Электронная трансмиссионная

ПМР-спектроскопия - спектроскопия протонного магнитного резонанса ФПС - фактор парциальной скорости ФЭС-спектроскопия - фотоэлектронная спектроскопия ЭТС - электронная трансмиссионная спектроскопия [c.10]

Существует три основных метода световая оптическая микроскопия, трансмиссионная электронная микроскопия (ТЭМ), растровая (или сканирующая) электронная микроскопия (РЭМ или СЭМ). Методы различаются сферами применения, определяемыми разрешением микроскопа. Разрешающая способность микроскопов определяется длиной волны излучения А, показателем преломления среды между образцом и линзой п р и углом приема линзы 6 [c.353]

Качество моторных и трансмиссионных масел в процессе их производства и применения оценивают самыми разнообразными методами — от элементарных, сводящихся к визуально1му контролю за внешним видом и состоянием пробы масла, до сложнейших, в которых те или иные характеристики масла определяют на аппаратуре, оборудованной новейшими электронными, радиотехническими и другими аналогичными приборами. Все методы анализа и контроля смазочных масел можно для удобства условно разделить на три группы [c.115]

Проведенные нами исследования [9] действительно обнаружили существование в широком спектре средне- и высокоплавких нефтяных пиролизных пеков наличие четырех иерархических уровней структуры. Рентгеноструктурный анализ показал наличие в НДС асфальтеновых ассоциатов средних размеров (7-10) Ю м. Электронная трансмиссионная и оптическая микроскопии позволили обнаружить сфероидные образования (1-9) 10 м и зернистую структуру с характерным размером зерна (1-5) 10 м. Кроме того, в нефтяных пеках была обнаружена высокоупорядоченная макроструктура, состоящая из кристаллитов с размерами (2-15) 10 м. [c.6]

Рис. 5.3. Белковые тельца. Электронная трансмиссионная микроскопия.

Трансмиссионная электронная микроскопия [c.127]

Работы Э. Хюккеля, К. Фукуи, Р. Вудворда, М. Дьюара и Р. Хофмана открыли этап широкого применения орбитальных представлений в органической химии. Среди этих представлений особо следует отметить концепцию граничных орбиталей, которая связывает свойства и поведение органических молекул с их граничными электронными уровнями. В последние годы орбитальные представления получили мощную поддержку со стороны ряда физических методов. По данным фотоэлектронной спектроскопии, электронной трансмиссионной спектроскопии, спектроскопии электронного парамагнитного резонанса оказалось возможным оценивать энергии и симметрию электронных уровней молекул, а тем самым адекватность различных методов квантово-химических расчетов. [c.32]

Электронное сродство органических молекул измеряется методом электронной трансмиссионной спектроскопии (ЭТС). [c.89]

При этом в электронном трансмиссионном спектре регистрируется резонансная линия, по положению которой можно судить о величине электронного сродства органической молекулы. [c.89]

По данным фотоэлектронной и электронной трансмиссионной спектроскопии [c.90]

Электроноакцепторным эффектом кислорода объясняется и заметное снижение уровней энергий занятой и вакантной тс-орбиталей в молекуле формальдегида. На рис. 19.1 по данным методов фотоэлектронной и электронной трансмиссионной спектроскопии сравниваются энергетические уровни этилена и формальдегида. [c.124]

Во многих случаях в зарубежные масла вводят ингибиторы коррозии с целью улучшения их способности защищать во время эксплуатации смазываемые поверхности от электрохимической коррозии. Несмотря на то, что такие масла не предназначаются для консервации техники, их можно также рассматривать как рабоче-консервационные. В качестве примера можно привести маловязкие масла по спецификации М11.-Ь-6085, применяемые в авиационных приборах и электронном оборудовании, универсальные трансмиссионные масла по спецификации М1Ь-Ь-2105, высоковязкие масла для открытых редукторов по спецификации ОЕР-2302 и многие другие. [c.113]

Элементарные процессы, сопровождающиеся электронными переходами, являются неадиабатными. Электронный переход соответствует переходу системы, при достижении вершины барьера, с одной потенциальной поверхности на другую. При неадиабатных процессах достижение вершины потенциального барьера еще не говорит о безусловном переходе к конечным продуктам, и существует конечная вероятность перехода системы с нижней потенциальной поверхности на верхнюю. Таким образом, для неадиабатных процессов трансмиссионный коэффициент X заведомо меньше единицы. Как правило, процесс протекает неадиабатно, если реакция связана с изменением суммарного электронного спина или соответствует какому-ни будь другому запрещенному переходу. Трансмиссионный коэффициент для неадиабатных процессов чаще всего оказывается порядка 10 . Приближенные расчеты показывают, что неа диа батные реакции встречаются довольно редко. [c.146]

Опытное значенне предэкспоненты (см. табл. VI,3) равно 1,9- 10 сек-. Поскольку активация в мономолекулярных реакциях является процессом накопления колебательной энергии на внутренних степенях свободы молекулы и не сопровождается переходом на возбужденный электронный уровень, т. е. является процессом существенно адиабатным, трансмиссионный коэффициент близок к единице, и полученные расчетные и опытные значения предэкспоненты сопоставимы. Как видно, совпадение в данном случае получено вполне удовлетворительное. [c.173]

Мостиковая модель (Амис). Два иона А и В разделены мостиком , которым служат молекула воды, ион водорода и т. д. Эти ионы и мостик образуют область, имеющую форму капсулы. Внутри такой капсулы — полное диэлектрическое насыщение. Термодинамический потенциал перестройки отражает электронную перестройку участвующих в реакции частиц. Перенос электрона происходит в две стадии сначала электрон перескакивает с иона А на мости-ковый ион, а затем с мостикового иона на ион В. Перенос происходит путем туннелирования электрона. Константа скорости реакции определяется суммарным трансмиссионным коэффициентом X, кулоновским отталкиванием одноименных зарядов и изменением термодинамического потенциала, связанного с электронной перестройкой [c.107]

Трансмиссионный коэффициент может быть много меньше единицы. Это имеет место, например, прн рекомбинации атомов в газовой фазе, когда образовавшаяся двухатомная молекула несет в себе выделившуюся в реакции энергию и распадается обратно на атомы. Рекомбинация осуществляется только в тройных столкновениях (см. гл XI). Трансмиссионный коэффициент мал и в случае неадиабатических реакций, когда меняется электронная мультиплетность системы (см. 3). [c.82]

Наблюдаются также кажущиеся трансмиссионные коэффициенты, большие единицы. Такая картина возможна в случае туннельных переходов, когда система" проходит не через вершину энергетического барьера, а сквозь него. Обычно туннельные переходы наблюдаются в реакциях переноса электронов, но они очень редки для обычных химических реакций, включающих разрыв химических связей. , [c.140]

Для реакции Н 4- НС1 = Hj + С1 известны следующие данные а) разность нулевых уровней энергии в исходном и активированном состояниях 18,828 кДж, б) конфигурации молекул лн-н = = 0,13 нм, в) все частоты колебаний достаточно велики и = 1, г) трансмиссионный коэффициент х = 1 Электронные суммы по состояниям не рассматриваются Рассчитайте константу скорости реакции при 600 К [c.408]

Для реакции 0 + С0- 0---С---0- СО известны следующие данные а) разность нулевых уровней энергий в исходном и активированном состояниях 83,68 кДж, б) Гс-о = 0,112 нм, активированный комплекс ло-с-о = 0,12 нм имеет линейное строение с указанными размерами в) все частоты колебаний достаточно велики (Qko.i 1). кроме дважды вырожденного деформационного колебания активированного комплекса с v = 200 см , г) трансмиссионный коэффициент X = 1. Электронные суммы по состояниям не рассматриваются. Вычислите константу скорости этой реакции при 500 К. [c.408]

Другим примером является поведение системы Ре — РезС в зависимости от потенциала, pH и природы аниона [59]. В этой более поздней работе были определены условия, в которых имеют место четыре различных вида воздействия общее, воздействие на матрицу, на границу фаз и карбиды. Эти данные были интерпретированы в отношении термодинамических, кинетических аспектов и их комплексного влияния. При этом потенциостатические измерения проводили в комплексе с подробным изучением структуры в электронном трансмиссионном микроскопе. Такое всестороннее исследование полученных результатов показало эффективность использования различных методов. [c.608]

Офаничепия этих методов заключаются в возможности проведения исследований в узком диапазоне температур, близких к комнатной. Исключение составляют микроскопы с так называемым "горячим столиком", где имеется возможность исследовать структуры при высоких температурах. Анализ жидких НДС возможен в тонком слое в трансмиссионной электронной и просвечивающей оптической микроскопии. Электронная растровая и оптическая отражающая микроскопия требуют предварительного приготовления травленого шлифа. В работе [4] для протрава нефтепродуктов типа пеков рекомендуется тройной ор1 анический растворитель. Для этих целей можно использовать также обычную хромовую кислоту. [c.13]

Рассмотрим вторую составную часть величины — трансмиссионный коэффициент я. В теории Гориути — Поляни предполагалось, что и = 1, т. е. если система достигала точки пересечения потенциальных кривых (термов), то в дальнейшем она со 100%-ной вероятностью переходила в конечное состояние. В теории Бокриса для расчета X использовалась формула Гамова, описывающая вероятность у проникновения частицы через заданный, не изменяющийся во времени барьер. Однако смещение уровней электрона в начальном и конечном состояниях относительно друг друга из-за флуктуаций растворителя приводит к тому, что форма барьера изменяется во времени и, следовательно, формула Гамова не применима. [c.305]

Измерены средние размеры полученных частиц при различных концентрациях полимеров методом динамического светорассеяния. Так, для полимеров с М 2000, 2600, 3300 максимальный вклад в распределение частиц по размерам вносят частицы с радиусом 20, 47 и 52 нм, соответственно. Наличие сферических частиц такого рашера подтверждено с помощью трансмиссионной электронной микроскопии. [c.92]

Дополнительно была изучена тонкая структура рядового и игольчатого коксов с применением метода радиального распределения, атомной плотности. Количественно оценены мивродеформа-цни, величина которых в структуре игольчатых коксов оказалась намного выше, чем у рядового. Подтверждена дефектность тонкой структуры игольчатого кокса, выявленная на микрофотографиях трансмиссионного электронного ми1фоскопа. [c.54]

Имеется сравнительно немного микроструюурных данных в масштабе трансмиссионной электронной микроскопии, касающихся индуцированного внешней средой разрушения этих материалов. Поведение высокопрочных мартенситных сталей определяется процессами, связанными с основами механики разрущения [15, 16, 22, 344] и вполне может контролироваться диффузией водорода впереди трещины [318]. В отличие от всех уже рассмотренных систем сплавов, в сталях, особенно в высокопрочных, могут отсутствовать эффекты, обусловленные дислокационным транспортом водорода и характером скольжения. Однако, как мы уже отмечали, в этих сталях наблюдаются эффекты, связанные с влиянием состава и микроструктуры, для объяснения которых возможно понадобится привлечь представление о дислокационном транспорте. Один из главных вопросов относится к поведению примесей-ингибиторов рекомбинации водорода, поскольку их выделение в [c.142]

Трансмиссионная микроскопия реализуется с помощью трансмиссионных (просвечивающих) электронных микроскопов (ТЭМ рис. 1), в к-рых тонкопленочный объект просвечивается пучком ускоренных электронов с энергией 50-200 кэВ. Электроны, отклоненные атомами объекта на малые 5ТЛЫ и прошедшие сквозь него с небольшими энергетич. потерями, попадают в систему магн. линз, к-рые формируют на люминесцентном экране (и на фотопленке) светлопольное изображение внутр. структуры. При этом удается достичь разрешения порядка 0,1 нм, что соответствует увеличениям до 1,5 10 раз. Рассеянные электроны задерживаются диафрагмами, от диаметра к-рых в значит. степени зависит контраст изображения. При изучении сильно-рассеивающих объектов более информативны темнопольные изображения. [c.439]

По характеру получаемой информации Э.-з. м. можно разделить на 3 фуппы 1) методы исследования топофа и пов-сти и кристаллич. структуры твердых тел 2) методы локального анализа 3) методы исследования электрофиз. характеристик и электронной структуры твердых тел. К первой фуппе относятся, в частности, электронная микроскопия - трансмиссионная (просвечивающая) (ТЭМ) и растровая (РЭМ), методы дифракции медденных (ДМЭ) и быстрых [c.443]

Э. проводят в спец. приборах - электронофафах, в к-рых поддерживается вакуум 10 -10 Па, время эксггозиции ок. 1 с, или в трансмиссионных электронных микроскопах (см. Электронная микроскопия). Образцы для исследований готовят в виде тонких пленок толщиной 10--50 нм, осаждая кристаллич. в-во из р-ров или суспензий, либо получая пленки вакуумным распьшением. Образцы представляют собой мозаичный монокристалл, текст у или поликристалл. [c.451]

Для элементарной реакции Н + Oj = ОН + О известны следующие данные- а) разность нулевых энергий в активированном и исходном состояниях равна 62,76 Дж, б) ло о = 0,12 нм, активированный комплекс Н—О—О имеет линейное строение с параметрами лн-о = 0,1 нм и го-о = 0,14 нм, в) частоты колебаний для Оа V = 1580 см , для Н—О—О валентные колебания отсутствуют, кроме дважды вырожденного деформационного колебания с v = = 300 см-, г) трансмиссионный коэффициент к = 1 Электронные суммы по состояниям не учитываются Рассчитайте константу скорости реакции при 800 К [c.408]

При Ye > 1 электрон успевает изменить свое состояние за время, достаточное для перехода протона. А. Реакция протекает адиабатично, если ур > 1 и уе 1- В таком случае трансмиссионный коэффициент к = 1. Перенос протона происходит неадиабатически, если уе > 1 и ур < 1- Трансмиссионный коэффициент к = Ур < 1. В. Перенос протона происходит отчасти адиабатически, если уе > 1, а у < 1. Трансмиссионный коэффициент к = Ур < 1. На соотношение между адиабатическим и туннельным переносом протона влияет ряд обстоятельств. Во-первых, температура. С повышением температуры возрастает доля пар АН...В, обладаюищх энергией Е, и поэтому растет скорость преврашения с преодолением потенциального барьера. При температурах Т> Tad реакция протекает только адиабатически. Если рассматривать барьер как пересечение двух параболических кривых, то [c.497]

Более точная локализация этих веществ возможна посредством трансмиссионной электронной микроскопии в самом деле, в протоплазме можно наблюдать различные клеточные компарт-менты, отграниченные биологической мембраной, и обнаруживать [c.137]

Хотя повышение pH и ионной силы или присутствие липидов способствует агрегации всех глиадинов [10], образование фибрилл наблюдалось только у некоторых а-глиадинов. Ввиду этого возможно, что образование фибрилл вовлекает вторичные специфические взаимодействия, зависящие от конформации основных единиц [114]. Структура других глиадинов может препятствовать образованию фибрилл этого типа. К тому же иммунохими-ческое исследование глиадинов [28] показывает, что а-, р-, у- и ы-глиадины состоят из иммунологически различных белков, т. е. различных по своей третичной структуре. Различие антигенных структур недавно подтверждено методом ELISA [179]. Обнаружены различия в N-концевых последовательностях. Изучение структуры глиадинов с помощью трансмиссионной и сканирующей электронной микроскопии обнаруживает в них не определенную структуру, а аморфную совокупность [55, 142]. [c.198]

Распределение различных наполнителей и добавок изучают традиционными методами трансмиссионной и сканирующей электронной микроскопии [15]. Основной проблемой, однако, остается изучение распределения оксидных наполнителей или типа и местонахождения органических добавок. Эта проблема может быть решена путем использования элементоотражающей спектроскопической просвечивающей электронной микроскопии (ЭОС-ПЭМ). В этом случае нет необходимости в специальной подготовке образцов, поскольку фазы идентифицируются путем обнаружения характерных для них элементов. Метод ЭОС-ПЭМ успешно использован для всестороннего анализа наполнителей и аддитивов в каучуковых системах и для выявления жестких доменов в сегментированных полиуретанах [16]. [c.467]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология