Монокристаллы получение

Поскольку германий используется в основном, как полупроводниковый материал в виде монокристаллов, полученный после восста- [c.216]

Поскольку германий используется в основном как полупроводниковый материал в виде монокристаллов, полученный после восстановления порошок сплавляют в атмосфере водорода и подвергают направленной кристаллизации или зонной плавке. При этом происходит дополнительная глубокая очистка германия. [c.381]

Монокристаллы, полученные методом Чохральского, как правило, неоднородны по составу и электрофизическим свойствам. Величина удельного сопротивления, например, непостоянна по длине и радиусу слитка. В реальном кристалле пространственная решетка всегда в некоторой степени несовершенна, содержит структурные дефекты. Неоднородность, вызывающая изменение электрофизических свойств Б монокристалле по длине, определяется основными законами фазовых превращений в многокомпонентных системах. Эти закономерные нарушения однородности могут быть названы сегрегационными нарушениями постоянства состава и связаны с обеднением или обогащением расплава примесью в зависимости от коэффициента распределения (7(>1,0 или /(<1,0) [74]. Нужно отметить, что закономерности сегрегационного нарушения свойства достаточно хорошо изучены. Предложен ряд способов, использование которых позволяет получать монокристаллы с равномерными свойствами по длине. Идея этих методов главным образом сводится к поддержанию постоянства состава расплава за счет подпитки его или жидким материалом, или путем расплавления специально приготовленного кристалла. Впервые принципы подпитки были сформулированы Д. А. Петровым [39]. [c.203]

Возникновение дефектов кристаллической структуры в виде дислокаций также тесно связано с тепловыми полями. В большинстве работ необходимым и достаточным условием получения бездефектной структуры считаются условия, при которых выращивание ведется при плоском фронте кристаллизации. Нужно заметить, что такие требования не всегда достаточны для достижения цели. В работе [13] указывается, что скоростью вращения затравки можно управлять геометрией поверхности раздела фаз, изменять кривизну фронта кристаллизации. При определенном сочетании скорости выращивания с числом оборотов затравки фронт кристаллизации можно поддерживать плоским. Однако монокристаллы, полученные в таких условиях, не были свободны от дислокаций. Видимо, для получения бездислокационных монокристаллов недостаточно обеспечить в процессе роста плоский фронт кристаллизации, а необходимо удовлетворить еще ряд требований. [c.205]

Монокристаллы, полученные в таких условиях, отличались высокой плотностью дислокаций, свыше 10 Значительное скопление дислокаций наблюдалось около поверхности на расстоянии 2,0—3,0 мм. Количество дефектов в слитках, полученных на той же [c.219]

Вследствие коротких длин волн электронов, например 0,06 А при У = 40 кВ, максимальная интерференция электронов наблюдается при очень малых углах дифракции (9), благодаря чему на картине монокристалла, полученной с помощью анализа электронной дифракции, значительно больше рефлексов, чем при рентгеноструктурном анализе (рис. 29.2). [c.137]

Кристаллизацией называют процесс образования твердой фазы в виде кристаллов из раствора и расплавов, а также из газов и паров. Кристаллизация широко применяется в химической, нефтехимической, металлургической, медицинской, пищевой и других отраслях промышленности для решения следующих задач выделения кристаллической фазы из растворов и расплавов, разделения смесей при однократной или многократной частичной кристаллизации, глубокой очистки веществ от примесей, выращивания монокристаллов. Получение большого количества кристаллов в промышленном масштабе называют массовой кристаллизацией. В результате проведения массовой кристаллизации получают сыпучий продукт-кристаллы различного размера. [c.290]

Установлено, что монокристаллы, полученные из водных растворов, являются более чувствительными сцинтилляторами, чем кристаллы, выращенные из расплава [1881. [c.104]

Маты монокристаллов, полученные из линейных полимеров невысокой и средней молекулярной массы, при комнатной тем [c.178]

Этот результат представляет интерес, поскольку он свидетельствует о том, что наклон сектора [100] монокристалла, полученного [c.256]

Теоретически. Монокристаллы, полученные методом транспортных реакций. Добавки серы и технеция >0,17%. Ниже температуры 40 К испытывает ферромагнитное превращение. [c.220]

Самодиффузия ванадия. Исследование [47] самодиффузии ванадия в интервале температур 880—1833° С с применением радиоактивного изотопа (в качестве образцов использованы монокристаллы, полученные методом зонной плавки,— чистота материала 99,99%, а также поликристаллический металл чистотой 99,9%) показало, что она характеризуется двумя различными значениями энергии активации до 1356° С и выше этой температуры. Температурная зависимость коэффициента самодиффузии ванадия (в см сек) для области 880—1356° С описывается уравнением, (энергия активации в кал г-атом) [c.156]

Вольфрам обладает достаточной пластичностью как в нагартованном состоянии т. е. после обработки давлением ниже температуры рекристаллизации, так и в виде монокристаллов, полученных различными методами. В рекристаллизованном же состоянии вольфрам хрупкий [26]. [c.267]

В этом разделе рассматриваются некоторые аспекты кристаллизации блок-сополимеров (в особенности ПС—ПЭО) в разбавленном растворе [555, 556, 576] фракционирование в процессе кристаллизации, критерии стабильности кристаллов и кинетика кристаллизации. Будет показано, что значительное влияние на кинетику кристаллизации блок-сополимера оказывает существование химически связанных некристаллизующихся участков цепей, их длина и взаимодействие с растворителем. Хотя опубликовано немного количественных данных о кристаллизации блок-сополимеров в блочном состоянии [492], между двумя типами кристаллизации можно обнаружить общие черты. Монокристаллы, полученные при кристаллизации блок-сополимера в разбавленных растворах явились удобной моделью для изучения нуклеации и роста кристаллов в целом, что привело к разработке метода самозарождения при кристаллизации, который оказался плодотворным при изучении кристаллизации гомополимеров [558]. [c.164]

С привлечением метода планирования эксперимента и статистического анализа предусматривается дальнейшее совершенствование направленного синтеза новых соединений и их твердых растворов в виде поли- и монокристаллов, получение количественных зависимостей свойств от состава. Предполагается совершенствование методов расчета диаграмм состояния систем с использованием для этого основ теории вероятности и статистики. [c.34]

Этот комплекс был разведен в диамагнитном комплексе никеля(П), после чего методом ЭПР исследовали монокристалл полученного соединения [17]. Системы координат, в которых А- и -тензоры диагональны, совпадают, что приводит к величинам д = 2,026 + 0,001, = 2,023 + + 0,001 и ( = 2,086 + 0,001. Главные значения Л-гензора равны соответственно (39 + 1)10 (39 + 1)-10 и (162 + 2)-10" см Величина А, , полученная из спектра растворов, составляет 76см . Из -факторов и уравнений (13.23) — (13.25) для основного состояния можно определить значения а 2 йз 0,01. Подставляя эти значения в уравнения (13.26) — (13.28) и решая их относительно А (основное состояние получаем [c.229]

Осажденный кремний представляет собой компактную трубку, которая может быть непосредственно использована для вертикальной бестигельной зонной плавки. Тантал должен быть хорошо очищенным. Но атомы его сами попадают в кремний, поэтому чаще всего образцы кремния после их отделения от танталовой фольги сначала стравливают на 0,1—0,2 мм смесью азотной и плавиковой кислот, промывают деионизованной водой, сушат и только тогда подвергают бестигельной зонной плавке. Таким образом, можно получить спектрально чистый кремний. Монокристаллы, полученные из такого кремния, обладают сопротивлением от десятков до нескольких сотен ом-см. Несколько проще тетраиодидным методом получают чистейшие образцы титана, циркония, гафния. [c.264]

Таким образом, можно получить спектрально чистый кремний. Монокристаллы, полученные из такого кремния, обладают сопротивлением от десятков до нескольких сотен Ом-см. Несколько проще тетраиодидным методом получают чистейшие образцы титана, циркония, гафния. [c.328]

Ламели и сферолиты. Изложенное представление о складчатых конформациях цепей в ламелях вытекает из результатов электронографических исследований, проведенных с единичными монокристаллами. Полученные при этом данные указывают на то, что [c.437]

II (DN 0)3, а также спектры монокристаллов, полученные с помощью излучения, поляризованного в плоскости (101). [c.123]

Для получения кристаллов рубина, обладающих большей твердостью, чем чистая AI2O3, исходят, по Вернелю [90], из совместно осажденных гидроокисей алюминия и хрома. Затем окислы в виде тонкого порошка равномерно обогревают пламенем водородно-кислородной горелки. При этом частички окислов плавятся и наконец собираются на растущем монокристалле. Полученные таким образом камни обладают известными своеобразными свойствами, благодаря которым они отличаются от естественных. [c.568]

Келлером [2] было высказано предположение, что ориентация полиэтиленовых цепей приводит к складкам на границах кристалла (рис. 4.2). Впоследствии это предположение было подтверждено методами инфракрасной спектроскопии в соединениях полиэтилена и дейтерированного полиэтилена в работах Бэнка и Кримма [4]. Было показано, что складки в монокристаллах, полученных из раствора, расположены в плоскости (110). [c.82]

В статьях 1957-58 гг. П.Х. Тилл [1], сотрудник фирмы Ои РоШ, А. Келлер [2] из Университета Бристоля, и Е. В. Фишер [3] из Университета Майнца описали монокристаллы, полученные из разбавленных растворов линейных полиэтиленов. Толщина ламелей составляла около 100 А, что соответствовало приблизительно 40 метиленовым (-СН2-) группам. Методом рассеяния электронов было показано, что полиэтиленовые монокристаллы обладали орторомбической структурой элементарных ячеек, предложенной в работах Бунна, а цепи располагались в направлении, перпендикулярном поверхностям ламелей (рис. 4.1). [c.82]

Недавно проведенное исследование кристаллов этого комплекса методом дифракции рентгеновских лучей подтвердило эту структуру [83]. Проведено рентгеноструктурное исследование осадка, образующегося при встряхивании циклооктадиена-1, 5 с раствором СиС1 в соляной кислоте [84]. При исследовании монокристаллов, полученных перекристаллизацией осадка из этил-ацетата, установлено, что этот комплекс, подобно комплексу с хлористым родием, является димерным. Найденные углы между связями и длины связей приведены на рис. 10. Небольшое искажение диеновых колец отнесено за счет напряжения, возникающего из-за взаимодействий между атомами водорода внутри кольца. [c.79]

Чохральского [68] и др. Однако опыт показал,что наиболее простым методом в этом случае является метод направленной кристаллизации. В работе [69] электрические и оптические свойства InSe исследовались на монокристаллах, полученных при зонной очистке. Однако условия проведения процесса не приведены. [c.106]

Учитывая столь высокую прочность монокристаллов, полученных из газовой фазы, можно считать этот метод выращива- [c.75]

Исследование дифракции электронов [556] показало, что элементарная ячейка монокристаллов, полученных осаждением, идентична элементарной кристаллической ячейке гомополимера полиэтиленоксида. Как и в обычных полимерных монокристаллах [269, 324], ось с практически перпендикулярна плоскости кристалла. Так как толщина монокристаллов, судя по электронномикроскопическим снимкам, составляет около 100 А, то был сделан вывод о том, что полимерные цепи в монокристалле должны иметь складчатые конформации. На рис. 6.10, а показана возможная модель монокристаллов блок-сополимера складчатые закристаллизованные цепи ПЭО располагаются между слоями некри- [c.158]

Рис. 6.20. Ламелярные монокристаллы блок-сополимера ПЭО/ПС [493] а—оптическая микрофотография кристаллов, полученных рекристаллизацией при 25 °С 5—электроиномикроскопический снимок монокристаллов, полученных рекристаллизацией при 25 С.

Можно заметить, что кривые значительно отличаются друг от друга, даже если Г различаются всего на несколько градусов. Если Тз была больще 45°С (кривые /), то до начала кристаллизации наблюдали индукционный период около 8 ч затем происходила быстрая кристаллизация. В области 45°С < Г < 60°С отмечается хорошая воспроизводимость результатов. Однако природа монокристаллов, полученных в этих условиях, была очень сложной. Хотя можно было предполагать, что нагрев выше 45°С обеспечит образование воспроизводимого числа зародышей, тем не менее были обнаружены полидисперсные по размерам сложные монокристаллы. Полидисперсность может быть объяснена спорадической нуклеацией, при которой не все монокристаллы начинают расти одновременно. (Как будет отмечено ниже, если темпе-)атура растворения выше температуры плавления монокристаллов 1Э0 Тт, то наблюдается регулярная и воспроизводимая кристаллизация, если ниже Гш, —то в растворе сохраняются зародыши, которые обеспечивают относительно быструю рекристаллизацию.) Если затем первоначальные монокристаллы растворить и рекри- [c.172]

Многочисленные исследователи не могли обнаружить влияние на проводимость УзОд примесей, а также влияние длительного прогрева в атмосфере кислорода. Мы заметили, что прогрев образцов уменьшает электропроводность только в области низких температур, тогда как при Т > 300 К а стабильна. Исследование спектров ЭПР показало, что в наших монокристаллах, полученных из реактивов различной степени очистки, наблюдается сигнал, подобный описанному Рэглом, однако при 77 К сверхтонкая структура спектра заметна для всех ориентаций кристалла в магнитном поле. При Т — 280 К она полностью исчезает. Интенсивность сигнала в различных образцах различна, число центров, найденное из сопоставления интенсивности сигнала с сигналом от Си + в медном купоросе, меняется от 3-10 до 2 -10 см . Число центров коррелирует с величиной а и со степенью очистки образца. [c.11]

Интерпретация Жили и Бозмана нам представлялась недостаточно обоснованной, и мы предприняли тщательное исследование спектров ЭПР и электропроводности монокристаллов различной степени очистки. У нас были монокристаллы, полученные из У2О5 трех степеней очистки 1) х. ч., промытая кислотами и прокаленная в токе кислорода 2) ос. ч. I (99.88%), основные [c.12]

Наши выводы о положении ионов Ре + в структуре У2О5 и о взаимной компенсации зарядов ионов Ре подтвердили авторы работы [15]. Эти же авторы исследовали спектр ЭПР ионов Сг [16] и обнаружили, что они находятся в положении замещения. Можно думать, что компенсация заряда Сг осуществляется эквивалентным количеством примесей в положении внедрения, нанример двухвалентным ионом или двумя одновалентными. В этом случае примесь хрома может вызвать уменьшение проводимости. Такой эффект мы наблюдали на одной партии монокристаллов, полученных из наименее чистого реактива марки х. ч., эти кристаллы обладали нри комнатной температуре самой низкой проводимостью. [c.15]

При изучении взаимодействия пятиокисей тантала и ниобия рентгеновскими методами сначала исходили из предположения, что оба окисла образуют непрерывный ряд твердых растворов [52]. В дальнейшем, однако, было обнаружено, что выше 1450° С образуется соединение 2МЬ20б-Тз205, медленно разлагающееся при температуре ниже 1450° С с образованием двухфазной области, в которой содержание la O составляет от 25 до 51 мол. %. Рентгенограмма порошка этого соединения расшифровывается на основе кубической элементарной ячейки [53]. Однако последующие измерения монокристаллов, полученных нагреванием прессованных порошков при 1400° С в течение 4 недель, однозначно показали, что это соединение имеет объемноцентрированную тетрагональную решетку а = = 15,77 0,01, с = 3,84 0,01 A, ячейка содержит 4 формульные единицы рассчитанная плотность (6,76 г см ) согласуется с измеренной плотностью порошка (6,10 г/сж ) [54]. [c.35]

В 1957—1958 1ГГ. были открыты две ромбоадричеокне модификации бора. Одна из них--высокотемпературная модификация, р-ромбоэдрический бор, обнаружена Сандсом и Хоардом [33] на монокристаллах, полученных путем кристаллизации из расплава. Элементарная ячейка этой фазы имеет [c.8]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология