Диффузант

Первая из них — гидродинамическая. Она исходит из уравнения Нернста—Эйнштейна, описывающего движение отдельной частицы диффузанта в неподвижной сплошной среде. Коэффициент диффузии выражается уравнением Стокса—Эйнштейна 1.16] [c.123]

Из уравнения Стокса — Эйнштейна следует, что для данного диффузанта при данной температуре отношение коэффициентов диффузии обратно пропорционально отношению вязкости растворителя [c.277]

Энергия активации диффузии д, г является функцией свойств диффузанта и среды, положительна и обычно возрастает с увеличением размеров молекулы и параметров межмолекулярного потенциала ец и ац. Соотношения для расчета и Е т через молекулярные характеристики диффузанта и свойства полимерной матрицы приведены во многих теоретических работах [6]. [c.78]

В этом уравнении аргумент экспоненты несет всю информацию о природе диффузанта и матрицы мембраны, влиянии температуры, давления и состава раствора на скорость миграции частиц. [c.78]

В случае органических веществ размеры молекул соизмеримы с размером мономерного звена полимера и коэффициент диффузии зависит от концентрации. Размеры молекул диффузанта таковы, что он взаимодействует с полимерной структурой, усиливает сегментальную подвижность в полимерной цепи, что приводит к изменению конформации цепей. Следовательно, увеличение концентрации этих молекул приводит к пластификации. Этим объясняется наблюдаемое возрастание 3 ) с ростом концентрации диффузанта. Степень возрастания зависит от молекулярной природы как полимера, так и диффузанта, от концентрации зависит не только но и Поэтому простое уравнение (5.5-4) не выполняется, и коэффициент диффузии выражается как [c.124]

Коэффициент диффузии некоторого вещества в пиридине (т) = 0,95 спз) при 20° С равен 1-10 см /сек. Оценить значения коэффициентов диффузии этого вещества в ацетоне (т1=0,33 спз), этиленгликоле (т —16,9 спз), глицерине (т1=1500 спз). Предполагается, что молекулы диффузанта не взаимодействуют с растворителем. [c.271]

Рассмотрим в кристалле две плоскости с расстоянием между ними а, с поверхностными концентрациями N1 и атомов диффузанта [c.151]

Тогда / = — ау (/ — диффузионный поток) (где — соответствует результирующему диффузионному потоку в направлении убывания поверхностной концентрации атомов диффузанта). Переходя к объему-и отмечая, что поверхностная концентрация связана с объемной [c.152]

Макроскопическая величина О определяется скоростью диффузионного смещения отдельного атома и геометрическими размерами решетки кристалла. Скорость диффузионного смещения определяется свойствами атома-диффузанта и кристаллической решетки, в которой наблюдается диффузия. [c.152]

Несмотря на кажущуюся простоту описываемого явления, данный механизм характерен для очень небольшого количества атомов при их диффузии в кремнии. Здесь серьезную роль играет и соотношение объемов окта- и тетраэдрических пустот и объема атома-диффузанта, наличие в кристалле точечных дефектов и их ассоциаций, соотношение прочности связей Es -si/ D-sl и ряд других факторов. [c.155]

Возможно также взаимодействие вакантного узла решетки с внедренным атомом диффузанта. Такое взаимодействие термодинамически более вероятно, чем прямое замещение, поскольку в объеме кристалла есть ненасыщенные связи [c.156]

К недостаткам ампульного метода следует отнести цикличность процесса диффузии, связанную с необходимостью отпайки и вскрытия ампул, а также невозможность регулировки давления пара диффузанта, поскольку пластина и диффузант находятся в зоне постоянной температуры. Кроме того, при высоких уровнях легирования наблюдается эрозия поверхности кремния из-за образования промежуточных фаз. [c.158]

На основе изученных закономерностей модификации полимеров под действием функциональных добавок и диффузии низкомолекулярных соединений из полимерной матрицы разработаны научные основы создания полимерных материалов функционального назначения, обеспечивающих программированный выход диффузанта в биологическую среду. [c.165]

Установлено, что геометрия сборки исходных реагентов влияет на соотношение потоков диффузанта по поверхности подложки (1J и вглубь [c.123]

Равновесное определение привеса твердого полимера при действии на него паров или жидкости позволяет получить данные о поверхностной Концентрации диффузанта. При постоянном давлении пара (или концентрации в жидкой фазе) скорость достижения равновесия представляет собой прямую характеристику коэффициента диффузии. [c.231]

Фоторезисты-диффузанты — новые светочувствительные материалы, на основе которых могут быть осуществлены обе основные операции планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов фотолитография и диффузия. Диффузионный процесс определяет уровень глубины электронно-дырочного перехода в кремнии и концентрацию легирующей примеси. Создание однородных диффузионных переходов относится к числу сложных задач планарной технологии, решение которых обусловлено в большой степени выбором диффузанта. [c.195]

Вывод выражений для законов диффузии можно осуществить путем, который помимо чисто математической картины вскрывает некоторые особенности механизма этого явления. Диффузионные процессы представляют собой комбинцию трех видов миграции атомов одномерная (миграция по цепочкам атомов), двумерная (поверхностная) и миграция в пространстве. На рис. 94 представлено перемещение атома-диффузанта по поверхности и в объеме кристалла с использованием элементарных скачков в соответствующих атомных цепочках. Перемещение атома-диффузанта вдоль цепочки атомов с межатомным расстоянием а равносильно одновременному его перемещению по атомным цепочкам с межатомными расстояниями а н а а = (а + Положение не меняется, если принять к сведению другой механизм диффузии (вакансионный, по междоузлиям и т. д.). Скорость диффузионного смещения атома-диффузаита в направлении а равняется V = = /ш/х, где па — путь диффундирующего атома в единицах межатомных расстояний т — время перемещения. [c.151]

Аналогичным же образом может быть выведено второе дифференциальное уравнение диффузии Фика, определяющее зависимость, концентрации атомов-диффузантов от времени. Концентрация атомов-диффузантов в некоторой средней плоскости 1 зависит от диффузионных потоков, приходящих от плоскости о и уходящих к плоскости 2 (рис. 96). Изменение концентрации во времени будет [c.152]

III. Диффузия из бесконечно тонкого слоя, В этом варианте источ ник достаточно быстро обедняется примесью. При этом полагают, что диффузия идет только в кристалл х > 0), а внешняя граница диффузанта является отражающей. Примером такой системы служит диффузия примеси в кремний из тонкого поверхностного слоя, защищенного пленкой SiOj. Пленка окисла представляет собой отражающую границу, так как коэффициент диффузии примеси в SiOj обычно на несколько порядков меньше, чем в кремнии. Распределение примеси описывается экспоненциальным законом [c.154]

Концентрации нормально заполненных узлов решетки ISisil и нормально пустых междоузлий можно считать постоянными, тогда равновесие будет определяться произведением концентраций замещенных узлов и заполненных кремнием междоузлий, а также давлением пара диффузанта. [c.155]

Равновесие определяется соотношением пустых и заполненных вакансий, концентрацией атомов-диффузантов в междоузлиях и давлением пара диффузанта. Следует учитывать возможность ионизации атомов в замещенных узлах и, в меньшей степени, в междоузлиях, что особенно важно для интерпретации электрофизических свойств стоуктур, полученных в результате диффузии. [c.156]

Как осушитель, Р2О5 превосходит все другие. Используется в качестве диффузанта при получении кремния п-типа. Обезвоживая Н3РО4, можно получить пирофосфорную Н4Р2О7 и метафосфорную НРОз кислоты. Различные соли фосфорных кислот используются как важные удобрения. [c.302]

Всех этих недостатков лишен метод диффузии в потоке газа-носи-теля ( метод открытой трубы ). В процессе проведения диффузии по этому методу пластины и источник диффузии помещаются в открытую с одной стороны трубу, которая находится в печи, обеспечивающей регулирование и поддержание температуры в двух зонах зоне диффузии и зоне испарения диффузанта. Пар ди( к()узанта доставляется в зону диффузии газом-носителем, в качестве которого используют инертные газы, кислород, их смеси (иногда прибегают и к увлажнению). Использование в качестве газа-носителя таких компонентов, как кислород и водяной пар, способствует образованию нё поверхности сравнительно тонкого оксидного слоя, предохраняющего поверхность от эрозии. [c.158]

Для осуществления этого процесса в зону диффузанта помещают Р2О5, который, испаряясь, захватывается газом-носителем и, проходя над пластиной кремния, нагретой до 1200°С, взаимодействует с окисной пленкой, образуя фосфорно-силикатное стекло. Затем температуру поднимают до 1300° С при этом из стекла происходит диффузия фосфора в глубь полупроводника. Аналогично идет процесс и при применении В2О3 [c.158]

В чашечку держателя загружают 0,3 г В2О3 Сверху на выступы чашечки помещают пластину кремния рабочей стороной вниз. Открыв шлиф (поток аргона не выключать), вдвигают держатель с диффузантом и пластиной в диффузионную камеру. Во избежание разбрызгивания диффузанта и растрескивания пластины ее помещают не сразу в рабочую зону, а предварительно в течение 5 мин выдержав при 400—500 С. Затем чашечку продвигают в изотермическую зону и закрывают трубу шлифом (проконтролировать поток аргона по гидрозатвору). Загонку проводят в течение 20 мин. [c.161]

В процессе загонки на поверхности кремния формируется относительно тонкий, насыщенный бором слой. Это происходит за счет конденсации испаряющегося BaOg и обменного взаимодействия конденсата с кремнием. Диффузия при загонке идет из бесконечного источника. По окончании процесса пинцетом выдвигают держатель в зону 400— 500°С и после 5 мин выдержки вынимают из диффузионной камеры Стравливают конденсат В 263 и возможные следы SiOa на поверхности пластины в плавиковой кислоте (фторопластовый стакан, пинцет с фторопластовыми наконечниками). Пластину тщательно промывают ВОД0Й и этиловым спиртом, высушивают фильтровальной бумагой. Затем вновь измеряют поверхностное сопротивление. По полученным данным рассчитывают поверхностную концентрацию диффузанта и его общее содержание в пластине Q. [c.161]

Поверхностная реакционная диффузия (ПРД). В системе dO I WO3 впервые обнаружили и исследовали явление поверхностной реакционной противодиффузии (ПРПД) поверхностный слой продукта располагается на открытой поверхности каждого из реагентов. Таким образом, оба реагента играют роль подложки и роль диффузанта одновременно. [c.122]

Влияние пористости реагентов на эффект ПРД в системе dO W0у Установлено возрастание эффекта ПРД с уменьшением пористости каждого из реагентов ( dO и WO3). Это объясняется перераспределением потоков диффузанта по поверхности и вглубь подложки. С ростом пористости брикета, выполняющего роль подложки, увеличивается оггок диффузанта вглубь подложки, что приводит к уменьшению длины поверхностного слоя. [c.122]

Коэффициент диффузий (О) является функцией концентрации молекул пенетранта (диффузанта) (второй закон Фика) и в де- картовых координатах выражается как [c.228]

Исследование параметров переноса воды и метанола в силиконовых каучуках и некоторых других полимерах 1вз, 164 позволило установить, что при высоких относительных давлениях паров диффундирующих веществ наблюдается уменьшение О я Ев с ростом концентрации сорбируемого вещества. Полученные результаты могут быть объяснены образованием агрегатов диффузанта в полимере, что приводит к уменьшению подвижности молекул воды [c.171]

Мост15 , исследуя диффузию этил-п-аминобензоата в полидиметилсилоксановом каучуке, содержащем в качестве наполнителя кремнезем, показал, что кремнезем сильно адсорбирует диффузант и увеличивает время [c.193]

Резистиые слои полифункциональны как мы уже видели, они не только защищают поверхности при травлении, но служат также печатающими элементами в печатных формах, избирательное поглощение излучения резистными слоями испо.тьзуется в масках и фильтрах. В настоящее время установлено, что пленку резиста можно применять в качестве электроизоляционного слоя, что требует повыщения ее термостойкости. Недавно были разработаны фоторезисты-диффузанты (гл. VI), которые совмещают в одном материале стойкость к травлению и способность к диффузии примесей в подложку. Несомненно, в дальнейшем будут выявляться и широко использоваться другие свойства высокоразрешенных рельефных полимерных слоев. [c.14]

В процессе длительного использования органических фоторезистов в основном решены вопросы создания однородных слоев с минимальным разбросом толщин. Это и определило идею разработки фоторезистов-диффузантов, обладающих точностью дозировки примесей, а также технологичностью нанесения, присущих фоторезистам. Схема селективного легирования из фоторезиста-диффузанта приведена на рисунке VI. 1. [c.196]

В качестве диффузантов невозможно использовать светочувствительные составы, содержащие атомы серы или другие елек- [c.196]

Таким образом, исходя из условий формирования электронодырочных переходов в полупроводниковых структурах, композиции фоторезистов-диффузантов могут быть основаны на соединениях, состоящих исключительно из атомов кислорода, азота, углерода и водорода, в которые должны быть включены нужные легирующие атомы, например, II, III, V, VIII групп, редкоземельных элементов и т. д. Первоначально заданное количество атомов легирующего элемента в композиции легко может быть сохранено в рисунке полимерного фоторельефа. Последний после защиты оксидом используется как источник диффузии для создания определенной поверхностной концентрации примеси нужной глубины залегания. Технология изготовления полупроводниковой структуры упрощается сокращается число используемых материалов и операций, в частности, исключается наиболее критичная операция — травление [50]. [c.197]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология