Специальные методы выращивания

Существует несколько специальных методов выращивания, которые, несмотря на их малое распространение, являются ценными для получения определенных типов кристаллов. К ним относятся методы выращивания в твердом состоянии, в результате химического превращения и при высоких давлении и температуре. Когда все другие методы уже испробованы и не привели к успеху, то возможно, что нужный органический кристалл может быть получен одним из перечисленных методов. [c.237]

Глубинный метод выращивания микробов был развит и впервые широко применен в промышленности для получения пенициллина и других антибиотиков. В лабораторных условиях глубинные культуры растут обычно во встряхиваемых склянках или в специально аэрируемых пробирках или склянках, где в жидкость при помощи различных устройств вводится кислород. В производственных условиях применяют ферментеры, имеющие приспособления для энергичного встряхивания (перемешивания) [c.130]

Для получения индивидуальных кристаллов больших размеров существуют специальные методы выращивания кристаллов (разд. 47.3.2). [c.515]

В последние 15 лет для выращивания продуцентов ферментов чаще используют более экономный — глубинный метод культивирования (рис. 4.1). В промышленных условиях для этих целей применяют ферментеры из нержавеющей стали, снабженные приспособлениями для перемешивания и подачи в жидкую питательную среду стерильного воздуха. Сначала ферментер заполняют питательной средой, автоклавируют, а затем засевают чистой культурой, подаваемой из специального генератора. Для предотвращения инфекции в ферментере поддерживают повышенное давле- [c.76]

VI. СПЕЦИАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ [c.237]

В последнее время разработаны специальные методы выращивания крупных кристаллов моноаммонийфосфата, которые применяются для изготовления высокочастотных осцилляторов, используемых в электронной технике. [c.726]

К специальным методам можно отнести метод рекристаллизации с попеременным чередованием механической деформации и отжига (до сих пор этот метод применялся для некоторых металлов, полупроводников и оксидов), а также метод выращивания, по которому летучее соединение металла разлагают на сильно нагретой проволоке, что ведет к осаждению соответствующего металла (или неметалла). Этот метод, называемый также процессом ван Аркеля и де Бура [20, 21], служит для получения некоторых металлов, которые другим путем в столь чистом состоянии получить нельзя (титан, цирконий, гафний, ниобий, тантал и др., см. также выше реакции в парах). [c.136]

Известен метод выращивания на готовой культуральной жидкости, содержащей лизин, специальных видов дрожжей, усваивающих углеводы и органические кислоты. Из культуральной жидкости исчезают нежелательные компоненты (сахара и органические кислоты), и она дополнительно обогащается кормовым белком (дрожжи). ККЛ получается при такой технологии менее гигроскопичным и более сыпучим. Жидкий и сухой концентрат лизина приблизительно одинаков по своему составу, если он приготовлен без наполнителя. Если же дан наполнитель, то к сумме сухих веществ культуральной жидкости прибавляются еще сухие вещества наполнителя. Химический состав кормового препарата лизина сложен и содержит очень большое количество самых различных соединений [c.39]

Общий метод выращивания монокристаллов заключается в очень медленном, обычно направленном, охлаждении расплава. Для этого вещество, из которого растят монокристалл,помещают в запаянную ампулу, опускаемую со скоростью около 1 см/ч внутри специальных нечей, обеспечивающих определенный температурный градиент охлаждения расплава. [c.243]

Метод Киропулоса, как и метод Чохральского, относится к методам с неограниченным объемом расплава. В отличие от метода Степанова, для реализации метода Киропулоса не используются капиллярные силы. Этот метод заключается в том, что выращивание монокристаллов осуществляется непосредственно в расплаве путем плавного снижения температуры. При этом затравочный кристалл может возникать на специально вводимом в расплав холодильнике (за счет геометрического отбора). Используется также затравочный кристалл, предварительно укрепленный на холодильнике (рис. 69). [c.103]

При рассмотрении приемов и методов выращивания микроорганизмов целесообразно коснуться и вопросов их направленной селекции, цель которой — получение у микробов ферментных систем высокой активности, а также специальных свойств. По мере того как развивались новые виды производства, основанные на использовании микробов, все более и более возникала потребность в выведении таких форм микроорганизмов, которые обладали бы высокой активностью, могли бы продуцировать максимальное количество ферментов, витаминов, антибиотиков или иных требуемых веществ. Совершенно ясно, что использование специально выведенных микроорганизмов, обладающих наибольшей активностью, позволяет резко повысить рентабельность производства, его эффективность и объем. [c.136]

Методы выращивания кристаллов чрезвычайно многочисленны и разнообразны. В промышленности и исследовательских лабораториях кристаллы выращивают из паров, из растворов, из расплавов, из твердой фазы и многими специальными способами, как, например, синтез путем хилшческих реакций, синтез при высоких давлениях, электролитическая кристаллизация, кристаллизация из гелей и др. [c.376]

Известен метод выращивания на готовой культуральной жидкости, содержащей лизин, специальных видов дрожжей, усваивающих углеводы и органические кислоты. Из культуральной жидкости исчезают нежелательные компоненты (сахара и органические кислоты), и она дополнительно обогащается кормовым белком (дрожжи). [c.398]

Чистота кремния-сырца, получаемого методом водородного восстановления, недостаточна для выращивания из него легированных монокристаллов, используемых в производстве полупроводниковых приборов. Удельное сопротивление кремния, идущего на выращивание легированных монокристаллов, должно быть порядка 1000 ом-см. Необходимо уточнить, какими примесями и в каких концентрациях определяется это значение удельного сопротивления, каким способом и в каких условиях оно достигается. Как отмечалось в гл. VI, ввиду отсутствия материалов, пригодных для изготовления контейнеров, для очистки кремния используют метод бестигельной зонной плавки с электромагнитным подвесом расплавленной зоны. Эффективность такой очистки зависит в первую очередь от значения коэффициентов распределения примесей. Из табл. 9.2 следует, что наиболее трудно удаляемыми примесями являются бор, мышьяк и фосфор. Очистка от мышьяка осуществляется не только за счет его оттеснения при движении зоны, но и за счет его испарения. Фосфор же мало летуч, но может быть оттеснен довольно эффективно при многократном проходе зоны. Равновесный коэффициент бора равен 0,8, а его эффективный коэффициент распределения близок к единице поэтому при зонной плавке кремний не будет очищаться от бора. Процесс зонной плавки может считаться оконченным, если дополнительные проходы зоны не изменяют удельное сопротивление начальной (чистой) части слитка (/О-типа). Это своевременно учли, и хлориды кремния подвергают специальным методам очистки от бора, что позволяет получать в результате [c.425]

При выращивании микроорганизмов глубинным методом клетки суспендированы в жидкости и находятся во взвешенном состоянии. В небольшую (50—250 мл) колбу наливают жидкую питательную среду, в которую засевают чистую культуру либо с поверхности косого агара, либо из ампул. Затем колбу на сутки или более помещают в термостат с определенной температурой, где культура растет и размножается. Чисто аэробные микроорганизмы выращивают в специальных колбах, которые ставят на качалку в термокамере. После этого культуру пересевают в лабораторные ферментаторы со средой такого же или несколько измененного состава. Лабораторные ферментаторы — стеклянные аппараты емкостью 1—10 л, в которых можно обеспечить продувание среды воздухом, регуляцию температуры, pH и других условий роста. По описанной выше схеме обычно организуют исследование культур микроорганизмов. Кроме того, таким путем готовят и чистую культуру для производственных нужд. Дальнейшее размножение чистой культуры в производственных условиях идет в несколько стадий при использовании металлических инокулято-ров объемом от 0,1 до 100 м и более. Инокуляторы снабжены мешалками, аэраторами, устройствами для стерилизации и охлаждения, арматурой, измерительными приборами. Для каждой следующей стадии необходимо 3—20% посевного материала (по объему). [c.68]

Л1. Для полупроводниковой техники и современного приборостроения задача выращивания монокристаллов является одной из важнейших. Созданы специальные методы, аппаратура для выращивания монокристаллов и т. п. Монокристаллы размерами в десятки сантиметров выращиваются искусственно на заводах. [c.20]

Теоретически можно оценить точность каждого метода однако маловероятно, чтобы на практике когда-нибудь реализовались идеальные условия. В связи с этим каждый метод необходимо проверить и установить определяемые процентные количества аминокислот в смесях, аналогичных гидролизатам анализируемого белка. Оценка специфичности и точности может быль произведена при помощи анализа специально составленных аминокислотных смесей и сравнения одного метода с другим [38]. Если сравниваются два или большее число методов, основанных на использовании различных свойств или функций аминокислот (например, методы выращивания бактерий, определения коэффициента распределения и содержания изотопов), то предполагается, что свойственные этим методам ошибки неодинаковы. [c.227]

Для повышения эффективности применения хим. и физ.-хим. методов изучения структуры анализу подвергают не только прир. в-ва, но и их производные, содержащие характерные, специально вводимые группировки и меченые атомы, напр, путем выращивания продуцента на среде, содержащей меченые аминокислоты или др, радиоактивные предшественники, в состав к-рых входят тритий, радиоактивный углерод нлн фосфор. Достоверность данных, получаемых при изучении сложных белков, значительно повышается, если это изучение проводят в комплексе с исследованием строения соответствующих генов. [c.288]

Для определения принадлежности дрожжей к тому или иному Р.ИДУ используют методы, изложенные на стр. 499. Основным методом является выращивание их на разных специальных средах. Например, чистые культуры дрожжей выращивают 1) на дрожжевой воде с двухпроцентными растворами различных сахаров — глюкозой, галактозой, сахарозой, лактозой и др. 2) на синтетических средах с различными источниками азотистого питания — пептоном, сернокислым аммонием, нитратами 3) на других твердых средах. [c.538]

Поверхностный метод выращивания продуцентов, предложенный И.Такамине еще в 1894 г., состоит в культивировании микроорганизмов на поверхности увлажненных стерилизованных отрубей, размещенных в кюветах, к которым иногда добавляют солодовые ростки, древесные опилки, свекловичный жом. Инкубацию микроорганизмов ведут в специальном термостатируемом цехе при постоянном контроле в нем температуры, влажности и подачи воздуха. [c.76]

Как уже отмечалось, в настоящее время в промышленно развитых странах крупные бездефектные кристаллы кварца для радиоэлектронной техники выращивают в гидротермальных условиях методом температурного перепада в стальных автоклавах, емкость которых может достигать нескольких тысяч литров. В качестве растворителей используют водные растворы гидроокисей и карбонатов щелочных металлов (преимущественно натрия и калия) с массовым содержанием от 3 до 15%. Разработан также способ выращивания кристаллического кварца во фторидных системах с использованием водных растворов фтористого аммония при концентрациях от 5 до 20 %. Синтез проводится в широком интервале давлений (50—2000-10 Па) и температур (250— 450 °С). Поскольку большинство из указанных растворителей являются химически агрессивными (особенно при повышенных параметрах), в ряде случаев возникает необходимость защиты внутренней полости автоклавов от коррозии с помощью специально сконструированных футеровок из материалов, устойчивых к воздействию среды. В результате коррозии стенок автоклава, а также растворения шихтового поликристаллического природного кварца в гидротермальный раствор поступают различные ионы, которые захватываются растущими кристаллами кварца. К другому источнику примесей можно отнести также минералообразующую среду, включения которой часто обнаруживаются в кварце. [c.175]

Наиболее широко распространенным методом выращивания в многокомпонентных системах является, по-видимому, кристаллизация из растворов в расплавах солей, ибо если как следует поискать, то почти всегда можно подобрать для данного кристалла растворитель в виде расплавленной неорганической соли. По вопросам выращивания кристаллов методом из раствора в расплаве имеются обзоры [49, 64]. При выращивании кристаллов в расплавленных неорганических солях, флюсах или расплавленных металлах используют высокую растворимость кристаллов тугоплавких соединений в неорганических солях и окислах при температурах, превышающих температуру плавления последних. В число обычных растворителей, используемых в виде расплавленных солей, входят KF, РЬО, В2О3 и их смеси. Обычно поступают так компоненты в количестве, достаточном для образования кристалла, растворяют при температуре, несколько превышающей температуру насыщения, а затем тигель (обычно из платины) медленно охлаждают. Рост происходит на спонтанно образовавшихся зародышах. Когда соответствующий цикл охлаждения завершен, иногда оказывается возможным вынуть тигель из печи, слить избыток расплава и механическим путем извлечь полученные кристаллы. Но чаще приходится отделять (выщелачиванием) затвердевший расплав от образовавшихся кристаллов с помощью растворяющего расплав и не действующего на кристаллы растворителя. В качестве таких растворителей часто пользуются сильными неорганическими кислотами. Ясно, что выращивание кристаллов на затравках значительно расширит возможности и повысит ценность метода выращивания из раствора в расплаве, но до сих пор все исследования по росту, за малым исключением [65, 129], проводились в отсутствие специально введенных затравок. [c.311]

Производство крупных монокристаллов требует специальной и четко разработаиной технологии. Имеются три основных метода выращивания монокристаллов из растворов, из расплавов и из паров. Недавно было составлено несколько обзоров по этому довольно специальному вопросу практической кристаллизации [23—25], поэтому здесь мы ограничимся только кратким изложением. [c.209]

Для получения антибиотиков при помощи микроорганизмов применяют глубинный метод выращивания, проводимый в специальных аппаратах. Чтобы получить максимальный выход антибиотика, для каждого микроорганизма подбирают питательную среду и создают определенный режим выращивания (температуру, обеспечение воздухом). Этот процесс носит название ферментации от латинского слова егтепЫт, что значит брожение. Ферментация — первый этап любого производства, основанного на жизнедеятельности микробов. [c.23]

Субстратом для выращивания микроорганизмов, продуцирующих белок, могут служить отходы пищевой промышленности, не требующие специальных методов обработки. Эти виды отходов содержат источники углеводов, непосредственно усваиваемые микроорганизмами. К таким отходам прежде всего относятся меласса, последрожжевая барда спиртовых заводов, молочная сыворотка. [c.89]

Для выращивания микроинъецированных клеток требуются специальные методы культивирования, например в микрокаплях или с применением фидерной культуры. [c.223]

Поскольку вирусы являются внитриклеточными паразитами, их нельзя обнаружить с помощью питательной среды, как это делается в случае бактерий. Для их обнаружения необходимо использовать культуру тканей с линией клеток, соответствующей данному вирусу. Главная трудность при выращивании вирусов в культурах ткани состоит в том, что присутствующие в пробе бактерии могут легко размножиться и уничтожить эту культуру. Поэтому, чтобы предотвратить разрастание бактерий, к питательной среде добавляют антибиотики. Методы выращивания вирусов на культуре ткани носят достаточно сложный и специальный характер, и в дальнейшем мы их не будем обсуждать, тем более, что в этой области нет недостатка в информации, которую при необходимости читатель может найти в соответствующей литературе. [c.334]

Наибольший объем внедрения новой технологии достигнут для германия. Отработана промышленная технология получения кристаллов в виде лент, пластин, труб, стержней круглого сечения, в том числе технология группового выращивания. Развита методика выращивания крупногабаритных цилиндрических монокристаллов с диаметром до 300 мм. Изучено влияние технологических факторов и легирования на форму, структуру, особенности распределения примесей и электрические свойства профилированных кристаллов. Для контроля электрических свойств профилированных кристаллов потребовалось разработать специальные методы измерени удельного сопротивления и коэффициента Холла. Установлено, что структура и свойства выращиваемых в промышленных условиях профилированных монокристаллов германия обеснечивают возможность их применения для изготовления высокочастотных транзисторов, тензорезисторов, монохроматоров и анализаторов рентгеновского излучения, подложек эпитаксиальных структур, для инфракрасной оптики и оптоэлектроники, в качестве подложек для термического разложения моногермана. Для дальнейшего совершенствования структуры и свойств профилированных кристаллов германия необходимы более детальные исследования распределения в них легирующих примесей в процессе кристаллизации способом Степанова. [c.255]

Изучение природы дефектности и разработка на базе существующей методики получения пьезокварца синтетического материала высокой чистоты обусловили создание методов получения специальных сортов синтетического кварца. Использование без-дислокационных затравок и шихтового материала повышенной чистоты в сочетании с подбором оптимальных параметров процесса и применение специальных кристаллодержателей позволили разработать и внедрить в промышленное производство процессы выращивания оптического монокристального кварца, а также уникальных по размерам и ориентации монопирамидальных кварцев для акустоэлектронных приборов, [c.13]

Некоторые технологические процессы гидротермального выращивания предъявляют повышенные требования к термостабильности установки (максимальные колебания температуры в цикле не более 2—3 " С, а скорости термофлуктуаций не выше 0,5 °С/сут и даже меньше). Удовлетворить эти требования за счет одной теплоизоляции бывает чрезвычайно трудно, а зачастую и невозможно. Это связано с большой длительностью цикла, в течение которого происходят суточные и сезонные изменения температуры окружающей среды с неизбежным запаздыванием любых управляющих воздействий. Одним из способов преодоления этой трудности является размещение аппаратов в термостатированных камерах, в которых с помощью специальных нагревательных элементов и следящих систем поддерживается постоянная температура воздуха на уровне 100—200 °С. Этот метод сложен в реализации, требует значительных финансовых и материальных средств и может быть целесообразен только в тех случаях, когда речь идет о получении специальных дорогостоящих кристаллов с чрезвычайно высокой степенью однородности. [c.275]

Главы в основном не связаны между собой, за исключение некоторых перекрестных ссылок. Глава I посвящена ранней исторщ производства имитаций драгоценных камней, главным образом Египте. В ней также приведено краткое описание экспериментов XIX столетии, которые в конечном итоге привели к созданию прц мышленности по выращиванию драгоценных кристаллов. В главе 2 связи с описанием развития работ по созданию первых искусственны материалов, корунда (рубин и сапфир) и шпинели, приводится характе ристика метода плавления в пламени и целого ряда современны методов. Этот же принцип соблюден в главах 3—7, причем кажда глава посвящена одному минералу или их группе — изумруду, алмазу большой группе заменителей алмаза, семейству кварца и опалу I новым окрашенным синтетическим минералам. В каждом случа< рассматриваются свойства природных камней, что позволяет ответил на вопрос, является ли полученный синтетический материал истиннс аналогом природного или нет. Глава 8 в значительной мере умозри тельна, и в ней оцениваются возможности грядущих лет. В главе дается краткое описание методов проверки камней, а также факторов, определяющих их ценность. В приложениях приведены таблицы свойств, краткий словарь специальных терминов и библиография. [c.8]

Более широкое применение рассматриваемый метод НК благодаря его высокой чувствительности находит при анализе состояния поверхности различных материалов. Например, известно, что в сег-нетоэлектриках указанная эмиссия может быть стимулирована любым воздействием, изменяющим полярное состояние поверхности материала приложением электрического поля, изменением температуры, механическим воздействием. При этом на свойства сегнетоэлектриков в значительной степени оказывают влияние дефекты, всегда имеющиеся в номинально чистых кристаллах, а также специально вводимые в кристаллы при их выращивании. [c.662]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология