Установка вакуумного напыления

Рис. 7.11. Схема установки для вакуумного напыления реплик I — колпак 2 — образец на объектном столике 3 — испаритель.

Рис. 9.5 Установка для вакуумного напыления /-испаритель для металла 2 — колпак подложка 4—нспарИ

Рис. 18. Вакуумная установка для напыления (лабораторного изготов-

Рис. VI.5. Схема установки для вакуумного напыления.

Установка вакуумного напыления содержит четыре испарителя, работающих последовательно, в любом по-13 195 [c.195]

Для управления агрегатами и устройствами установки вакуумного напыления служит схема управления И блокировки, часть которой представлена на рис. 2-56. Исполнительными устройствами схемы являются реле, которые своими контактами включают и отключают элементы описанных выше схем. На схеме рис. 2-56 приведены только те цепи управления и блокировки, которые относятся к вакуумному агрегату, к испарителям и к очистке в газовом разряде. [c.201]

УСТАНОВКА ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ [c.189]

Электрооборудование установки экранирования имеет много электрических цепей, одинаковых и сходных с цепями установки вакуумного напыления пленок, однако имеются и существенные различия. Рассмотрим их. [c.204]

Все движения рабочих органов установки выполняются электроприводами, перемещения жидкостей — с помощью насосов, также снабженных электроприводами, и с помощью сжатого воздуха путем вытеснения жидкости из объема. Доступ жидкостей или воздуха в рабочие емкости или из них осуществляется открыванием или закрыванием электромагнитных клапанов, управляемых от реле. Последние включены в схему управления и блокировки, которая в принципе не отличается от такой же схемы установки вакуумного напыления. [c.205]

Напыление реплики на поверхность исследуемого образца осуществляют с помощью вакуумного универсального поста. Установка оборудуется рабочей камерой с колпаком, вакуумной и электрической системами (рис. 7.11). В рабочей камере устанавливают держатели для образца и для распыляемого материала на расстоянии 60—100 мм друг от друга. В качестве распыляемого вещества чаще всего применяют углерод, кварц, серебро, платину, хром и другие материалы. Материал испаряют с помощью электрического тока силой 60—80 А. Рабочая камера снабжена диафрагмами и заслонками для защиты от нежелательного теплового воздействия испарителя на образец. Для обеспечения средней длины пробега частиц испаряемого материала больше диаметра колпака и прямолинейности распространения этих частиц внутри колпака создают разрежение порядка 0,133—1,33 МПа (1-10- —Ы0- мм рт. ст. Частицы испаряемого вещества при попадании на поверх- [c.114]

Установка алюминирования, предназначенная для нанесения алюминиевой пленки на экраны специальных ЭЛТ, работает с использованием вакуумного распыления алюминия, и ее электрооборудование аналогично электрооборудованию ранее описанной установки вакуумного напыления. [c.217]

Например, при исследовании процесса гидратации цемента возможно более тонкий слой цементного теста наносят на предметные стекла, которые помещают в эксикатор, атмосфер которого насыщена водяными парами и свободна от СОа- Через нужный интервал времени извлекают одну пластинку и замораживают в жидком азоте. После этого пластину с образцом подвергают вакуумной сушке в установке для вакуумного напыления. Откачку воздуха следует производить как можно быстрее, чтобы препарат не успел оттаять и испарение воды происходило из твердой фазы. Далее с образца снимают ту или иную реплику. На электронно-микроскопических снимках можно зафиксировать нужные стадии процесса, поскольку реакции гидратации минералов цемента имеют относительно небольшую скорость протекания. [c.145]

Рнс. 58. Схема образования тени при косом напылении металла в вакуумной установке для напыления [c.146]

В понятие вакуумные камеры включается любой откачанный объем, как например колбы электронных приборов, ртутные выпрямители, масс-спектрометры, установки для вакуумного напыления, установки для вакуумной плавки, установки для вакуумной дистилляции и сушки, ускорители заряженных частиц, камеры для имитации космических условий и другие вакуумные устройства. Для изготовления этих вакуумных камер, а также трубопроводов, подсоединяющих их к насосам или манометрам, применяются различные металлы и сплавы. Группы металлов и других материалов, используемых в различных областях вакуумной техники, приведены в табл. 2- 8. [c.31]

На фиг. 6.1,6 приведена схема установки для вакуумного напыления. Особенно хорошие результаты вакуумное напыление дает при выращивании эпитаксиальных пленок металлов. В установке типа показанной на фиг. 6.1,6 нужную температуру [c.244]

Металлические покрытия были получены разложением ацетилацетоната кобальта в сухом водороде в качестве газа-носителя при атмосферном давлении. Температура испарителя 140—150° С, температура подложки 325 — 340 С, температура паровой фазы 150 — 170" С и скорость газового потока 1,2 — 2,8 л/мин [41, 522]. Эти условия осаждения являются оптимальными, так как приводят к получению тонкой металлической пленки, имеющей магнитные свойства монолитного кобальта. Однако их следует рассматривать оптимальными лишь при использовании данной конструкции установки. За 8—10 мин. осаждения на стеклянной подложке была выращена пленка толщиной 0,6 мкм. Авторы отмечают, что ими получены также пленки толщиной 1,47 мкм. Адгезия пленок па стекле была плохой из-за различия в коэффициентах термического расширения кобальта и стекла. Пленки кобальта не обладали очевидной магнитной или механической анизотропностью в отличие от пленок, полученных вакуумным напылением или электрохимическим осаждением, которые обычно являются анизотропными. Присутствие некоторого количества водорода при осаждении является необходимым для получения качественных блестящих покрытий из ацетилацетоната кобальта. Хотя обычно разложение проводят при нормальном давлении, осаждение в вакууме при давлении ниже 1 мм рт. ст. имеет преимущества вследствие уменьшения возможности температурных колебаний и уменьшения тенденции образования порошковых покрытий, обусловленных разложением соединений в объеме. [c.288]

В установках для получения покрытий в вакууме различны способы нагрева испаряемого вещества. Применяют термическое испарение с электрическим или электроннолучевым нагревом и катодное распыление. В некоторых случаях требуется сочетание вакуумного напыления с ионной бомбардировкой. Для испарения тугоплавких материалов использовали луч лазера [65] с длиной волны 1,06 мкм, генерируемый в стекле, легированном N(1, мощностью —100—150 Дж в 2—4 мс. Луч проектировался в вакуумную установку через стеклянное окно и фокусировался на испаряемом [c.237]

На рис. 399 показано соединение с прокладкой из вакуумной резины или витона. Его часто применяют при установке колпака на плите в аппаратах для вакуумного напыления, работающих при давлениях не ниже [c.475]

Если в зону испарения поместить посторонний предмет (изделие), то образующиеся низкомолекулярные продукты адсорбируются на его поверхности и полимеризуются с образованием полимерного покрытия. На этом принципе по аналогии с вакуумным напылением металлов разработан процесс напыления полимеров — фторопластов, полиэтилена, полиамидов, поли-п-ксилилена. Покрытия получают в специальных установках — вакуумных камерах, снабженных электронагревателем или газоразрядной электронной пушкой (рис. 7.43,6). Применение последней обеспечивает особенно большую скорость разложения полимеров (при мощности пушки 100—110 Вт/см скорость разложения фторопласта-3 достигает 0,1—0,12 г/мин). Режим работы установок [c.268]

Метод декорирования заключается в том, что на поверхность (обычно свежий излом) конгломерата или монокристалла способом вакуумного распыления наносится небольшое количество вещества, не образующего с исследуемым материалом химического соединения. В результате напыленное вещество, количество которого обычно меньше, чем нужно для образования сплошной моно-молекулярной пленки, концентрируется только на активных участках поверхности объекта (дефектах, узлах и т. п.), образуя зародыши кристаллов и делая эти участки видимыми ( декорируя их). Наиболее широкое распространение получило декорирование минералогических объектов золотом. Последовательность операций при декорировании, например, конгломерата каолинита следующая конгломерат разламывают в руках для обнажения свежей поверхности, один из кусочков материала помещают в вакуумную установку и нагревают до 300—450°С в течение 15—30 мнн для очистки поверхности от примесей и приставших частиц через несколько минут после прекращения нагрева без нарушения вакуума производят распыление золота, а затем на поверхность наносят угольную пленку (реплику), которую отделяют растворением образца в плавиковой кислоте. [c.135]

Работу выполняют на вакуумной установке, схема которой приведена на рис. 5,4. Используются подложки с напыленным слоем тантала. [c.115]

Напыление проводят на вакуумном универсальном посту согласно инструкции по проведению работы на данной установке. Образец закрепляют на объектном столике и устанавливают угол оттенения (30°). В держателях укрепляют заточенные углеродные стержни и рабочую камеру закрывают колпаком с металлической сеткой. После создания вакуума в установке в течение 10—20 с подают ток на испаритель. По окончании испарения электрическую и вакуумную системы отключают и рабочую камеру разгерметизируют. [c.115]

Для напыления в вакууме топких слоев углерода, кварца, различных металлов и других веществ используют специальные вакуумные установки. Типичная напылительная вакуумная установка [c.189]

Изготовление углеродной реплики проводят в напылительной вакуумной установке. Кусочек пленки латекса (1x4 см) укрепляют в специальной рамке и рамку устанавливают под колокол вакуумной установки на расстоянии 70—80 мм от угольных стержней под углом 45° к направлению напыления. Затем включают вакуумный насос и в рабочем пространстве (под колоколом) создают вакуум (10 —10" мм рт. ст.). Препарат выдерживают в вакууме в течение [c.202]

Наибольшее применение имеют хром, платина и палладий. Для исследования элементов структуры размером порядка 200 A и больше используют хром. Для выявления наиболее тонких деталей поверхности и для предварительного оттенения реплик лучшие результаты были получены нри напылении платины или ее сплавов с палладием. Высокое качество оттенения зависит не только от правильного выбора оттеняющего металла, но и от условий проведения оттенения. Давление в вакуумной установке не должно превышать 10" мм рт. ст., так как минимальное рассеивание пучка частиц оттеняющего металла, а следовательно, и резкость теней может быть достигнута лишь при высоком вакууме. Угол оттенения может быть различным в зависимости от характера исследуемой поверхности. При очень тонком рельефе поверхности объекта угол может составлять 20° и меньше для грубого рельефа выбирают уг л 30—40°. Расстояние между испарителем и объектом должно быть не меньше 8—10 см. [c.188]

Вакуумная система служит для создания вакуума в рабочем пространстве установки, где происходит напыление. Разрежение, необходимое для оттенения электронно-микроскопических препаратов или при получении пленок-подложек, должно составлять не менее 10" —10" мм рт. ст. Вакуум контролируют с помощью ионизационного манометра 4. Для создания необходимого разрежения применяют диффузионный 5 и форвакуумный 7 насосы. Существенной частью вакуумной системы является система вентилей и клапанов 6, позволяющая периодически создавать вакуум и заполнять воздухом эвакуированное пространство при смене объектов, испарителей и при других операциях. [c.190]

Напыление углеродной реплики на первичный отпечаток. Первичный отпечаток, представляющий собой толстый слепок, с которого нужно получить окончательную углеродную реплику, помещают в вакуумную напылительную установку. Углеродную пленку наносят на контактную поверхность отпечатка. Напыление углерода проводят таким же методом и в тех же условиях, что и при изготовлении первичных углеродных отпечатков (см. работу 29). [c.204]

Оборудование трубчатая однозонная печь горизонтального типа с рабочей температурой до 1200°С ( Изоприн — ЖКМ-30/700, ЛЭТО, СУОЛ-0,4.4/12 и т. п.) (возможно использование нестандартных печей с длиной рабочей зоны до 500 мм и диаметром 50—60 мм) кварцевая труба диаметром 30—50 мм, длиной 0,7 м со шлифом кислородный баллон с редуктором Pt—Pt/Rh — термопара и потенциометр ПП-63 для измерения температуры кварцевые держатели для пластин установка для анодного окисления установка для хлорного травления ХА-термопара универсальный источник питания УИП-1 с предметным столиком для определения электрической прочности SiOa измеритель параметров Л2-7 в комплекте с генератором ГКЗ-40 и манипулятором установка вакуумного напыления металлографический микроскоп (МИМ-7, МИМ-8М) [c.129]

В установке вакуумного напыления перед нанесением покрытия подложка тщательно очищается от органических загрязнений в тлеющем разряде в разреженном газе. Ионная бомбардировка очищает поверхность подлож- [c.199]

Часто перед напылением реплик исследуемая поверхность предварительно подтеняется металлом под определенным углом. Современные установки вакуумного распыления позволяют напылять последовательно металл и углерод (или кварц), не нарушая вакуум. [c.191]

Оттенение поверхности образца хромом и получение углеродной реплики методом напыления. Предварительное оттенение поверхности травленой и нетравленой медной фольги, а также получение углеродной реплики проводят в нанылительной вакуумной установке. Кусочек медной фольги (2x4 см) помещают под колокол вакуумной установки, укрепляют в специальной рамке и устанавливают рамку на расстоянии 80—80 мм от испарителя под углом 60° к направлению напыления. В испаритель вносят около 2 мг хрома. Затем включают вакуумный насос. После достижения необходимого вакуума (10 —10 мм рт. ст. остаточного давления) проводят напыление хрома. Затем на медную фольгу напыляют углеродную реплику, напыление проводят под углом 90° к поверхности фольги. Подробно работа на установке вакуумного распыления описана во введении к этой главе (см. стр. 191). [c.200]

Для получения резистивных и диэлектрических слоев из окиснометаллических пленок применяется пиролиз кремнийорганических соединений, а также реакции гидролиза галогенидов металлов в окисляющей атмосфере. Так, например, путем термического разложения тетра-этоксисилана в атмосфере инертного газа или в вакууме получают пленки двуокиси кремния. Используя гидролиз хлоридов в газовой фазе, получают двуокись титана с примесью двуокиси олова. Термическим разложением спиртового раствора Sn U бНгО с добавками Sb ls и Zn b получают пленочные резисторы из двуокиси олова с добавками окислов сурьмы и цинка. Оборудование для получения пленок с помощью химических реакций в большинстве случаев значительно проще, чем установки для вакуумного напыления. [c.31]

Как следует из формулы (IX. 4), величина потока рассчитывается достатйно просто и, что главное, регулируется за счет скорости вращения диска. На этом принципе основано действие реакторов для исследования кинетики реакций, протекающих во внешнедиффузионной области. Описана конструкция реактора и установки, работающие в проточно-циркуляционном режиме (Для газофазных реакций — на примере окисления СН3ОН). Реактор представляет собою стеклянный сосуд, внутри которого вращается серебряный диск-катализатор. Диск приводится во вращение внешйим магнитным приводом, а температура его измеряется радиационным пирометром. Реактор с вращающимся диском был также использован для исследования жидкофазного гидрирования а-метилстирола при давлении до 0,3 МПа. Катализатором являлась палладиевая пленка, нанесенная вакуумным напылением на поверхность диска из нержавеющей стали. [c.201]

Квадрупольные масс-спектрометры или фильтры масс. Фильтр масс, так же как хронотрон и фарвитрон, пригоден для измерений при давлениях порядка 10 мм рт. ст. и при более высоких. Эти приборы можно применять для контроля процессов в высоком и среднем вакууме. Фильтр масс можно применять для контроля состава газов в вакуумных плавильных печах, в установках для напыления тонких пленок и т. п. [c.550]

Один из этих путей связан с уже упоминавшейся ионизацией наносимых частиц при номогци их облучения электронами или ультрафиолетовым светом одноименно заряженные частицы обладают меньшей склонностью к агрегированию. На другой путь указывает работа Кейта [62, 66], который изучал влияние температуры подложки и природы остаточного газа в вакуумной установке на зернистость напыленных слоев меди Он нашел, что слои, напыленные на подложку, охлажденную до температуры жидкого азота, обладали слабо выраженной зернистостью, но при нагревании их в вакууме вблизи комнатной температуры наблюдался значительный рост зерен. Если же нагревание производилось в атмосфере кислорода, то окисление металла препятствовало росту зерен. Возможно, что применение таких металлов, как вольфрам, позволит получать по этому спбсобу слои с очень тонкой собственной структурой и в то же время обладаюш ие достаточным контрастом. Выше отмечалось, что слои окиси платины в отношении размера зерен предпочтительны по сравнению со слоями чистого металла. [c.87]

Световой луч проходит значительные расстояния в воздухе без заметных потерь, легко фокусируется с помощью обычной оптической аппаратуры, обладает глубокой проникающей способностью для прозрачных и даже непрозрачных материалов (в инфракрасной области). Это дает возможность проводить сварку деталей в вакууме с использованием вынесенного источника лучистой энергии. В таком варианте вакуумная камера выполняется с окошком из кварцевого стекла, позволяющего пропустить тепловые лучи (световые лучи в инфракрасной области) и производить визуальное наблюдение за протекающим процессом. Сварка может осуществляться и на воздухе без применения вакуумной камеры. И в том и в другом случаях в качестве источника лучистой энергии применяются установки типа УРАН (название составлено из первых букв слов — установка радиационного нагрева ). Такая установка состоит из блока питания, поджигающего устройства и излучателя, снабженного мощной лампой дугового разряда. Излучатель обычно выполняется в виде сферического или параболического зеркала, поверхность которого имеет высокий коэффициент отражения в результате специальной обработки (шлифование, напыление алюминиевой пленки и т. д.). В фокусе зеркала помещается ксеноновая лампа типа ДКСР мощностью 3—10 кВт. Регулируя положение лампы (в реальных конструкциях передвигается зеркало) относительно зеркала, добиваются наилучшей фокусировки луча в виде светового пятна малых размеров. Теоретически температура в пятне может быть получена равной температуре плазмы. На практике уже получены температуры в пятне, близкие к 3000°С. [c.155]