Галлий строение электронных оболочек

Элементы бор, алюминий, галлий, индий и таллий. Строение их атомов и внешняя электронная оболочка. Отличие бора от других элементов группы. [c.219]

После заполнения Зd-пoдypoвня (п = 3, / = 2) электроны, в соответствии со вторым правилом Клечковского, занимают подуровень 4р (п = 4, / = 1), возобновляя тем самым построение Л -слоя. Этот процесс начинается у атома галлия (2 = 31) и заканчивается у атома криптона Е = 36), электронное строение которого выражается формулой 1з 2з 2р 38 Зр Зс °4з Ар . Как и атомы предшествующих благородных газов — неона и аргона, атом криптона характеризуется структурой внешней электронной оболочки пз пр , где тг — главное квантовое число (неон — 2з 2р , аргон — 3в23р , криптон — Аз Ар ). [c.68]

К р-элементам 1ИА-подгруппы периодической системы относятся элементы бор (В), алюминий (А1), галлий (Оа), индий (1п), таллий (Т1). Строение внешних электронных оболочек их атомов (см. 4.4) ns p (в невозбужденном состоянии) и п р р (в возбужденном состоянии). Бор (первый р-элемент), галлий, индий, таллий объединяются в подгруппу галлня. [c.270]

Свойства элементов и их соединений. Галлий, инднй, таллий, как и лантаниды, относятся к III группе Периодической системы Д. И. Менделеева. Они находятся в главной подгруппе и являются аналогами алюминия. В основном электронном состоянии атомы этих элементов имеют строение внешних электронных оболочек Три электро- [c.212]

Свойства атомов. Энергии ионизации изменяются в 1ПА-подгруппе немонотонно (табл. 17.2). Это объясняется строением электронных оболочек атомов. Хотя электронные формулы валентных подуровней одинаковы для всех элементов подгруппы пв пр , строение электронных остовов их атомов сильно различается. В отличие от металлов 1А- и ПА-подгрупп, у которых атомные остовы описываются электронными формулами, характерными для атомов благородных газов, в ША-подгруппе такие остовы имеют только бор и алюминий. У галлия и индия атомные остовы завершаются заполненными ( -подуровнями, а у таллия — ( -и /-подуровнями. [c.310]

Галлий Оа (1,7-10 % по массе), индий 1п (10 %) и таллий Т1 (3-10 ч- 3-10 %). Строение электронных оболочек атомов этих элементов отличается от строения оболочек В и А1. Второй снаружи энергетический уровень их атомов содержит 18 электронов. В свободном состоянии это металлы серебристо-белого цвета. Максимальная валентность их плюс 3. Образуют они и соединения низшей валентности. Прочность соединений высшей валентности падает в ряду Са 1п Т1, а прочность одновалентных соединений в том же ряду возрастает. В связи с этим галлий и индий нри взаимодействии с кислотами образуют ионы 1п +, а таллий — ионы Т1+ [c.247]

Галлий, индиЁ и таллий по своему атомному строению соответствуют бору и алюминию, поскольку у них у всех одинаковая конфигурация внешней электронной оболочки (два х-электрона и один р-электрон). От бора и алюминия они, однако, отличаются, поскольку у них вслед за уровнем з р следует не уровень з р (оболочка инертного газа), а уровень (см. табл. 2 в приложении). Эта особенность строения влияет на свойства и поведение как свободных элементов, так и их соединений. [c.406]

У малого по размерам (0,62 A) 18-электронного катиона Ga " термический распад ферроцианида начинается с гидролиза, степень протекания которого ( 33 / ) значительно ниже той, которую можно было бы ожидать, исходя из рис. 109. Такое различие обусловлено отличием в строении внешней электронной оболочки галлия по сравнению с приведенными на рисунке 8-электронными катионами. Оно хорошо согласутся с известным правилом [965], что относительно трудно деформируемые катионы дают прочную связь с ОН , а легче деформируемые — с N". Гидролиз ферроцианида галлия заканчивается при полном обезвоживании вещества (290—350° С), неразложившаяся часть которого диссоциирует в интервале 410—500° С [1484]. Образующийся при этом цианистый галлий тотчас же распадается до нитрида, поэтому суммарный процесс распада при 450° С описывается уравнением [c.254]

Можно было бы ожидать, что эти элементы будут образовывать с тремя лигандами плоские молекулы, подобно галогенидам бора. Однако для них характерна ярко выраженная тенденция притягивать на свои незаполненные валентные оболочки дополнительные электронные пары, и поэтому их соединения существуют главным образом в виде тетраэдрических или октаэдрических комплексов. Трифенилгаллий и трифенилиндий представляют собой плоские тригональные молекулы, по-видимому образующие друг с другом слабые межмолекулярные связи металл— углерод, чтЬ приводит к тригонально-бипирамидальной координации вокруг каждого атома металла. У молекулы А1Ы(51(СНз)з)2]з, как и предполагалось, найдена плоская тригональная конфигурация. Согласно спектральным данным, в парах хлоридов, бромидов и йодидов алюминия, галлия и индия при высоких температурах присутствуют плоские молекулы типа АХ3. Доказано также, что трийо-дид галлия существует в виде мономера и имеет плоскую треугольную конфигурацию. Интересное предположение состоит в том, что трифториды таллия и индия (возможно, и хлориды) могут иметь пирамидальное, а не плоское строение по той же причине, которая выдвигалась для объяснения изогнутой (угловой) формы молекулы ВаРз в газовой фазе. [c.155]

Третья группа. Для элементов подгруппы бора (за исклю чением таллия) характерна степень окисления +3. Последней соответствуют соединения Э (ОН)3. Происходит дальнейшее ослабление (от I группы к И, от П к 1П) основных свойств. Если ЬЮН—основание, а Ве(ОН)г — амфотерное соединение, то В(ОН)з — кислота. Таким образом, при переходе к третьей группе мы впервые встречаемся с элементом, образующим кислоту (этим бор отличается и от всех элементов П1 группы), и с изополикислотами, которые также характерны для бора. В соответствии с увеличением радиусов ионов элементов в ряду А1(0Н)з— Т1(0Н)з происходит усиление основных свойств. Если Оа(ОН)з отличается практически одинаковой степенью диссоциации с отщеплением ионов ОН и Н+, то у 1п(ОН)з несколько (преобладают основные свойства, а у Т1(ОН)з амфотерные свойства выражены очень слабо. Обращает на себя внимание очень медленное уоиление основных свойств в этом ряду соединений. Это объясняется тем, что если атомы элементов третьей главной подгруппы являются электронными аналогами (их внешний электронный слой имеет строение з р), то ионы В + и АР+ сильно отличаются от Оа +, 1п + и Т1 + (поэтому-то часто их объединяют в отдельную подгруппу — подгрушту галлия). Первые имеют наружные оболочки атомов благородных газов, а вторые—18-электронные оболочки, содержащие 10 -электронов. Вследствие этого увеличение радиусов ионов после алюминия становится менее значительным, что и приводит к медленному усилению основного характера соединений. Здесь, так же как и в предыдущей группе, наблюдается диагональное сходство амфотерные гидроксиды А1 и Ве близки по свойствам. [c.97]

По химическому поведению галлий близок к алюминию с учетом особенностей строения внешней электронной оболочки. Подобно алюминию, галлий на воздухе покрывается плотной оксидной пленкой СагОз и поэтому практически не изменяется. С галогенами реагирует на холоду. Образуются белого цвета соединения, молекулы которых димеризованы, например [c.319]

Исследования элементов при высоких давлениях, кардинальным образом изменяющих строение и степень перекрытия внешних электронных оболочек, привели к обнаружению неизвестных ранее модификаций рубидия, цезия, бария, галлия, индия, таллия, кремния, германия, олова, свинца, сурьмы, висмута, титана, циркония и других элементов. Круг полиморфных металлов расширился настолько, что можно полагать, что в природе вообще не существует элементов, сохраняющих одну и ту же структуру в достаточно широком диапазоне давлений и температур. [c.196]

Порядок заполнения электронами урювней и подуровней атомов элементов малых и больших периодов см в 2.7. Этот параграф следует еще раз внимательно щючитать, обратив особое внимание на строение электронных оболочок атомов эл1 ментов-м1 -галлов [c.268]

Используя представления о кайносимметрии, можно выделить более тонкий вид электронной аналогии, так называемую слоевую аналогию (в дополнение к групповой и типовой аналогии). Слоевыми аналогами называют элементы, которые являются типовыми аналогами, но не имеют внешних или предвнешних кайносимметричных электронов. К таким аналогам относятся, например, в IA-группе К, Rb, s и Fr, а Li и Na не являются слоевыми аналогами с остальными щелочными металлами, поскольку у Li присутствует внешняя кайносимметричная 2р-оболочка (вакантная), а у Na кайносимметрнчная заполненная 2р-оболочка является предвнеш-ней. В ПА-группе слоевыми аналогами являются щелочно-земельные металлы (подгруппа кальция), а в П1А-группе — элементы подгруппы галлия и т. д. С точки зрения электронного строения слоевые аналоги являются между собой полными электронными аналогами. Поэтому рассматривать химические свойства элементов группы мы будет в такой последовательности первый типический элемент, второй типический элемент, остальные элементы главной подгруппы, элементы побочной подгруппы. Например, в И1 группе отдельно рассматриваются бор, алюминий, подгруппа галлия, подгруппа скандия в V группе — азот, фосфор, подгруппа мышьяка, подгруппа ванадия п т. п. [c.15]

Эти элементы дают ярко окрашенные соединения, являются энергичными окислителями и восстановителями. Возможно, что с особенностями строения электронных оболочек связана и каталитическая активность соединений этих металлов. Наоборот, элементы с постоянной валентностью отличаются меньшихм разнообразием химических соединений и редко образуют окрашенные соединения. Из редких металлов лишь немногие относятся к этому типу—литий, рубидий, бериллий, отчасти галлий, индий и таллий. [c.16]

Чрезвычайно ярко проявляются отклонения, обусловленные различием строения внутренних электронных оболочек, в аналитическом поведении элементов подгруппы Illa. Бор, который обладает электронной конфигурацией ls 2s 2j3 имеет преобладаюш ие электроотрицательные свойства и образует кислоты (Н3ВО3 и др.), проявляя себя в качестве типичного аниона. Алюминий, ион которого АР+, имеет внешнюю конфигурацию 2s 2j9 , образует слабо основную и труднорастворимую гидроокись, выделяющуюся при действии сульфида аммония. На этом основании и по другим признакам алюминий относится к III аналитической группе, возглавляя первую ее подгруппу (см. табл. 19 и 20). Галлий и индий, ионы которых Ga + и 1п + имеют внешние конфигурации 3d и обычно [c.103]

В основном состоянии атомы элементов подгруппы галлия имеют строение внешних электронных оболочек 4s4p (Оа), 5s 5p (1п), 6s 6p (Т ) и одновалентны. Возбуждение трехвалентных состояний требует затраты 108 (Ga), 100 (In) или 129 (II) ккал г-атом. Последовательные ионизационные потенциалы равны 6,00 20,51 30,70 в для Ga 5,785 18,86 28,03 в для 1п 6,106 20,42 29,8 в для Т1. Сродство атома таллия к электрону оценивается в 12 ккал/г-атом. [c.217]

В ортофосфате галлия ОаР04 атомы имеют электронное строение галлий Оа — 1з 28 2р 38 3р З(Р- 4 Ар и фосфор Р 15 28 2р 35 3р , тогда как в соединении А1А804 — обратное распределение элементов по их электронной плотности первый является более легким, чем второй так, А1 — 15 25 2р 35 3р и Аз — is 2s 2p 3s 3p 3d is 4 p . Несмотря на обратное распределение изоэлектронных наружных оболочек атомов в модельной паре оба соединения тем не мепее [c.182]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология