Линия однократного

Рисунок 3.1 - График Обрядчикова и Смидович для построения линий однократного испарения

ПРИБЛИЖЕННЫЕ МЕТОДЫ ПОСТРОЕНИЯ ЛИНИИ ОДНОКРАТНОГО ИСПАРЕНИЯ (ОН) [c.41]

Рис. 11.7. Линия однократной перегонки бинарной смеси практически нерастворимых веществ.

Существуют и другие методы построения линии ОИ Нельсона, Пирумова и др. [1]. Нельсон и Харви предложили следующий метод построения линии однократного испарения фракции при атмосферном давлении определяют tgZ-ИTK по графику (рис. 14) определяют наклон линии ОИ по кривой 3 (см. рис. 14) определяют М — разность между 50%-ными точками на линиях ИТК (или ГОСТ) и ОИ, т. е. [c.42]

Затем по кривой ИТК находят температуру 50 % отгона. По графику Обрядчикова и Смидович (рис. 7.15) из точки, отвечающей наклону кривой ИТК, опускают и восстанавливают перпендикуляр до пересечения е кривыми, соответствующими температурам 50 % отгона исследуемого продукта по кривой ИТК. Из точек пересечения с этими кривыми проводят горизонтали, которые отсекают на оси ординат величины отгона (в % мае.) по кривой ИТК, соответствующие температурам начала (О % по О И) и конца (100 % по О И) однократного испарения. Затем на графике кривой ИТК, соединяя эти точки, получают кривую (прямую) ОИ при атмосферном давлении. Линии однократного испарения при разных давлениях параллельны. Точка пересечения линий ИТК и ОИ при любых давлениях соответствует одному и тому же количеству отгона. Для построения линии ОИ при давлении, отличном от атмосферного, достаточно пересчитать температуру точки пересечения линий ИТК и ОИ на соответствующее давление (по графику Кокса или другими методами). Через полученную точку проводят прямую, параллельную линии ОИ при атмосферном давлении. [c.305]

Построение линии однократного испарения [c.208]

Практически для пересчета кривой ОИ на давления выше атмосферного используют приближенные методы, основанные на следующих допущениях линии однократного испарения при разных давлениях параллельны между собой точка пересечения кривых ИТК и ОИ при любых давлениях соответствует одному и тому же проценту отгона. При таком допущении для построения кривой ОИ при давлении, отличном от атмосферного, достаточно пересчитать температуру точки пересечения кривых ИТК и ОИ ра соответствующее давление (см. Приложение 6) и через полученную точку Провести прямую, параллельную кривой ОИ при атмосферном давлении. [c.42]

Рис. II.8. Линии однократной перегонки системы углеводороды — вода

Следует отметить, что в начальной части кривой однократной перегонки в остатке присутствуют две жидкие фазы, а в последней части остатку перегонки обычно отвечает однофазная жидкость, причем обе ветви линии однократной перегонки являются кривыми. [c.98]

Фокальной точкой сложных смесей называется точка пересечения линий однократного иопарения и однократной конденсации. Фокальная температура — температура системы, соответствующая фокальной точке. Фокальное давление — давление системы, соответствующее фокальной точке. [c.145]

На интенсивность излучения линии существенно влияет температура плазмы. Наибольшая интенсивность дуговых линий наблюдается при температуре, соответствующей началу заметной ионизации его атомов. По мере повышения потенциала ионизации элемента для получения большей чувствительности требуется более горячий источник. Температурой плазмы чаще управляют, вводя в пробу буфер. Вопросы подбора и применения буфера рассмотрены в предыдущей главе, а также в описании частных методик. Здесь отметим лишь, что с введением в пробу элементов с низким потенциалом ионизации повышается также интенсивность линий однократно ионизированных атомов трудновозбудимых элементов при искровом возбуждении. При введении в пробу около 30% соединений бария, цезия и рубидия интенсивность линий 5П 5453,88 А, С1 Н 4794,54 А и ВгП 4785,50 А повышается в 2—3 раза. Источником света служила низковольтная искра следующих параметров емкость 50 мюф, индуктивность 30 мкгн, сопротивление в цепи активизатора 400 ом, сила тока 6 а, величина искрового промежутка 1 мм [101]. [c.133]

Линия однократного испарения (ОИ) это графическая зависимость между температурой п долей отгона при однократном испарении, выраженная в процентах или долях единицы. При этом на оси ординат откладывают числовые значения температуры, а на оси абсцисс — числовые значения доли отгона. [c.204]

Такая высокая температура плазмы является причиной того, что искровой спектр гораздо богаче линиями, чем дуговой, причем в отличие от последнего он состоит преимущественна из линий однократно или многократно ионизованных атомов. Несмотря на огромную энергию, которая высвобождается на минимальном участке электродов, из-за кратковременности импульса они разрушаются в незначительной степени, что позволяет в отдельных случаях использовать для анализа готовые металлические изделия без их существенного повреждения. [c.362]

Наряду с линиями однократно ионизованных атомов, наблюдаются и линии многократно ионизованных атомов. Для получения таких спектров необходимы большие энергии р эти спектры возникают чаше всего в импульсных разрядах. [c.18]

Дуговые спектральные линии обозначаются следующим образом за символом химического элемента ставится римская цифра I и значение длины волны, например Na I 5889,95 А. В случае искровых спектральных линий однократно ионизированного атома за символом химического элемента ставится цифра II, например Na II 3092,73 А, двукратно ионизированного— цифра III, трехкратно ионизированного — цифра IV и т. д. [c.15]

Интенсивность линий в этой таблице оценивается по условной шкале. Интенсивность самой слабой линии принята за единицу, а интенсивность самых ярких —2000, 3000 и даже 90 000 условных единиц. Линии, испытывающие самопоглощение, отмечены буквой R. Индексом I обозначены линии нейтральных атомов, линии однократно ионизованных атомов — индексом II, двукратно ионизованных атомов — III и т. д. [c.176]

Для измерений температур наиболее часто используются дуговые линии, так как их параметры изучены гораздо полнее, чем параметры искровых линий. Измеренная по дуговым линиям температура разряда конденсированной искры не превышает 10 000° К. Использование для ее измерений линий с высокими потенциалами возбуждений и линий однократно и многократно ионизованных атомов позволяет зарегистрировать значительно более высокие температуры. [c.205]

Фракция 120-230°С выводится боковым продуктом из колонны К-2. Найти по линии однократного испарения температуру вывода фракции, если ее парциальное давление составляет 90 кНа. [c.53]

II — линия однократно ионизированного [c.69]

Построить линию однократного испарения для фракции реактивного топлива 120-240°С при атмосферном давлении. [c.48]

Если бы состав сырья был меньше у , то вначале из жидкой смеси выкипала бы вода, а паровая фаза в ходе дальнейшей перегонки двигалась бы по изобаре СЕ. В момент исчезновения из жпдкой системы компонента Z степень отгона, очевидно, будет равна е = у у . В интервале от О до этой степени отгона температура однократной перегонки сохраняется постоянной = = onst, а в ходе дальнейшей перегонки растет, пока не будет достигнута точка росы исходной системы. Линия однократной перегонки такой системы представлена на рис. II.7. [c.86]

Несмотря на близость компонентов системы по физическим свойствам й химическому строению, линия однократного выгаттгаппя далека от ирямо-ЛНП0ЙНОГО очертания, показанного пунктиром. [c.99]

Температуры потоков при ректификации сложных смесей определяют при помощи линии ОИ температуры жидких потоков — по нулевому отгону, температуры паровых потоков — по 1007о-ному отгону на линии ОИ. Линии однократного испарения можно построить на основании экспериментальных данных. Для приближенных расчетов пользуются зависимостью между линиями ОИ и ИТК или разгонки по ГОСТ. Эти методы определяют линию ОИ приближенно как прямую линию. [c.41]

Для пересчета кривой ОИ на давления выше атмосферного могут быть использованы приближенные методы, основанные на следующих допущениях 1) линии однократного испарения при разных давлениях параллельны между собой и 2) точка пересечения кривых ИТК и ОИ при любых давлениях лежит на одном и том же проценте отгона. При таком допущении, пересчитывая темпера-туру точки пересечения кривых ОИ и ИТК с данного давления па другое, получаем температуры такого же отгона по кривой ОИ, но уже при новом давлении. Проведя через полученную точку линию, параллельную исходной линии ОИ, получаем линию ОИ при новом давлении. Более точный аналитический метод проф. А. М. Трегубова излагается в специальном курсе. [c.235]

Число всех электронных переходов и, следовательно, число линий в спектре элемента определяется числом и размещением внешних электронов. Спектры атомов с малым числом внешних электронов (например, щелочные металлы) имеют мало линий. Атомы со сложно построенными внешними оболочками — особенно элементы побочных подгрупп периодической системы — дают спектры с очень большим числом линий. Линии, принадлежащие определенным элементам, указываются в спектральных атласах (см., например, 121). Схемы термов атомов и изоэлектронных ионов (например, N3, Mg , А . ..) построены аналогично закон смещения Косселя), однако относительное положение соответствующих линий не идентично. Для их различия в случае атомных линий рядом с символом элемента приводят римскую цифру I (например, М 1 285,2 нм), для линий однократно ионизированных частиц (например. А ) приводят римскую цифру И (А1II 167,0 нм) и т. п. [c.184]

Проведенные на поверхности ликвидуса изотермы показывают составы тех растворов, которые находятся при данной температуре в равновесии с соответствующей твердой фазой, т. е. насыщенных при данной температуре. Поэтому их называют линиями растворимости, насып1,ения или, точнее, линиями однократного насыщения, линиями же двоякого насыщения являются пограничные кривые. [c.198]

Линии нейтральных атомов (дуговые линии) обозначают знаком элемента с цифрой I, например Fel линии однократно ионизированных атомов (искровые линии) — знаком элемента и цифрой И, например РеП линии двукратно ионизированных атомов— знаком элемента и цифрой III, например Felll, и т. д. [c.24]

Анализ данных показывает, что в атмосфере аргона усиливаются интенсивности линий однократно ионизированных атомов М , Сг, Мп и других элементов. В то же время интенсивности их атомных линий не изменяются при замене воздушной атмосферы на аргоновую или даже ослабляются, что находится в согласии с литературными данными [275, 276], Более того, констатировано усиление интенсивности линий для тех элементов (ванадий, титан), дотенцнал возбуждения которых находится около 12 В, т. е. вблизи метастабильных энергетических уровней аргона (11,57 и И,77 В). [c.78]

Рис. 10.1. Схема образования связи Ве—С1 благодаря перекрыванию вакантной хр -орби-талн Ве + с дважды заполненной орбиталью С1 . (Здесь и дзлее вакантные орбитали будут изображаться пунктирными линиями, однократно заполненные — сплошными линиями, а дважды заполненные орбитали — сплошными линиями с косой штриховкой. Перекрывание показывается горизонтальной штриховкой).

Аналитические линии. Выбор линий для анализа зависит от области концентраций, в которой происходит измерение, характера спектра и других услови эксперимента. Как правило, используются дуговые линии и линии однократно ионизованных атомов. Как мы знаем, интенсивность спектральной линии связана с концентрацией элемента в пробе эмпирическим уравнением [c.147]

Как известно, в кариотипе клеток большинства постоянных клеточных линий имеются как нормальные хромосомы, представленные различным числом гомологов, так и структурно перестроенные. Если последние обнаруживаются в анализируемой выборке клеток не менее чем в двух клетках, их считают маркерными хромосомами данной линии. Однократно встретившиеся структурные перестройки относят к классу редких. Число маркерных хромосом в разных линиях может колебаться от 1—2 до 20—30 и более [15]. С увеличением выборки, т. е. числа кариотипированных метафазных пластинок, число обнаруживаемых редких структурных перестроек всегда нарастает. При этом количество маркерных хромосом остается неизменным в одних клеточных линиях, в то время как в других может нарастать. Такие различия между линиями обусловлены разной степенью кариотипической гетерогенности клеточного состава. [c.88]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология