Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Допирование

    Растворение чистых ОНТ в растворах частично допированного полианилина (раствор основного полианилина в м-крезоле) приводит тоже к трансформации спектра полианилина, который становится похож на спектр полностью допированного полианилина камфоросульфоновой кислотой. При этом характерных признаков ОНТ тоже не наблюдается. [c.92]

    Рнс. 11.15. /2,,-МО Сг(СО)4, обеспечивающая дативную связь М->С при допировании электронов с d y-AO Сг [c.438]


    Рассмотрим октаэдрический комплекс типа МЬ " , где М —переходный металл третьего периода, а Ь —лиганд типа ЫНз. Координационные связи в этом комплексе образуются при допировании электронов с гибридной (примерно зр -типа) о-орбитали неподеленной пары азота на вакантные Зё-, 45-, 4р-орбитали металла. Задача состоит в расчете валентных МО комплекса, которые образуются при смешивании шести гибридных о-орбиталей лигандов с валентными орбиталями металла. Если иметь в виду октаэдрический комплекс, можно выбрать координатные оси, как показано на рис. 63, расположив вдоль них лиганды. [c.188]

    Допирование катализатора некоторой примесью понижает концентрацию активных центров К. При каком условии такое допирование повысит селективность процесса в отнощении вещества В Считать, что химический потенциал цк = Ц°к + [c.116]

    Основная функция витамина и — это допирование метильных групп в различных биохимических реакциях, которую [c.274]

    Первая компонента образуется за счет орбиталей, симметричных относительно оси — олефин, и ее следует отнести к 0-связи это донорноакцепторная связь с донором-олефином. Вторую компоненту следует отнести к я-связи, так как она антисимметрична относительно той же оси (рис. 8) здесь наблюдается обратное допирование с образованием дативной связи. [c.99]

    Искусственно созданные органические вещества могут служить также источником открытий п областях науки, казалось бы, никак не связанных с оргаьшческой химией. Наглядным примером могут служить работы, направленные ш создание органических проводников и сверхпроводников. Неспособность типичных органических соединений проводить электротеский ток известна с давних пор. Действительно, именно изолирующие свойства полимеров обусловили их широчайшее внедрение в практику п качестве всевозможных покрьггий. Однако в последние десятилетия бьыо найдено, что некоторые типы полимеров могут проявлять свойства проводников, Так, полимеры общей формулы —(СН=СН)п получаемые полимеризацией ацетилена в условиях реакции Циглера—Натта, приобретают свойства металлических проводников при допировании (частичном окислении мягкими окислителями типа иода). Электропроводность допированного полиацетилена может быть очень значительной (10 См/см), всего лишь на два порядка меньше, чем, например, у серебра(10 См/см ср, с величиной 10- См/см для почти идеального изолятора, тефлона). Важность этого открытия бьша очевидной, и за ним последовал взрывоподобный рост активности в области поиска других органических соединений с подобными свойствами [36]. Помимо полиацетиленов, другие полимеры, содержащие длинные сопряженные цепи, такие, как поли-фенилен, полипиррол или полианилин", также обнаружили способность проводить электрический ток в различных условиях [37]. [c.57]


    Крайне актуальной остается проблема получения высокочистых алмазов типа Па и ПЬ для использования в лазерной оптике, электронике и полупроводниковой технике. Изучены процессы роста высокочистых алмазов типа Па и ПЬ методом температурного градиента под давлением, получены кристаллы весом до 5 карат. Измерено удельное электросопротивление допированных бором [c.20]

    Известно [1], что допирование автоэмиссионных катодов приготовленных из углеродных материалов щелочными, щелочноземельными и редкоземельными металлами приводит к снижению работы выхода электронов и увеличивает эмиссионный ток. Эффективность данного способа может бьггь оценена с помощью измерения распределения работы выхода по поверхности автокатода до и после допирования. [c.50]

    Было обнаружено, что чистые образцы одностенных трубок (95% содержания) не могут быть растворены в растворе с полианилином в основной, непроводящей форме, однако хорошо растворяются в допированном или частично допированном полианилине. Предварительная кислотная обработка ОНТ привела к растворимости ОНТ в растворе непроводящего полианилина в NMP, при этом с увеличением количества ОНТ спектр полианилина последовательно трансформировался к спектру проводящего полианилина. Такой раствор имел спектр ЭПР с характерными признаками проводящего полимера, в то время как в исходном растворе сигнал ЭПР отсутствовал. При этом в спектрах смесей совершенно отсутствовали спектральные признаки одностенных ианотрубок, которые отчетливо проявляются, когда "растворяются сажи с большим содержанием аморфного углерода (см. выше). [c.92]

    В настоящей работе с целью синтеза водорастворимых фуллереновых комплексов Pt-металлов нами исследованы реакции взаимодействия ацетилацетонатов платиныП и иридияШ с фуллереном С60, фуллереновой сажей (Ф/С) и фуллереновой сажей, допированной платиной и иридием (М-Ф/С) непосредственно в процессе синтеза фуллеренов. Реакции проводили в водноорганических растворах и нагреванием твердофазных смесей реагентов, с последующей обработкой продуктов термических реакций минеральными кислотами. Водорастворимые продукты синтеза исследованы методами, ИК-,УФ-, ЭПР-спектроскопии. Методами ТСХ и колоночной хроматографии проведено разделение смесей водорастворимых продуктов, образую1цихся при использовании Ф/С и М-Ф/С в качестве исходных реагентов в синтезе. [c.101]

    С целью разработки новых полимерных материалов и более экологически чистых мегодов их получения и обработки изучены закономерности фотохимических и химических процессов (первичных и вторичных), происходящих в допированных ароматическими карбонилсодержащими соединениями силоксановых и гегеросилоксановых полимерных матрицах под действием света, и влияние природы, строения инициаторов, внешних факторов на их протекание. Предложены механизмы реакций [c.94]

    В ДОПИРОВАННЫХ МОНОМЕРНЫХ И ПОЛИМЕРНЫХ МАТРИЦАХ [c.55]

    Целью проводимых по данной теме исследований является изучение механизмов физико-химических процессов, происходящих в допирован-ных мономерных и полимерных матрицах под действием излучений высоких энергий (у- и УФ-излучений) и тепла, и развитие на этой основе подходов к созданию новых, перспективных полимерных материалов. [c.55]

    Однако простое варьирование галогенидного состава МК не всегда позволяет полностью использовать потенциальные возможности Т-Ьп-систем, вследствие энергетических затруднений перехода фотоиндуциро-ванных носителей заряда из одной фазы в другую. Одним из возможных способов преодоления энергетического барьера является допирование зоны гетероперехода примесными ионами. Нами была проделана работа по установлению закономерностей процесса кристаллизации Т-Ьп-кристаллов А На1 в присутствии ионов С(1(П), определению влияния ионов С(1(11) на фотографические свойства подобных МК [1]. [c.94]

    В любом кристалле при т-ре, отлично от О К, существует нек-рая термодинамически равновесная концен-трация точечных Д. Неравновесная концентрация м. б. получена при изменении условий роста (состава р-ра или расплава, т-ры, давления) или в результате обработки (мех., термич., радиационной). В зависимости от вида и концентрации точечные Д. могут существенно влиять на электрич. св-ва полупроводников, магн. св-ва ферритов, оптич, св-ва кристаллофосфоров и т. п. Концентрацию точечных Д. в ионньк кристаллах можно изменять также допированием, т.е. введением в решетку иона, заряд к-рого отличается от заряда замещаемого иона в решетке. Тогда, согласно принципу электронейтральности, в решетке должно образоваться дополнит, число вакансий или междо-узельных ионов, чтобы скомпенсировать избыточный локальный заряд введенной примеси. [c.30]

    Изменение концентрации точечных Д. используется для управления физ.-хим. св-вами твердых в-в и хим. процессами с их участием. Так, допируя галогениды серебра ионами кадмия и увеличивая тем самым в них концентрацию катионных вакансий, удается понизить адсорбцию на них додециламина-коллектора в процессе флотации. Точно так же допирование прир. сульфида свинца (галенита) ионами серебра и висмута изменяет заряд пов-сти н ее способность к адсорбции заряженных молекул коллектора при флотации. Допируя TiOj ионами тантала, можно существенно изменять скорость заполнения межгрануляр-ного пространства при спекании методом горячего прессования. Ионную проводимость ZrOj. возникающую вследствие допирования СаО, связывают с образованием вакансий и своб. ионов 0 . Точечные Д. изменяют скорость полиморфных превращений, коррозии металлов и сплавов, процессов спекания и рекристаллизации керамич. материалов. Т. наз. вакансионные состояния часто предшествуют образованию частиц продукта в виде самостоят. твердой фазы при гетерог хим. р-циях. В ряде случаев получение кристаллов с заданной концентрацией точечных Д. определенного вида необходимо при создании материалов для микроэлектроники, лазерной техники, люминофоров и др. [c.30]


    Поскольку важнейшие св-ва монокристаллов и поликристаллич. материалов являются структурно-чувствительными, т. е. определяются наличием определенного рода Д., разработаны методы, позволяющие получать как монокристаллы с миним. концентрацией Д., так и материалы с заданным типом и концентрацией Д. Необходимый уровень концентрации точечных Д. в кристаллах можно обеспечить, кроме допирования, обработкой их в атмосфере, содержащей собственные атомы структуры при фиксированном парциальном давлении паров, изменением условий кристаллизации, путем пластич. деформации или, наоборот, отжигом. Облучение, воздействие электрич. или магнитным полем, хим. обработка кристалла также м. б. использованы в качестве способов получения дефектов. Можно устранить образование нежелательных Д., намеренно создавая в кристалле безвредные с точки зрения техн. св-в Д. Напр., прозрачную керамику на основе Zr02 удалось получить, легируя последний УзО, и создавая тем самым структуру с высокой концентрацией Д,, являющуюся энергетически более выгодной, чем структура с внутр. порами, межкри-сталлитными границами и дислокациями. [c.31]

    Допирование П. (введение небольших кол-в примесей) осуществляется при его взаимод. с сильными донорами или акцепторами электронов. В результате изменяется структура П. и его электропроводность приближается к электропроводности металла (см. Металлы органические, а также Пюливинилены). [c.612]

    Применяют в основном хим. и электрохим. методы допирования. По первому из них пленки П. обычно обрабатывают парами допирующего агента или погружают в его р-р. Допирующими агентами служат щелочные металлы, галогевсы, к-ты Льюиса. По второму методу через р-ры солей пропускают постоянный электрич. ток, используя в качестве электродов пленки П. В обоих случаях протекают окислит.-восстановит. р-ции, напр.  [c.612]

    Параметры кристаллич. структуры допированного П. зависят от типа допирующего агента, но в большинстве случаев они близки соед. включения графита (см. Графита соединения). Электропроводность допированного П. также зависит от типа допирующего агента и увеличивается с глубиной допирования. Макс. электропроводность, равная [c.612]

    П. можно применять для создания источников тока и ионных конденсаторов, работающих на принципе электрохим. допирования, как фотопреобразователи и солнечные батареи, заменители цветных металлов. Одиако из-за трудностей переработки и в связи с изменением св-в со временем П. пока не нашли широкого практич. применения. Создание перерабатываемых П. связано в осн. с получением привитых и блоксополимеров П. и композиций П. с насьпц. полимерами. [c.612]

    П. применяют в качестве твердых электролитов (полииодиды щелочных металлов и тетраалкиламмония), лек. и антимикробных препаратов (полииодиды орг. оснований), в аналит. химии напр., KI3), для разделения (напр., Rb и s) и очистки в-в, при создании полимеров с регулируемыми электрич. св-вами (напр., допированный полиацетнлен). [c.623]

    Вслед за этим немедленно появилась работа , в которой на основании наблюдения в масс-спекфах паров фафита, допированного атомами Ьа, сообщалось об обнаружении пика 859=(720+139). На основании этого было сделано предположение о возможности внедрения во внуфеннюю полость сфероидальной. молекулы Сбо атома лантана с образованием эндоэдрапьного комплекса Ьа Сбо- Оба эти предположения в дальнейшем блестяще подтвердились. После появления этих сообщений в первую очередь стали проводить исследования физических, особенно спектроскопических свойств, направленных на установление структуры кластеров углерода. [c.108]

    Особое внимание привлекли работы по синтезу кристаллических образцов Сбо и сверхпроводящих допированных фуллерейовых сйстем. В настоящее время достигнутая и надежно воспроизводимая максимальная критическая температура в фуллереновом ряду равна 33 К для siRb eo- [c.118]

    В течение многих десятилетий химики затрачивали колоссальные усилия для получения органических сверхпроводников. Для графита область перехода в сверхпроводящее состояние была определена только вблизи абсолютного нуля, а материалы на основе комплексов с переносом заряда и полимеров, допированных различными добавками, имели критические температуры около 7 К. [c.152]

    Фуллерены сразу же привлекли внимание исследователей, поскольку в его кристаллической рещетке имеются свободные тетраэдрические и октаэдрические пустоты, в которые могут внедряться металлические ионы. Первые же опыты позволили получить сверхпроводящие пленки на основе твердого фуллерена Сбо, допированного небольшим количеством щелочного металла. К примеру, бакидовая соль СбоКз при относительно низкой температуре (18 К) становится сверхпроводником. Однако если к этой смеси добавить большее количество калия, то материал становится диэлектриком. [c.152]

    Учеными Гарвардского университета установлено , что наивысшая критическая температура для СбоКЬзСз составляет 33 К. Рекордно высокая температура перехода в такое состояние зафиксирована для СбоТ1КЬ - около 43 К. Японские ученые установили, что эти пленки обладают к тому же очень высокими значениями критических токов - до 10 А/см что выше, чем для керамических сверхпроводников. Появились сообщения о пленках, допированных галогенами, с температурой перехода около 57 К. Исследователи из университета в Буффало показали" , что добавка в бакиболы монохлорида йода еще более поднимает эту величину - она лежит уже в интервале от 60 до 70 К. Если в соединениях фуллеренов с щелочными металлами носителями тока служат электроны, то в соединениях с галогенами - положительно заряженные дырки. К сожалению, эти результаты пока плохо воспроизводимы в силу того, что характеристики сильно меняются от образца к образцу. [c.153]

    Электролюминесценция наблюдается в полимерах и многослойных полимерных слоях, допированных низкомолекулярными электронно-транспортными средствами и люминофорами [12]. Характеристики электронно-транспортных полимерных слоев связаны с химическом составом и строением макромолекул и определяют энергетическую эффективность электролюминесцентных устройств [c.377]


Смотреть страницы где упоминается термин Допирование: [c.13]    [c.50]    [c.138]    [c.347]    [c.434]    [c.441]    [c.347]    [c.85]    [c.111]    [c.150]    [c.55]    [c.57]    [c.405]    [c.283]    [c.336]    [c.612]    [c.635]    [c.667]    [c.757]    [c.51]    [c.399]   
Органический синтез. Наука и искусство (2001) -- [ c.405 ]

Органический синтез (2001) -- [ c.405 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Допирование примесями

Оборудование для хранения, транспортировки п допировании жидкостей



© 2025 chem21.info Реклама на сайте