Коэффициент вторичной эмиссии

Рис. 3.30. Зависимость полного коэффициента вторичной эмиссии (т)+б) от энергии пучка Еа.

Устройство фотоумножителей и их характеристики. Фотоумножитель состоит из светочувствительного катода и ряда вторичных эмиттеров (динодов), расположенных так, чтобы наибольшее число фотоэлектронов, испущенных эмиттером, достигло следующего эмиттера. Эмиттеры изготавливаются из материала с большим коэффициентом вторичной эмиссии, а их форма и расположение задаются выбранным способом фокусировки и ускорения электронов. И то и другое обычно осуществляется с помощью электростатического поля. Оно создается в результате приложения к каждому эмиттеру последовательно возрастающего положительного потенциала. Иногда для фокусировки электронов применяется комбинация электрического и магнитного полей. В последние годы этот метод фокусировки как более громоздкий используется редко. На рис. 12.24 приведена схема, поясняющая устройство и действие фотоумножителя. [c.319]

Рис. 4о. Зависимость коэффициента вторичной эмиссии 6 от энергии первичных электронов К ала различных веществ [117, 120 .

Коэффициент вторичной эмиссии не сильно зависит от атомного номера для энергий пучка свыше 10 кэВ. Однако ниже 5 кэВ возрастание коэффициента вторичной электронной эмиссии может сильно влиять на наблюдаемый контраст от атомного номера. Отсутствие надежных данных о коэффициентах вторичной электронной эмиссии, в особенности при низкой энергии пучка, делает затруднительной интерпретацию контраста от атомного номера в этом диапазоне энергии. [c.139]

Основные характеристики эмиттеров ВЭ зависимости коэффициента вторичной эмиссии а и коэффициента неупругого отражения г от энергии первичных электронов Ер и максимальные значения этих коэффициентов макс и Л макс- [c.457]

Поверхностный потенциал изолятора при непрерывном облучении-электронами был вычислен Барбье [6] для коэффициента вторичной эмиссии, превышающего единицу, с учетом образующегося пространственного заряда. Поверхностный потенциал, который может быть отрицательным относительно электрода коллектора, являлся функцией интенсивности облучения, коэффициента вторичной эмиссии и расстояния между поверхностью и коллектором. [c.674]

Это явление характеризуется коэффициентом вторичной эмиссии з, который представляет отношение электронов эмиссии к электронам падающим и поглощенным. Однако вторичная эмиссия является только одним из многих процессов, имеющих место при облучении электронами. Другими следствиями бомбардировки могут быть флуоресценция, изменения в эффективности флуоресценции, электропроводности, химических связях, действии ферментов, термическом расширении и поглощении видимого света, инфракрасного и ультрафиолетового излучения, а также ионизации и образование распределения зарядов в самом кристалле. Облучающие электроны могут отражаться, рассеиваться и терять энергию ( разброс ). Ни один из этих эффектов в данной главе не рассматривается, но в разделе П,2 можно найти сведения об определении сродства к электрону методами торможения электронного луча. [c.692]

Рис. 8. Изменение некоторых физических свойств переходных металлов в -зависимости от числа электронов и изменение коэффициента вторичной эмиссии в зависимости от атомного номера элементов

Коэффициент вторичной эмиссии 0,5 [327]. [c.291]

Рис. 48. Зависимость суммарного коэффициента вторичной эмиссии от отношения Хр 12, 1281 для ионов инертны.ч газов и различных катодов.

Константа Ричардсона равна 60 а/сж - К [301, 304]. Потенциал ионизации равен 7,3 0,3 в 1[301, 304]. Коэффициент вторичной эмиссии равен 1,35 [304]. [c.515]

Константа Ричардсона равна 37 а см -°К [301, 304]. Работа выхода электронов равна 4,01 эв 1361]. Коэффициент вторичной эмиссии равен 1,18 [301, 304]. [c.543]

Общие соображения по влиянию вторично-электронной эмиссии на спектры имеются в [Л. 4-4]. Количественные исследования [Л. 4-5] показали, что в электронном пучке ионного источника существует при нормальных режимах значительная доля (20—30%) вторичных электронов, существенным образом влияющая на величину ионного тока. С течением времени свойства металлических поверхностей ионизационной камеры изменяются вследствие образования различных пленок и напылений. Кроме того, при каждом пуске установки происходит постепенное обезгаживание электродов ионного источника, в связи с чем изменяется коэффициент вторичной эмиссии. Дополнительное влияние на нестабильность ионного тока может возникнуть благодаря действию стабилизатора эмиссии. Вторичные электроны, попадающие вместе с первичными на анод, искажают величину анодного тока. Если стабилизатор эмиссии стабилизирует ток анода, то при изменении величины коэффициента вторичной эмиссии (Т будет меняться температура катода, поскольку стабилизатор будет стремиться поддержать анодный ток неизменным. Изменение температуры катода будет менять распределение плотностей первичных электронов по сечению электронного пучка, т. е. влиять на интенсивность ионного тока. Вследствие этого целесообразно стабилизировать общий ток катода. [c.92]

Коэффициент вторичной эмиссии атах=1,35 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,5 кэВ. Тантал парамагнитен, его магнитная восприимчивость прн 293 К х=0,849-10 , а при 2143 К х= = 0,685-10- . [c.329]

В работе [22] предложен новый радиоизотопный источник тока, основанный на вторичной электронной эмиссии, вызванной прохождением а-частиц через тонкие многослойные плёнки. Этот источник тока содержит расположенный в герметичном вакуумном корпусе слой радиоактивного изотопа, по обеим сторонам от которого помещены многослойные, последовательно чередующиеся, электрически изолированные плёночные эмиттеры из двух различных металлов, коэффициенты вторичной эмиссии которых отличаются. Согласно оценкам, проведённым в [22], КПД такого источника тока может достигать 1%, а плотность снимаемого тока — 7 A/ ш . Авторы работы [23] обосновывают возможность создания лазера на углекислом газе с использованием атомной батареи на со вторичной эмиссией электронов [24. [c.266]

На рис. 45 и в табл. 14 приводятся значения выхода или коэффициента вторичной эмиссии 5, который представляет собой число вторичных электронов на один падающий нормально первичный электрон, для различных поверхностей твердых тел, находящихся в высоком вакууме. Все эти кривые показывают, [c.95]

На рис. 46 приводится зависимость коэффициента вторичной эмиссии у,- (число выбитых электронов на один падающий положительный ион в вакууме) от кинетической энергии К ионов для различных металлов. Как и можно было ожидать, у,- увеличивается с /Г и достигает максимума вблизи 100 кэв. Для —N1 этот максимум составляет 3 электрона/ион. Наличие максимума объясняется, вероятно, столь глубоким проникновением быстрых ионов внутрь металла, что при этом испускается только часть всех вторичных электронов. На рис. 46 приводятся также данные для медленных ионов инертных газов, из которых видно, что у, тем больше, чем выше потенциал ионизации газа и чем ниже работа выхода металла. Численные результаты сильно зависят от чистоты поверхности и от количества [c.99]

Рис. 12.23. Зависимость коэффициента вторичной эмиссии от энергии падающих влектронов.

Таки образом, ширина темного пространства возрастает при уменьшении средней ионизации на единице пути и при уменьшении коэффициента вторичной эмиссии. При том же значении у, что и выше, и при а//)=10 для давления в 1 мм Иg значение получается около 0,7 см, т. е. порядок величины оказывается правильным. [c.232]

Нормальная ширина темного пространства (табл. 28), как это следует из формул (8.4) и (8.22), возрастает при убывании интенсивности ионизации в газе и коэффициента вторичной эмиссии. Так, например, Аг и имеют большой коэффициент ионизации и, следовательно, малое Не — наоборот. Зависимость от материала катода менее выражена. [c.240]

Коэффициент вторичной эмиссии. ...........................1,18 [c.58]

Принцип действия фотоумножителя основан на использовании двух явлений — фотоэффекта и вторичной электронной эмиссии. Электроны, вылетевшие с поверхности катода под действием света (фотоэффект) и ускоренные электрическим полем, устремляются к первому эмиттеру и выбивают из него вторичные электроны — вторичная электронная эмиссия. Последние вследствие более высокого положительного потенциала во втором эмиттере направляются к нему и вновь выбивают вторичные электроны. Этот процесс повторяется на последующих эмиттерах. При этом каждый первичный электрон может выбить а вторичных. Здесь о — коэффициент вторичной эмиссии эмиттера. В зависимости от материала эмиттера а может изменяться от 3 до 30. Для большего усиления фототока эмиттеры обычно изготовляют из материала, имеющего высокий коэффициент вторичной эмиссии. [c.154]

Рпс. 21. Кривая зависимости коэффициента вторичной эмиссии от энергии первичных электронов. [c.80]

НИЯ Ко от поверхности. При нормальном падении пучка длина пути первичного пучка К, вдоль которого образовавшиеся вторичные электроны будут вылетать, равна У о. По мере увеличения угла наклона образца 0 длина пути первичного пучка в пределах от поверхности будет возрастать как Так как мало, то первый пучок суш,ественно не меняет свою энергию при прохождении этого расстояния, а темп генерации вторичных электронов под действием первичного пучка электронов по суш,еству остается постоянным и пропорциональным Н. Таким образом, так как длина пути возрастает пропорционально зес0, то подобным же образом ведет себя и коэффициент вторичной эмиссии. Вторичные электроны генерируются также отраженными электронами. Коэффициент отражения возрастает с углом наклона (рис. 3.15), и, следовательно, число вторичных электронов, генерируемых отраженными электронами, также с наклоном возрастает. Генерация вторичных электронов как первичными, так и отраженными электронами возрастает с ростом угла наклона, что в целом аппроксимируется законом секанса [уравнение (3.25)]. [c.65]

При низком вакууме углерод испаряется в атмосфере аргона при давлении около 1 Па. Атомы углерода претерпевают многократные соударения и рассеиваются во всех направлениях. Этот метод полезен для получения прочных пленок углерода и для нанесения покрытий на образцы ео сложным рельефом поверхности перед анализом 1В режимах рентгеновского микроанализа, катодолюминесценции и отраженных электронов. Однако в общем случае полезность этого способа для образцов, предназначенных для анализа в РЭМ, сомнительна, в частности, потому, что коэффициент вторичной эмиссии для углерода очень мал. Несомненно, что много1 ратное рассеяние и поверхностная диффузия углерода позволяют с большей эффективностью наносить покрытие на шероховатые образцы, и по этой причине этот метод целесообразно применять в тех случаях, когда нельзя наносить покрытие катодным распылением. [c.197]

Выход вторичных электронов характеризуется коэффициентом вторичной эмиссии 0, равным отношению числа вторичных электровов Ni к числу электронов зонда N за один и тот же промежуток времени [c.220]

Рис. 47. Зависимссть суммарного коэффициента вторичной эмиссии Т от отношения Xр [129] для различных ионов и различных катодов.

Под действием потока электронов в диэлектриках происходят различные процессы, в том числе возникает вторичная эмиссия электронов. Если первичные электроны имеют такие энергии, что коэффициенты вторичной эмиссии превышают единицу, то можно установить величину поверхностного потенциала, как это было сделано в опытах Хейдта [49] с Л Оз. [c.673]

В табл. 1 сравниваются вероятные ошибки отсчетов высот пиков ири разных значениях регистрирз емого ионного тока и скорости развертки 2300 ников в секунду в интервале масс от 10 до 100. Вероятная ошибка в количестве собираемых ионов умножается на величину [6/(6—1)] /= (б — коэффициент вторичной эмиссии), которая учитывает имеющие место статистические изменения в коэффициенте усиления электронного умножителя [2]. Оценка но приведенной выше чувствительности ири величине 6=2,5 показывает, что парциальное давление аргона около 10 мм рт. ст. может быть измерено с вероятной ошибкой 20%. При таком давлении за каждый период развертки на коллектор попадают 120 ионов с массой 40. [c.268]

При бомбардировке твердого тела быстрыми положительными ионами, например а-частицами с энергией >10 эв, коэффициент вторичной эмиссии достигает 10—30. При бомбардировке металлических фольг энергия вторичных электронов может достигать нескольких тысяч электроновольт. Доказано также, что выход вторичных электронов увеличивается с увеличением энергии ионизации атома газа, образующего ион. [c.99]

Очевидно, что О — коэффициент вторичной эмиссии под действием излучения отрицательного свечения — должен зависеть от параметров темного пространства. Пусть часть электронов имеет у границы отрицательного свечения энергию, превышающую еУд (100 эб для N3, 50 Э8 для Не). Если у — расстояние между границей свечения и некоторой точкой в темном пространстве, то для того чтобы все быстрые электроны, приходящие из у, имели энергию ббльшую, чем необходимо, чтобы выполнялось равенство ) [c.236]

Вторичная электронная эмиссия пз сложных катодовг. Нри практических применениях вторичной эмиссии в электронных умножителях пользуются в качестве эмитторов онисанными выше сложными катодами, так как эти катоды обладают большим коэффициентом вторичной эмиссии 3. Для кислородноцезиевых катодов не представляет особых затруднений при массовом изготовлении электронных умножителей получать 8 около 4—5. [c.85]

Параметрами электронного умножителя яиляются 1) общий коэффициент усиления 2) максимально допустимый ток на выходе иЗ) минимальная интенсивность светового сигнала, который еп ,е может быть обнаружен данным умножителем. Коэффициент усиления зависит от числа эмитторов, от коэффициента вторичной эмиссии каждого из них и от существенно ваншого для работы фотоу.мно-жителя качества фокусировки электронов электрическим или маг- [c.90]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология