Обработка кристаллов

Из сказанного следует, что какова бы ни была предыдущая обработка образцов германия и кремния, их поверхностный потенциал постепенно принимает вполне определенное для данной среды значение. Время установления равновесия, т. е. постоянного значения ф , может очень сильно колебаться в зависимости от окружающей среды, температуры и предыдущей обработки кристалла, однако при температурах порядка 400° К оно редко превышает 2—100 часов. Поэтому для поддержания постоянного значения поверхностного потенциала совершенно необходимо, чтобы кристалл полупроводника находился в неизменной по своему химическому составу атмосфере. [c.209]

Подвесные центрифуги применяются для обработки кристаллов или зернистого твердого материала. Принцип их действия аналогичен описанному выше для центрифуги, подвешенной на колонках, с нижней выгрузкой. Продолжительность рабочего цикла для данной центрифуги при обработке типичных осадков составляет 15—20 мин, диаметр ротора 300—1220 мм. При этом центробежная сила уменьшается с увеличе- [c.98]

О типе нестехиометрии или о природе дефектов можно судить также по зависимости электропроводности от содержания избыточного компонента. Так, если обнаружится, что у образцов MX с различным содержанием X, полученных высокотемпературной обработкой кристалла газообразным компонентом X (например, кристаллы КС1 выдерживаются в атмосфере хлора при различном его давлении), проводимость возрастает с увеличением давления X, то это свидетельствует о проводимости р-типа. [c.177]

Поглощение лучей — частичная передача их энергии атомам — зависит от элементного состава кристалла, его объема и, что самое существенное, от его формы. В настоящее время разработаны достаточно совершенные методы учета этой зависимости. Поскольку, однако, точное описание формы ограненного кристалла встречает определенные трудности, предпочтительно произвести предварительную обработку кристалла — придать ему форму цилиндра или сферы. Поглощение в кристаллах цилиндрической или сферической формы учитывается и проще, и надежнее, чем в ограненных кристаллах. [c.74]

Впервые обнаружен дрейф краевых дислокаций в кристаллах азида серебра в постоянном магнитном поле. В зависимости от времени обработки кристаллов в магнитном поле дислокации можно обнаружить локализованными в определенной части кристалла, либо вывести полностью. Таким образом, становится возможным задавать реакционную способность всего кристалла, отдельной его части или получать кристаллы химически [c.92]

Диффузия примесей. Электролитическая и термохимическая обработка кристаллов [c.141]

Результаты экспериментов, проведенных при температуре обработки кристаллов 2220 К, представлены на рис. 159. Обработка данных показывает, что параметр п с высокой точностью равен /г. Величина параметра п определяется формой выделений, образующихся в результате распада твердого раствора. [c.429]

Разработанный способ обработки кристаллов позволяет протравливать кристаллы в условиях, близких к условиям выращивания, что особенно важно для изучения реальной структуры кристаллов и процессов растворения и кристаллизации. Кроме того, данный способ может найти применение при полировке труднообрабатываемых кристаллов и изделии нз них. [c.225]

Собственная форма и размеры выращенных кристаллов, как правило, не соответствуют форме и размерам изготавливаемых из них деталей для приборов или образцов, необходимых для исследования физических свойств. Поэтому встают задачи обработки кристаллов. Эта обработка необходима и при изготовлении ориентированных затравок, а также для исследования самого кристалла. [c.180]

Последующая абразивная обработка кристаллов — шлифовка н полировка — осуществляется на шлифовально-доводочных станках. Принцип работы таких станков прост на вертикальном валу, вращающемся с частотой 5—7 с" закреплен чугунный диск (планшайба) диаметром 150—200 мм с хорошо выверенной плоскостью или иной поверхностью необходимой формы. Пастообразная суспензия абразива в жидкости, не растворяющей кристалл, небольшими порциями наносится на диск, лучше кистью. Поверхность кристалла прижимают к шлифовальному диску рукой, двигают вдоль радиуса диска и время от времени поворачивают в плоскости шлифования на 180°. Производительность шлифования зависит от твердости кристалла, скорости вращения инструмента, нажима на образец, зернистости и твердости абразива. [c.181]

Процесс восстановления катионов металлов в цеолитах связан с миграцией ионов в структуре. Катионы в цеолитах могут располагаться в различных участках, заселенность которых зависит от числа ионов М" и условий обработки кристаллов. Так, в цеолитах типа фожазита ионы Ni распределяются по местам S,, 8ц, Sj, Sj [110—112]. С увеличением степени дегидратации число ионов никеля, занимающих места Sj (гексагональные призмы), возрастает, однако оно не может превысить 12 катионов на элементарную ячейку [112] (для образцов, полученных из цеолита NaY). В цеолитах Ni- aX, где места SJ и S заселены Са , катионы по-видимому, также размещаются предпочтительно в местах Si[113], [c.170]

ВОЗВРАТ КРИСТАЛЛОВ — частичное восстановление физ. и хим. свойств упрочненных кристаллов без изменения размера и кристаллической ориентации зерен. Происходит до или вместо рекристаллизации. Протекает при нагреве после пластического деформирования, после быстрого охлаждения от высоких температур, облучения электронами или нуклонами, распада пересыщенных твердых растворов и др. обработки кристаллов, приводящей к образованию неравновесных дефектов. Возврат обусловливается результирующим уменьшением свободной энергии кристалла, его кинетика определяется термической подвижностью [c.198]

Основная скорость горения, определяемая уравнением (1), получается только после тщательной термической обработки кристалла при температуре выше 900° С. Если кристаллы предварительно не нагревать, то они горят значительно быстрее. Можно было измерить скорости, которые в десять раз превышали основную скорость. Обычно кристаллы горят с такими повышенными скоростями в течение длительного времени и в значительных интервалах температур. Это определяется водой, которая очень крепко удерживается монокристаллами. [c.341]

Практически это значение определяется путем подсчета числа так называемых ямок травления, образующихся в точках выхода линии дислокации, например на поверхность кристалла при химической обработке этой поверхности подходящим реагентом (трави-телем). При такой обработке кристалла растворение вещества происходит повсеместно, однако избыточная энергия деформации вблизи дислокации приводит к более быстрому растворению вещества в этом месте, вызывая образование углубления (ямки) у выхода каждой линии дислокации. В результате этого на поверхности грани кристалла возникают так называемые фигуры травления. Число ямок на единице площади подсчитывается под микроскопом. [c.92]

ТОГО как В ОСНОВНОЙ дериод комплексообразования большая часть углеводородов образует комплекс с карбамидом (до 60—вО% масс.) и реакционная поверхность покроется кристаллами комплекса, а в прилегающем к ней слое масла уменьшится концентрация углеводородов, способных к комплексообразованию, скорость процесса резко снижается. В этом периоде процесс комплексообразования зависит от диффузии комллексообразующих молекул на поверхность через слой кристаллов комплекса. Перемешивание системы приводит к разрушению этой кристаллической блокировки, что увеличивает скорость комплексообразования. При обработке кристалли чеаким карбамидом гача парафинового дистиллята 275—480°С с целью выделения твердых парафинов показано (рис. 100), что при частоте вращения мешалки 60 мин комплек- [c.237]

В современной технологии полупроводниковых приборов особое значение имеют методы химического воздействия на исходный кристалл кремния, которые позволяют формировать в нем разнородные области п- и р-типа, окисленные участки поверхности и т. п.), являющиеся активными и пассивными элементами структуры. К этим методам прежде всего относятся отмывка и травление, служащие для удаления с поверхности примесей и нарушенного слоя, вызванного механической обработкой, создания определенного рельефа на поверхности пластины и т. п. формированне стеклообразных пленок на основе 810а, полученных или методами термического окисления, или осаждением из газовой фазы в результате химической реакции. Важную роль в технологии играют методы эпитаксиального наращивания, позволяющие создавать слоистые монокристаллические структуры с разнообразными электрофизическими свойствами. Непременным этапом физико-химической обработки кристалла при изготовлении прибора служит диффузия примесей донорного и акцепторного типов, при П0М01ДИ которой формируются области эмиттера и базы в транзисторах, резисторы и другие элементы интегральной схемы. [c.96]

Поскольку важнейшие св-ва монокристаллов и поликристаллич. материалов являются структурно-чувствительными, т. е. определяются наличием определенного рода Д., разработаны методы, позволяющие получать как монокристаллы с миним. концентрацией Д., так и материалы с заданным типом и концентрацией Д. Необходимый уровень концентрации точечных Д. в кристаллах можно обеспечить, кроме допирования, обработкой их в атмосфере, содержащей собственные атомы структуры при фиксированном парциальном давлении паров, изменением условий кристаллизации, путем пластич. деформации или, наоборот, отжигом. Облучение, воздействие электрич. или магнитным полем, хим. обработка кристалла также м. б. использованы в качестве способов получения дефектов. Можно устранить образование нежелательных Д., намеренно создавая в кристалле безвредные с точки зрения техн. св-в Д. Напр., прозрачную керамику на основе Zr02 удалось получить, легируя последний УзО, и создавая тем самым структуру с высокой концентрацией Д,, являющуюся энергетически более выгодной, чем структура с внутр. порами, межкри-сталлитными границами и дислокациями. [c.31]

Бензол отгоняют из фильтрата, а остаток оставляют на воздухе в течение 1—2 дней для полного удаления бензола. Затем его растворяют в 30 мл 257о-ной уксусной кислоты при 40—50°. Из раствора после охлаждения выкристаллизовывается 2,3-динитрофенол с примесью 2,5-изомера. Последний удаляют обработкой кристаллов 10 мл этилового спирта при комнатной температуре, Нерастворившиеся кристаллы [c.96]

Результаты исследований фотолюминесценции термообработанных синтетических алмазов свидетельствуют о том, что увеличение температуры (7 2220 К) и продолжительности отжига способствует усилению интенсивностей полос фотолюминесценции, т. е. увеличению концентрации соответствующих ОАЦ. Однако даже при максимальных условиях обработки кристаллов относительная интенсивность полос S2 в сравнении с интенсивностью этой же полосы фотолюминесценции природного алмаза чистого типа III с высокой концентрацией 61-центра (коэффициент поглощения а 175 30 см ) на 1,5—2 порядка слабее. [c.432]

Последний случай отражает условия обработки кристаллов при максимальных температурах, когда вакансии успевают выйти на поверхность алмаза или скоагулироваться раньше, чем азот успеет образовать крупные сегрегации (плейтелитс), так как подвижность атомов азота в алмазе без присутствия активных вакансий невелика даже при высоких температурах. Таким образом, для образования в алмазе дефектов преимущественно в виде б2-центров необходимо следующее малая скорость коагуляций вакансий и выхода их на поверхность кристалла, сохранение во времени достаточно большой концентрации активных вакансий, обеспечивающих заметную подвижность атомов азота. Очевидно, такие условия могут реализоваться для кристаллов с определенным набором структурных дефектов в исходном (послеростовом) состоянии при обработке умеренной (не выше 2170 К) температурой в течение интервала времени на несколько порядков большего, чем нами изучавшийся. [c.435]

Во ВНИИСИМСе разработан способ обработки кристаллов в расплаве смеси металлов, входящих в состав обрабатываемого кристалла при избытке одного из компонентов [27]. Травление осуществляется с изотермической выдержкой в течение 0,01—0,1 ч 222 [c.222]

Ниже приводится пример проведения такого процесса. Отходы, подвергаемые переработке, представляют собой остатки загрузки в устройства для роста кристаллов, расколотые части кристаллов со всех стадий переработки, мелкозернистые порошки и пудры после операций резки, шлифовки и полировки гранатов 0с1з0а5012- Мелкоизмельченный порошок после обработки кристаллов ГГГ высуши- [c.154]

Вопреки указаниям литературы изоэвгеиол до настояш его времени не мог быть окислен непосредственно в ванилин, потому что большая часть его при этом осмоляется. Од и теперь еще обычно переводится сначала в ацетилизоэвгенол. Для этой цели смешивают 40 кг изоэвгенола с 60 кг безводного чистого бензола и 35 кг по крайней мере 85%-ного уксусного ангидрида в эмалированном аппарате и нагревают 4 часа с обратным холодильником до кипения бензола, после чего выдавливают в эмалированный сосуд и оставляют там кристаллизоваться. Дальнейшая обработка кристаллов ацетилизоэвген ола аналогична обработке ацетилсалициловой кислоты (стр. 193). [c.220]

Сведения о станках для обработки кристаллов, приемах и режимах работы в процессе резки, шлифовки и полировки можно найти в некоторых руководствах А. В. Сулим [1975 г.], М. Н. Семибратов и др. [1978 г.], В. Л. Бонд [1980 г.]. [c.182]

Аморфное строение кристаллографических плоскостей (001) подтвердили данные обработки кристаллов ПЭ дымящей HNO3, которая, удаляя поверхностный слой толщиной в 20—30 А, оставляла почти исключительно кристаллическую часть (Peter-lin, см. [53]). Из наблюдений увеличения плотности кристаллов с возрастанием их толщины (Sharma, см. [53]), также можно было заключить, что вся аморфная компонента сконцентрирована на поверхности ламелей. [c.43]

Но вследствие неустойчивости кристаллической решетки цеолитов в кислых средах водородные формы не могут быть получены простой обработкой кристаллов цеолитов растворами кислот. Этим путем могут быть получены только наиболее высоко-кремнеземпые и сравнительно кислотоустойчивые цеолиты (мор-денит, эрионит) в водородной форме. [c.69]

Как большие кристаллы, так и эмульсии можно сенсибилизировать, подвергая их созреванию даже с инертными желатинами, при условии, что произведение концентраций ионов серебра и гидроксила в среде лежит в определенном интервале значений [26, 75]. Сенсибилизацию можно уничтожить обработкой кристаллов или эмульсий растворами слабых окислителей, а иногда ее можно усилить, подвергая их созреванию с такими восстановителями, как производные гидразина, производные гидроксиламина, альдегиды, сульфиты и сахара, окисленная форма которых не находится в равновесии с восстановленной формой. Этот тип химической сенсибилизации обычно называется восстановительной сенсибилизацией, Б особенности когда используются химические восстановители [10]. Даже так называемые инертные желатины могут восстанавливать слегка щелочные растворы ионов серебра при тех температурах, когда наблюдается сенсибилизация кристаллов бромида серебра. Поэтому наиболее вероятным механизмом сенсибилизации желатиной и соответствующими восстановителями является, по-видимому, восстановление молекул окиси или гидроокиси серебра или ионов серебра и гидроксила, адсорбированных на поверхностях кристаллов галогенидов серебра до атомов серебра. Однако был предложен и ряд других возможных объяснений механизма процесса сенсибилизации. По крайней мере частично сенсибилизирующее действие приписывается образованию прочно адсорбированного поверхностного слоя желатината серебра [76] или комплекса между ионами серебра и желатины [16, 77]. Эти комплексы светочувствительны, и число ионов серебра, связанных с молекулами желатины, зависит от концентраций ионов серебра и гидроксила [78]. Поэтому следует учитывать возможность образования поверхностного скрытого изображения в результате фотохимических превращений в подобных адсорбционных комплексах. [c.430]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология