Электронные дырки

По аналогии с растворами электролитов процесс образовании пары электрон — дырка можно представить в виде реакции диссоциации [c.137]

Координационно ненасыщенные осколки Ре (СО) 4, Со (СО) 4 и Ке(С0)5 обладают электронными дырками , которые заполняются я-электронами олефина. Образовавшийся возбужденный (за счет энергии связи) я-комплекс с олефином может претерпевать изомеризацию через промежуточное я-аллильное состояние. Например, для карбонила железа последовательность реакции такая [c.110]

Катионы способны перемещаться по катионным вакансиям, а электроны по электронным дыркам (катионам более высокой валентности) при этом п,( + /г = 1. К этому типу относятся такие соединения, как N10, РеО, СоО, СпаО и др. [c.37]

В случае полупроводников свободные валентности (свободные электроны и электронные дырки) появляются вследств 1е неполной координированности атомов кристаллической решетки. Обычно зто связано с различными дефектами кристалла полупроводника. Например, узел кристалла, в котором отсутствует катион, ведет себя как отрицательный заряд, отталкивая электроны в ближайших узлах. В результате эти электроны могут быть вытеснены из валентной зоны в зону проводимости. [c.241]

В полупроводниках ширина запрещенной зоны невелика это означает, что для перевода электронов из валентной зоны в зону проводимости требуется невысокая энергия, для обеспечения которой достаточно нагревания или освещения вещества. Так, при действии одного кванта света один электрон в решетке кремния переходит в зону проводимости, а вместо него в валентной зоне образуется одна положительно заряженная (относительно электронов) дырка. [c.185]

Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости, в результате которого образуется пара электрон — дырка, называется генерацией. Обратный переход электрона приводит к исчезновению носителей заряда и называется рекомбинацией. Если считать, что электроны и дырки являются отдельными самостоятельными частицами, то процессы генерации и рекомбинации можно рассматривать как разобранный нами в 2 и 5 процесс диссоциации — рекомбинации. [c.137]

Возникновение пары электрон — дырка за счет нарушения нормально заполненной связи (НЗ) можно записать в виде уравнения обратимой реакции НЗ + Д е + е (где е — электрон проводимости, [c.238]

Для окислов с вакансиями в катионной подрешетке и соответственно электронными дырками наблюдаются дырочная проводимость и перенос катионов по вакансиям катионной подрешетки, т. е. [c.204]

Итак, мы рассмотрели кратко всего шесть типов квазичастиц. Из них две — плазмон и экситон — оказались сложными квазичастицами. Таким образом, простые квазичастицы (фонон, электрон, дырка и т. д.), как и обычные частицы, могут быть строительным материалом для более сложных образований. [c.78]

Решеточное рассеяние. Анализ показывает, что электрон (дырка) в атомных полупроводниках взаимодействует только с продольными акустическими фононами, и время релаксации при достаточно высоких температурах (в случае стандартной зоны) может быть определено [2] по формуле [c.249]

В полупроводниковых кристаллах, имеющих долю ионной связи, электроны проводимости (дырки) гораздо сильнее взаимодействуют с оптическими колебаниями, чем с акустическими. Это связано с тем, что электрон (дырка) сильно взаимодействует с диполями, возникающими в кристаллической решетке при оптических колебаниях (см. гл. И, 3) разноименно заряженных ионов. [c.250]

В/см) электрон (дырка) приобретает энергию, достаточную для ионизации вещества, в результате чего возникают электронно-дырочные пары, которые в свою очередь ускоряются и генерируют дополнительные свободные носители заряда. Этот процесс создания носителей и носит название ударной ионизации. Наблюдать это явление можно лишь в р—и-переходах (см. гл. IX, 3), так как создать поля 10 —10 В/см в однородном полупроводнике чрезвычайно трудно при разумных толщинах последнего. Исключение составляет ударная ионизация примесных уровней, которая требует небольших полей и наблюдается при низких температурах, когда примесные атомы ионизированы. Ударная ионизация примесей элементов третьей и пятой групп в германии происходит при полях приблизительно 5—10 В/см. [c.256]

Теперь определим плотность квантовых состояний электрона (дырки) в магнитном поле. Для нахождения плотности состояния достаточно найти число состояний, соответствующих интервалу йкг при фиксированном п (для орбиты или параболы с номером п— рис. 145), и потом умножить его на найденную выше степень [c.339]

Возникновение пары электрон — дырка за счет нарушения нормально заполненной связи (НЗ) можно записать в виде уравнения обратимой реакции НЗ+Д [c.296]

Схема рис. 10.10,6 иллюстрирует эффект Эттингсхаузена в матерка-лах с одинаковой электронной и дырочной проводимостью. Под действием магнитного поля движение электронов и дырок происходит не вдоль бруска, а по диагоналям, ка-правленным у электронов, и у дырок снизу вверх (если полюс N магнита расположен над плоскостью чертежа, а полюс 5 —под ней). В результате одновременно с движением зарядов вдоль бруска возникает движение в поперечном направлении— снизу вверх. Возникновение пары электрон — дырка,, образующейся у нижней границы, с поглощением энергии сопровождается рекомбинацией на верхней грани с выделением энергии. Первый эффект компенсируется подводом тепла Ро от охлаждаемого тела при Т о, второй — отводом тепла к теплоприемнику с температурой Т. [c.292]

Частица радиоактивного излучения, попадая в полупроводниковый счетчик, переводит электроны из валентной зоны в зону проводимости. В результате этого возникает ряд последовательно протекающих процессов, следствием которых является движение возникшей пары электрон— дырка в соответствующих направлениях при этом возникает электрический импульс. [c.122]

Если к кремнию добавить алюминий, то получится полупроводник р-типа (рис. 19.23,6). Алюминий имеет на один валентный электрон меньше, чем кремний, и поэтому каждый атом алюминия создает одну электронную дырку. [c.593]

При взаимодействии молекулы углеводорода со свободными электронами (дырками) поверхности молекула подвергается диссоциации [c.330]

Из уравнения (17.146) вытекает, что в общем случае на электрохимическое перенапряжение может накладываться (или даже сделаться преобладающей) концегтрационная поляризация. Для металлических электродов это может быть связано с замедленностью доставки частиц А и отвода частиц В (диффузионное перенапряжение) или с замедленностью каких-либо химических стадий, предшествующих акту переноса заряда, либо следующих за ним (реакционное перенапряжение). Для полупроводниковых электродов помимо этих возможностей появляются их аналоги па стороне полупроводника — замедленность транспортировки электронов или дырок в зону электродной реакции илн от нее (диффузионное перенапряжение) и замедлетюсть генерации пары электрон — дырка (аналог реакционного неренапряжения) [c.380]

Суммирование к производится по всем электронным дыркам (в этой системе одна), а Pd = 0г0л-РРл < >- Символом ЖР обозначается вклад контактного взаимодействия Ферми члены 2/1)Р и (4/7)Р описывают дипольный вклад, а другие члены — взаимодействие ядерного спина с орбитальным угловым моментом электрона. В случае раствора должен получаться изотропный Л-тензор, в котором [c.227]

Эти механизмы диффузии имеют место при росте защитных пленок первый — при образовании пленок ZnO, dO, ВеО, AI2O3 и др. (рис. 35, а), второй — при образовании пленок с пустыми катионными или анионными узлами в кристаллической решетке, например Си О, FeO, NiO, СоО (рис. 35, б), a-F aOg, Т1О2 (рис. 35, в) и др. Диффузия катионов в защитной пленке для соблюдения электронейтральности сопровождается одновременным перемещением в том же направлении эквивалентного числа электронов в междоузлиях при первом механизме и по электронным дыркам (катионам с более высокой валентностью) при втором механизме. [c.60]

Волькенштейн и Киселев подчеркивают, что при рассмотрении системы адсорбент — адсорбат как единой квантовомеханической системы электронный переход означает лишь переход носителя тока (электрона, дырки) из одного энергетического состояния в другое без фиксации геометрии перехода. Однако прп сохранении иона-ми решетки своих индивидуальных свойств и отсутствии зон проводимости такая трактовка уже становится неприемлемой. В этом случае переход электронов от молекулы органического соединения к твердому катализатору может привести к обычной реакции, восстановления катиона переменной валентности, входяш его в состав катализатора, аналогично тому, как это происходит в гомогенном ката 1изе [c.28]

В третьем, наиболее строгом подходе энергию связи электрона представляют в отличие от теоремы Купменса как разность полных энергий молекулы и иона, получающегося при удалении электрона. Этот подход следует применять только при условии проведения полных неэмпирических квантово-механических расчетов (аЬ initio) с учетом эффектов корреляции электронов при разном их числе в молекуле и ионе, а также релаксационных эффектов в ионе из-за наличия электронной дырки . Столь сложные расчеты практически возможны лишь для очень небольших молекул. [c.157]

Симметрия электронной структуры центрального нона может и не быть сферической — это имеет место, когда электронные оболочки иона не целиком заполнены. Предполагая, что все лиганды одинаковы, мы придем к выводу, что состояние, отвечающее минимуму энергии их взаимодействия, соответствует правильному симметричному их расположению в пространстве. В результате конкуренции этих двух факторов проявляется эффект внутренней асимметрии (эффект Яна — Теллера). Так, 1гапример, у иона меди Сц2+, имеющего девять электронов типа Зс/ в октаэдрическом ноле, уровни расщепляются, как было описано выше, а основное состояние отвечает пятикратному вырои<депию. Расщепление ведет к появлению двукратно и 1 рехкратно вырожденных уровней lU и di. Так как максимальное число электронов на всех d-уровнях равно десяти, то при наличии девяти электронов функции и - 2, имеюшие одинаковую энергию, представляют распределение одной электронной дырки . В том состоянии, в котором дырка оказывается на 0.2 . лиганды, расположенные на оси О2 сильнее притягиваются к центральному нону в состоянии lix ,2 более сильное притяжение испытывают лиганды на осях Ох и Оу. В результате правильный октаэдр уже не соответствует минимуму энергии и равновесная конфигурация представлена искаженным тетрагональным октаэдром. [c.226]

На еще больших расстояниях возможны переходы в кристаллах, твердых растворах и некоторых жидкостях за счет миграции экситона, при этом наблюдается зависимость типа 1/г . Понятие экситона было введено Френкелем при интерпретации некоторых спектров кристаллов в этом случае пара электрон — дырка рассматривается как некая частица, которая может перемещаться по кристаллу в результате взаимодействий узлов решетки. Для наших целей можно принять электронновозбужденную облучаемую частицу за экситои, блуждающий по значительному числу узлов решетки. Далее мы не будем обсуждать этот механизм. [c.121]

В первом случае поглощение сопровождается либо переходом электронов внутри электронной оболочки активатора на более высокие энергетические уровни, либо полным отрывом электрона от активатора и переходом активатора ионизованное состояние (образуется дырка ). Во втором случае, при поглощении энергии основой, в основном веществе образуются дырки и электроны. Дырки могут мигрировать по кристаллу и локализоваться на центрах люминесценции. Излучение происходит в результате возвращения электронов на более низкие (исходные) энергетические уровни Или при воссоединении (рекомбинации) электрона с ионизованным центром (дыркой). Люминофоры, в которых люминесценция (поглощение и излучение энергии) связана с электронными переходами в пределах люминесцентного центра, получили название характеристических. Активаторами в таких люминофорах являются ионы переходных и редкоземельных элементов, а также ртутеподобные ионы. Кри- еталлическая решетка основы, как правило, мало влияет на электронные переходы внутри центра, поэтому спектры возбуждения и люминесценции в основном определяются природой активатора. [c.5]

Почти в то же время Льюис предложил связать понятие кислоты и основания с характером акцептора или донора электронов кислотой называется молекула, атом или ион, которые имеют электронную дырку кислота — акцептор электронов, или, иными словами, элек-трофилышй агент. Основанием называется молекула, атом или ион, имеющие одну или несколько пар свободных электронов основание — донор электронов, или, иначе, нуклеофильный агент. Многочисленные примеры акцепторов и доноров электронов были рассмотрены ранее (стр. 60). По Льюису, протон — кислота, так как он не имеет электрона на внешней оболочке аммиак NH3 — основание, потому что атом азота этой молекулы обладает парой свободных электронов . [c.228]

Как видно из выражения (6Q7a), величина тн, вообще говоря, отличается от динамической массы электрона (дырки). Она характеризует свойства орбиты, а не отдельного электронного состояния. [c.335]

Мы видим, что в присутствии однородного поля спектр электрона (дырки) становится частично дискретным. Энергия (612а) состоит из двух частей первой — непрерывно зависящей от к , соответствующей движению электрона (дырки) вдоль магнитного поля, и второй — дискретной, соответствующей квантованию кругового (циклотронного) движения в плоскости, перпендикулярной к полю. Эти дискретные уровни носят название уровней Ландау. [c.338]

При этих условиях обедненная зона проявляет превосходные свойства для детектирования 7-излучения. Когда 7-квант попадает в обедненную зону, может образоваться первичный электрон за счет фотоэффекта, комптоновского рассеяния или образования электронной пары (более подробно см. ниже в разделе Гамма-спектры ). В свою очередь, каждый первичный электрон при прохождении обедненной зоны создает пары электрон-дырка, которые будут выводиться из обедненной зоны электрическим полем, вызывая образование основного электрического сигнала. Необходимые в 7-спектрометрии большие чувствительные объемы получают при использовании детекторов с коаксиальной геометрией, производимых в основном в коаксиальной конфигурации с закрытыми концами, как показано на рис. 8.4-5. В настоящее время выпускают ВЧСе-детекторы с активным объемом до 600 см , которые обеспечивают превосходную эффективность. Максимальная эффективность получена при использовании конфигурации колодца, в которой пробу размещают внутри детектора. Для слабопроникающих излучений, таких, как низкоэнергетическое 7- и рентгеновское излучение, лучше подходят детекторы с планарной конфигурацией. [c.106]

Фишер [59] так же объясняет электролюминесценцию инжекцией носителей. Используя представления Лемана [72], он предполагает, что проводящие включения в кристаллах ZnS имеют линейчатую иглообразную форму и основные явления разыгрываются около этих включений. Прц этом вводится представление о биполярной природе инжекции носителей зарядов, сущность которого заключается в следующем. При наложении поля определенной полярности из одного конца проводящего включения в объем кристалла ZnS выходят дыркп, а из противоположного — электроны. Дырки захватываются [c.139]

В случае полупроводников (оксиды, сульфиды никеля, молибдена, вольфрама и некоторых других переходных металлов) свободные валентности (свободные электроны и электронные дырки) появляются вследствие неполной координированности атомов поверхности кристаллической решетки и в результате различных дефектов кристалла полупроводника. Например, узел кристалла, в котором отсутствует катион, ведет себя как отрицательный заряд, отталкивая электроны в ближайших узлах. В результате эти электроны могут быть вытеснены из валентной зоны в зону проводимости. Появление электронов (или дырок) в зоне проводимости может быть вызвано также присутствием в кристалле различных примесей, обладающих электро-иодонорными (или электроноакцепторными) свойствами, а так- [c.329]

Силы координационного взаимодействия действуют преимущественно между сорбентом, имеющим атом с электронной дыркой (А1, 51, Са, Mg, ре и т. д.), и атомом или функционалмой группой с неподеленной парой электронов (например, — [c.25]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология