Диэлектрических потерь фактор

Рис. 4.10. Кривые зависимости диэлектрической проницаемости и фактора диэлектрических потерь от частоты.

Сравнивая формулы (4.9) и (7.33), получаем выражение для фактора диэлектрических потерь системы [c.168]

Диэлектрическая постоянная применяется для расчета угла потерь, а также для обычного типа расчетов при наличии в последовательном соединении различных изоляционных материалов. Коэффициент потерь зависит от величины диэлектрических потерь (фактора мощности) и диэлектрической постоянной и может быть определен как относительная тенденция изоляционного материала поглощать энергию при использовании этого материала в качестве диэлектрика в электрическом поле переменного тока при заданной частоте. [c.281]

Здесь е" — коэффициент диэлектрических потерь, который часто называют фактором диэлектрических потерь i = [c.232]

Здесь е" — коэффициент (или фактор) диэлектрических потерь [c.174]

Возможности увеличения интенсивности внутреннего тепловыделения при ТВЧ-сушке ограничены пробивной напряженностью воздуха в сушильной камере. Дальнейшая интенсификация, как это видно из формулы (4.12) и частотной зависимости фактора диэлектрических потерь, заключается в значительном увеличении частоты, т. е. при переходе к СВЧ-сушке. [c.166]

В работе [43] показано, что изменение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь пленочной воды с утончением пленки свидетельствует о вырождении дипольной ориентационной поляризуемости молекул воды в пленке, обусловленном действием полей поверхностных молекул сорбента. Поэтому уменьшается вклад пленочной воды в диэлектрические свойства обрабатываемого материала по мере утончения пленки. Если принять, что фактор потерь связанной жидкости зависит от толщины пленки h по некоторому закону 62" = Л )> то формулу (7.34) можно записать в [c.168]

Постоянные электрического поля и ех (индекс О указывает на вакуум, индекс 1 относится к веществу), представляющие собой абсолютные диэлектрические проницаемости, не являются безразмерными величинами. (Их размерность А-с/В-м.) После внесения вещества (в конденсатор) в конденсаторе происходит сдвиг фаз приложенного напряжения и зарядного тока, менее чем на я/2, вследствие возникновения активных составляющих. Возникают диэлектрические потери, и конденсатор потребляет энергию из цепи переменного тока. Для количественного выражения диэлектрических потерь пользуются не величиной угла сдвига фаз ф, а величиной тангенса угла диэлектрических потерь б = 90° — ф [18]. Тангенс б называют фактором диэлектрических потерь. Для тангенса б получено следующее выражение [17] [c.112]

Мнимая часть е" комплексной диэлектрической проницаемости е получила название фактора диэлектрических потерь. Диэлектрические потери представляют собой ту часть энергии электрического поля, которая необратимо рассеивается в диэлектрике в виде теплоты. [c.139]

Прочие факторы влияющие на диэлектрические потери полимеров [c.286]

Комплексная (или обобщенная) диэлектрическая проницаемость в этом случае слагается из двух компонент, а именно е — действительной части диэлектрической проницаемости образца и е", которая представляет собой коэффициент диэлектрических потерь. Отношение этих двух компонент называют тангенсом угла диэлектрических потерь, или фактором рассеяния (tg6) [c.165]

Из уравнения (4.1.56) видно, что деформационная поляризация в отличие от ориентационной не зависит от температуры. При диэлектрических измерениях величина диэлектрической проницаемости уменьшается с увеличением частоты поля / по сравнению со своим стационарным значением (при / = 0) в определенной области частот (дисперсионной области) до величины = п. Дисперсия характеризуется зависимостью показателя преломления от длины волны. Обычно показатель преломления возрастает с уменьшением длины волны. Так как в данном случае показатель преломления уменьшается с уменьшением длины волны, эту область называют областью аномальной диэлектрической дисперсии. При этом фактор диэлектрических потерь, тангенс б, характеризующий энергию, получаемую диэлектриком, проходит через максимум при (еоэо — еоо)/2, так как потребление энергии особенно велико, когда время, проходящее между изменением поля, соизмеримо с временем релаксации (резонанс рис. 4.10), [19, 20]. При низких частотах ориентационная поляризация еще безынерционно следует изменению электрического поля. Дальнейшее повышение частот ведет к дисперсии диэлектрической проницаемости. Это явление характеризуется следующим уравнением [c.113]

В основе приборов, использующихся для измерения диэлектрической проницаемости (е) и фактора потерь (е"), лежит мостик Ше-ринга (рис. 33.6), работающий на переменном токе в интервале частот (/) 10—10 Гц. Вместо сопротивлений в нем используют импедансы. Для установления баланса по отдельности регулируют емкость и сопротивление переменного импеданса, причем при измерении емкости (Сх) определяют диэлектрическую проницаемость (е), а при измерении сопротивления (Rx) — тангенс угла диэлектрических потерь (tgS). [c.168]

Данные, получаемые с применением мостика Шеринга, можно обсчитать с помощью компьютерной техники. При этом в компьютер вводятся такие данные, как емкость и сопротивление, толщина образца, площадь ячейки при постоянной температуре и частота приложенного электрического поля. Компьютер тогда рассчитывает емкость при последовательном и параллельном соединении и истинный тангенс угла диэлектрических потерь. Для расчета диэлектрической проницаемости и фактора диэлектрических потерь наряду с этими данными необходимо также знать площадь и толщину образца. [c.169]

И формой линии неизвестного вещества б) число спинов близко числу спинов неизвестного образца в) физическая форма и диэлектрические потери аналогичны соответствующим характеристикам неизвестного образца г) число спинов, ширина линий и -фактор должны сохраняться неизменными (стабильность во времени и по температуре) д) время спин-решеточной релаксации (Ti) должно быть коротким, чтобы избежать легкого насыщения сигнала. [c.358]

Фактор диэлектрических потерь е акс [c.86]

Рис. 4. Схематическое изображение зависимости фактора диэлектрических потерь от диэлектрической проницаемости

ВЛИЯНИЕ РАЗЛИЧНЫХ ФАКТОРОВ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ И ПРОНИЦАЕМОСТЬ ПОЛИМЕРОВ [c.81]

Рис. 36. Зависимость частоты максимума фактора диэлектрических потерь от

Рис. 41. Зависимость диэлектрической проницаемости (а) и фактора диэлектрических потерь (б) политрифторэтилена при 293 К от частоты

Кинетика ТВЧ-сушки определяется электротеплофизическими характеристиками тела и режимными параметрами. Мощность внутреннего источника тепла зависит от напряженности поля, частоты и коэффициента (фактора) диэлектрических потерь, последний же зависит от частоты и влагосодержания [32]. Влияние частоты на коэффициент k = ttgb (где б-угол потерь е - диэлектрическая проницаемость) показано на рис. 7.8. В области низких частот VI большее количество тепла выделяется в материалах, содержащих капиллярную влагу (линии I), чем в материале 2 с адсорбционно связанной влагой. При большей частоте 2> 1 наблюдается обратная закономерность. Указанные особенности приводят к технологическим возможностям локального избирательного нагрева материалов. [c.166]

Учитывая все сказанное, при монтаже прибора следует тщательно подбирать нужные сорта стекла. Чем больше диэлектрические потери, тем больше возможен перегрев. Диэлектрические потери прямо пропорциональны частоте переменного тока и произведению тангенса угла диэлектрических потерь на диэлектрическую проницаемость материала. Последнее произведение носит название коэффициента (фактора) потерь. Для впаивания электродов следует подбирать стекла с наименьшим коэффициентом потерь, для использования стекла в качестве диэлектрика — с наибольшим удельным сопротивлением. Так, наибольшим электрическим сопротивлением обладают свинцовые (с содержанием окиси свинца—30%), боросиликатные (ДГ-2, Сиал), типа пирекс , алюмосиликатные и кварцевые стекла. [c.17]

Рис. 38. Зависимость от частоты диэлектрической проницаемости и фактора диэлектрических потерь в области дипольно-сегментальной релаксации у поли-метилакрилата ири 313 К (а), а также фактора диэлектрических потерь в области дипольно-групповой релаксации у полиэтплметакрилата при 304 К (б) при различном давлении.

Известно [64], что на практике растворяют целлюлозу в гидратах оксидов третичных аминов, т.е. в присутствии некоторого небольшого количества воды. По существу, вода является обязательным компонентом растворяющей системы, и от ее содержанри зависит концентрация целлюлозы в смешанном растворителе. Рассмотрим вкратце основные факторы, характеризующие взаимодействие воды с самой целлюлозой и с аминоксидным растворителем. Неоднозначность механизма взаимодействия целлюлозы с водой обусловлена сложностью строенрм целлюлозы и самой воды. Вода сопровождает целлюлозу как в процессе роста растений, так и после ее выделения из них. В многочисленных литературных источниках утверждается, что вода взаимодействует только с аморфной частью целлюлозы. Небольшие (до 6-7 масс.%) количества связанной с целлюлозой через образование водородных связей (адсорбированной) воды приводят к значительным изменениям как физических свойств целлюлозы (например, тангенс угла диэлектрических потерь, плотность, температура стеклования), так и свойств самой адсорбированной воды (76, 77]. Кластерная структура воды у поверхности целлюлозы переходит в структуру типа "частокола" из полярных молекул (толщина слоя 1,75-2,25 мкм). Анализ показал [78], что соседние диполи воды (при содержании ее в целлюлозе до 7%) направлены преимущественно параллельно, а при содержании более 10% - антипараллельно. Параллельная ориентация [c.378]

Такое различие в поведении этих сополимеров объясняется одновременным влиянием на диэлектрические потери двух факторов полярности заместителей и стерических затруднений. Ме-тильные группы в а-положении всегда увеличивают стерические Брепятствия вращению звеньев (стр. 92). Поэтому уменьшение количества метильных групп (увеличение содержания стирола), несмотря ца уменьшение числа полярных групп, облегчает ориентацию звеньев, и значение 1дбмо1.с возрастает. При содержании стирола примерно равном 50 мол% начинает проявляться влияние фактора полярности уменьшается число диполей в единице объема, приводящее к понижению величины диэлектрических потерь. [c.284]

Рис. 47, Зависимость низкочастотной диэлектрической прониц аемостн (а) и фактора диэлектрических потерь (б) от температуры для полярного полимера.

Смещение областей максимумов " по шкале температур при изменении частоты электрического поля описывается зависимостью lg/макс—1/7, где /макс —частота, а Г —температура, при которых фактор диэлектрических потерь максимален. Как видно из рис. 36, а, характер зависимостей lg/макс—1/7 различен для дипольио-сегментальных и дипольно-групповых процессов. У дипольпо-сегментальных процессов зависимости lg/ aк — [c.85]

Влияние давления на спектр времен релаксации и величину макс областях дипольно-сегментальной и дипольно-групповой поляризации противоположно действию температуры. Если с повышением температуры спектр времен релаксации дипольно-сег-ментальпой поляризации не изменяется, а уменьшается, то частотные зависимости фактора диэлектрических потерь при различных давлениях не отличаются по ширине максимума, а макс увеличивается при увеличении давления (рис. 38, а). В области дипольно-групповой поляризации при повышении температуры обычно спектр времен релаксации сужается, т. е. ширина [c.89]

Однако имеются н релаксационные процессы, где фактор диэлектрических потерь уменьшается при снижении степени кристалличности. К таким релаксационным процессам относятся а-процессы у полиэтилена, полиокспметилена, поливинилиденфторида на низких частотах вблизи Т л. Для а-процесса у этих полимеров характерны энергия активации, составляюшая несколько десятков кДж/моль, уменьшение с повышением частоты и исчезновение этих потерь при плавлении полимера. Этот релаксационный процесс очень чувствителен к изменению сферолитной структуры материала. Так же, как и у аморфных полимеров, у частично кристаллических полимеров могут наблюдаться динольно-сегментальные и дипольно-групповые потери, обусловленные молекулярным движением в аморфных областях [4, с. 137]. [c.91]

Увеличение степени кристалличности приводит к повышению температуры максимума дипольно-сегментальных потерь, т. е. к увеличению наиболее вероятного времени релаксации, при этом температурный коэффициент времени релаксации, т. е. энергия активации, практически пе изменяется. Изменения Гмакс дипольно-групповых потерь при увеличении степени кристалличности носят случайный характер. У некоторых полимеров кристаллизация не влияет на Гмакс дипольно-групповых потерь, у других приводит к небольшому повышению Т макс) 3 У ПОЛИТрИ-фторхлорэтилена, наоборот, — к понижению Г акс. Особенно сильно влияет степень кристалличности на уменьшение фактора диэлектрических потерь в области дипольно-сегментальной релаксации. Так, у полиэтилеитерефталата с изменением степени кристалличности от О до 60% дипольно-сегментальных потерь уменьшается в 4 раза, а дипольно-групповых потерь — всего в 1,6 раза. Увеличение степени кристалличности вызывает резкое уменьшение параметра распределения по временам [c.91]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология