Кристаллы поле

На рис. III.52 показана электронно-микроскопическая фотография кристаллов поли-L-аланина, полученных путем гетерогенной нолимеризации -аланина N A в ацетонитриле но методу N A [61]. [c.215]

Применяемые на практике. материалы даже чисто кристаллического строения в подавляющем большинстве случаев представляют собой или мелкокристаллические порошкообразные продукты, или системы, состоящие из большого числа мелких кристаллов (поли-кристалличность), одинаковых или различных по составу, связанных в одно твердое тело, как это имеет место, например, е [c.143]

Дислокация является источником внутренних напряжений в кристалле — она создает в свободном от внешних нагрузок кристалле поле деформаций и напряжений. С этим полем связана определенная упругая энергия. Естественно считать эту энергию энергией дислокации. При движении дислокации должно перемещаться связанное с ней упругое поле. Но поле всегда обладает некоторой инерцией, обусловленной тем, что энергия динамического упругого поля отличается от энергии статического поля. Инерционность упругого поля дислокации можно трактовать как инерционность самой дислокации, описывая это обстоятельство некоторой эффективной массой дислокации. При таком подходе энергия и масса дислокации, а следовательно, и уравнение движения дислокации будут иметь чисто полевое происхождение. [c.277]

Поле АЕС — область сплавов с содержанием кадмия менее 40% отвечает одновременному сосуществованию в равновесии жидких расплавов переменного состава с кристаллами висмута. В этом случае Ф = 2 и С=1, т. е. до известного предела определенной температуре соответствует строго определенный состав жидкой фазы, находящейся в равновесии с кристаллами. Поле ВЕО — область сплавов с содержанием кадмия более 40% харак- [c.191]

Упругие напряжения вокруг пузырьков приводят не только к их движению вблизи границы кристалла, но и к относительному диффузионному перемещению пары пузырьков друг относительно друга [118]. Это перемещение может быть связано с диффузионными потоками на поверхности каждого пузырька, которые вызываются в упруго анизотропном кристалле полем напряжений другого пузырька. В результате такого перемещения (особенно в сильно анизотропных кристаллах) пузырьки могут сближаться и объединяться, в результате чего их средний размер будет возрастать, а материал распухать. [c.56]

Дислокации относятся к линейным дефектам решетки, т. е. к несовершенствам, охватывающим в кристалле область, протяженность которой в одном направлении значительно превосходит размер атомов или ионов. По характеру искажений решетки дислокации делятся в чистом виде на краевые (линейные) и винтовые. В реальных кристаллах дислокации часто представляют собой сочетание краевой и винтовой дислокаций. Такие дислокации называются смешанными. Дислокации являются источником внутренних напряжений в кристаллических телах, они создают даже в свободном от внешних нагрузок кристалле поле деформаций и напряжений. [c.88]

Рис. 51. Индивидуальное влияние факторов на размер кристаллов полу-гидрата

Кристаллы поливиниленов из сополимеров ВХ по данным электронной микроскопии значительно уступают по размерам кристаллам, полученным из ПВХ, но превосходят кристаллы, полу- [c.139]

Поверхностная активность дефектов для кристаллов полу [c.155]

ФС Растворимость в НзО при i8 - 6,8 10" %, прозрачные кристаллы пол проводник. Цинковая обманка ZnS с добавками - 0,001 % тяжелых металлов (Си и Mii) обладает способностью к послесвечению (люминофор, светящаяся краска). [c.63]

Оказывая влияние на различные свойства кристалла, любой дефект может выступать в двух качествах. Во-первых, вблизи дефекта возникает примыкающая к нему область испорченного кристалла, и дефект проявляет себя как локальная неоднородность кристалла. Во-вторых, присутствие дефекта вызывает определенные стационарные искажения кристаллической решетки вдали от него, сводящиеся к смещению атомов из своих равновесных положений в идеальной решетке. Поэтому дефект играет также роль источника поля смеи ений в кристалле. Поле смещений атомов вокруг дефекта, естественно, зависит от характера воздействия дефекта на окружающую его решетку (матрицу). [c.174]

Число исключенных некристаллизующихся сополимерных звеньев в закристаллизованном из расплава разветвленном полиэтилене можно сравнить с соответствующими величинами для кристаллов поли(эти-лен-со-пропилена), выращенных из раствора и исследованных Пателем и Келлером [114]. Более короткие боковые группы входят в кристалл в несколько большей концентрации (разд. 10.1.2 40 % боковых групп при общем содержании сомономерных звеньев 2,6 %). Таким образом, общая тенденция уменьшения параметра а решетки с увеличением длины боковых заместителей, иллюстрируемая рис. 2.60, находит объяснение в уменьшении дефектов, создаваемых в кристалле. Несмотря на наличие веских доказательств изоморфизма, во всех случаях анализ необратимого процесса плавления разветвленного полиэтилена [c.380]

Положил , что к кристаллу приложена сила Г, под действием которой кристалл удлинился на 2, при этом совершена работа = (Р-йг). Сила Р создает в кристалле поле напряжений а и- [c.326]

Очень важно, чтобы при наблюдении кристаллов поле зрения было достаточно хорошо освещено зеркалом. Для установки на фокус объектив микроскопа сначала опускают почти до соприкосновения с предметным стеклом, а затем медленно поднимают, пока не получится отчетливое изображение кристаллов. Нельзя допускать, чтобы объектив касался раствора. [c.41]

Поле Лес — область доэвтектических сплавов с содержанием кадмия менее 40% отвечает одновременному сосуществованию в равновесии жидких расплавов переменного состава с кристаллами висмута. В этом случае Ф = 2 и С=1, т. е. до известного предела определенной температуре соответствует строго определенный состав жидкой фазы, находящейся в равновесии с кристаллами. Поле ВЕО — область заэвтектических сплавов с содержанием кадмия более 40% характеризует равновесие жидких сплавов различного состава с кристаллами кадмия при определенных температурах. [c.174]

Жидкие нефтеотходы, собранные с поверхностей традиционных отстойников из установок типа Кристалл , Поли-мер и др. за 6—12 ч отстаивания обезвоживаются почти до возможного при данном способе предела. Их влажность снижается с 55 до 20—25 % (рис. 76), причем подогрев до 60— 65 С повышает эффективность отстаивания более чем на 40 %. Подогрев до более высоких температур нецелесообразен из-за возникновения конвективных потоков, ведущих к перемешиванию разделенных сред. [c.239]

Несмотря на то, что окружение лишь мало влияет на спектры редкоземельных ионов, связанные с ним небольшие эффекты дают возможность исследования взаимодействия таких ионов с окружением обзор относящихся сюда данных см. [15], гл. 3). В растворах и кристаллах поля окружающих молекул расщепляют электронные состояния редкоземельных ионов на ряд отдельных уровней, вызывая тем самым небольшие, но измеримые смещения или расщепления спектральных линий. Опытные данные по водным растворам и кристаллическим гидратам более или менее удовлетворительно согласуются с предположением об октаэдрическом расположении молекул воды вокруг ионов, но в случае самария обнаруживаются осложнения, запутывающие картину. У других окрашенных веществ, отличных от редкоземельных ионов, в конденсированных состояниях взаимодействие хромофорного электрона с соседними атомами настолько сильно, что оно приводит к размазыванию полосы в наблюдаемых обычно спектрах поглощения. Такие полосы труднее интерпретировать количественно, чем узкие линии редкоземельных ионов. [c.509]

Ауз = 5 и 7 м соответственно, для Sa Ava = 23 см" при переходе от газа к жидкости, а для Sea — 36 см". Как видно, чем меньше у сходственных молекул частота, т. е. упругость связи, тем сильнее ослабляет связь ван-дер-ваальсово взаимодействие. Изменяется при взаимодейств 1и и вероятность переходов, т. е. интенсивность полос. Нарушение первичной симметрии молекулы в результате взаимодействия ослабляет строгость правил отбора, в спектрах могут проявляться запрещенные частоты. В кристаллах поле симметрично распределенных зарядов может привести к снятию вырождения, например, в кристалле СОа снимается вырождение деформационного колебания V2 = 667 СМ и проявляются две частоты va 660 и 653 см". В спектре кристаллов могут проявляться также колебания решетки. Спектр молекул, изолированных в матрице (область менее 200—300 см" ), может отличаться от спектра свободных молекул, благодаря взаимодействию между ними и кристаллом матрицы, особенно для сильно полярных молекул. [c.178]

В обычных условиях правильно образованные крупные кристаллы полу-с другом. Но даже при неискаженной внешней форме кристалла идеальная упа-кояг.а его структурных единиц всегда бывает в большей или меньшей степени чаются крайне редко, что о.бусловлспо главным образом их срастанием друс [c.383]

Иицука [68, 69] изучал структурные свойства жидкокристаллических растворов и высушенных пленок поли- -бензилглутамата при действии электрического и магнитного полей. Для анализа структуры Иицука использовал методы дифракции рентгеновских лучей и светорассеяния [70]. Он занимался изучением ориентации атомных групп при действии приложенного поля, а также ориентации роев палочкообразных молекул в этих системах. Свойства лиотропных жидких кристаллов поли- у-бензилглутамата описаны в гл. 5. [c.37]

Рис. 111.52. Кристаллы поли-а-аланина, полученные полимеризацией в течение 24 ч по методу №СА в ацетонитряле при 30 °С в присутствии бутиламина в качестве инициатора полимеризации (массовое соотношенпе мономер инициатор 200 выход продуктов реакции 87,6%).

Л. Л. Ландау, Я. И. Френкелем и Д. И. Блохинцевым была высказана и развита идея об автолокализации электрона, возникающей вследствие деформации кристалла полем самого электрона проводимости и образования поляризационной потенциальной ямы, в которой локализуется электрон. [c.45]

В табл. 7.2 суммированы результаты по отжигу монокристаллов полиэтилена и других макромолекул со сложенными цепями (с соответствующими ссылками). Эти результаты показывают, что в процессе отжига различных материалов имеется много общих черт, однако наблюдаются и специфические для каждого полимера эффекты. Наиболее общая характерная черта - увеличение длины складки, хотя по способности увеличивать длину складки макромолекулы могут существенно различаться. Кристаллы поли-3,3-6мс-(хлорметил) оксацик-лобутана вообще не обладают, по-видимому, способностью утолщаться плохо к этому расположены также кристаллы найлона-6,10, тетрагональная форма кристаллов полибутена-1 и некоторые низкомолекулярные фракции полиоксиэтилена. Уникальным является удвоение длины складки в ира с-1,4-полибутадиене в процессе полиморфногс перехода I — II при низких температурах. Дальнейшее увеличение длины складки наблюдается лишь при температуре примерно на 80° С выше температуры этого перехода. Часто увеличение длины складки может быть осуществлено различными путями. На этот процесс оказывает влияние длина повторяющегося звена (кайлон-б), исходная дл1 на складки (найлон-6,6, найлон-6,12, полиоксиэтилен) и, вероятно, молекулярный вес фракций (см. результаты по кристаллизации расплава [c.483]

Однако из данных рис. 8.10. видно, что ошибка, обусловленная влияни ем указанных факторов, По-видимому, незначительна. Вследствие этс го проведенная экстраполяция дает, вероятно, наиболее реальное значение равновесной температуры плавления для полиэтилена. Сопостаг ние кривых зависимостей температуры плавления кристаллов поли этилена от толщины, описываемых уравнениями (9) и (6), было проведено на рис. 6.43. [c.52]

Кристаллическая структура, а часто и морфология компонентов в блок-сополимерах обычно не отличается от тех, которые характерны для гомополимеров. Типичные ламелярные кристаллы поли(оксиэти-лен-5лок-стирол) показаны, например, на рис, 3.20 и 3.45. По морфологии и структуре кристаллы в этих случаях аналогичны кристаллам гомополимера — полиоксиэтилена. Единственным отличием являются аморфные слои, образованные на поверхностях ламелей блоками полистирола. [c.432]

Технециевую кислоту НТСО4 (темно-красные кристаллы) полу-яают взаимодействием ТсгО и Н2О. При внесении НегО в воду, [c.549]

Фишер 5 , продолжая работы Виллемса 2 8-250 сумел получить кристаллы полиэтилена на поверхности кристаллов каменной соли. Как и Виллеме 2 , Фишер обнаружил, что плоскости полиэтилена (110) параллельны поверхности кристалла соли, а плоскости (001) полиэтилена располагаются вдоль плоскостей (ПО) кристаллов Na l, что вновь подтверждает ориентацию полимерных цепей параллельно меньшему размеру пластины. Франк, Келлер и О Коннор нашли, что в единичном кристалле поли-4-метил-пентена-1 полимерные цепи также ориентированы перпендикулярно поверхности пластин. Аналогичная картина наблюдалась и для монокристаллов других полимеров Очевидно, такое расположение макромолекул в единичных кристаллах не исключение, а общий случай. [c.203]

Мощность дозы 0 5 10 рад1нас Э 1Л 10 рад/час С) О, 10 рад/час ) ф О —кристаллы получены при медленном охлаждении при 4—7° (ЭО кристаллы полу гены при быстром охлаждении при —78°. [c.312]

Морфология пенополиэтилена, полученного методом осаждения из раствора, имеет ряд отличительных черт, связанных с многофазностью в процессе изготовления, а именно с тем, что до вспенивания полимерная матрица претерпевает ряд фазовых превращений растворение, кристаллизацию, плавление. Хорошо известно [94], что для образования отдельных кристаллов поли- [c.377]

Нам не удалось получить надежных результатов при исследовании поли-4-метилпентена-1 из-за того, что образцы, по-видимому, представляли собой дисперсию маленьких кристалликов в остаточной массе аморфного полимера. Однако нам все же удалось провести измерения отдельных кристаллов, плоскостные размеры которых меньше 10 мкм. По сравнению с полиэтиленом кристаллы поли-4-метилпентена-1 оказались значительно более жесткими, и для них не характерны большие обратимые деформации при высоких степенях растяжения. Кроме того, на зависимости усилия от удлинения обнаруживаются скачки, что указывает на возможность протекания микродеформавдонных процессов. При испытаниях образцов полиэтилена такой же формы наблюдаются аналогичные деформационные кривые. [c.39]

Ионная поляризация. В Na l (ионная решетка) (рис. V.24, а) имеет место ионная поляризация (рис. V.24, Ь), возникающая и исчезающая также в ничтожно малый период 10 сек. Система кристалл — поле ведет себя как равновесная. [c.408]

Такое поле вполне достаточно, чтобы поляризовать молекулу и удержать ее вблизи поверхности кристалла. Поле же го-меополярного кристалла значительно слабее и резче убывает по мере удаления от поверхности. Ионы, атомы или молекулы, из которых построен кристалл, расположены закономерно, соответственно их кристаллической структуре, и те из них, которые находятся на поверхности кристаллов, обусловливают возникновение адсорбционного силового поля. Природа адсорбционных взаимодействий сложна и окончательно еще не выяснена. [c.24]

Если в кристалл пол проводника ввести примесь трехвалентного элемента, например индия, то он. не может связать одного из четырех электронов соседнего атома и в этой точке решетки образуется дырка, которая при воздействии внешней энергии перемещается по кристаллу это — дырочная или р-проводимость (р — positive — положительный). [c.108]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология