Халькогениды бинарные

Методом СВС получают бескислородные тугоплавкие соед. (бориды, карбиды, нитриды, силициды), интерметаллиды (алюминиды и др.), халькогениды, сложные оксиды (титанаты, ниобаты, танталаты, ферриты и др.), гидриды, фосфиды, разл. нестехиометрич. фазы, однофазные твердые р-ры бинарных соед. (напр., карбонитриды) и др. В режиме СВС можно получать и орг. соединения (напр., малонат пиперазина). [c.292]

Халькогениды К этой группе принадлежат бинарные соединения элементов группы VIA (сера, селен и теллур) с менее электроотрицательными элементами [c.19]

Как следует из рис. 11.1, при 1000° давление пара сульфида цинка ничтожно, тогда как у теллурида кадмия — -10000 Па (нескольких десятков мм рт. ст.). Фазовые диаграммы бинарных систем халькоген — металл изучены недостаточно наиболее подробные данные имеются лишь для теллуридов кадмия [12] и цинка [13]. Для остальных халькогенидов (кроме сульфида цинка) получены кривые ликвидус [14, гл. 2]. Все халькогениды заметно растворяются в исходных компонентах. Так, растворимость селенида цинка в цинке достигает 0,1% при 1000° и —1,0% в расплаве селена [15]. [c.33]

Количество только бинарных соединений весьма значительно, и существует бесконечно большое число соединений, построенных из атомов трех и более элементов. Кажется логичным сначала сосредоточить внимание на простых соединениях, таких, как бинарные галогениды, халькогениды и т. д., поскольку едва оЧи можно понять структуры более сложных соединений, если не разобраться в строении более простых. Однако тут же следует отметить, что простота химических формул может быть обманчивой так, структуры многих соединений с простой химической формулой оказываются весьма сложными и создают значительные проблемы для понимания природы химических связей в них. В частности, структуры некоторых элементов (нанример, В или красного Р) оказались неожиданно сложными. С другой стороны, существуют соединения со сложными формулами, имеющие структуры, основанные по существу на очень простых моделях таковы, например, описанные в гл. 3 многочисленные структуры, основой которых служит алмазная сетка, т. е. один из [c.11]

Таблица 27. Бинарные халькогениды (фазы ео структурами, промежуточными между В8 и Сб, имеющие

Сульфиды, селениды, теллуриды. В состав электроотрицательной составляющей (аниона) сульфидов, селе-нидов и теллуридов входят соответственно сера, селен или теллур. Иногда бинарные соединения элементов VIA группы Периодической системы объединяют общим термином халькогениды однако применение этого группового названия более ограничено, чем подобного термина галогениды соединения кислорода (оксиды) обычно рассматривают отдельно. [c.32]

Тензиметрические исследования [4876—5094] в основном содержат опытный материал по неорганическим [4876—5040], водно-органическим [5041—5054] и органическим [2411, 5058— 5095] смесям. По представленным в них данным их целесообразно расчленить на следующие более мелкие группы простые вещества [2220, 2221, 2230, 2258, 4876—4898, 4905], хлориды [4899—4904, 4906—4926, 4946, 4947, 4951] и другие галогениды [1625, 4927—4939], халькогениды [4940—4945], некоторые другие соединения [4948, 4950, 4952—4958] к неорганическим системам относятся и водные растворы, содержащие одну [4959—4971], две [4972, 4973, 4975—4995] и три соли [4996—4999], кислоты [5000—5018], соль и кислоту [5011, 5017, 5019—5029], основания [5030—5034] и прочие вещества [4974, 5035—5040]. Водно-органические системы охватывают бинарные [2468, 5041—5049] и иные [5050—5057] смеси. Органические системы включают в себя две жидкости [2411, 2436, 2452, 2453, 5058—5087] (в том числе только углеводороды [2411, 5083—5087]) и три жидкости [5088—50911. Данные по температурной зависимости давления насыщенного пара для разных систем приведены также в [2466, 2469, 2475, 4036, 4211, 4232, 4374, 4586, 4717, 4718, 4775, 4863, 5067, 5520]. [c.47]

Испарение с диссоциацией халькогениды. Для бинарных соединений часто наблюдается испарение с диссоциацией, соответствующее следующей формуле [c.96]

Говоря о поверхности твердых тел сложного состава, следует отметить, что их строение сохраняет большинство особенностей, присущих поверхностям металлов. Вместе с тем, число возможных типов граней в этом случае значительно выше, что связано с двумя обстоятельствами. Во-первых, даже бинарные соединения (оксиды, халькогениды, галогениды и др.) обладают огромным разнообразием структурных типов кристаллических решеток. Во-вторых, какую бы решетку ни имели эти соединения, ее элементарная ячейка будет включать не менее, п,вух атомов. Во многих случаях число атомов в элементарной ячейке существенно больше. Это порождает многообразие кристаллических граней, [c.11]

В настоящее время число объектов неорганической химии значительно возросло. Кроме кислородных соединений, хорошо известны и многие другие, например гидриды, халькогениды, бинарные соединения типа металл — неметалл, тройные соединения, интерметаллнды и т. д. К сожалению, научно обоснованная классификация неорганических веществ пока отсутствует. Для создания такой классификации в ее основу должны быть положены определенные принципы. Такими принципами могут служить следующие. [c.92]

Ковалентные бинарные соединения встречаются почти среди всех классов бинарных соединений галогенидов, оксидов, халькогенидов, нниктогенидов н карбидов. Только среди силицидов нет ковалентных соединений. Эхо связано с тем. что кремний находится на границе между металлами и неметаллами и. таким образом, все силициды образованы с участием металлов. [c.341]

Смешанный вид химической связи встречается в бинарных соединениях элементов, из которых один — металл, а другой — неметалл и электроотрицательности элементов отличаются недостаточно для того, чтобы связь считать ионной. Здесь имеется группа соединений, включающая отдельные халькогениды (например, AI2S3), пниктогениды ( a3N2), карбиды (ВегС), силициды (СагЗ ). Природа химической связи в этих соединениях — ковалентная сильно полярная или, как говорят, смешанная между ионной и ковалентной. Поэтому данные соединения проявляют свойства как ковалентных, так и ионных соединений, но не в полной мере. Большинство из них — солеобразны, как и ионные соединения. Однако в водных растворах они разлагаются, как многие ковалентные бинарные соединения, например [c.341]

Карбиды, силициды, бориды. Сопоставляя особенности строения и свойств рассмотренных выше классов бинарных соединений, можно прийти к выводу, что при переходе от галогенидов к халькогенидам и далее к пниктогенидам наблюдается постепенное уменьшение ионного вклада в химическую связь, что сопровождается изменением преобладающих типов кристаллических структур. Уже среди пниктогенидов встречаются фазы с ковалентно-металлическим характером взаимодействия компонентов. Еще более эта тенденция усиливается у карбидов, силицидов и боридов. Возрастающее число металлоподобных фаз среди этих соединений позволяет заключить, что они являются связующим звеном между бинарными соединениями металлов с неметаллами и интерметаллическими соединениями. [c.277]

НЕСТЕХИОМЁТРЙЯ, отклонение количеств, соотношений между компонентами хим. соед. от соотношений, определяемых правилами стехиометрии. Наиб, характерна для немолекулярных кристаллич. соед.-оксидов, халькогенидов и др. бинарных соед. металл-неметалл, тройных соед. (напр., оксидных бронз, соед. внедрения). В обычных условиях все они, как правило, нестехиометричны, стехиометрия дая них представляет собой лишь предельный, частный, случай. Устойчивость кристаллич. нестехиометрич. соединений обусловлена их способностью сохранять свойственную им кристаллич. структуру в нек-ром концентрац. интервале избытка или недостатка одного из компонентов. [c.221]

Сульфиды щелочноземельных металлов получают сульфированием карбонатов металлов смесью серы и крахмала в присутствии различных солевых смесей или сульфированием окислов сероуглеродом [3, с. 290 4]. Теллурид цинка и кадмия синтезируют в основном методом сплавления компонентов [5, с. 27]. Этим методом можно синтезировать сульфиды и селениды цинка и кадмпя, но это дорого и малопроизводительно [6]. Известен способ получения бинарных соединени из паров компонентов, пригодный для всех халькогенидов элементов II группы [7], но он еще не напхел широкого применения. [c.32]

Разнообразие состава и структуры приводит к многообразию свойств бинарных соединений. Среди них существуют и еолеобразные, и металлоподобные, и летучие, и тугоплавкие и т.п. Среди бинарных индивидов переменного состава встречаются дальтониды и бертоллиды, свойства которых в пределах области гомогенности меняются различным образом. Такая широкая вариация состава, структуры и свойств бинарных соединений затрудняет их систематику. Классификация и номенклатура бинарных соединений общеприняты. В их названиях употребляется корень латинского наименования анионообразователя с окончанием ид, например М С12 — хлорид магния, Т1С — карбид титана, ЗГе — гексафторид серы и т.п.. Так формируются классы бинарный соединений гидриды, оксиды, галогениды (фториды, хлориды, бромиды, иодиды), халькогениды (суль- [c.256]

НЕОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ, сложные в-ва, образуемые всеми хим. элементами (исключение — большинство соед. углерода, к-рые относят к органическим соединениям). По функциональному признаку выделяют след, осн. типы Н. с. оксиды, гидроксиды, кислоты неорганические, соли. По составу различают обычно двухэлементные, или бинарные, Н. с. (напр., оксиды, гидриды, неорганические галогениды, халькогениды, нитриды, фосфиды, металлиды) и Н. с., содержащие больше двух элементов (гидроксиды, оксокислоты, амиды металлов и др.). В отдельную группу выделяют неорг. комгг.чексные соедипения. Число известных Н. с. составляет ок. 300 тыс. Они образуют практически всю литосферу, гидросферу и атмосферу Земли. [c.373]

Можно расположить элементы в порядке возр1астания констант электросродства. Чем правее расположены элементы, тем больше возможность образования ими тетраэдрических структур. При таком расположении ПОНЯТНО, что серебро дает меньшее число соединений со структурой цинковой обманки, чем медь. Понятно также, что бериллий и цинк дают тетраэдрические структуры во всех бинарных халькогенидах, г магний — только в одном. [c.100]

Рассмотрение того или иного бинарного соединения как однокомпонентной или двухкомпонентной системы в первую очередь зависит от поставленной перед экспериментатором задачи, чувствительности аппаратуры и точности метода исследования. Учет областей гомогенности у таких соединений, как халькогениды свинца (у этих соединений отклонение от стехиометрического состава составляет несколько единиц в четвертом знаке после запятой ат. % в ту и другую сторону), в первую очередь необходим при изучении их электрических свойств, так как соотношение атомов металла и халь-когена внутри области гомогенности определяет тип проводимости. И в то же время столь малые изменения состава не приводят к измеримым отклонениям в величинах теплот сублимации. Поэтому при определении этой величины вполне достаточным оказывается рассмотрение данного соединения как конгруэнтно сублимирующегося во всем интервале температур. [c.189]

Существует несколько способов оценки доли ионной связи в реальных кристаллах [8]. Чаще всего реальное распределение электронной плотности в твердых телах характеризуют эмпирической величиной — так называемым эффективным зарядом иона, определяемым из измерений каких-либо физических характеристик кристалла (электрических, магнитных, оптических и др.). Числовое значение эффективного заряда подбирается таким образом, чтобы путем подстановки его в формулы классической физики ионных кристаллов получить экспериментальное значение измеряемой физической величины. При таком определении эффективных зарядов совершенно естественно, что их значения, найденные с помощью измерений различных физических характеристик, должны различаться. Однако эти различия сравнительно невелики, поэтому можно считать, что экспериментальные значения эффективных зарядов близки к значениям истинного заряда ионов, т. е. к ве-шичине локализованного из них электрического заряда, л 1 В табл. 1.1 приведены отношения эффективных зарядов Ч ионов 2 к номинальным значениям валентностей г, предусмат- г иваемым классической моделью, для кристаллов бинарных со-единений. Эти отношения убедительно показывают ограниченность классической ионной модели твердого тела. Эффективные заряды ионов близки к номинальным только для галогенидов щелочных и частично щелочноземельных металлов. Для оксидов заряд иона кислорода близок к —1, а для халькогенидов и прочих соединений заряды анионов по абсолютной величине существенно меньше единицы. [c.17]

Были изучены неорганические вещества кислородные соединения 2499, 8073—8086, 8090—8109], халькогениды 8110—8135], хлориды и оксихлориды (8137—8169], фториды 8170—8182], карбиды [8183—8192], силициды 8193—8197], фосфиды 8198—8203], нитриды 8204—8207], гидриды (8089 8209—8216] и другие бинарные соединения (8217—8246], основания 8247—8250], сульфаты 8251—8265], селенаты (8266— 8275], теллураты 8276—8279], сульфиты [8280, 8281], селениты [8282—8309], теллуриты 8310—8322], нитраты (8323-8325], соли некоторых кислородных кислот галогенов (8326—8334] и кислородных кислот хрома [8335—8339],германаты 18340— 83431, молибдаты [8344—83501, соли различных кислородных КИСЛОТ [8351, 8353, 8355—83871, ко-мплеконые соединения [1682, 1689, в388—84011 и др. [82081. К им можно присоединить исследования [8402—8435], в которых изучена термохимия различных процессов, в частности с совместным участи ем неорганических и органических веществ [8402—8409]. [c.63]

Если пара бинарных оксидов (халькогенидов или галогенидов) образует друг с другом целый ряд соединений, то зависимость энтальпии образования, отнесенной к молю одного из компонентов, от состава выражается плавной кривой, позволяющей оценить АЯ° одного из соединений. Например, в системе ВаО—5102 обнаружено существование ряда соединений ВаО- 5Ю2. Из графика зависимости АЯ°(л5Ю2) от величины п, построенного с использованием известных значений АЯ° для л = 2 1 5 1,0 и 0,5, автору работы [77] удалось оценить AЯoбp(BasSЮ5.) она равна —326 кДж/моль. Область применимости этого метода, названного методом изоконцентрат, ограничена системами, компоненты которых склонны к образованию нескольких соединений. Это относится в первую очередь к силикатам, германатам, вольфраматам, ти-танатам и Ванадатам многих щелочных и щелочноземельных металлов. [c.49]

Смотреть страницы где упоминается термин Халькогениды бинарные: [c.341] [c.16] [c.49] [c.64] [c.73] [c.75] [c.256] [c.268] [c.274] [c.275] [c.87] [c.268] [c.274] [c.275] [c.277] [c.227] [c.160] [c.87] [c.98] [c.102] [c.49]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология