Кристаллизационные установк

Для нормальной работы любой холодильной и кристаллизационной установки весьма важна герметичность сальников компрессоров и всасывающих магистралей, чтобы в систему не попал воздух, так как он резко снижает к. п. д. установки. [c.374]

При бессатураторном способе абсорбция аммиака и кристаллизация (КН4)2804 осуществляется в раздельных аппаратах. На стадии поглощения аммиака раствором НгЗО получают ненасыщенный раствор сульфата аммония, который упаривают в вакуум-кристаллизационных установках с получением крупнокристаллического (НН4)2304. [c.62]

В периодически действующих аппаратах вся жидкость удаляется при постоянном (максимальном) вакууме. В многоступенчатых ва-куум-кристаллизационных установках часть жидкости (в первых ступенях) испаряется при меньшем вакууме, а максимальный вакуум достигается последней ступени. Эти установки работают непрерывно и обладают значительной производительностью. [c.646]

На рис. 451 показана схема вакуум-кристаллизационной установки с принудительной циркуляцией раствора. Горячий раствор поступает в корпус /, где охлаждается за счет самоиспарения и частично кристаллизуется. Передачу раствора и выпавших кристаллов из корпуса 1 в корпус 2 и из последнего в корпус 3 производят прп помощи центробежных насосов 4 и 5, Каждый насос ие только подает раствор в последующий корпус, но может возвращать часть раствора обратно в тот же корпус, откуда забирает его. [c.646]

На основе полученных кинетических соотношений и уравнений материальных и тепловых балансов полностью решается задача о работе второго аппарата кристаллизационной установки, если дополнительно принять связь 2 = кип.2( 2, сг) для изотермической [c.155]

Полученные кинетические соотношения совместно с уравнениями материальных и тепловых балансов позволяют полностью рассчитать рабочие параметры третьего аппарата кристаллизационной установки непрерывного действия. Последующие аппараты могут быть рассчитаны на основе соотношений, получаемых из аналогичного анализа. [c.157]

Рис. 3.18. Вакуум-кристаллизационная установка с предварительным сжатием сокового пара

Рис 3.19. Многокорпусная вакуум-кристаллизационная установка [c.167]

РАСЧЕТ КРИСТАЛЛИЗАЦИОННОЙ УСТАНОВКИ [c.311]

Рис. 10.1. Принципиальная технологическая схема кристаллизационной установки с псевдоожиженным слоем

Кристаллизационные установки с псевдоожиженным слоем, работающие под атмосферным давлением, используют в тех случаях, когда температура кристаллизации ниже нуля или равна нулю (0°С). Вакуумные кристаллизаторы используют при температуре кристаллизации не ниже 6 °С. [c.312]

При использовании термической фосфорной кислоты процесс может быть осуществлен по сатураторной схеме и по схеме с кристаллизацией в вакуум-кристаллизационной установке [c.518]

Второй функцией теплоизоляции является повыщение тепловой инерционности кристаллизационной установки и тем самым улучшение условий термостатирования реакционной камеры, что очень важно для обеспечения требуемого качества продукции. [c.273]

В вакууме же, видимо, имеют место оба процесса и физическая адсорбция, и химическое взаимодействие с образованием летучих компонентов. Наименьшие потери приходятся на испарение в инертной атмосфере. Ее используют в том случае, когда требуется сохранить состав расплава в заданном стехиометрическом соотношении. При этом, однако, существенно снижается интенсивность испарения посторонних примесей из расплава. Более того, инертная атмосфера требует ее глубокой очистки, особенно от кислорода и влаги, что практически достаточно сложно выполнить. Поэтому широко применяется кристаллизация в вакууме. С целью предотвращения взаимодействия газовой атмосферы с материалом контейнера и с конструкционными элементами кристаллизационной установки в работе [12] использован способ добавки в газовую атмосферу восстановителей типа СО и П2. Этот способ, однако, не вполне эффективен, поскольку СО и Н2 могут существенно влиять на их содержание в монокристаллах [13]. Более того, экспериментально было показано, что в зависимости от состава и давления газовой атмосферы содержание газообразующих примесей Н2 и СО различно. [c.14]

Метод Вернейля реализуется в кристаллизационных установках, изображенных на рис. 87. На этом рисунке представлены кристаллы, выращенные с помощью данного методом. В зависимости от технологии [c.123]

Метод Чохральского реализуется в кристаллизационной установке, изображенной на рис. 88. Данные установки оснащены системами автоматического управления в них, в основном, используется либо высокочастотный, либо омический нагрев. На рис. 88 также представлены монокристаллы кремния и танталата лития, выращенные в автоматическом режиме. [c.125]

Рис. 88. а — Кристаллизационная установка по методу Чохральского Киноварь б — монокристаллы кремния (слева) и танталата лития (справа) [c.125]

Рис. 90. Кристаллизационная установка Гранат-2 1 — кристаллизационная камера 2 — механизм перемещения контейнера с веществом 3 — блок управления

Рис. 93. Блок-схема кристаллизационной установки Сапфир-2МГ / — нагреватель 2 — редуктор 3 — приемная камера 4 — трансформатор 5 — механизм подъема колпака 6 — диффузионный насос 7 — контейнер с веществом 8 — вакуумный колпак 9 — блок управления и стабилизации

Рис. 96. Тепловая система кристаллизационной установки фир-2МГ 7 — нагреватель 2 — изолятор 3 — экран 4 — основание

Примем, что 7чп = 0,4, тогда / р = 1)о - 2, 5 Г , где Во, — параметр, определяемый техническими возможностями кристаллизационной установки и режимом ее работы (обычно 1 о = 2). [c.137]

На рис. 101 представлены некоторые схемы выращивания тугоплавких монокристаллов с помощью лазерного нагрева [31]. В случае метода Вернейля возможны два варианта конструктивных решений. В одном из них лазер располагается вдоль оси роста, бункер с исходной шихтой находится сбоку (рис. 101 а). В другом варианте два лазера располагаются на периферии, в то время как бункер с шихтой устанавливается вдоль оси роста (рис. 101 б). На рис. 102 представлен общий вид кристаллизационной установки с лазерным нагревом. [c.139]

Супрунов Н. А. Исследование кинетики кристаллизации в аппарате с мешалкой периодического действия и разработка метода расчета кристаллорастите-лей, как элементов кристаллизационной установки Автореф. дис.. ..канд. техн. наук. Иваново ИХТИ, 1974, 21 с. [c.243]

Такая рециркуляция создает дополнительную нагрузку на колонну сверхчеткой ректификации и кристаллизационную установку и связана со значительными затратами. Необходимость в 50-тарельчатой колонне для дополнительного удаления чэ-ксилола и получения 95%- [c.269]

С учетом УТ010 при подготовке второго издания книги были существенно переработаны все главы, мноте из них дополнены новыми разделами, написана глава по расчету кристаллизационной установки (глава 10). [c.9]

Типичная схема вакуумной кристаллизационной установки приведена на рис, 10.1. Исходный раствор поступает во всасывающую линию циркуляционного насоса I, где смешивается с циркулирующим раствором и направляется в испаритель 2. В испарителе, находящемся под вакуумом, происходит понижение температуры раствора вследствие испарения части растворителя до точки кипения, соответствующей остаточному давлению в аппарате. Пересыщенный в результате охлаждения раствор поступает по барометрической трубе в кристаллорастительгде происходит кристаллизация, Образовавшаяся суспензия кристаллов удаляется из нижней части кристаллорастителя. Вакуум в кристаллизационной установке создается с помощью барометрических конденсаторов 4— 6 и паровых эжекторов 7— 0. [c.312]

Поглощение аммиака из коксового газа можно производить в сатураторах (сатураторный метод) или в скрубберах (бессатура-торный метод) До последнего времени переработку аммиака коксового газа в сульфат аммония производили в сатураторах, в которых совмещены процессы поглощения аммиака серной кислотой и кристаллизации сульфата аммония. Совмещение этих двух процессов в одном аппарате не позволяет поддерживать техиоло-гический режим, который бы являлся оптимальным одновременно для обоих процессов, т. е. обеспечивал бы более полное поглощение аммиака из коксового газа и способствовал бы образованию крупнокристаллического сульфата аммония. Было установлено, что наиболее рационально процессы поглощения и кристаллизации проводить раздельно — поглощение аммиака вести в скрубберах, а кристаллизацию сульфата аммония на кристаллизационных установках (бессатураторный метод). По этому методу теперь работают многие заводы и получают крупнокристаллический продукт с хорошими физическими свойствами. [c.454]

В качестве основного оборудования для выделения железного купороса распространены вакуумно-кристаллизационные установки производительностью до 18 тыс. т/год по серной кислоте. Отделение осадка от маточного раствора осуществляют в центрифугах. Последний и свежие порции кислоты подают в голову процесса травления. Технический железный купорос содержит от 52 (первый сорт) до 47% (второй сорт) сульфата железа. Он представляет собой голубоватозеленоватые кристаллы Ре804-7Н20, загрязненные некоторыми цветными металлами. Их содержание не нормируется и определяется соглашением между изготовителем и потребителем. Максимальные объемы производства железного купороса в нашей стране зафиксированы в начале последнего десятилетия 20 в., когда они составляли 300 тыс. т ежегодно. [c.103]

Полученные данные позволили обосновать целесообразность совмещения дегидратации с основным технологическим процессом и проведения этой операции непосредственно в кристаллизационной установке. Дериватографические исследования твердофазных реакций во фторфлогопитовых шахтах дали возможность количественно оценить неизбежные различия между исходными смесями и получаемыми расплавами, обусловленные образованием фторсодержащих и иных летучих в процессе нагревания. Указанные взаимодействия положены в основу расчета и составления различных типов слюдяных шихт. [c.76]

Вакуум используется для химической очистки расплава от растворенных газов, посторонних примесей, обладающих высокой упругостью пара, и продуктов термической диссощшции. Глубина вакуума определяется величиной упругости пара кристаллизуемого вещества в расплавленном состоянии. Наиболее часто используется вакуум порядка 5 10 тор. С целью снижения интенсивности испарения расплава применяется нейтральная атмосфера (гелий, аргон, азот), поскольку для этих газов разработаны достаточно эффективные способы химической очистки. Восстановительная атмосфера используется для предотвращения окислительных реакций. Например, при выращивании монокристаллов флюорита СаРг атмосфера фтористого водорода препятствует развитию реакций гидратации с образованием частиц типа СаНСОз, а выращивание металлических монокристаллов в атмосфере водорода позволяет получать бескислородные монокристаллы. Окислительная атмосфера используется для компенсации потери кислорода при выращивании монокристаллов-оксидов [16]. Применение окислительной атмосферы, однако, ограничено интенсивным окислением материала контейнера и элементов нагревательной системы кристаллизационной установки. Поэтому обычно используется либо вакуум, либо нейтральная атмосфера. Компенсацию кислорода осуществляют путем отжига в кислородсодержащей атмосфере при температуре (1/2 1/3) Год, где Тпл — температура плавления. Эту операцию называют кислородным отжигом. Экспериментальные исследования свидетельствуют о том, что нарушение состава оксидов в сильной степени зависит от интенсивности реакций их термической диссоциации [17]. Эти реакции сопровождают как процессы плавления, так и кристаллизации. [c.15]

Необходимо отметить, что независимо от предварительной очистки газов, при плавлении и кристаллизации происходит дополнительная очистка атмосферы за счет ее частичного взаимодействия с конструктргеными элементами нагревательной системы. Поэтому такую очищенную газовую атмосферу желательно использовать многократно. Наиболее надежный способ ее использования связан с кристаллизационными установками, обеспеченными системой шлюзования. То есть после окончания кристаллизации извлечение выросшего монокристалла производится в приемной камере, а кристаллизационная камера в это время закрыта с помощью шлюзового устройства. Возможны и другие варианты решения, в частности, путем утилизации газовой атмосферы в дополнительный объем, а после извлечения кристалла и предварительной откачки камеры до 10 тор производится обратная перекачка газа в кристаллизационную камеру. [c.16]

При отрыве монокристалла от расплава, например, в методе Чохральского или при выключении кристаллизационной установки, монокристаллы могут подвергаться теплоудару, что приводит к возрастанию остаточных напряжений, возникновению линий скольжения и микротрещин. Таким образом, остаточные напряжения в сильной степени связаны с реальной структурой монокристаллов. Их по5галение обусловлено услови5гми кристаллизации. Кроме того, остаточными напряжениями можно управлять путем выбора оптимальных условий роста. [c.68]

Одним из основных недостатков профилированных монокристаллов является налгтчие двойников, обусловленное определенными условиями выращивания монокристаллов. Наиболее часто они возникают при нарушении кривизны фронта роста, особенно при разращиванрш монокристаллов, когда размеры затравочного монокристалла и фильеры формообразователя различаются [99,100]. Метод Степанова позволяет выращивать одновременно несколько пластин. Это большое преимущество метода, поскольку многократно увеличивается производительность кристаллизационной установки. [c.100]

Рис. 86. Стандартная блок-схема кристаллизационной установки 1 — вакуумная система 2 — система нагрева 3 — кристаллизационная камера 4—механизм перемещения 5 — система стабилизации и управления 6 — система электронитания

Метод Бриджмена может быть реализован в аппаратах по методу Чохральского. Техника вырашдвания монокристаллов по методу Бриджмена, однако, получила самостоятельное развитие. На рис. 90 представлена кристаллизационная установка, которая предназначена в основном для поисковых исследований, а на рис. 91 — схема коаксиального нагревателя для [c.126]

Рис. 92. а—Кристаллизационная установка по методу Багдасарова Сапфир-2МГ 6—монокр1-1сталл лейкосапфира в молибденовом контейнере. Масса монокристал- [c.128]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология