Источники термической эмиссии,

Кроме того, бомбардируя поверхность ванны, электроны пучка вызывают появление вторичных электронов, а также рентгеновских лучей. Наконец, поверхность расплавленной и перегретой ванны представляет собой мощный источник термической эмиссии электронов. Все эти статьи расхода энергии покрываются в конечном счете за счет энергии попадающих на ванну электронов пучка. [c.255]

Поверхность расплавленной ванны, которая может быть значительно перегрета (на 200—1 000° С) над температурой плавления металла, представляет собой мощный источник термической эмиссии электронов. [c.237]

Принципиальная схема ионного источника ЭУ приведена на рис. 2.1. Бомбардирующие электроны образуются в результате термической эмиссии из нагретого до высокой температуры катода (филамент), изготовленного из рениевой или вольфрамовой проволоки. Электроны ускоряются разностью потенциалов (V) между катодом (7) и анодом (2) и попадают в область ионизации. Постоянный магнит 4) коллимирует электронный пучок и ограничивает его в узкой спиральной траектории, что увеличивает вероятность взаимодействия электронов с молекулами исследуемого вещества (М°), которое поступает из системы напуска в парообразном состоянии. Парциальное давление вещества в газообразном состоянии составляет КЬ -КН торр. [c.18]

В ПАС источником спектральных помех служат поглощение излучения накладывающимися молекулярными или атомными линиями сопутствующих компонентов термическая эмиссия сопутствующих компонентов, пропускаемая монохроматором или попадающая на фотоприемник как рассеянный свет, если источник света не модулируется рассеяние излучения источника на неиспарившихся частицах или капельках, образованных сопутствующими компонентами поглощение посторонних линий, испускаемых источником света в области спектральной полосы пропускания монохроматора. Все эти виды помех обычно называют термином фон . [c.129]

Даже в том случае, когда весь образец пропускается через ионизационную камеру во время съемки масс-спектра, лишь незначительный процент молекул подвергается ионизации, а большая часть пара откачивается насосами неизмененной. Таким образом, чувствительность может быть повышена применением большего ионизирующего электронного тока [ 174]. Другие типы ионных источников, как, например, источник с термической эмиссией, более эффективны, чем источники с бомбардировкой электронами. На них в ряде случаев может быть ионизирована большая часть исследуемого материала так, в случае анализа рубидия на непрерывно откачиваемых приборах для исследования достаточно 10 г образца. При анализе неорганических твердых образцов используется искровой источник [416]. Применение фотопластинки в качестве детектора позволяет понизить уровень обнаружения до 1-10 %, так как пластинку с большой выдержкой можно рассматривать как интегрирующее устройство. [c.190]

Методы получения свободных атомов для элементного анализа при использовании ультрафиолетового и видимого излучения весьма разнообразны, но во всех случаях среда, в которой образуются атомы, должна обладать большой энергией, чтобы высвобождающиеся атомы в заметной степени возбуждались. Поэтому устройства для получения атомов служат не только как атомизаторы, но иногда и как источники возбуждения. Обычно электрические атомизирующие устройства (дуга или искра) более высокотемпературные, чем термические атомизирующие устройства (пламя), поэтому в первых число возбужденных атомов больше. Вследствие этого дугу или искру почти всегда используют в качестве атомизатора и источника возбуждения для измерения атомной эмиссии. Пламена используют в основном в качестве атомизаторов для эмиссионной, абсорбционной и флуоресцентной спектрометрии. [c.678]

Анализ термически нестабильных, труднолетучих соединений с использованием традиционных методов ионизации (электронный удар, химическая ионизация, ионизация в сильном электрическом поле) неизбежно связан с возможностью разложения образца в процессе его введения в ионный источник. В отдельных случаях разложения можно избежать, переводя анализируемые объекты в более летучие и термически более стабильные производные (дериватизация). Ограничения этого приема очевидны поиски иных способов ионизации привели к созданию методов, основанных на эмиссии ионов из вещества в конденсированном состоянии. Масс-спектры вторичных ионов, получаемые под действием ионных, электронных и атомных пучков, а также лазерного излучения содержат интенсивные пики молекулярных и осколочных ионов. Их совокупность позволяет определять молекулярную массу и структуру исследуемого образца. [c.176]

Этот тип источников называют иногда источниками термической эмиссии. Их использовали в самых первых работах. Получение положительных ионов методом поверхностной ионизации было открыто Герке и Рейхенгеймом [721, 722]. Сущность явления состоит в том, что вещества с раскаленной поверхности могут испаряться в виде положительных ионов. [c.123]

В работе использован метод высокотемпературной масс-спектрометрии, представляющий собой сочетание эффузионного метода Кнудсена с масс-спектрометрическим анализом продуктов ионизации. Эксперименты вьшолнены на магнитном масс-спектрометре МИ 1201, переоборудованном для высокотемпературных термодинамических исследований. Источник ионов позволял работать в режимах электронного удара (ЭУ) и термической эмиссии (ТЭ) и исследовать как нейтральные, так и заряженные компоненты пара. Подробнее методика эксперимента изложена в [1]. [c.21]

По имеющимся данным [49,155], глобальная эмиссия бенз(а)пирена в природ1 ю среду составляет около 5000 т в год, причем 61% приходится на сжигание угля, 20% - на производство кокса, 4% - на сжигание древесины, 8% - на открьггое сжигание леса и сельскохозяйственных культур, 1% - на выбросы транспорта и лишь 0,09% и 0,06% - на сжигание нефти и газа соответственно. В нефтеперерабатывающей промышленности образование и выбросы ПАУ связаны с процессами утилизации высококипящих продуктов, главным образом битумов и кубовых остатков. Основными источниками канцерогенов здесь являются установки по термическому крекингу и производству кокса [c.87]

Тон юий слой металла, который обычно используется для соз-дамия электрической и термической проводимости у изоляторов, является также источником общей массы вторичных электронов. Слой металла, например золота толщиной 10 нм, конечно, повышал бы коэффициент вторичной электронной эмиссии б для органического о р>азца., исследуемого при низком ускоряющем напряжении, НО мог бы сильно снижать б для керамики, содержащей значительное количество оюислов щелочноземельных элементов. [c.181]

Чаще всего имеют дело с дугами с раскаленным катодом, температура которого составляет несколько тысяч градусов. Наиболее нагретой частью катода является катодное пятно. Усиленное испускание электронов (термоэлектронов) катодом есть одно из условий существования электрической дуги. Однако существуют дуги и с холодными электродами (например, ртутная дуга). Дуговой разряд в этом случае поддерживается автоэлект-ронной эмиссией катода, обусловленной туннельным прохождением электронов сквозь потенциальный барьер, образованный двойным электрическим слоем на поверхности катода. Не исключена также возможность,, что источником Эотектрических зарядов в дуге с холодными электродами, горящей при высоких давлениях, служит термическая ионизация нагретого газа около катода. [c.444]

В начале главы I была показана связь между атомной эмиссией, абсорбцией и флуоресценцией. Явление атомной флуоресценции было исследовано Вудом еще в начале нашего века, а Вайнфорднер [125] первым использовал его для химического анализа. Свет от интенсивного источника резонансного излучения исследуемого элемента фокусируется в пламени. Пучок флуоресцентного излучения наблюдают под углом 90° к направлению пучка света от источника и пропускают через монохроматор к фотоприемнику. Теоретически этот сигнал пропорционален концентрации атомов элемента в пламени. Чтобы отличить сигнал флуоресценции от излучения той же длины волны, вызванного термическим возбуждением атомов в пламени, свет источника модулируется, и электронная схема детектора настраивается на частоту модуляции. Необходимо также отличать сигнал флуоресценции от света, который рассеивается пламенем. В некоторых случаях это осуществляется путем освещения пламени светом такой длины волны, которая возбуждает атомы до более высокого энергетического уровня, и наблюдением флуоресценции на другой длине волны, излучаемой возбужденными атомами при переходе на метастабильные уровни. [c.51]

Основанием дуги на поверхности катода является так называемое катодное пятно, являющееся источником эмиссии первичных электронов. Плотность тока в катодном пятне определяется суммарной электронной эмиссией катодного пятна, причем в разных условиях может преобладать либо термическая, либо автоэлек-тронная эмиссия. [c.239]

Источником пучка частиц, сфокусированного прямо на подкладку, является небольшой тигелек (рис. 19). На рисунке показано, как можно использовать электронный испаритель в сочетании с микровесами. Испаритель смонтирован в трубке таким образом, что он образует пленку непосредственно на подкладке, подвешенной на нити. После опускания экрана при помощи внешнего магнита испаритель можно использовать для создания активной пленки в боковой трубке, не загрязняя при этом подкладки. Показанный на рисунке сосуд Дьюара предназначен для применения при адсорбционных исследованиях его можно заменить печью соответствующей формы, как показано на рисунке пунктирными линиями. В микротигель загружается 100 мг вещества. Внутренний диаметр тигля равен 3 мм, но пучок частиц фактически вылетает через отверстие 0,1 мм в танталовой крышке, закрывающей микротигель. Эта крышка предотвращает разбрызгивание и одновременно способствует установлению термического равновесия мёжду атомами перед их вылетом из тигля. До начала напыления загруженный металл расплавляется и обезгаживается непосредственно в самом приборе. При плавлении поделадка защищается управляемым снаружи экраном. Электроны, испускаемые раскаленной вольфрамовой проволокой толщиной 0,762 мм, ускоряются по направлению к тиглю под действием положительного потенциала. Экран из тантала, расположенный вокруг прибора, снижает тепловые потери, а танталовая крышка защищает подкладку от непосредственного воздействия обмотки. Температуру микротигля можно поддерживать постоянной с точностью 2—3% при всех температурах вплоть до 1500° С регулированием эмиссии нити и ускоряющего потенциала. Для того чтобы ионы металлов, образующиеся в тигле или вокруг него, не перемещались по направлению к подкладке, последняя поддерживается при том же потенциале, что и тигель. [c.91]

Эффузионная печь новой конструкции, в которой в значительной мере устранили эти трудности, пригодная для получения пучков атомов Н и О термической диссоциацией, разработана авторами работы [34], которые предложили использовать узкие трубки, закрепляемые с одного конца и нагреваемые с другого конца до необходимых температур. Использование трубки с малым диаметром позволяет получить хорошо направленный поток частиц, если средняя длина свободного пробега частиц вблизи конца больше, чем его диаметр. Этот эффект еще более усиливается при нагреве конца диссоциатора, так как вероятность рассеяния на большие углы уменьшается с ростом скорости частицы. Для предотвращения попадания холодных молекул из газа в молекулярный поток, эффундирующий из горячей части трубки, внутрь ее помещался лепесток металла, экранирующий центральную часть трубки. Нагрев трубки осуществлялся с помощью электронов, эмитированных иридиевыми катодами, покрытыми окисью тория, с полным током эмиссии до 0,7 А. Для диссоциации Нг использовалась вольфрамовая трубка внутренним диаметром 2,57 мм и наружным 3,23. При мощности электронного нагрева 665 Вт конец трубки мог быть разогрет до 2500 К. Достигнутая степень диссоциации Нг составлял 70% при плотности атомов в пучке 10 1/см . Заменой вольфрамовой трубки на иридиевую тем же методом можно получить эффузионный пучок атомов кислорода с теми же параметрами. Авторы отмечают, что предложенная ими конструкция имеет существенные преимущества перед другими источниками с термической диссоциацией, особенно для получения атомов О, т. к. обеспечивает не только лучшие параметры эффузионного пучка, но и существенно большую долговечность устройства. [c.127]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология