементом или человеческим глазом. [c.15]

Диффракционные решетки. Пучок монохроматического излучения, проходя через стеклянную пластинку, на которой нанесено большое число очень [c.133]

Диффракционные решетки. Пучок монохроматического излучения, проходя через стеклянную пластинку, на которой нанесено большое число очень тонких параллельных линий, расщепляется на множество пучков. Один из них направляется прямолинейно вперед так, как будто стекло не разлиновано другие пучки отклоняются от такого направления на разные углы, величина которых зависит от расстояния между штрихами и от длины волны излучения. Указанное явление можно объяснить, допуская, что каждая прозрачная часть стекла между штрихами при освещении сзади ведет себя, как источник излучения, которое распространяется по всем направлениям. Однако лучи, исходящие из этих многочисленных вторичных источников, в большинстве [c.133]

Как и в методе исследования кристаллических порошков, лучи отражаются по ряду телесных углов, которые на фотографической пластинке, поставленной на их пути, дают концентрические кольца. По расположению этих диффракционных колец можно судить о расстояниях между атомами в молекуле таза. [c.154]

Аппаратура и основные приемы качественного спектрального анализа. Для проведения спектрального анализа необходимо, чтобы свет, испускаемый светящимися парами изучаемого вещества, был превращен в спектр. Для этой цели служат спектральные приборы, основной частью оптики которых являются призмы или диффракционные решетки, разлагающие белый свет в спектр. В зависимости от способа регистрации спектра, визуального—глазом или фотографическим—на фотографическую пластинку, спектральные приборы носят название спектроскопов или спект- [c.201]

Поверх камеры образца помещается фотографическая камера. Открывая дверцу 1 фотографической камеры (рис. 4), вставляют кассету с 12 фотопластинками 6x4,5. Флуоресцирующий экран укреплен непосредственно под кассетой с фотопластинками. Появляющееся на экране диффракционное изображение, отражаемое металлическим зеркалом, можно наблюдать через верхнее смотровое окно в корпусе прибора. Изображение можно также рассматривать в зрительную трубу 2 с семикратным увеличением, которая укрепляется непосредственно у смотрового окна. Фотосъемка и смена пластинок осуществляются одним поворотом рукоятки 3. Время экспозиции отсчитывается по секундомеру, вмонтированному в панель прибора, и обычно составляет от 1 до 3 сек. Такое устройство фотокамеры обеспечивает высокую производительность прибора—за несколько минут можно получить 12 снимков. Практически съемка может производиться со скоростью, соответствующей скорости выбора подходящих для съемки точек на препаратах. [c.28]

Для измерений по этому методу применяется установка, схематически изображённая на рис. 125. Свет от электрической дуги Ь проходит через монохроматор М, призму Николя /VI и объективом О фокусируется на экране К- На пути сходящегося светового луча располагают исследуемый образец С и вторую призму Николя Л/з- Исследуемый образец при этом ставят непосредственно на кварцевую пластинку Q, которая лежит на металлической рамке / . Такое расположение кварца обеспечивает воздушную подушку с тыльной стороны кварцевой пластинки, в результате чего практически всё ультразвуковое излучение направляется в исследуемый образец. Призма Р позволяет производить в случае необходимости визуальные наблюдения на экране. Обычно диффракционная картина фотографируется. [c.226]

С большим количеством маленьких круглых отверстий. С помош.ью длиннофокусного объектива О и зеркала 3 на экране Э получалось изображение диафрагмы с отверстиями. При возникновении диффракционной картины каждое отверстие давало диффракционный спектр, вытянутый вдоль ультразвукового луча. Рассматривая подобное изображение, легко установить ход ультразвукового луча. Пластинка П из исследуемого вещества крепилась на специальном держателе, позволяющем изменять её положение по отношению к излучающему кристаллу. Своеобразное расположение экрана было вызвано желанием одновременно с поворотом пластинки следить за картиной, наблюдаемой на экране. В описываемой работе поворот пластинки измерялся с точностью до 1 дуговой минуты. Интенсивность ультразвука, прошедшего через исследуемую пластинку, определялась по интенсивности диффракционной картины. [c.232]

Точнейшие наблюдения (измерения) спектров простых тел произведены при помощи диффракционных пластинок, потому что положение темных и светлых линий при этом не зависит от показателя преломляющего материала призмы. Лучший, т.-е. наиболее общий и точный способ для выражения результатов подобных определений, состоит в указании длины волны, соответствующей лучам определенного показателя преломления. (Иногда дают вместо того частное из 1, деленной на квадрат длины волны). Эту длину волн мы станем выражать в миллиоивых долях миллиметра (десятимиллионные доли часто сомнительны, впадают в предел ошибок). Для ориентирования в этом отношении приводим длины волн, соответствующие главным фраунгоферовым линиям и цветам спектра [c.345]

Тэйлор [19] описал другой метод регулирования амплитуды при фазоконтрастном методе микроскопирования. Им была применена диффракционная пластинка, центральный диск и внешнее кольцо которой изготовлены из -(или 1-) кварца, а среднее кольцо — из -(или соответственно й-) кварца. Кварцевые пластинки вырезаны перпендикулярно к их оптической оси, а толщина их подобрана так, что они вращают плоскость поляризации света определенной длины волны соответственно на +45 и —45°. На внутреннее кольцо, через которое проходит неотклоненный луч, нанесен слой изотропного вещества, который дает замедление в V волны. В этой системе поляризатор помещен ниже кольцевого конденсора, а анализатор—-выше диффракционной пластинки или [c.214]

I—осветительная часть II— оптическая часть III — приемно-регистрирую-щая часть / — источник света 2 —конденсорная система освещения щели спектрального прибора —щель 4. в —коллиматорный н камерный объективы 5 —диспергирующий элемент (призма, диффракциониая решетка) 7 —фокальная плоскость спектрального прибора I —окуляр 9 —глаз 10—фотографическая пластинка // — выходная щель /2 —фотоэлемент, фотоумножитель 13, / < —усилительное и отсчетно-регистрирующее устройство [c.650]

Кварц прозрачен до 1800 А, область 4000—1850 А ) рактически наиболее важна, она исследуется в настоящее время главным образом с помощью кварцевой оптики (призмы, линзы, кюветы). Для более коротких волн-до 1200 А—употребляется оптика из флюорита. Для еще более коротких волн уже нет подходящих для призм, линз, кювет прозрачных материалов, обычно в. этих областях применяют отражательную оптику — вогнутые зеркала, отражательные диффракционные решетки с помощью такого рода оптики исследуются граничные коротковолновые области поглощения Лаймана, Милликена, Зигбана-Эдлена. Начиная с 2300— 2400 А, оказываются ненри-тодными обычные фотографические пластинки из-за поглощения желатиной в этой области дальнего ультрафиолета употребляются специально сенсибилизированные безжелатинпые тонкослойные пластинки. [c.186]

Поток электронов, обычно от горячего катода, ускоряется потенциалом порядка 40 киловольт в аппарате, находящемся под высоким вакуумом. Струя пара исследуемого вендества направляется перпендикулярно пучку электронов пз тонкого отверстия, причем пар затем или конденсируется иа поверхности, oxлaждae Пзlй жидки м воздухом, или выкачивается через специальное отверстие, соединенное с высокоскоростным насосом. Достаточно полное удаление паров имеет, разумеется, важное значение для поддержания вакуума. Этот метод пригоден для всякого вещества, которое можно испарить без разложения под уменьи1енным давлением так, чтобы упругость паров составляла 100—200 мм. Благодаря тому, что взаимодействие электронов с молекулами газа гораздо сильнее, чем взаимодействие рентгеновских лучей, а также вследствие более сильного действия их на фотографическую пластинку, время экспозиции, нужное для фотографирования диффракционных колец, составляет всего около секунды, в ю время как для получения рентгеновской диффракционной фотографии газа нужно несколько часов. [c.233]

Положение максимумов и минимумов рассеяния должно быть выражено теперь через (sin 0/2)/Х, что делается следующим образом. Если равно половине расстояния между максимумом (или минимумом) данного диффракционного кольца и пятном в центре кольца, обусловленным неотклонившимся лучом, т. е. если диаметра кольца, arfa—расстояние от фотографической пластинки до точки пересечения потока электронов со струей пара, то тогда [c.159]

Вирль (1931, 1932 гг.) показал в своих работах, что вполне удовлетворительные результаты получаются и тогда, когда для расчета интенсивности рассеяния берется приближенное уравнение (VIII). Паулинг и Броквей пришли к выводу на основании более подробного исследования, что это уравнение в сочетании с визуальным методом определения положения максимумов и минимумов на фотографической пластинке дает такие же удовлетворительные результаты, как и более трудоемкий, но в высшей степени точный метод, изложенный выше. Полученное таки4й образом значение для расстояния С — С1 в четыреххлористом углероде равно 1,76 А, при условии, что первые два диффракционные кольца не учитываются Косслет дает для расстояния С — С1 величину 1,74 0,02 А. [c.162]

В луче всегда найдутся длины волн, которые удовлетворяют условию (61). На фотографической пластинке, наряду с центральным пятном непреломленного луча, получаются симметричйо расположенные вокруг него пятна, каждое з которых соответствует каким-нибудь k п d (отражения разных порядков от разных плоскостей решетки). Примером рентгенограммы Лауэ может служить рис. 45, воспроизводящий диффракционный снимок от кристалла цинковой обманки. По величине и интенсивности пятен можно судить о размере кристаллов, а по их расположению — о строении решетки. Если исследуемое тело поликристаллично и все кристаллы одинаково ориентированы, то сохраняется та же картина в случае не очень мелких кристаллов. При беспорядочной ориентировке последних пятна сливаются в концентрические кольца, подобные изображенным на рис. 47. [c.157]

В свое время Лауэ воспользовался в качестве диффракцион-ной решетки кристаллом. Он исходил из предпосылки, что кристалл имеет структуру пространственной решетки, образованной частицами данного вещества. Рентгеновские лучи, обладающие очень малой длиной волны, проходя через кристалл, будут испытывать диффракцию и могут быть зафиксированы при помощи светочувствительной пластинки. [c.61]

Выше 200°, как уже отмечено, возникают смеси окисей. Анализ диффракционных картин, полученных от этих смесей, представляет ряд трудностей ввиду наложения линий от различных компонентов, а также ввиду изменения состава пленки по ее толщине. Согласно рентгенографическим исследованиям Архарова [17] и других авторов [18], высокотемпературная обработка железа приводит к образованию различных окислов на различной глубине пленки, причем ближе к поверхности железа находится закись железа РеО, далее идет Ред04 и, наконец, а-РезОд. Эти данные нашли подтверждение и в одной из электронографических работ [19] по исследованию поверхностных слоев пластинки железа, подвергнутой окислению при определенных высоких температурах. Была изучена структура окислов различных слоев окисленного металла по толщине. Согласно этим данным, картина распределения окислов отвечает схеме Архарова. [c.34]

К таким же выводам приводит и электронографическое исследование [10] тонких пленок алюминия, полученных путем конденсации пара алюминия на тонкой пленке целлулоида или на слюдяной пластинке в условиях хорошего вакуума. В случае осаждения металла на целлулоиде электронографическая съемка по методу прохождения проводилась непосредственно после достаточно длительного (от одного дня до месяца) соприкосновения пленки с воздухом. Тонкие слои алюминия, полученные на слюде и обследованные по методу отражения, давали электронограммы исключительно от металла. Чтобы провести исследование этих слоев по методу прохождения, слюдяные пластинки вместе с пленками погружались в воду. При этом металлический слой отслаивался от слюды и плавал на новерхности воды. Прозрачные пленки иногда помещали на решетку с целлулоидной подкладкой, но основные опыты были проведены с пленками, свободно лежащими на решетке. При этом пришлось использовать решетки с очень малыми отверстиями (0,3—0,5 мм). Электронографичёские картины для этих образцов мало отличались от картин для алюминиевых слоев, конденсированных из пара непосредственно на целлулоидную подкладку. Даже для образцов, соприкасавшихся с воздухом в течение месяца, диффракционная картина не содержала колец, не относящихся к металлу. Таким образом, указания Штейнхейля о якобы защитных свойствах целлулоидной подкладки должны быть признаны необоснованными, так как и электронограммы от свободных от подкладки пленок конденсированного алюминия (но не травленого соляной кислотой и не соприкасавшегося с хлористым натрием) даже при лмесячной выдержке образцов на воздухе не содержали отражении окиси, описанных Штейнхейлем, Ряд образцов давал диффракционные картины, содерн ащие лишние (но сравнению с картиной для металла) кольца. Два из них, с й = 4,13 А и 3,72 А, интерпретировались как наиболее интенсивные линии жира , представляющего теперь общеизвестное загрязнение поверхностей и состоящего пз органических веществ с длинными углеводородными цепями. Одно четкое отражение с <1 =4,5 А, встречающееся очень часто, но слабое по интенсивности, иока не получило достаточно ясного толкования. Других лишних линий на этих электронограммах не обнаружено. [c.70]

Для более детального изучения этого вопроса было необходимо провести опыты с больщей точностью. Опыты производились в маленьком электронографе. Расстояние от объекта до пластинки L = 250 мм. Напряжение около 40 kV. Весьма существенно было точное определение длины волны электронов. Для этого приходилось пользоваться стандартными веществами, которые либо примещивались тем или иным способом к изучаемому объекту, либо наносились на какую-нибудь вспомогательную поверхность, от которой, так же как и от изучаемой поверхности, и получались одновременно две независимые диффракционные картины при работе на отражение [8]. В качестве стандартных веществ использовались Na , MgO, каолинит и др. По известным значениям постоянных рещетки рассчитывалась длина волны, и определения межплоскостных расстояний для отражений исследуемого вещества производились при использовании этих уточненных значений X, [c.136]

Гидросиликат С5Н(В), или В-модификация СаО 510, НаО, также имеют переменный химический состав, выражающийся формулой Со,8-1,55Н(1. Структура слоистая, кристаллизуются в форме весьма тонких пластинок. Пластинки С5Н(В) почти двумерны, их толщина составляет несколько элементарных ячеек, при наблюдении под электронным микроскопом они свертываются в трубки (волокна) это позволило многим исследователям считать С5Н(В) волокнистым гидросиликатом в отличие от пластинчатого тоберморита, что является необоснованным. Кристаллы тоберморита характеризуются четко выраженной трехмерной структурой, они возникают при длительной гидротермальной обработке С5Н(В). В известковопесчаных изделиях кристаллы С5Н(В) и тоберморита имеют размер не более 1 мк, а часть их даже не более 0,1 мк. Рентгенограммы С5Н(В) и тоберморита в основном аналогичны, с тем отличием, что С5Н(В) обнаруживает лишь часть диффракционных отражений, характерных для тоберморита. Кривая ДТА тоберморита показывает эндотермический эффект при 260°, а С5Н(В) — экзотермический эффект при температуре для С5Н(В) с основностью 0,8—1,0 при 835°, с основностью 1,25—865° и с основностью 1,33 при 900°. При нагревании С5Н(В) теряет воду в несколько стадий, что сопровождается сжатием слоев, подобно тому как это имеет место у минералов набухающих глин. Часть воды теряется, но может вновь поглощаться, в результате чего решетка С5Н(В) вновь разбухает. В результате изделия, сцементированные С5Н(В), обладают существенной усадкой при сушке и могут оказаться нестойкими в условиях попеременного увлажнения и высушивания. [c.142]

Л —ИСТОЧНИК электрического питания В—держатель пластинки С—вакуумный наоос I)—электронная пушка Е — камера образца Ж—диффракционная камера О—камера наблюдения Н — регулировка увеличения I—масляный диффузионный наооо. [c.324]

Значительные осложнения возникают также в результате неравномерного нагрева жидкости и порождённых им конвек-щюнных потоков. Неравномерный нагрев жидкости часто вызывается колебаниями кварцевой пластинки, поэтому можно рекомендовать включать кварц лишь на короткие промежутки времени и фотографировать с возможно малой экспозицией. Коэффициент поглощения ультразвука можно определить также, воспользовавшись тем, что при малых амплитудах ультразвуковых колебаний, при которых в диффракционной картине наблюдаются только спектры первого порядка, между освещённостью изображения ультразвукового поля, полученного по методу тёмного поля, и интенсивностью звука существует линейная зависимость [316, 317]. Измерение освещённости ультразвукового поля производят или с помощью фотоэлемента или же посредством фотографирования с последующим фотометрированием. Фотометрирование производят, сравнивая освещённость ультразвукового поля с освещённостью поля зрения, на которое наложен ступенчатый [c.93]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология