Линия эвтектик вторичных

Эвтектические точки двойных систем А—В, В—С и А—С, входящих в состав тройной, можно назвать двойными эвтектическими точками, а отвечающие им сплавы — двойными эвтектическими сплавами. Под двойной эвтектикой следовало бы понимать двойную эвтектическую точку или двойной эвтектический сплав, однако часто этим термином обозначают смесь двух твердых фаз, выделяющихся при вторичной кристаллизации в тройной системе, так как эта смесь имеет некоторое сходство с двойным эвтектическим сплавом (об этом подробнее сказано ниже). Нельзя не признать, что такое употребление этого термина неправильно, так как смесь, кристаллизующаяся в тройной системе при вторичном выделении, отнюдь не является эвтектической, ибо кристаллизуется не нри постоянной температуре. Линии вторичных выделений называют нередко линиями вторичных эвтектик первое название более правильно. [c.185]

Секущая плоскость ASD делит фазовый комплекс первичной четверной системы на две четырехлучевые звезды. В первичной системе эти вторичные фазовые звезды соединяются линиями эвтектик EiE , E Eg и Е Е". Распад фазового комплекса первичной системы на два вторичных происходит по седловинным точкам т , [c.430]

Для составов смесей, соответствующих данной линии, характерно постоянство отнощений компонентов Л и С. На участке линии ВС процесс кристаллизации начинается с выделения кристаллов компонента В. Линия k является началом вторичной кристаллизации компонентов 5 и С. На линии а п образуется тройная эвтектика. Линия ai соответствует первичной кристаллизации компонента С, а йгй — вторичной кристаллизации С и Л, а йс — вторичной кристаллизации В и С. [c.36]

Можно считать, что каждая из поверхностей, разграничивающих эти объемы, образована движением горизонтальной прямой таким образом, что один конец ее скользит по кривой вторичного выделения, а другой — по соответствующему ребру нашей призмы. Укажем еще, что каждая такая линейчатая поверхность ограничена следующими линиями частью ребра призмы, линией солидуса двойной системы, линией вторичного выделения и горизонтальной прямой, проходящей через точку тройной эвтектики и пересекающей ребро призмы. Легко получить на плоскости диаграммы состава проекцию этой горизонтальной прямой для этого достаточно соединить точку тройной эвтектики с соответствующей вершиной треугольника. На рис. XVI 1.4 показаны две такие проекции ЕА и ЕС. На этом рисунке имеется еще несколько не описанных пока построений о них будет сказано ниже. [c.190]

Если фигуративная точка системы лежит на вертикали, проходящей через нижнее ребро объема первичной кристаллизации, т. е. если ее проекция лежит на линии, соединяющей проекцию точки тройной эвтектики с вершиной треугольника диаграммы составов, то после первичной кристаллизации сразу наступает третичная, а вторичная отсутствует. Это объясняется тем, что при опускании фигуративной точки системы она в конце концов попадает на нижнее ребро объема первичной кристаллизации, не побывав [c.191]

Часто поверхности вторичной кристаллизации называют поверхностями двойных эвтектик, а линии третичной кристаллизации —. линиями тройных эвтектик, что вряд ли целесообразно (см. гл. ХУП). [c.319]

Положение такой поверхности зависит от температуры, и при понижении последней она отходит от фигуративной точки соответствующего компонента, увеличивая, таким образом, пространство неоднородного состояния. При достаточном понижении температуры такие поверхности начнут возникать и около фигуративных точек других компонентов, создавая пространства неоднородных состояний. Само собой разумеется, что эти поверхности пересекаются с гранями тетраэдра по изотермическим сечениям тройных систем, отвечающих соответствующим граням тетраэдра. При понижении температуры они двигаются в тетраэдре, удаляясь от его вершины внутрь его, т. е. навстречу друг другу. Наконец, пара их пересечется в точке, лежащей на ребре тетраэдра и являющейся эвтектикой соответствующей двойной системы. То же будет происходить и с остальными поверхностями все они рано или поздно пересекутся попарно друг с другом. При понижении температуры ниже эвтектической точки соответствующей двойной системы эти поверхности, пересекаясь по две, дают линии, которые образуют поверхности вторичной кристаллизации. Затем следует тройное пересечение в точках тройных эвтектик, и далее эти поверхности, пересекаясь по три, дают точки пересечения, которые образуют линии третичных кристаллизаций. В конце концов все эти поверхности (их всего четыре по числу компонентов системы) уменьшают свои площади до полного исчезновения в точке четверной эвтектики. Аналогичным образом ведут себя изотермы (изотермические линии) в тройных системах. [c.320]

Напомним еще об одном термине, с которым мы уже встречались,— это звезды . Звездой называется совокупность элементов, имеющих одну общую точку,— ее вершину. Например, три поля кристаллизации вместе с тремя пограничными кривыми, по которым они попарно пересекаются, и с принадлежащей им тройной эвтектической точкой как раз образуют звезду, причем вершиной ее будет указанная эвтектическая точка. Размерность равна размерности полей для двойной системы этой звезды. Можно мыслить себе звезды более высокой и более низкой размерности. Так, совокупность нескольких линий, пересекающихся в одной точке, образует одномерную звезду. Совокупность четырех объемов кристаллизации вместе с шестью разграничивающими их поверхностями вторичных выделений, четырьмя соответствующими линиями третичных выделений и четверной эвтектикой образует трехмерную звезду, причем эвтектика будет ее вершиной — нульмерная звезда — это просто точка. Звезда — комплекс незамкнутый, так как в нее не входят элементы, отделяющие объемы, плоскости и линии диаграммы от пространства, в котором они находятся. Принимаются во внимание только элементы, сходящиеся в вершине. Как и о фазовом комплексе, о звезде говорят, что она взаимна данному комплексу. [c.459]

Поверхности вторичной кристаллизации образуют при взаимном пересечении четыре линии третичной кристаллизации, т. е. выделения тройных эвтектик линия Е Е соответствует выделению эвтектики А В С, линия ЕчЕ — эвтектики А В В, линия ЕцЕ — эвтектики А С + В и линия Е Е — эвтектики В - - С + + О. [c.46]

При охлаждении расплава состава 0 первоначально будут выделяться кристаллы компонента А, а состав жидкой фазы будет изменяться по линии АО в направлении точки а. По достижении последней из жидкой фазы начнется выделение двойной эвтектики А В. Состав жидкой фазы будет при этом изменяться по линии аЬ (на поверхности вторичной кристаллизации компонентов А и В). [c.46]

Если состав расплава находится на линии вторичных эвтектик, при его охлаждении сразу начинается кристаллизация двух твердых фаз. Из сплавов, состав которых лежит на линиях, соединяющих тройную эвтектическую точку с углами треугольника, после первичной кристаллизации сразу же наступает третичная кристаллизация эвтектики. Сплавы эвтектического состава кристаллизуются при отнятии тепла с образованием только тройной эвтектики. [c.311]

Наконец, все три поля, а также все три линии вторичных выделений пересекаются в одной точке , обладающей некоторыми замечательными свойствами во-первых, она является самой низкой точкой ликвидуса и поэтому отвечает самому низкоплавкому снлаву системы во-вторых, она изображает третичную кристаллизацию, так как лежит одновременно во всех трех нолях компонентов. Поэтому рассматриваемая точка, как отвечающая равновесию ншдкостн с тремя твердыми фазами, выражает некоторое условно-нонварнантное равновесие (см. раздел ХУ1.3). Отсюда следует, что во все время третичной кристаллизации до полного затвердевания температура системы и состав жидкой фазы должны оставаться постоянными, а твердые фазы должны выделяться количественно в тех же отношениях, в каких они присутствуют в жидкости. Таким образом, явления, происходящие при кристаллизации сплава, состав которого отвечает точке Е, аналогичны явлениям, происходящим при кристаллизации эвтектических сплавов двойных систем, вследствие чего точка Е носит название эвтектической, а соответствующие ей сплав и температура называются эвтектическими. Однако так как здесь мы имеем дело с эвтектикой тройной системы, то применяют термины тройная эвтектика, тройная эвтектическая точка, тройной эвтектический сплав эвтектическую точку и эвтектический сплав называют также одним словом — эвтектика. [c.185]

То же самое можно сказать о пространствах вторичных выделений. Далее, пространство, отвечаюш,ее жидкому состоянию, отличается иа две фазы от пространств, вторичных выделений, и они соприкасаются друг с другом лишь по линиям (кривые вторичных выделений) и точкам (эвтектики). Можно усмотреть одно исключение из этого правила, а именно пространствам вторичных выделений соответствует то же число фаз (три), что и пространству затвердевших фаз (т. е. пространству, лежаш,ему под плоскостью солидуса), однако они разделяются поверхностью — плоскостью солидуса. Таким образом, два трехфазных пространства соприкасаются но поверхности. Однако это противоречие мо5кет быть устранено путем некоторого обоб-ш,ения понятия о пространствах состояния. Для этой цели достаточно горизонтальную четырехфазную плоскость, разделяюш ую пространства, считать пространством с одним вырожденным, т. е. обраш,енным в нуль одним измерением. Как видно, правило о соприкасающихся полях, о котором говорилось в разделе VI.2, является частным случаем более общего правила. [c.201]

Если же в равновесии с расплавом находятся кристаллы двух. компонентов (состояние расплава представляется линиями вторичного выделения), то система трехфазна и условно одновариантна (Суол = 1). Вдоль этих линий можно независимо менять только концентрацию одного компонента или температуру. И, наконец, при равновесии расплава одновременно с кристаллами всех трех компонентов (тройная эвтектика) система состоит из четырех фаз (трех кристаллических и одной жидкой) и является условно безвариантной [c.350]

В данном случае поверхность ликвидуса состоит из трех поверхностей АЕ ЕЕ2, соответствует первичному выделению Л ВЕ1ЕЕ2 — выделению В СЕ ЕЕ — выделению С. При взаимном пересечении этих поверхностей образуются три линии вторичных выделений Е Е, Е2Е и Е Е, из которых Е Е показывает изменение положения точек двойных эвтектик А- -В под влиянием компонента С Е Е — изменение точек двойных эвтектик -б+С под влиянием компонента Л Е Е — под влиянием компонента В. Эти три линии пересекаются в точке тройной эвтектики Е, самой низкой точки поверхности ликвидуса, соответствующей самому низкоплавкому расплаву данной системы. В точке Е поверхность ликвидуса системы касается поверхности солидуса, представляющей собой горизонтальную плоскость А"В С". [c.33]

При охлаждении от точки С, до Оз состав твердой фазы изменяется по линии Л1Л3, а состав сопряженной жидкой фазы — по линии 61К до достижения кривой вторичного выделения Е Е (точка К). После этого из жидкой фазы совместно выделяются кристаллы компонентов Л и В, а ее состав изменяется по линии КЕ ди достижения тройной эвтектической точки. Кристаллизация такой эвтектической смеси протекает так же, как и кристаллизация двойной эвтектики. [c.34]

Прежде всего составим себе представление о поверхностях, разделяющих все эти объемы. На рис. XVII.4 изображена часть призмы см. рис. XVII.3), прилегающая к боковой грани АСС е А. На ней А е. С — линия ликвидуса двойной системы А—С, прямая Ахв С — линия ее солидуса. Кривая е Е, выходящая из эвтектики е системы А—С и доходящая до тройной эвтектики Е, является линией вторичного выделения А -1- С наконец, треугольник АВС — нижнее основание призмы, т. е. диаграмма состава. [c.190]

На рис. XVII.5 показано, как к ребру А А примыкают две линейчатые поверхности одна, только что описанная, получается скольжением прямой по ребру А А и кривой вторичного выделения А С и вторая, еще не упоминавшаяся, А е Е А", образуемая скольжением прямой по тому же ребру и кривой вторичных выделений А -1- В. Горизонтальная линия А- е — часть линии солидуса двойной системы А—С, линия А е — аналогичная часть солидуса системы А—В Е А — упоминавшаяся горизонтальная прямая, соединяющая тройную эвтектику с ребром АА. [c.190]

Покажем, как построить те же политермические сечения и но кривым охлаждения. Отметим на разрезе (см. рис. XVII.7,а) девять фигуративных точек, включая точки пересечения разреза со сторонами треугольника (/n/Z). Допустим, что среди них находятся также точки пересечения (разрез ас) с прямыми, соединяющими две вершины треугольника с точкой тройной эвтектики — точки III (/) и VII (g), и с линией вторичного выделения — точка V (е ). Кроме того, даны точки, лежащие между только что указанными (точки II, IV и VIII). На рис. XVII.7,б справа изображены кривые охлаждения для сплавов I—V (кривые охлаждения для сплавов VI—IX не показаны, так как они аналогичны соответствующим кривым для сплавов I—IV). Будем переносить температуру в этих кривых па сечение при помощи показанных на фигуре горизонтальных пунктирных прямых. [c.194]

Скажем еще несколько слов по поводу точки — эвтектики двойной системы 8—С, общей для обеих вторичных тройных систем А—8—С и В—8—С. На рис. XVIII.2,а дано изображение этой точки в пространстве вместе с четырьмя сходящимися в ней линиями Се — ветвь ликвидуса системы 8—С, отвечающая кристаллизации С — ветвь ликвидуса той же системы, отвечающая кристаллизации 8 65 1 и е Е2, — две ветви кривой выделения С и 8. Составим себе представление о форме поверхности ликвидуса в окрестности точки е . По линии Се З поверхность поднимается в двух противоположных направлениях, а по линии Е Е , пересекающейся с линией Свс,3, поверхность опускается тоже в двух противоположных направлениях. Такие точки, представляющие собой пересечение двух лежащих на некоторой поверхности линий, причем на одной из этих линий эти точки являются самыми высокими, а на другой — самыми низкими, называются перевальными (седловинными) точками (по сходству их с перевальными или седловинными точками горных хребтов), или точками Ван Рейна. На плоской диаграмме эти точки изображают схематично так, как показано на рис. XVIII.2,6. [c.205]

Вернемся теперь к рассмотрению диаграммы тройных систем. На рис. XVIII.21, а изображена диаграмма тройной системы с образованием инконгруэнтно плавящегося двойного соединения. В отличие от рассмотренной ранее аналогичной системы, диаграмма которой изображена на рис. XVIII.9, здесь пограничная кривая, начинающаяся в переходной точке двойной системы, оканчивается в тройной эвтектике, в которой жидкая фаза находится в равновесии с твердыми S, В, С. (Точка Е . находится внутри треугольника BS .) Из точки S можно провести касательную к кривой pEz- В точке касания происходит изменение характера процесса вторичного выделения. Приемами, описанными выше (например, проведением из разных точек кривой рЕ касательных к ней и определения точек пересечени.н их с линией SB), можно показать, что часть pD нашей пограничной кривой отвечает инконгру-энтному процессу [c.226]

Точки Г и // соединяются линией/ //, которая является частью сечения поверхности солидуса, соответствующей сплавам, затвердевающим в смесь а и Р (сплавы отрезка /—//). Сплавы отрезка FO затвердевают в смесь а р поэтому часть сечепия поверхяости солидуса F D" соединяет точки F и Д", причем высота точки Л" определяется температурой кристаллизации эвтектики в двойном системе В—С. У сплавов отрезка I—III за первичным выделением сс следует вторичное вьщеление а + Р поэтому точки Г и ПГ следует соединить. пинией ГПГ. Область первичного выделения Ж + р отделяется на разрезе от областей вторичных Ж + а + р и Ж + р + 7 кривыми/// /У и Z) 7F эти вторичные выделения происходят у сплавов отрезков I IV lilV D", поэтому следует соедипить точку/ с точкой IF линией III IV и точку IV с D"—линией IVD". Линия, отделяющая на сечении область Ж -f Р (зт области Ж + 6 + у, должна оканчиваться в точке D", так как в двойной системе B-j- это вторичное выделение является эвтектической кристаллизацией и происходит при постоянной температуре. Построение завершается разделением области затвердевших сплавов. [c.256]

Разрез FD, параллельный стороне АВ треугольника АВС, изображен на рис. XIX.32, е. Пересечение поверхности ликвидуса состоит из частей F lII и D lir, соответствующих первая — выделению а, вторая — выделенивз р. Пересечение поверхности солидуса состоит из трех частей часть I V расположена между точками / и F нашего разреза и представляет собой прямолинейный горизонтальный отрезок, так как сплавы этой части разреза заканчивают свое застывание кристаллизацией тройной эвтектики. Сплавы частей разреза FI и VD закапчивают затвердевание вторичной кристаллизацией, поэтому соответствующие части сечения поверхности солидуса — линии F"I и D"V заканчиваются в точках F" и D", высоты которых определяются температурами кристаллизации эвтектик в двойных системах А—С и В—С. У сплавов отрезка FII после первичного выделения а следует вторичное выделение а и у. Поэтому на разрезе должна быть линия Р"1Г, раз-деляюп],ая эти области. Точка F" лежит на эвтектической прямой двойной си стемы —С точка II — па прямой I V, так как она находится на прямой Q ZI (см, рис. XIX.32, а), а у отвечающего ей сплава пос.пе первичной кристаллизации наступает непосредственно третичная. По совершенно аналогичным соображениям соединяем точки IV и D" кривой IVD". Сплавы части разреза II IV после первичного выделения а или р претерпевают вторичное (а -)- Р) но сплав III не имеет первичного выделения, а дает сразу вторичное. Поэтому следует соединить точку ПГ с точками II и IV линиями П НГ и IV Iir, которые и отделяют области первичных выде,пений ос или Р от области вторичного выделения а + р. [c.256]

Считаем необходимым указать, что область расслаивания не может захватывать тройную эвтектику, так как, если бы это произошло, в равновесии было бы пять фаз Ж , Жа, А, В и С, что вообще не может иметь места при постоянном давлении в тройной системе. На рис. XXI.3 показана плоская диаграмма для рассматриваемого варианта. На этой фигуре линия e d вторичного выделения А и С пересекает область гетерогенных ншдких состояний Ъкс в точках d я f. Вдоль линии e d идет процесс Ж А + С, а в точке d возникает вторая жидкая фаза состава, определяемого точкой /, и начинается четырехфазн й нонвариантный монотектический процесс [c.272]

АХ—ЕуЕЕз — поле выделения соли АХ и ВХ—Е ЕЕз — поле выделения соли ВХ. На этой же политерме имеются пограничные линии (линии вторичной кристаллизации, линии двойных эвтектик) EEs — линия моповариант-пого равновесия — раствор, насыщенный обеими солями АХ и ВХ, и обе соли в твердом состоянии (эвтоническая линия) ЕЕ — линия моновариантного равновесия — раствор, соль АХ, лед ЕЕ — линия моновариантного равновесия — раствор, соль ВХ, лед. Точка Е является точкой тройной эвтектики и отвечает равновесию раствора, насыщенного обеими солями, с обеими солями в твердом состоянии и льдом. Из этой точки выходят указанные выше пограничные линии ЕЕ , ЕЕ и ЕЕ2. [c.302]

Точки Еу, Е , ЕдЖ Е — тройные эвтектики в тройных системах А—В—В, В—С—В, А—С—В и А—В—С. Таким образом, линия третичного выделения проходит через тройную эвтектическую точку соответствующей тройной системы. Далее, линия третичного выделения является линией пересечения соответствующих двух поверхностей вторичного выделения. Так, например, поверхность е Е-уЕЕц, вторичного выделения компонентов А и В пересекается с поверхностью е Е ЕЕ вторичного выделения компонентов В и Спо линии 4 третичного выделения компонентов А, В и С. [c.317]

Таким образом, наша фигуративная точка находится одновременно на двух новерхностях на поверхности вторичного выделения е ЕуЕЕ и на плоскости, проходяще через ребро тетраэдра АВ и точку С, т. е. на линии их пересечения СН. При дальнегшем охлаждении системы она будет двигаться по этой линии, удаляясь от точки С. В конце концов настанет момент, когда эта фигуративная точка придет в точку Н, лежащую на линии Е Е третичного выделения компонентов А, С, В. Теперь жидкая фаза насыщена этим тремя компонентами. При дальнейшем охлаждении нашей системы будет происходить одновременная кристаллизация всех этих трех веществ, и фигуративная точка жид ОЙ фазы пойдет по линии третич1 ой ристаллизации ЕдЕ, удаляясь от точки Н и приближаясь к точке Е (четверной эвтектики). По достижении последней наступит четвертичная кристаллизация — одновременное выделение всех четырех компонентов А, В, С, В. Равновесие здесь будет условно-но вариа Тным (пять фаз — четыре твердых и одна жидкая). Поэтому и температура, и состав жидкой фазы будут оставаться посто- [c.318]

Рассмотрим теперь схему проекции тетраэдрической диаграммы AB D на грань АВС для системы с простой эвтектикой (рис. XXIII.И). Получаются проекции эвтектик двойных систем е , е , е , е , е , эвтектик тройных систем Еу, Е ,, Е , Е , четверной эвтектики Е, проекции линий вторичных выделений в тройных системах Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е вц, Ецву, Ефд, 465, и проекции поверхностей вторичных выделений в четверной системе EE- e-Ji , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , EE,eJi . [c.322]

Аналогичные сингулярные ребра мы будем иметь на диаграммах других свойств тройных систем, образованных прибавлением к рациональной двойной системе третьего индифферентного вещества. Ребра всегда идут от точки, отвечающей химическому соединению, к точке, отвечающей этому третьему веществу. На рис. XXIX.7 дана диаграмма плавкости тройной системы, образованной рациональной двойной системой А—В и третьим индифферентным компонентом С. В двойной системе образуется недиссоциированное соединение АВ. На диаграмме видны две тройные эвтектики пять двойных бц е , 63, 64, 65. Пограничные кривые показаны жирными линиями, а изотермы — тонкими. Изотермы в поле соединения АВ и компонента С пересекаются на проекции сингулярного ребра С—АВ. Проекция ребра совпадает с соединительной прямой и делит диаграмму системы А—В—С на две диаграммы вторичных систем А—АВ—С и В—АВ—С поэтому эта проекция называется сингулярной секущей. Интересно, что сингулярное реб- [c.452]

Если же в равновесии с расплавом находятся кристаллы двух компонентов (состояние расплава представляется линиями вторичного выделения), то система трехфазна и условно одновариантна (Сусл = 1). Вдоль этих линий можно независимо менять только концентрацию одного компонента или температуру. И, наконец, при равновесии расплава одновременно с кристаллами всех трех компонентов тройная эвтектика) система состоит из четырех фаз (1рих кристаллических и одной жидкой) и является условно безвариантной (Сусл = 0). Нельзя изменить ни одного из факторов, определяющих состояние системы, чтобы не вызвать этим исчезновения по крайней мере одной из фаз. [c.344]

РЬ 178—130 М (МОз)г, 2KNOз Mg(NOз), Линия вторичных выделений. Кристаллизация заканчивается в точке тройной эвтектики [c.86]

Общий вид проекции ликвидуса на треугольник состава тройной системы показан на рис. 139. На этой диаграмме боковые стороны треугольника представляют собой проекции диаграмм плавкости двойных систем на ось состава. Ради наглядности диаграмм . плавкости двойных систем изображены на рис. 139 в повернутом на 90" виде и построены на соответствующих боковых сторонах треугольника состава. Точки е , и Сз— есть проекции эвтектических точек двойных систем. Точка Е — проекция тройной эвтектической точки. Поля АвзЕе , Ве Евз и Се Ее — проекции поверхности ликвидуса, отвечающие кристаллизации из расплава чистых компонентов А, В и С соответственно. Пограничные кривые, разделяющие поля кристаллизации чистых компонентов е Е, е Е и е,Е являются линиями вторичных выделений или вторичных эвтектик. Они отвечают одновременной кристаллизации [c.307]

На плоской диаграмме кривизна поверхности ликвидуса характеризуется обычно нанесепием системы изотермических сечений, проведенных через определенные интервалы температур. Так как поверхность ликвидуса тройной системы образована пересечением трех поверхностей кристаллизации компонентов, то изотермы на ее проекции пересекаются друг с другом под соответствующими углами на линиях вторичных эвтектик (рис. 140). [c.308]

Диаграмма плавкости рассматриваемой системы не имеет тройной нонвариантной точки. Вследствие этого кристаллизация сплавов при охлаждении заканчивается образование двух твердых фаз кристаллов компонента В и твердого раствора неограниченного состава на основе компонентов А и С. Проследим за порядком кристаллизации сплава состава п , фигуральная точка которого приходится на область первичного выделения твердого раствора. При охлаждении жидкого сплава фигуративная точка его будет опускаться и в точке п придет на поверхность ликвидуса твердого раствора. Система при этом распадается на жидкую и твердую фазы. Фигуративной точке жидкой фазы п в соответствии с направлением конноды будет отвечать фигуративная точка твердой фазы на поверхности солидуса. Состав твердой фазы будет обогащен наиболее тугоплавким компонентом, которым в данной системе является компонент А. По мере отнятия тепла количество образовавшейся твердой фазы увеличивается, фигуративная точка жидкой фазы будет изменяться но кривой п п поверхности ликвидуса, а твердой фазы — по кривой ПуП иа поверхности солидуса, совмещенной с гранью призмы АА С С. Когда фигуративная точка смеси достигнет линейчатой поверхности начала вторичных выделений в точке п", фигуративная точка твердой фазы придет на моновариантную кривую в точке, а фигуративная точка жидкой фазы окажется на линии двойных эвтектик в точке. Кристаллизация сплава на этом, однако, не закончится, так как жидкая фаза полностью не израсходуется по той причине, что она имеет тройной состав, а кристаллизуется выше линейчатой поверхности начала вторичных выделений толь- [c.319]

В процессе кристаллизации двух твердых растворов наблюдается перемещение и коннодного треугольника. Та его сторона, концы которой проходят по ветвям моновариантной кривой с к и к Ъ, образует линейчатую поверхность, являющуюся солидусом в области двухфазного состояния системы. Две другие стороны коннодного треугольника, концы которых проходят по моновариантной кривой с к Ъ и линии двойных эвтектик е е , образуют две линейчатые поверхности, переходящие друг в друга по линии к е . Линейчатая поверхность с к е г отвечает началу вторичного выделения кристаллов ав. Вторичное выделение кристаллов твердого раствора ас начинается на линейчатой поверхности Ъ к е е . Между линейчатыми поверхностями с к Ъ и с к Ъ е е заключен объем, отвечающий одновременному выделению из расплава двух твердых растворов ав и ас- Поверхность начала вторичных выделений разделяет, таким образом, на два объема пространство между ликвидусом и солидусом на диаграмме плавкости. Ниже этой поверхности располагается объем, отвечающий трехфазному состоянию системы. Он является замкну- [c.325]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология