Гетерогенное зародышеобразование кристаллов

Все предложенные до настоящего времени теории зарождения и роста НК и пленок игнорируют реальное состояние поверхности раздела, участие во многих случаях химических реакций в процессе кристаллизации из газовой фазы, следствием которых является наличие слоя хемосорбированных молекул на поверхности раздела. При наличии хемосорбции непосредственный обмен между подложкой и средой практически отсутствует и хемосорбционный слой в известном смысле можно считать промежуточной двумерной фазой . Рост кристалла в этом случае, по-видимому, происходит в результате актов химического распада молекул хемосорбционного слоя, механизм которых совершенно не изучен. Особая трудность возникает при обсуждении возможных механизмов роста эпитаксиальных пленок сложных соединений при жидкофазном осаждении в связи с тем, что молекулярная форма нахождения большинства этих соединений в растворах и расплавах в настоящее время неизвестна. Поэтому единой достаточно удовлетворительной теории зарождения и роста НК и пленок при газофазном осаждении пока не существует. Необходимо дальнейшее накопление надежных экспериментальных данных о реальной структуре (атомной и электронной) поверхностей раздела, о явлении хемосорбции, о так называемой закомплексованности и других определяющих явлениях. Важным также в теории гетерогенного зародышеобразования пленок является установление соотношения между процессами статистического зародышеобразования на чистых подложках и на активных центрах. Имеются сведения (Л. С. Палатник и др. 1972 г.) об образовании и длительном существовании в тонких пленках термодинамически неравновесных фаз. Поэтому пределы применимости к тонкопленочным системам (приборы микроэлектроники, оптические покрытия и др.) диаграмм состояний, разработанных для систем массивных материалов, требуют подробного анализа и обсуждения. [c.485]

Если предполагать, что распределение размеров кристаллов графита по базису отвечает нормальному закону, то распределение характерных размеров по торцевым плоскостям 1010 должно соответствовать логарифмически нормальному, поскольку процесс графитации относится к кинетическим фазовым переходам. С учетом гетерогенности зародышеобразования и без учета конкретной модели центров кристаллизации можно рассчитать зависимость их числа в единице объема от среднего размера кристаллита в предположении, что существует вполне определенное распределение площадей ( ) торцевых поверхностей, содержащих, по крайней мере, один активный центр зародышеобразования. [c.350]

Гетерогенное зародышеобразование кристаллов. Из расплава. Как уже говорилось, зародышеобразование кристаллов происходит гораздо более охотно на твердой подложке,чем гомогенно, в отсутствии такой подложки. Гомогенное зародышеобразование кристаллов из жидкой фазы описывается уравнением (III.50), которое можно переписать в виде [c.97]

Интересен вопрос, благоприятствует ли эпитаксия гетерогенному зародышеобразованию, или эти явления не связаны. Некоторые данные относительно зарождения кристаллов льда говорят, видимо, в пользу первой точки зрения, однако имеющихся пока данных совершенно недостаточно, чтобы сделать определенные выводы по этому поводу. [c.116]

III.64) широко используется для описания гетерогенного зародышеобразования кристаллов. [c.99]

Паунд и его сотрудники обсуждали гетерогенное зародышеобразование кристаллов из нара и исходили при этом из теории гомогенного процесса. Их трактовка допускает как изменение члена AG , так и оценку величины В путем рассмотрения адсорбции молекул пара на подложке и последующей их миграции по поверхности. [c.115]

Образование зародышей на стенках тигля зависит от газовой среды в печи, что связано с влиянием газов на смачиваемость железа слюдяным расплавом. Так, в водородной среде материал тигля хуже смачивается (краевой угол 0 около 90°), чем в азоте и аргоне. Это способствует достижению более значительного переохлаждения расплава и более массовому характеру кристаллизации. Чем меньше краевой угол смачивания, тем легче происходит образование зародыша, и уже при 0 — 45° высота потенциального барьера для зарождения на поверхности на порядок меньше, чем для зарождения в объеме. При гетерогенном зарождении кристаллов расплав слюды характеризуется высокой кристаллизационной способностью. Максимальная скорость зародышеобразования по данным подсчета центров кристаллизации (сфе-ролитов) в образцах, полученных в условиях переохлаждения на несколько десятков градусов, составляет примерно 100 зародышей на 1 см2 поверхности в течение 1 с. [c.39]

Параллельно с образованием зародышей из гомогенного пересыщенного раствора в реальных процессах кристаллизации наблюдается возникновение зародышей будущих кристаллов вследствие истирания (измельчения) кристаллов при их столкновениях друг с другом, со стенками аппарата или с лопастями механической мешалки. Такой процесс называют вторичным, гетерогенным зародышеобразованием он имеет не термодинамическую, а чисто механическую природу. [c.497]

Экспериментально было найдено, что скорости роста кристаллов полностью согласуются со вторым из этих выражений Аф. Более того, первое выражение Аф хорошо описывает скорости первичного зародышеобразования в тех случаях, когда принимаются меры для исключения первичного зародышеобразования, обусловленного присутствием в расплаве загрязняющих частиц постороннего вещества (гетерогенное зародышеобразование). Однако существуют серьезные основания полагать, что если такие предосторожности не соблюдаются, то количество первичных зародышей гетерогенного происхождения будет значительно превосходить число зародышей, образующихся в расплаве в результате гомогенных процессов. При этих условиях на температурную зависимость скорости первичного зародышеобразования будут в большой степени влиять все особенности происходящих процессов зародышеобразования. Если зародыши возникают в результате адсорбции молекул полимера на посторонних частицах, скорость их образования соответствует скорее зависимости Аф /(АТ), а не Аф АТу. Во всяком случае, ясно, что для любого из этих возможных механизмов движущая сила зародышеобразования уменьшается при более высоких температурах, но в то же время скорость, необходимая для преодоления молекулами барьера, характеризуемого значением Еп, при более низких температурах также уменьшается. В связи с этим следует ожидать, и это наблюдается в действительности, что выше или ниже определенной оптимальной температуры общая скорость кристаллизации уменьшается. [c.411]

Результаты менее подробных исследований гетерогенного зародышеобразования в расплавах других полимеров при добавлении к ним инородных веществ можно кратко суммировать следующим образом, Зародышеобразование в полихлортрифторэтилене инициировали добавлением кадмия, окиси кадмия, дисульфида молибдена [156]. Сферолиты при охлаждении появлялись при температуре на 4-6°С выше температуры появления сферолитов в отсутствие добавок. Вследств-вие более высокой температуры кристаллизации кристаллы имеют несколько более высокую температуру плавления, чем кристаллы в полимере, не содержащем зародышеобразователей- [c.76]

Температура зародышеобразования в очень малых металлических каплях в большинстве случаев гораздо ниже, чем в объемном жидком металле. В случае олова, например, температура образования зародышей в очень малых каплях на 85° С ниже, чем в объемном металле. Это приписывается распределению между каплями твердых частиц, катализирующих гетерогенное зародышеобразование. Если капли достаточно малы, только малая их доля будет содержать хотя бы одну каталитическую частицу, а в большинстве капель процесс зародышеобразования будет протекать по гомогенному, а не каталитическому механизму, что требует значительного переохлаждения. Однако объемный жидкий металл будет содержать по крайней мере несколько каталитических частиц, и благодаря высокой ско-])ости роста металлических кристаллов весь расплав затвердеет, как только температура упадет достаточно низко для того, чтобы произошло образование зародышей на наиболее активных частицах. А это требует сравнительно небольшого переохлаждения. [c.114]

На основании предположения о единстве механизма гетерогенного зародышеобразования в объеме раствора и на растущей грани кристалла построена теория роста кристалла из растворов, содержащих добавки поверхностно-активных [c.93]

Поскольку в растворах (в очищаемом веществе и в растворителе) всегда содержатся примеси в виде взвешенных частиц, пусть хотя бы и в небольшом количестве, то при рассмотрении кинетики кристаллизации необходимо принимать во внимание явления и гомогенного, и гетерогенного зародышеобразования. Результаты многочисленных опытов с использованием различных способов для наблюдения за зарождением и ростом кристаллов [354, 365—372] свидетельствуют о том, что в процессе кристаллизации может иметь место каждое из указанных явлений. [c.258]

Для описания способов гетерогенного зародышеобразования могут быть использованы все четыре схемы образования зародышей, приведенные на рис, 5.10. Малая подвижность полимерных цепей при образовании зародыша типа бахромчатой мицеллы, однако, значительно уменьшает влияние гетерогенных поверхностей на кристаллизацию вследствие ограниченных возможностей дополнительного роста каждого зародыша. В настоящее время гетерогенное зародьшеобразова-ние при кристаллизации в процессе полимеризации изучено мало. Большая часть этого раздела посвящена процессу гетерогенного зародышеобразования при кристаллизации расплавов и растворов полимеров с реализацией сложенной макроконформации цепи. Прежде всего рассмотрено применение общих концепций классической теории зародышеобразования, описанных в разд. 5.1.1, к процессу гетерогенного зародышеобразования. Затем обсуждены экспериментальные данные по зародышеобразованию на различных поверхностях раздела И наконец, в разд. 5.1.4. рассмотрено самозарождение, т.е. образование кристаллов на собственных зародышах - мелких кристалликах кристаллизующегося полимера, оставшихся в растворах или расплавах. Вообще следует заметить, что гетерогенное зародышеобразование является процессом, о механизме которого многое все еще остается неизвестным. [c.57]

Значение п зависит от того, имеем ли мы дело с гетерогенным или гомогенным зародышеобразованием. При гетерогенном зародышеобразовании в случае трехмерного роста кристалла п = 3, двухмерного— 2, одномерного—1. При гомогенном зародышеобразовании значения п во всех трех случаях оказываются на [c.286]

Число зародышей, возникающих в процессе кристаллизации, определяет конечные размеры кристаллов. При гетерогенном зародышеобразовании средний конечный объем кристалла (ф) равен объему полимера после кристаллизации (1 оо), деленному на число зародышей [c.104]

Высокое содержание в кристаллических полимерах аморфной части объясняется наличием, гибких проходных цепей и свободных кондов макромолекул в междоменных областях. Кристаллизация в полимерах происходит в два этапа образование зародыщей кристаллизации в аморфной части и рост кристаллов. Образующиеся зародыши кристаллизации устойчивы, если уменьшение свободной энергии при их возникновении больше, чем ее возрастание за счет образования новой границы раздела между кристаллической и аморфной фазами. Рост кристаллов заключается в переносе аморфного материала к границе зародыша и образовании вторичных зародышей кристаллизации. Иногда зародышами кристаллизации служат примеси, в этом случае говорят о гетерогенном зародышеобразовании в отличие от гомогенного, протекающего одновременно с ростом кристаллов. [c.43]

Чистый (не содержащий кристаллов растворенного вещества или инородных твердых примесей, пылинок и т. п.) раствор устойчив до избыточной концентрации Скр — Ср, зависящей от химического состава раствора, внешних воздействий (механические, звуковые и другие импульсы, скорость и способ создания пересыщения, наличие растворенных газов и т. д.). В растворах, содержащих мелкие кристаллики или примеси, кристаллизация начинается при значительно меньшем пересыщении (Скр — Ср)< (С р — Ср), где Скр, Скр — критические концентрации гомогенной и гетерогенной нуклеации (зародышеобразования). Для всех технологических про- [c.325]

Несмотря на общую чувствительность скорости кристаллизации к температуре, между полимерами остаются достаточно большие различия, позволяющие свободно и с полным основанием говорить о полимерах, которые кристаллизуются быстро, и о полимерах, которые кристаллизуются медленно. Например, пленки расплавленного полиэтилена кристаллизуются, даже если их закаливать в жидком азоте, тогда как пленки полиэтилентерефталата или найлона легко закаливаются с образованием аморфного стекла. Значительные различия в этих свойствах могут быть следующим образом связаны со структурами различных рассматриваемых здесь молекул. Как мы видели, лимитирующей стадией, определяющей скорость кристаллизации полимеров, является зародышеобразование, причем более значительную роль играет в этом отношении первичное зародышеобразование. Независимо от того, имеют ли первичные зародыши гомогенное или гетерогенное происхождение, а также от того, образован ли каждый из них несколькими соседними молекулами, вытянутыми в длину, или одной многократно сложенной молекулой, их рост до критического размера требует согласованного, или кооперативного, перераспределения молекул в пределах значительного объема расплава. Молекулы вынуждены совершать поступательное и вращательное движение относительно своих соседей, и кристаллическая упаковка будет достигнута гораздо быстрее, если эти движения происходят свободно и в ограниченных пределах. Аналогичные условия необходимы также для образования поверхностных зародышей при дальнейшем росте кристалла из первичных зародышей, и в общем случае более высоким скоростям первичного зародышеобразования соответствуют более высокие скорости вторичного зародышеобразования. Для быстрой кристаллизации очень желательно, чтобы повторяющиеся химические звенья цепи не были слишком длинными и чтобы профиль молекулы отличался высокой симметрией. Низкая симметрия уменьшает число возможных положений молекулы и, кроме того, препятствует вращательному движению, необходимому для переориентации. Особенно нежелательны большие боковые группы, так как они могут служить серьезным препятствием движению одной цепи относительно другой. Наличие полярных групп может явиться дополнительным препятствием кристаллизации, особенно если они находятся далеко друг от друга (или неравномерно расположены) в цепи молекулы, и необходимы значительные перемещения, чтобы полярные группы соседних молекул заняли в кристалле соответствующие положения. Более того, в расплаве между беспорядочно расположенными молекулами могут устанавливаться локальные полярные связи, которые должны быть затем разорваны и заново образованы в кристалле между другими парами групп. [c.412]

Большое влияние на процесс кристаллообразования в расплаве оказывают различные примеси. Особенно важную роль в этом отношении играют механические примеси, находящиеся в расплаве в виде взвешенных частиц микронного и субмикронного размера и играющие роль затравки при образовании зародышей. Последнее объясняется тем, что работа образования зародышей на готовой поверхности (гетерогенное зародышеоб-разование) меньше, чем работа флуктуативного образования зародышей (гомогенное зародышеобразование) в объеме расплава. Такое гетерогенное зародышеобразование возможно лишь, когда расплав является лиофильным по отношению к поверхности частицы. Возникающий на ней в этом случае адсорбционный слой вызывает соответствующее структурирование прилегающего расплава, что приводит к облегчению образования зародышей на данной поверхности по отношению к зародыше-образованию в объеме расплава. Вследствие этого начало кристаллообразования обычно смещается в сторону меньших переохлаждений по сравнению с тем, что было бы, если бы исходный расплав был тщательно очищен от взвешенных частиц. Аналогичное явление имеет место и в случае кристаллизации на специально вводимых в расплав затравочных кристаллах, что широко применяется в различных способах выращивания монокристаллов. [c.109]

Как следует нз таб г. 4.4, параметр п неоднозначно характеризует механизм роста кристаллов. Так, прн к —3 могут образовываться или сферы (чаще всего сферолнты) при гетерогенном зародышеобразовании, илн диски прн гомогенном механизме образования зародыша. Поэтому дтя по учення однозначных результатов необходимо оценивать морфологию кристаллов другими методами, иапример чикроскоиическими. Иногда в киистических расчетах получаются дробные значения [c.271]

Пример 7.5.5.1. Стохастическая модель зародышеобразования. Необходимо в рамках стохастических представлений построить модель гомогенного и гетерогенного зародышеобразования (см. подраздел 8.7.1) для описания скорости образования кристаллов из жидкой фазы на основе представления о рождении и гибели кластеров [120]. При решении поставленной задачи считается, что зародышеобразование протекает по известной схеме случайного процесса гибели и рождения с конечным числом состояний [29, 99, 121, 122]. Пусть объем пересыщенного пара, незначительно превосходящий объем критического зародыша, содержит ( + 1) атомов или молекул. Символом Ео обозначим состояние этого объема, когда в нем содержится ( + 1) одиночных атомов пара, символом — состояние системы, заключающееся в образовании одного комплекса из двух атомов, — одного комплекса из трех атомов и, наконец, — одного комплекса из и атомов. Этот комплекс представляет собой критический зародыш жидкой фазы, который после присоединения еще одного атома (переход в состояние ) способен к дальнейшему самопроизвольному росту. Обозначим через ко вероятность перехода из состояния Ео в Ei, через А,] — вероятность перехода из состояния Ei в Ei а так далее, т. е. вероятности присоединения одиночных атомов к соответствующим комплексам. Через Ц] обозначим вероятность перехода из состояния Ei в Ео, через р2 — вероятность перехода из состояния в i и так далее, т. е. вероятности отрыва одиночш.1х атомов от соответствующих комплексов. Тогда граф-схема процесса будет иметь вид, представленный на рис. 7.5.5.1. Вероятность перехода системы из состояния Е в состояние 1 полагаем равной нулю ц( = 0), т. е. состояние Е для этой схемы является поглощающим. [c.689]

На основании этих результатов можно было предположить, что наличие надмолекулярных структур в растворах кристаллизующихся полимеров может определенным образом сказаться па кинетике кристаллизации полимеров из растворов па стадии, например, зародышеобразовапия, т. е. можно было предположить, что образующиеся в растворе устойчивые ас оциаты будут выполнять функции атермических зародышей. Если такое предположение справедливо, то, очевидно, изучение индукционного периода кристаллизации, величина которого в существенной степени зависит от того, имеет ли место гомогенное или гетерогенное зародышеобразование новой фазы [13], может дать сведения о характере структурирования раствора. Для того чтобы проверить это предположение, нами была разработана методика для изучения кинетики кристаллизации полимеров из разбавленных растворов [14]. Используя метод, основанный на принципе деполяризации света кристаллами [151, на примере раствора полиэтилена в декалине была изучена зависимость индукционного периода кристаллизации от термической предыстории раствора. [c.188]

Гетерогенное зародышеобразование на уступах, трещинах, дырках и других нерегулярностях должно, по-видимому, происходить легче, чем на плоской поверхности раздела. На такой грубой поверхности раздела зародыши кристаллов могут использовать большую часть поверхности. Предполагая, что уступ на поверхности подложки в направлении /, в котором образуется зародьш], имеет неограниченную [c.58]

При кристаллизации из растворов образуются четкие отдельные <- ркста 1ЛЫ. Это позволяет непосредственно искать структурные доказательства гетерогенного зародышеобразования. Обычно при неболь-ыом переохлаждении образуются ламелярные кристаллы из сложенных цепей (рад. 3.3.2), а при большом переохлаждении дендриты из сложенных цепей (разд. 3.6). Длина складок цепей в кристаллах этих морфологий равна 50 - 200 X (см. табл. 3.3). Гетерогенные зародыши, как правило, больше по размеру, и поэтому должны быть легко различимы. [c.61]

Гетерогенное зародышеобразование также может быть атермическим и термическим (разд. 5.1.3). Поскольку число гетерогенных зародышей ограничено, термическое зародьш1еобразование гетерогенного характера должно начинаться после израсходования всех существовавших зародышей. По-видимому, образование собственных кристаллов-зародышей - практически процесс атермический (разд. 5.1.4) В любом образце могут находиться все три типа зародышей, однако простое рассмотрение кристаллов не дает возможности четко разделить их на кристаллы, выросшие на термических и атермических заг родышах. Только тогда, когда видны особые детали структуры кристаллов, как, например, на рис. 5.18, можно сделать дополнительные выводы о характере зародышеобразования — гомогенном или на собственных кристаллах-зародьш ах в одном случае или гетерогенном -в другом. [c.100]

Торнбалл и Холломан обсудили зародышеобразование кристаллов ртути в жидких каплях ртути, в которые они намеренно вводили частицы, катализирующие гетерогенное зародышеобразование. Строя графики зависимости Ig /het от 1/(ГАГ ) (как описано в разделе 1И.12 и показано на рис. III.5 и III.6), они определили величину 16л7 ь>2Г /Ь/(3/сХ .) из наклона полученных прямых линий. Поскольку они уже раньше получили величину у для гомогенного зародышеобразования ртути, они смогли рассчитать Ъ (использовалась величина v = 31,2, которая несколько отличается от величины 28,1, данной в табл. III.1). Полученные значения Ъ приведены в табл. III.3. [c.98]

D коэффициент диффузии в растворе d — межатомные расстояния в кристалле — эмпирический коэффициент). Поскольку по уравнению (УП1.2) критическая энергия зародышеобразования антибатна величине пересыщения, то скорость образования кристаллов увеличивается с пересыщением. Что касается закалки, то-она тем эффективнее, чем меньше время пребывания кристаллов в маточном растворе, чем быстрее и эффективнее производится отмывка маточника и чем скорее охлаждается раствор, если осаждение производится при нагревании. Условия гетерогенного зародышеобразования аналогичны уравнению (VIH. 4) с заменой величин АРкр и I на соответствующие. [c.175]

Для выяснения механизма влияния НОК на кристаллизацию ПБ был нро-веден анализ изотерм кристаллизации с помощью уравнения Аврами (рис. 46) [63]. Изотерма кристаллизации каучука ПБ без НОК полностью описывается уравнением Аврами. По наклону прямой было установлено, что показатель п = = 3. Это свидетельствует о гетерогенном зародышеобразовании и трехмерном росте кристаллов (в этих опытах был использован технический каучук, в котором всегда имеется некоторое количество примесей, играющих роль зародыше-образователей). [c.59]

Изучение медленной кристаллизации карбоната кальция показало [13], что для начальной стадии осаждения характерен гетерогенный механизм зародышеобразования. Подобная картина наблюдается при низких пересыщениях. При увеличении s, начиная с некоторого критического значения коэффициента пересыщения, становится возможным гомогенное зародышеобразова-ние. Степень пересыщения, при которой начинается фазовое превращение, регулируется скоростью сливания реагентов. При гетерогенном зародышеобразовании, протекающем при медленном сливании взаимодействующих друг с другом растворов, как число образующихся кристаллов, так и их конечные размеры возрастают пропорционально скорости смешения, взятой в некоторой степени п. Причем для числа кристаллов п 0,9, а для их размеров п = 0,3. В случае гомогенного зародышеобразования сохраняются те же зависимости, но гг = 1,8 и 0,6 соответственно. [c.316]

Процесс адкумулятивного роста кристаллов, при котором осевшие кристаллы на дне магматической камеры продолжают расти из расплава того же состава, может рассматриваться как специфический случай гетерогенного зародышеобразования. Переохлажденная магма в метастабильной области гомогенного зародышеобразования мол ет переноситься конвективными течениями иа дно камеры, где ранее образовавшиеся кристаллы будут расти за счет диффузии необходимых элементов из переохлажденной магмы. [c.203]

Книга состоит из четырех глав. В первой главе, посвященной качественному анализу структуры процесса массовой кристаллизации как сложной ФХС, вскрываются особенности данной ФХС как на языке смысловых, лингвистических построений, так и на языке точных математических формулировок, причем в последнем случае обсуждаются два подхода — феноменологический (детерминированный) и стохастический. На уровне детерминированного подхода формулируется обобщенная система уравнений термогидромеханики полидисперсной смеси с произвольной функцией распределения кристаллов по размерам с учетом роста, растворения, зародышеобразования, агрегации и дробления кристаллов. Особое внимание уделено описанию процесса вторичного зародышеобразования. На основе термодинамического подхода получены теоретические зависимости для структуры движущих сил вторичного зародышеобразования при бесконтактном и контактном зародышеобразовании. Стохастический подход представлен методом пространственного осреднения, развитого в последние годы в механике гетерогенных сред, а также методами фазового пространства и стохастических ансамблей для описания стохастических свойств процессов массовой кристаллизации. На основе метода пространственного осреднения получено уравнение типа Колмогорова— Фоккера — Планка с коэффициентом диффузии, учитываю- [c.5]

Пусть пересыщения в системе недостаточно для образования зародышей гомогенным или гетерогенным путем и зародыши возникают за счет истирания кристаллов несущей фазой. Зародыши будем считать самостоятельной фазой, средняя плотность и объемное содержание которой р, и з (причем рз=р2"ПаЛ ЯзГз= = , Пз=/зГз —число зародышей в единице объема). Перейдем к выводу уравнений термогидромеханики для описания процесса массовой кристаллизации с учетом роста кристаллов и бесконтактного вторичного зародышеобразования. [c.39]

Определим структуру движущих сил массопереноса при росте и растворении кристаллов, зародышеобразовании (гомогеным и гетерогенным путем). Движущая сила массопереноса вещества из несущей фазы в кристалл имеет вид (см. выше) [c.67]

Здесь Дс —пересыщение сплошной фазы переменные /г, g, и, ш, I— гомогенные кинетические параметры М.,— масса твердой фазы в объеме кристаллизатора (третий момент плотности функции распределения) —поверхность твердой фазы (второй момент) — линейный размер твердой фазы (первый момент) —число кристаллов в аппарате (нулевой момент) /, к, I, р — параметры, характеризующие порядки соответственно третьего, второго, первого, нулевого моментов плотности функции распределения кристаллов по размерам км, к а, кг, —константы скорости вторичного зародышеобразования ки—константа скорости зародышеобразовання, происхоля1цс о гомогенным или гетерогенным путем буквы М, 5, [c.336]

К основным параметрам кинетики кристаллизации из расплава Относятся степень переохлаждения, скорости зародышеобразования и роста кристаллов. Кинетические характеристики кристаллизации фторслюды из расплава определяются совокупностью конкретных условий, включающих ликвационные явления во фторсиликатном расплаве, температурные условия, гетерогенный характер зарождения кристаллов, массовую кристаллизацию, кри-сталлохимнческие факторы (изоморфизм, анизотропия структурных сил связи и т. д.). [c.35]

Имея в виду время написания монографии Фольмера, нетрудно понять, почему в ней не затронуты такие важные вопросы, как нестационарное зародышеобразование, гетерогенные флуктуации, влияние дислокаций на рост кристаллов, шероховатость кристаллических граней и другие, разработанные позднее Зельдовичем, Френкелем, Франком и др. [c.6]