Приготовление кристаллов

Монокристаллы, полученные методом Чохральского, как правило, неоднородны по составу и электрофизическим свойствам. Величина удельного сопротивления, например, непостоянна по длине и радиусу слитка. В реальном кристалле пространственная решетка всегда в некоторой степени несовершенна, содержит структурные дефекты. Неоднородность, вызывающая изменение электрофизических свойств Б монокристалле по длине, определяется основными законами фазовых превращений в многокомпонентных системах. Эти закономерные нарушения однородности могут быть названы сегрегационными нарушениями постоянства состава и связаны с обеднением или обогащением расплава примесью в зависимости от коэффициента распределения (7(>1,0 или /(<1,0) [74]. Нужно отметить, что закономерности сегрегационного нарушения свойства достаточно хорошо изучены. Предложен ряд способов, использование которых позволяет получать монокристаллы с равномерными свойствами по длине. Идея этих методов главным образом сводится к поддержанию постоянства состава расплава за счет подпитки его или жидким материалом, или путем расплавления специально приготовленного кристалла. Впервые принципы подпитки были сформулированы Д. А. Петровым [39]. [c.203]

Исследование спектров поглощения искусственно приготовленных кристаллов фтористого лития в ближней инфракрасной области. [c.201]

Если во время выращивания температура не опускается до комнатной, то для обеспечения хорошего качества приготовленного кристалла в конце работы необходимо соблюдать осторожность. Чтобы предотвратить растрескивание кристаллов из-за напряжений, обусловленных термическим сжатием, их следует постепенно, в течение нескольких часов довести до комнатной температуры. Этого можно достигнуть, сливая раствор через сифон и после этого постепенно уменьшая температуру в кристаллизаторе до температуры окружающей среды. [c.210]

С точки зрения более тонких деталей морфологии кристаллы полимеров не представляют исключения в отношении их сильного изменения с каждым новым приготовлением и дан<е у отдельных одновременно приготовленных кристаллов здесь можно указать лишь наиболее существенные характеристики морфологии. Особый интерес представляют формы, специфичные для кристаллизации сложенных цепей, так как они не имеют прямых аналогов при кристаллизации более простых мономерных соединений. Вполне очевидно, что эти формы могут быть очень сложными, так как при изменении условий кристаллизации будут происходить не только изменения внешних форм кристаллов, но также и изменения на субмикроскопическом уровне в способах и регулярности складывания цепей, т. е. того, что может быть отнесено к геометрии молекулярных складок. Кристаллы, которые растут медленно и имеют правильные контуры и относительно мало дислокаций, являются предположительно также кристаллами с более точно контролируемой геометрией молекулярных складок это означает, что в большинстве случаев молекулы складываются в плоскостях, параллельных растущим граням, и только с очень незначительными изменениями расстояний между изгибами. Большие скорости роста, как можно ожидать, дают молекулам меньше возможностей регулярного складывания в этом смысле. Следует [c.434]

Одна из наиболее интересных особенностей кристаллов, относящаяся непосредственно к геометрии молекулярных складок,— это появление морщин и изломов [60, 104, 117]. Они наблюдаются очень часто и принимают многие формы основные их типы представлены на рис. 12 и 13. Первая из микрофотографий показывает, что направления морщин приблизительно параллельны плоскостям (310). Наиболее четко они проявляются или во время высушивания, или сразу после высушивания на подложке но при приготовлении кристаллов они обнаруживаются, по-видимому, только в некоторых случаях и постепенно исчезают при выдерживании кристаллов в течение нескольких часов. Появляются также и морщины, расположенные параллельно плоскостям (530) и (210), но не так часто кроме того, они не так хорошо выражены, как параллельные плоскостям (310). Изломы такого типа, как показанные на рис. 13, бывают направлены преимущественно вдоль диагоналей Ь кристаллов (а иногда также и вдоль диагоналей а), представляя более резко выраженные образования, которые не исчезают при стоянии кристаллов. Морщины резко изменяют направление каждый раз, когда они пересекают диагональ, подтверждая таким образом тот факт, что кристаллы разделены на отдельные секторы. Подразумевается, что складывание молекул может понизить симметрию кристаллической структуры молекулы в каждом секторе сложены, по-видимому, главным образом в плоскостях, параллельных открытой грани призмы, и поэтому каждый сектор представляет независимое структурное образование. Такое образование, которое отличается собственной плоскостью складывания молекул, называется доменом складок, и каждый данный кристалл будет содержать по крайней мере столько доменов, сколько имеется растущих граней. [c.437]

В книге, написанной простым и ясным языком, на уровне, доступном студентам средних и старших курсов, даются понятия о проблемах химии твердого состояния, анализируется связь между физическими и химическими свойствами твердого тела, показана роль, которую играют дефекты кристалла в различных физико-химических процессах, протекающих в кристалле и на его поверхности. Рассматривается использование процессов в твердой фазе при приготовлении кристаллов и их очистке и для регулирования скорости химических процессов физическими методами. [c.5]

Преднамеренную или произвольную деформацию кристалла. Можно с уверенностью сказать, что даже тщательно приготовленные кристаллы обычно будут иметь более 10 дислокаций на 1 см поверхности. [c.132]

Между относительными скоростями гидрогенизации и отложением углерода на различных гранях, как видно, не существует какой-либо связи. Более того, отсутствует сколько-нибудь заметная корреляция между относительной реакционной способностью граней при отложении углерода из окиси углерода и из этилена. Скорость отложения углерода может быть тесно связана с геометрическими факторами, которые должны играть определенную роль в образовании зародыщей твердых отложений. Число малых участков слоя углерода, найденных на гранях (111) кристалла, не подвергнутого нагреванию в аргоне, оказывается того же порядка, что и число дислокаций на поверхности. Таким образом, можно предположить наличие связи между дислокациями и процессом отложения углерода. Тот факт, что первое появление углерода на поверхности совпадает по времени с началом ее перестройки, также. может быть истолкован как указание на наличие такой связи. Дислокации на этих реагирующих поверхностях могут образовываться по двум причинам. Некоторые дислокации получаются в процессе приготовления кристалла, а другие дислокации возникают в ходе реакции. В случае каталитических реакций водорода с кислородом на меди было обнаружено, что образование медного порошка связано с участками перегруппировки поверхности [4], а также с областями роста поверхности кристалла. Было предположено [3], что адсорбированный газ или другие посторонние вещества, находящиеся на поверхности, например окись меди, могут вызвать образование нарушений в решетке растущего кристалла, что меняет структуру его поверхности. Такие нарушения, особенно спиральные дислокации, могут инициировать рост порошка меди. При разложении этилена правильному росту кристаллов также могут препятствовать очень малые отложения углерода и адсорбированный газ. Таким путем могут образовываться дислокации относительно большого масштаба, которые в свою очередь будут способствовать образованию зародышей более плотных отложений углерода. [c.44]

Диффузия атомов в кристалле непосредственно связана с присутствием в кристалле точечных дефектов. Но в соединениях, допускающих отклонения от стехиометрии, концентрация дефектов зависит от состава (присутствия примесей) и от условий приготовления кристалла. Поэтому скорость диффузии и механизм диффузии должны зависеть от тех же факторов. [c.374]

Случай присутствия кислорода в кремнии разберем более подробно, так как он является прекрасной иллюстрацией способов, применяемых в изучении поведения дефектов в ковалентных кристаллах. Это имеет больщое практическое значение, потому что точное познание влияния кислорода привело к частому приготовлению кристаллов кремния в вакууме методом плавающей зоны. [c.67]

В зависимости от фазы, из которой выращивают кристалл, различают четыре метода приготовления кристаллов [100, 101] 1) из пара 2) из жидкой фазы 3) из гидротермального раствора 4) с помощью реакций в твердой фазе. [c.29]

Органические соединения настолько сильно отличаются по своим физическим свойствам, что не существует единого общепринятого метода приготовления кристаллов для оптических исследований. Тем не менее можно дать некоторые общие руководящие указания. [c.258]

В целом этот класс электродов требует дальнейшего изучения, способов приготовления кристаллов и обработки их поверхности. [c.151]

Слишком малые количества материала, получаемые с помощью описанной выше процедуры, не позволяют использовать развиваемый Toy (гл. 6) подход для приготовления кристаллов для просвечивающей электронной микроскопии. Чтобы как-то компенсировать это ограниче- [c.218]

Практически вся химия, используемая в фотоэлементах, применяет покрытия одного или более типов, таких как дисперсия частиц твердых тел или жидкостей в водном желатине. Светочувствительные микрокристаллы галоидов серебра, используемые практически во всех промышленных продуктах, имеют средний размер частиц около 500 А, подобно Липманским эмульсиям, применяемым в астрономии и в фотопластинках с размером вплоть до нескольких микрон (с большим относительным удлинением, используемых в цветных негативных пленках). Как правило, такие кристаллы осаждают и диспергируют с использованием полимерных диспергентов, таких как желатин или других гидрофильных полимеров (поливиниловый спирт, поливинилпирролидон), а не низкомолекулярных ионных ПАВ. Альтернативный способ приготовления кристаллов галоидов серебра в наномасштабе включает в себя осаждение в обратных микроэмульсиях, полученных с помощью различных ПАВ. [c.175]

Значительно более успешными были исследования красного пигмента крови, начатые в середине прошлого столетия. В основном этот успех объясняется тем, что чистый гемоглобин был получен значительно раньше хлорофилла — в 1838 г. Гюнефель-дом в виде кристаллов из крови дождевого червя. Позднее Функе разработал специальный метод приготовления кристаллов крови , как тогда называли кристаллы гемоглобина, метод, который в дальнейшем был положен в основу кристаллографического анализа дыхательных пигментов. [c.160]

Как известно, в кристаллическом состоянии молекула метиламида 1 -ацетилглицина может, в зависимости от условий приготовления кристалла, существовать в одной из двух конформаций, что проявляется в различии положения в спектре полос амидной группы. Определение соответствующих этим конформациям углов ф и г) проводилось по 12 построенным изочастотным картам путем сравнения с экспериментальными частотами. Были, [c.253]

Определение по спектру люминесценции кристаллофосфора (УаОз -Н Еи20з)0(]. Метод состоит в приготовлении кристалло( сфора на основе окиси иттрия с добавлением окиси европия, содержащей гадолиний, и последующей регистрации спектра люминесценции. Кристаллофосфоры готовили путем осаждения из раствора смеси солей РЗЭ в виде оксалатов. [c.120]

Некоторые более интересные исследования были выполнены с кремнием, содержащим кислород. Содержание кислорода зависит от способа приготовления кристалла [25]. На основании данных инфракрасной спектроскопии стало известно, что при некоторых температурах отжига кислород присутствует в виде — 8104 —, а при 1000° быстро образуются агрегаты ЗЮг. Нагревание до 1000° приводит к уменьшению максимального значения предела текучести в результате образования дислокаций у кластеров кислорода, возникающих при этих температурах. На рис. И показана зависимость максимума напряжения от продолжительности отжига некоторых кристаллов с различным содержанием кислорода. Несмотря на разброс экспериментальных данных, видно, что разрывное усилие понижается с увеличением содержания кислорода. Последующая обработка при 1350° растворяет кластеры (по данным инфракрасной снектросконии) и восстанавливает первоначальные значения разрывного усилия. Интересно отметить, что влияние кислорода на результаты термообработки кремния было впервые изучено методом измерения электропроводности. Однако эти измерения не позволяли идентифицировать причину влияния кислорода. Идентификация была осуществлена методами инфракрасной спектроскопии. Было показано, что изме- [c.40]

Кристаллизация двухводного титанилсульфата производилась нагреванием раствора нри 120° в течение 3—4 час. Предварительно к раствору добавлялась затравка из заранее приготовленных кристаллов. Полученные кристаллы соли отфильтровывались иа воронке Бюхнера и промывались 40%-й серной кислотой. В большей части опытов влажные кристаллы использовались иеиосредственно для приготовления водных растворов или соответствующих смесей. Растворы с малой концентрацией сорной кислоты готовились нз двухводного титанилсульфата, промытого иа воронке Бюхиера 96°-м этиловым спиртом и высушенного при 100°. [c.12]

Теми же методами пользуются и для приготовления кристаллов нестехиометрических соединений. Например, галогениды щелочных металлов со сверх-стехиометрическим избытком металла готовят нагреванием кристаллов в парах металла [971, а с избытком галогена — в парах гелогена [881. Отжигом кристаллов в парах компонентов регулируют стехиометрический состав сульфида кадмия [89], теллурида кадмия [90], сульфида свинца [91]. Теллурид олова с определенным отклонением от стехиометрического состава получают нагреванием кристаллов вместе с порошком требуемого состава [91а]. Другие примеры приводятся в работе [92] и в табл. XIV.1. Методы регулирования состава пара и возникающие при этом осложнения рассмотрены в разделе П.4.5. [c.28]

Изменение состава твердой фазы, полученной в условиях, отвечающих различным точкам трехфазной линии, можно использовать для приготовления кристаллов разных составов. Это и было использовано для теллурида висмута [121 и теллурида свинца [13]. [c.73]

Если количество основного компонента, введенного в закрытую систему, таково, что при температуре эксперимента часть его остается в конденсированной фазе, то давление пара от температуры будет зависеть экспоненциально р ехр (—Нисп/кТ). Указанный способ был использован Шаровским для приготовления кристаллов окиси цинка, содержащих различное количество избыточного цинка [18]. [c.77]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология