Гетероструктура

Эти МСС состоят из внедренных слоев двух различных веществ, образующих гетероструктуры. [c.308]

В тройных МСС с гетероструктурой электронная и дырочная проводимости углеродных слоев распределяются в соответствии со схемой рис. 6-22. Ступень МСС определяется числом углеродных слоев, которые располагаются между донорными или акцепторными внедренными слоями. Следовательно, на рис. 6-22 показана схема МСС IV ступени. [c.310]

Многослойная структура микроузлов является гетероструктурой. К ней предъявляется основное условие — -совместимость гете- [c.57]

Снижения градиента механических напряжений в гетероструктурах на основе стеклоэмалевых пленок можно добиться, применяя низкотемпературные стеклоэмали — чем ниже температура вжигания, тем с меньшего температурного уровня начинается накопление механических напряжений. Композитная стеклоэмаль менее подвержена растрескиванию, чем фритта без наполнителя, так как обладает структурным демпфированием на частицах наполнителя. [c.60]

Важно учитывать внутренние механические напряжения в гетероструктурах. Напряжения сжатия могут вызвать отслоения или складки, а напряжение растяжения — растрескивание пленки. Для тонких пленок на основе стекол напряжения сжатия достигают 2000 кг/см . Разрушающим является резкое изменение внутренних напряжений при термоударах. Величина механических напряжений во многом зависит от выдержки при повышенной температуре осаждения, за это время успевает произойти перегруппировка атомов, что снимает часть напряжений. Практикуют медленный заключительный обжиг гетероструктур (300—400°С). [c.140]

Данные [55, 60] демонстрируют возможности успешного использования нитрида алюминия в качестве буферного слоя при создании различных функциональных гетероструктур — например, при выращивании эпитаксиальных пленок GaN на (0001) — сапфировом субстрате и алмаза на никеле, при имплантации Si-атомов в GaN через буферный слой [68]. Идут поиски использования [c.10]

Широкое применение Ш-нитридов в качестве материалов полупроводниковой техники, электронной промышленности, химического приборостроения, для изготовления конструкционной керамики общего и специального назначения, в производстве твердых, износостойких материалов, абразивов, защитных покрытий и т. д. [1—4] обусловило развитие новых методов их получения (обзоры [3—18]), которые позволяют эффективно регулировать функциональные свойства нитридов путем направленной модификации их структурного и химического состояний. Синтезируемые при этом системы (в том числе в неравновесных условиях — например, в виде тонких пленок, покрытий, гетероструктур [12—14, 17,18]), включают большое число разнообразных дефектов, отличающих характеристики получаемого материала от свойств идеального кристалла. Очевидна роль дефектов в формировании эксплуатационных параметров многокомпонентных нитридных систем — керамик, композитов [2, 3, 9,16]. [c.34]

В отличие от нитридов -металлов, где некомплектность азотной подрешетки может достигать -50 % (обзоры в [20,21]), области гомогенности бинарных Ш-нитридов в равновесном состоянии весьма малы [1, 3]. Тем не менее, даже незначительное присутствие решеточных анионных или катионных вакансий может критическим образом изменять проводимость, оптические свойства, влиять на термомеханические характеристики Ш-нитридов. Особую роль решеточные дефекты играют в формировании свойств элементов оптоэлектронных устройств, в качестве которых выступают нитридные пленки или гетероструктуры, синтезируемые в неравновесных условиях. [c.38]

Одним из актуальных направлений развития технологии и материаловедения полупроводников является создание и изучение низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур, находящих все более широкую практическую реализацию в устройствах современной электроники. [c.157]

В рамках выполняемой НИР проводятся исследования по получению таких гетероструктур на основе полупроводников А В методами газофазной и жидкофазной эпитаксии. Для случая газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений проанализировано влияние технологических условий ее проведения на концентрационные профили распределения легирующих примесей в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе арсенида галлия и выработаны рекомендации по рационализации технологических режимов, обеспечивающих формирование резких гетерограниц. Исследовано влияние упругих напряжений на сегрегационные явления при формировании гетероструктур на основе (А1)1пОаА8/ОаАз с одиночными и множественными квантовыми ямами, предназначеннь[х для изготовления излучающих и фотоприемных устройств. Предложена расчетная модель для описания наблюдаемых явлений. Сравнение результатов расчетов с экспериментальными данными позволяет сделать вывод о существенном вкладе упругой составляющей в суммарную свободную энергию системы в гетороструктурах с докритиче-ской толщиной эпитаксиальных слоев. [c.157]

Исследованы особенности формирования гетероструктур на основе узкозонных полупроводников методом жидкофазной эпитаксии. С использованием разработанного в МИТХТ способа получены многослойные гетероструктуры на основе 1пА88ЬВ1Яп8Ь с резкими гетерограницами и толщиной слоев 25-30 нм, представляющие интерес для изготовления фотоприемников ИК-диапазона. [c.157]

На примере антимонида галлия изучены особенности сложного (примесями РЗМ и элементами II и IV групп) легирования соединений А В при формировании гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. Установлены зависимости спектров фотолюминесценции от изменения [c.157]

Полупроводниковые кристаллы-активные среды полупроводниковых лазеров. Излучение в них генерируется в результате переходов между энергетич. уровнями зоны проводимости и валентной зоны. Иссюльзуют [юлу-проводники типа А В , А "В , А В . Активные элементы изготовляют из монокристаллов (напр., dS, GaAs, InAs, PbS), содержащих в своем объеме области, для к-рых характерен электронно-дырочный переход (р - и-переход), и из кристаллич. гетероструктур, образованных чередованием кристаллич. слоев, различающихся по хим. составу, но имеющих одинаковый период кристаллич. решетки. Наиб, распространены гетероструктуры, образованные слоями полупроводников типа А "В на основе арсенидов, фосфидов, антимонидов Ga и А1 и их твердых р-ров. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных (тройных и более) твердых р-ров замещения (напр., Al,Ga, As), в к-рых при изменении состава в широких пределах период решетки не меняется. Полупроводниковые монокристаллы [юлучают из особо чистых исходных в-в кристаллизацией из расплавов (метод Чохральского, горизонтально направленная или зонная кристаллизация в контейнере, бестигельная зонная плавка) и эпитаксиальным выращиванием тонких кристаллич. слоев при кристаллизации из газовой фазы или расплавов твердых р-ров. Необходимые характеристики достигаются введением примесей в расплав или методом ионного внедрения примесных атомов. В качестве легирующих примесей используют, напр., элементы П (Zn, d, Mg акцепторы электронов), IV, VI (Sn, Те, Se, S доноры) групп. Благодаря разнообразию полупроводниковых кристаллов созданы лазеры, излучающие в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм, обладающие малой инерционностью ( 10 с) и высоким кпд (до 50%), работающие как в импульсном, так и в непрерывном режиме (мощности 10 Вт при длительности импульса 3 НС и 10 Вт соответственно). Лучевая прочность полупроводниковых Л. м. ограничивает выходную мощность лазеров. [c.566]

Для количеств, послойного анализа экспериментально измеряют зависимости аналит. сигнала от угла его отбора, энергии бомбардирующих частиц, массы удаленного слоя и времени травления, на основании к-рых получают зависимость концентрации определяемого элемента от глубины слоя. При этом пользуются расчетными или более точными эмпирич. методами. В первом случае необходима теоретич. модель взаимодействия возбуждающих частиц с исследуемым образцом, во втором случае нужны образцы сравнения, в к-рых определяемый элемент м. б. распределен равномерно или иметь заданное неоднородное распределение (ионнолегированные образцы, гетероструктуры). При анализе многослойных гетероструктур необходимо учитывать влияние гетерог. фона и фазовой интенсивности. [c.610]

Э. широко используют в микроэлектронике (транзисторы, интефальные схемы, светодиоды и др.), в квантовой электронике (многослойные полупроводниковые гетероструктуры, инжекц. лазеры), в устройствах интефальной оптики, в вычислит. технике (элементы памяти с цилиндрич. магнитными доменами) и т. п. [c.483]

Рис. 18. Графики Мотта—Шоттки для выпрямляющих контактов на (1) ростовой и (2) нуклеативной сторонах тонкой алмазной пленки, созданных в твердофазной гетероструктуре М1/алмаз/31. Толщина пленки 4 мкм знак напряжения V разный для каждой стороны [127]

Получены предварительные результаты по электроосаждению на алмаз dTe для получения гетероструктуры 7-aлмaз//г- dTe, которая легла бы в основу твердофазной солнечной батареи [218]. В этой батарее широкозонный полупроводник алмаз играет роль оптического окна , которое поглощает только жесткие кванты света длинноволновый же r ieT проходит через алмаз и поглощается в узкозонном полупроводнике [c.65]

При изготовлении тонкопленочных структур на основе гетерослоев типа металл— диэлектрик—металл (МДМ) основная технологическая трудность состоит в устранении дефектов в тонкой диэлектрической пленке, разделяющей нижний и верхний металлические слои. При толщине диэлектрика 0,1 мкм рабочее напряжение всего 12 В создает напряженность электрического поля = 1,2Х Х10 В/см, близкую по порядку величины к электрической прочности применяемых материалов. Даже незначительные дефекты могут стать очагом вероятного пробоя. Кроме того задача создания тонкопленочных конденсаторных структур связана с комплексом требований, предъявляемым к гетероструктурам вообще [c.140]

Расчеты (С + ВМ)-тубуленов проводили методами MNDO-цик-лического кластера [169, 170] и кристаллических орбиталей [171]. Рассмотрен представительный класс смешанных тубуленов с различными способами компоновки слоев или полос B3N3 и Сй — гексагонов по периметру цилиндра или вдоль его оси. Основное внимание обращено на изменение ширины ЗЩ для гетероструктур в зависимости от их состава и расположения разнородных [c.24]

Наряду с решеточными вакансиями, важнейшим типом точечных дефектов в нитридах являются примесные центры, наличие которых зачастую зависит от условий синтеза конкретных образцов. В свою очередь, легирование нитридов различными изо- и ге-теровалентными примесями рассматривается как один из наиболее эффективных приемов направленного регулирования их физико-химических характеристик. Некоторые вопросы зависимости оптических, электрических, термических свойств, условий роста нитридных пленок и гетероструктур, включающих BN, A1N, GaN, InN, от присутствия примесных центров обсуждаются в обзорах [44—49]. [c.43]

Подобно работам по Ш-нитридам, развитие компьютерного материаловедения нитридов р лементов IV группы следует двум направлениям. В рамках первого из них, используя современные первопринципные методы, добиваются наиболее полного описания электронных характеристик и возможно большего числа физико-химических свойств для чистых нитридов (в кристаллическом либо аморфном состояниях). Сюда же можно причислить работы по моделированию иных возможных форм Т У-нитридов — нанотубулярных, молекулярных (кластерных), которые рассмотрены нами на примере нитридов углерода, глава 3. Исследования второй группы ориентированы на описание микроскопических механизмов модификации свойств нитридов при создании на их основе разнообразных гетероструктур, композиционных и керамических материалов, связанных с изменением химического и структурного состояний исходного соединения. [c.84]

Как и для других неметаллических тугоплавких соединений, составляющих основу современной керамической промышленности, работы по компьютерному моделированию оксидов алюминия следуют двум взаимосвязанным направлениям. В рамках первого из них ставится проблема наиболее корректного исследования фундаментальных электронных свойств, природы химической связи и основных физико-химических характеристик полиморфных модификаций А12О3, рассматриваемых как идеальные кристаллы. Второе направление обращается к описанию А12О3 как элемента керамических материалов, акцентируя внимание на изменениях характеристик оксидов в результате наличия разного рода несовершенств кристаллов (вакансии, легирующие элементы), рассматриваются поверхностные свойства, пленочнью состояния и гетероструктуры, предпринимаются попытки описания границ зерен, моделируются процессы адсорбции и т. д. [c.117]

В [138] оценивались энергии разрыва гетероструктуры (111) КЪ/(0001)А120з согласно полученным данным, наиболее вероятен скол кристалла вдоль слоя металлических атомов. [c.144]

Упомянутая гетероструктура Si/Si02 явилась предметом большого числа теоретических [159—166] и экспериментальных работ [167—171], 1де обсуждались электронные состояния контактирующих как аморфных, так и кристаллических Si и Si02. При анализе результатов основное внимание уделялось собственно интерфейсным электронными уровням, моделировались также структурные и химические состояния межфазной зоны ( эффекты слоевых релаксаций, образование промежуточных субоксидных слоев, наличие точечных дефектов в области интерфейса), известны попьггки МД-моделирования кинетики и механизма роста оксидных пленок на Si. [c.171]

Эпитаксиальные тонкие пленки висмута и В /Сс)Те сверхрешеток, выращенных на подложках СёТе, изучены в качестве термоэлектрического материала в [73]. Цитированные авторы обсуждают температурную зависимость термо-э.д.с. гетероструктур в сравнении со свойствами объемных материалов. [c.247]

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ — материалы оптоэлектронных устройств обработки, преобразования, хранения и передачи информации. Применяются для изготовления элементов оптической связи внутри устройств (диапазон длин волны 0,4 -4-1,5 мкм) источников излучения, оптической среды (управляемой, неуправляемой) и фотоприемников. В качестве О. м. чаще всего используют диэлектрики, полупроводники, металлы (в виде аморфных, мо-но- и поликристаллических слитков, таблеток, пленок и др.), реже — жидкости и газы. Среди О. м. когерентных источников излучения наибольший интерес представляют материалы полупроводниковых инжекцион-ных лазеров кремний, арсенид галлия, твердые растворы соединений аШв — Gaj j.Alj.As (и гетероструктуры на их основе Ga Alд,As — [c.123]

Смотреть страницы где упоминается термин Гетероструктура: [c.309] [c.311] [c.158] [c.518] [c.563] [c.59] [c.61] [c.63] [c.150] [c.175] [c.24] [c.63] [c.141] [c.151] [c.161] [c.171] [c.172] [c.173] [c.267] [c.270] [c.49] [c.265] [c.591]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология