Статическая диэлектрическая постоянная

VI статическая диэлектрическая постоянная больше, чем во льду I. [c.73]

В главе II кратко описываются основные методы измерения диэлектрической проницаемости и потерь, приводятся ошибки эксперимента и указываются пределы применимости этих методов. В главах III—IV сведены в таблицы результаты измерений статической диэлектрической постоянной, предельной высокочастотной диэлектрической проницаемости, диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь, времени релаксации, коэффициента распределения времен релаксации, термодинамические функции диэлектрической релаксации в широком интервале температур и в большом диапазоне частот для чистых жидкостей. [c.4]

Рис. VI. Зависимость константы молекулярного притяжения двух параллельных плоскостей от статической диэлектрической постоянной [179].

Зависимость статической диэлектрической постоянной ез для разных льдов представлена на рис. 30, а зависимость ез [c.75]

Статическая диэлектрическая постоянная в анизотропной среде, каковой является лед I, представляет собой тензор и характеризуется двумя компонентами ец и е . деек величина компоненты е в направлении, параллельном оси С кристалла льда 1/г, г 1 компонента в направлении, перпендикулярном оси С. В жидкой воде величина ед не зависит от направления и ее значение при Т 0°С несколько меньшее, чем величина х во льду I (рис. 52). [c.119]

Рис. 52. Зависимость изменения статической диэлектрической постоянной воды и льда от температуры

Гз — поверхностная концентрация молекул поверхностно-активных веществ при объемной концентрации б — расстояние между центром тяжести заряда противоиона и границей раздела фаз 62 толщина адсорбционных слоев е — диэлектрическая постоянная во — статическая диэлектрическая постоянная [c.9]

Статическая диэлектрическая постоянная жидких простых веществ и неорганических соединений. [c.5]

Температурная зависимость статической диэлектрической постоянной простых веществ и неорганических соединений. [c.5]

СТАТИЧЕСКАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПОСТОЯННАЯ ЧИСТЫХ ЖИДКОСТЕЙ П1. 1. Статическая диэлектрическая постоянная жидких простых веществ и неорганических соединений [c.52]

Диэлектрическая константа и дипольный момент. Статические диэлектрические постоянные ео как поликристаллов, так и монокристаллов льда I тщательно определены [5, 165]. По данным рис. 3.13 видно, что Ео увеличивается при понижении температуры, а в направлении, параллельном оси с, ео несколько больше, чем в направлении, перпендикулярном оси с. Диэлектрическая константа поликристаллического льда при 0° С больше, чем диэлектрическая константа воды, хотя уменьшение объема воды при плавлении должно было бы вызывать изменение в про- [c.107]

Рис. 3.13, Статическая диэлектрическая постоянная льда I (ео) как функция температуры.

Статическая диэлектрическая постоянная и химический сдвиг ядерного магнитного резонанса [c.191]

Рис, 4,17. Экспериментальные и расчетные значения статической диэлектрической постоянной жидкой воды как функции те.мпературы. [c.192]

Свойства воды, значительно отличающиеся от свойств льда, связаны со скоростями молекулярных движений. В то время как величины объема, энтропии, сжимаемости, теплоемкости, статической диэлектрической постоянной и колебательных частот воды отличаются максимум в два раза от соответствующи.х величин льда прп 0°С, вязкость воды составляет примерно 10 вязкости льда, а время диэлектрической релаксации — приблизительно 10 этой величины льда. Вязкость и время диэлектрической релаксации, подобно поглощению ультразвука, времени релаксации ядерного намагничивания и скорости самодиффузии, являются свойствами, которые определяются скоростями молекулярных переориентаций и трансляций. В самом деле, наиболее очевидное различие между льдом и водой — твердость льда и текучесть воды — целиком обусловлено различными скоростями молекулярных движений в этих двух фазах. [c.207]

Действительная часть диэлектрической постоянной нейтрального кристалла (без учета свободных носителей тока) 0—его статическая диэлектрическая постоянная, — толщина истощенного слоя (в случае параболического распределения потенциала в слое пространственного заряда 4 = Ьо — 2 у1 ). Подстановка (87) —(89) в (80) дает формулы для Вблизи плазменной частоты х< 1, так как [c.138]

Иная картина наблюдается в ионных кристаллах. В них заряженные ионы, окружающие избыточный электрон, под действием его электрического поля целиком смещаются из своих положений равновесия такое явление называется поляризацией смещения и дает определенный вклад в низкочастотную (статическую) диэлектрическую постоянную среды. В отличие от высокочастотной поляризации электронных оболочек поля- [c.197]

Постоянные соо, ео, Вх имеют простой физический смысл и определяются экспериментально ео = Е(0) — статическая диэлектрическая постоянная е<х, = е(оо) — диэлектрическая постоянная на частотах, значительно больших инфракрасных, но меньших частот электронного поглощения шо — дисперсионная инфракрасная частота. [c.398]

Приведены значения статической диэлектрической постоянной, предельной высокочастотной диэлектрической проницаемости, диэлектрической проницае.иости и диэлектрических потерь, вре.нени релаксации, коэффициента распределения времен релаксации, энергии, теплоты и энтропии активации диэ.1ектрической релаксации в широком диапазоне частот и в большом интервале температур для 1000 и более чистых веществ в жидко.ч состоянии. [c.2]

Следует отметить, что здесь используется так называемая статическая диэлектрическая постоянная, которая характеризует полную поляризуемость среды, складывающуюся из электронной поляризуемости (смещение электронных облаков по отношению к ядрам в электрическом поле), ионной поляризуемости (смещение ионов противоположного знака друг по отношению к другу) и ориентационной поляризуемости (установление определенной ориентации молекул, обладающих постоянным диполем). Эта последняя составляющая поляризуемости играет наибольшую роль в водных растворах, в то время как поляризуемость кристаллов чаще всего определяется электронной и ионной составляющими ([16, 17, 28]). При малом расстоянии между взаимодействующими дефектами использование статической диэлектрической постоянной следует считать довольно грубым приближением. Тем не менее оно приводит к результатам, дающим в общем довольно правильное представление о реально протекающих процессах, как об этом свидетельствует сравнение расчетов по уравнению (УЛЗ) с экспериментальными данными. [c.149]

Соответственно падает величина Кс, а следовательно, и вычисляемая степень ассоциации а. Однако в большинстве случаев этой поправкой все же можно пренебречь, применяя для расчета концентрационной константы равновесия уравнение ( .13). Ошибка, обусловленная этим, а также использованием статической диэлектрической постоянной, не отражающей особенностей взаимодействия близко расположенных зарядов, компенсируется неучетом усиления ассоциации при охлаждении люминофора, которое не удается осуществить столь быстро, чтобы полностью заморозить равновесие, достигнутое при высокой температуре (см. гл. 1). [c.154]

Вычисление постоянной А из парных взаимодействий молекул конденсированных тел обычным для простейших газов с известны,ми квантовомеханическими характеристиками путем не отличается достоверностью. Более точно значение этой постоянной для дальних расстояний, превышающих характеристическую длину волны в спектре излучения, можно определить из величины статической диэлектрической постоянной, что, однако, в большинстве случаев осложняется отсутствием необходимых оптических характеристик. [c.33]

Однако при наличии оптических характеристик вещества дисперсной фазы может быть по теории Лифшица найдена константа молекулярных сил К и тогда следует применять более строго обоснованное уравнение (22). На рис. VI представлена зависимость К от статической диэлектрической постоянной [179]. [c.151]

В третьей главе рассматриваются структурные и физические особенности кристаллов Н2О. По ряду физических свойств (значению статической диэлектрической постоянной, остаточной энтропии кристалла, величине электропроводности) кристаллы льдов четко разделяются на две группы. Такого четкого разделения кристаллов по структурным характеристикам нет. Спектральные свойства кристаллов льдов показывают, что внутримолекулярные частоты колебаний молекулы Н2О зависят от температуры и имеют ширины линий, по порядку величины равные частотам межмолекулярных колебаний. На основании рассмотренных данных делается вывод о сильной взаимной зависимости внутримолекулярных и межмолекулярных взаимодействий в системе водородосвязанных кристаллов льдов. Откуда следует, что лед I и полиморфные формы льдов не являются чисто молекулярными кристаллами, а скорее должны рассматриваться как ЗЫ атомные кристаллы. [c.6]

На рис. 206 показана зависимость относительного сдвига от сдвиговой деформации, приложенной к чистому монокристаллу льда при Т=—70° С и для кристалла льда с разным содержанием НР. Отсюда видно, что примеси уменьшают максимально возможные значения деформации, т. е. ослабляют кристалл. Влияние деформации сжатия на и л, где ге — статическая диэлектрическая постоянная и X — электропроводность, было исследовано в работе Хигаши (1969). Предварительные результаты, показывающие зависимость ез н X от Т для двух значений деформации сжатия, представлены на рис. 21. Из представленного рисунка видно, что деформация сжатия приводит к увеличению ея, что само по себе можно объяснить увеличением плотности кристалла. Однако увеличение X в деформированном кристалле по всей вероятности связано или с ростом числа ионизационных дефектов или с ростом их подвижности. Дальнейшие работы по исследованию свойств деформированных кристаллов, по-видимому, смогут пролить свет на механизм образования дефектов кристалла льда. [c.57]

Диэлектрическая постоянная льда I была впервые исследована Эррера в 1924 г. и затем поликристаллический лед и монокристалл льда I были исследованы Хамбелом (1953), Оти и Коулом (1952). В этих работах на монокристалле была получена анизотропия диэлектрической постоянной, составляющая приблизительно 15% при 7 =0°С. Зависимость диэлектрической постоянной льда I от температуры представлена на рис. 22 и в табл. 17. Статическая диэлектрическая постоян- [c.57]

Наиболее удивительным и замечательным среди прочих является тот факт, что в то время, как одни льды, такие, как лед III, V, VI и VII (1-я группа), обладают свойствами, аналогичными свойствам льда I (большая статическая диэлектрическая постоянная, большая остаточная энтропия и т. д.), другие льды, такие, как лед II, VIII и IX (2-я группа), имеют [c.68]

Рис. 3.14. Зависимость статической диэлектрической постояниой (ео), времени диэлектрической релаксации от давления (тд) и логарифма проводимости пря.мого тока (/Спт) льда I от давления прн —23,4° С. Пунктирная линия обсуждается в тексте [56].

Статическая диэлектрическая постоянная (см. [148]). Измерение статической диэлектрической постоянной воды ео, сделанное Малмбергом и Мариоттом [228], является одним из [c.191]

Статическая диэлектрическая постоянная воды в равновесии с ее паром была измерена Акерлофом и Ошри [1] в области температур от точки кипения до критической точки. При этом было установлено, что диэлектрическая постоянная непрерывно уменьшается до значения 9,74 при 370° С. В этом температурном интервале такое поведение константы ео описывается с помощью уравнения [c.193]

Ряд исследований посвящен изучению диэлектрических свойств простых полиэфиров [235, 239, 261—268]. Так, Коидзуми и Ханаи [261] мостовым методом при частоте 0,5—50/сгг измерили статическую диэлектрическую постоянную (е) семи гомологов от этиленгликоля до гептаэтиленгликоля в виде жидкостей, переохлажденных жидкостей и кристаллических веществ от — 70 до +60° г жидкостей от+60 до — 30° уменьшается с переходом к высшему гомологу и равна при 20° 41,82 31,69 23,69 20,44 18,16 16,00 и 14,85. Кристаллические гликоли имеют е — 3 — 4. [c.62]

В рамках предложенной модели ВП может быть оценена концентрация ионов, накопленных в предельных углеводородах (доза облучения 50 Мрд). Расчет по формуле Лоренца— Мо-сотти на основании измеренной статической диэлектрической постоянной облученного гексана (ест =20) дает концентрацию ионов 10 см- . [c.169]

Статическая диэлектрическая постоянная Si равна 10,2, что больше оптической диэлектрической проницаемости (6,8). Это свидетельствует об определенной доле ионной связи в карбиде кремния. Поскольку первый ионизационный потенциал углерода (11,24 эв) больше, чем у кремния (8,14 эб), роль аниоиообразователя выполняют атомы углерода, степень смещения электронного облака к которым и определяет долю ионности связи. [c.229]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология