Сопротивление переносу заряда

Мембрана на основе сульфида серебра обладает ионной проводимостью с малым сопротивлением. Перенос заряда осуществляется ионами серебра. Высокая селективность к ионам Ад и 8 , обеспечиваемая малой величиной ПРд .о, и заметная [c.53]

Высокочастотная дуга полуокружности связана с присутствием оксидной пленки на поверхности модели и изменением во времени ее емкости и сопротивления. Величина емкости второй полуокружности типичная дпя границы раздела металл-раствор. Сопротивление переносу зарядов уменьшается во времени, указывая на ускорение кинетики реакции растворе-18 [c.18]

Лр — сопротивление раствора — сопротивление диффузионному массо-переносу Дф — сопротивление переносу заряда — емкостный ток /ф — фарадеевский ток Сд — емкость двойного электрического слоя Си — емкость первой редокс-пары (один адсорбат) [c.18]

Теперь нужно определить три кинетических параметра А (или ), а и V. Анализируя график Тафеля или же график, соответствующий уравнению (21) гл. VII, получают значения и a/v или (1—а) . Изучение зависимости г от ао (или ак) позволяет найти (1—а)1 = р или а =д, причем р и д — соответственно наклоны прямых, описывающих зависимость 1п от 1п ао (при постоянной ан) и зависимость 1пг от 1п ак (при постоянной ао). Отношение г/г рассчитывают, исходя из величины сопротивления переносу заряда при низких перенапряжениях [ср. с уравнением (15) гл. VII] [c.197]

Сопротивление переноса заряда можно получить по радиусу полу окружности. [c.246]

Тафелевские участки уравнения (24) дают величины io, a/v и (1 — a)/v. Очень возможно, что при помощи графика Аллена и Хиклинга [22] экспериментальные данные можно обработать значительно лучше. Зависимость log io от log ао и log ад дает в соответствии с уравнением (26) величины (1—a)/v и a/v, а сопротивление переноса заряда позволяет найти v/io из [c.285]

Проверка значений токов обмена производится на основе данных о сопротивлении переноса заряда при самых низких перенапряжениях, которое описывается следующим выражением [c.287]

Сопротивление переноса заряда [c.17]

Ясно, что при пропускании через рассматриваемую электрохимическую систему переменного тока малой амплитуды ее свойства характеризуются сопротивлением переноса заряда и справедливо уравнение [c.18]

В этом случае независимы также импеданс двойного слоя 2д = = 1//(йСд и фарадеевский импеданс Zp, а полная эквивалентная схема электрода имеет вид, показанный на рис. 4. Здесь Сд — емкость двойного слоя, Нэ — активное сопротивление электролита, Яр — сопротивление переноса заряда, — импедансы [c.26]

Величину постоянной Варбурга можно вычислить как == = . СвУ со, причем она не должна меняться с частотой. Затем можно определить сопротивление переноса заряда Вр. На практике обычно для нахождения параметров р и Вр пользуются графи- [c.107]

Если сопротивление переноса заряда конечно, то X - 1 + /м/РУр = [со (Ср - Сд) [c.113]

Причем Сд — величина, вычисленная по уравнению (27.3). Иными словами, при малых, но конечных Ер, если ЕрУ(л1 Ур) 1, обнаружить сопротивление переноса заряда невозможно и это приводит к занижению эффективных значений емкости двойного слоя. Нетрудно убедиться, что эта ошибка может быть довольно значительной, если диапазон измерений ограничивается сравнительно низкими частотами. [c.113]

R t ti) является сопротивлением переноса заряда в реакции нейтрализации, в то время как R t (а — О — соответствующее сопротивление для атом-ионной реакции. ТЕ (Нг) обозначает длинную линию, соответствующую ди узии молекулярного водорода в растворе, а Сд (Н) — адсорбционную емкость, связанную со специфической адсорбцией водорода на поверхности электрода. [c.88]

Соответствующая цепь для реакции (с), за которой следует реакция (е), представлена на рис. 15, б. Эта цепь проще предыдущей, но она содержит новое сопротивление R x, обусловленное необратимостью реакции рекомбинации. Свойства этих двух цепей при высоких частотах довольно различны. Фарадеевский импеданс цепи, соответствующей атом-ионному механизму, сводится к двум параллельно соединенным сопротивлениям переноса заряда, тогда как в другом случае импеданс сводится просто к сопротивлению переноса заряда для реакции нейтрализации. [c.88]

Rq - омическое сопротивление источника тока, Сдв - емкость двойного слоя, Rq - сопротивление переноса заряда. Zw - импеданс Варбурга [c.218]

Отмечено характерное увеличение после 1 месяца хранения трех параметров импедансных спектров элементов, которые соответствуют сопротивлению электролита, сопротивлению переноса заряда и емкостной составляющей при частоте в диапазоне 80-200 Гц, коррелированной с емкостью двойного слоя. Определены допуски на эти параметры для свежих и хранившихся элементов, которые позволяют отсортировать брак разного рода. К сожалению, в настоящем виде методика отбраковки позволяет только грубо оценить качество производимых элементов, так как допуски на параметры очень широкие верхние их границы отличаются от нижних в 4-5 раз. [c.229]

Было показано, что сопротивление межфазных границ с циклами увеличивается. При этом увеличиваются импедансы обоих электродов, особенно сопротивление переноса заряда. Но импеданс положительного электрода доминирует и после 800 циклов. Его возрастание объясняется увеличением сопротивления его поверхности из-за окисления. Омическое сопротивление при циклировании не меняется. [c.232]

Определение кинетических параметров циклическим гальваностатическим методом при подаче прямоугольных импульсов определенной частоты проводилось двумя способами измерялось отклонение потенциала от равновесного значения в момент времени, отвечающий доле периода 0 = 0,09 [12], и определялась величина сопротивления переносу заряда Яп) [13]. [c.64]

Фарадеевский импеданс. Измерения Э.и. и его зависимость от частоты переменного тока позволяют исследовать разл. св-ва электрохим. ячейки. Один из способов состоит в том, что процесс в ячейке моделируют эквивалентными электрич. схемами. Напр., протекающий на электродах окислит.-восстановит. процесс в отсугствие заметной адсорбции электрохимически активных в-в моделируется т.наз. схемой Рэндлса-Эршлера (рис. а). Чисто активное сопротивление описывает замедленность собственно электрохим. стадии (сопротивление переноса заряда). Если п -число участвующих в электродном процессе электронов, -ток обмена (см. Ток обмена), а площадь электрода равна единице, то К , = КПпР1 (Т - абс. т-ра к - газовая постоянная Р - число Фарадея). Емкость двойного электрич. слоя моделируется шзтп ирующей емкостью Сщ, не зависящей от -- [c.464]

Характер диффузионного импеданса 2д можно установить из соотношений (8.89) и (8.95), описывающих зависимость /( ) для полностью обратимой реакции, когда сопротивлением переноса заряда можно пренебречь. Если входящий в эти соотношения = 1Ь( п - А ) = Ш пд(Еп - Е т- АЕ)/2] разложить в ряд Тейлора и с учетом малости сигнала = пдАЕ/2 1 ограничиться дв> первыми членами этого ряда, то получим = 1Ь п - А /сЬ Подставив это выражение в указанные соотношения, в их правых частях можно выделить члены, содержащие th , - которые характеризуют постоянную составляющую фарадеевского тока / . Остальные члены с Л /сЬ п характеризуют переменную составляющую Аг. Выделив последнюю в отдельное равенство, для Ох-формы деполяризатора получим. [c.303]

Сопротивление переноса заряда можно качественно оценить с помощью уравнения Батлера-Фольмера в условиях, когда фарадеевский ток лимитируется лишь скоростью переноса заряда. При этом скорость доставки частиц деполяризатора к поверхности электрода значительно выше скорости переноса заряда,и, следовательно, граничные концентрации деполяризаторов С ох и Скеа в этом уравнении можно считать неизменными. Продифференцировав фарадеевский ток 7 по -Е (знак минус обусловлен тем, что за положительный ток принят ток при отрицательных Е - Ер), найдем [c.305]

Из полученного соотношения видно, что в отличие от диффузионного сопротивление переноса заряда является чисто вещественным, эквивалентным резистивному сопротивлению. Подобно диффузионному импедансу зависит от квазипостоянных значений Е и А. Однако зависимость Я (Е) отличается от 2д( ). Таким образом, фарадеевский импеданс на границе раздела фаз индикаторный электрод/электролит равен [c.306]

Чем менее обратим процесс, тем большее влияние на него оказывает сопротивление переноса заряда. Следует также отметить, что при неполной обратимости электрохимической реакции фазовый угол ф( п) я/4 в процессе получения вольтамперограммы не остается постоянным (как для обратимой реакции) из-за разного характера зависимостей Л ( п) и ). Следовательно, зависимость /ш ( п) = /т( п)совф( п) будет имбть несколько деформированную форму по отношению к зависимости / ( п). [c.369]

При больших катодных перенапряжениях тафелевские зависимости (рис. 88) имеют наклон —а , а экстраполируя их к Т1 = 0, находят величину 2гв. Напротив, анализ тафелевских кривых, полученных при больших анодных перенапряжениях, позволяет определить величины (1—аь) и 2г. В общем случае сумма аа+(1—аь) не равна единице, поскольку ааФаь. Если а->оо, наклоны катодной и анодной тафелевских кривых равны соответственно —(1+аь)/ и (1 —аь)/, а экстраполяция кривой к 1 = 0 дает величину 2/. В то же время при г ->со наклоны составляют —и (2 — аа)/, а абсциссе т) = 0 соответствует ордината 2/ . Можно проверить правильность значений а и г, найденных с помощью тафелевских зависимостей, если определить сопротивление переносу заряда при низких перенапряжениях [сравни с уравнением (15) гл УП] [c.194]

Р и с. 19. Представление фарадеевского импеданса при диффузионно-кинетическом контроле с помощью трансмиссионной линии. а - простой перенос заряда б - перенос заряда с быстрой адсорб-тей-десорбщей частиц О и К в-предшествующая гомогенная реакция [уравнения (48) и (49)] г - предшествующая гетерогенная реакция, г - сопротивление переносу заряда КТ/(пР(1 ) -, Ка (О), (К) и (К) - омические трансмиссионные линии, представляющие Эффузию О, К м X к межфазной границе потнее С (0) и С (К) — адсорбционные емкости для О м К — сопротивление гетерогенной реакции К - распределенная омическая связь, представляющая гомогенную реакцию [уравнение (48). [c.245]

Импедансные спектры ЛИА, и свежих, и деградировавших, представляют собой две полуокружности и в заряженном, и в разряженном состоянии. Омическое сопротивление электролита в обоих состояниях остается постоянным. Реактивная составляющая импеданса разряженного аккумулятора в точке максимума высокочастотной полуокружности А макс и сопротивление переноса заряда в 2 раза больше, чем у заряженного. При этом вклад в импеданс ЛИА импеданса положительного электрода из Ь1Со02 больше, чем от угольного электрода. [c.232]

Пока что принималось, что граница раздела раствор-мембрана идеальна, т.е. она представляет собой идеальный конденсатор с нулевым током утечки. Однако в реальных ситуациях идеальных границ раздела не существует, поэтому моделью границы раздела должно быть сочетание конденсатора Qi с параллельно включенным резистором с сопротивлением переносу заряда Указанное отклонение от идеального поведения означает, что в ИМПТ любое обусловленное адсорбцией заряженных частиц изменение заряда границы раздела не останется распределенным между модельными конденсаторами (как это принималось выше) напротив, разделенные заряды будут утекать через границу раздела раствор-мембрана и экспоненциально затухать с постоянной времени, равной / t di- Чтобы при типичной границе раздела с d, = 10 мкФ/см постоянная времени была равна 100 с, R , должно быть не менее 10 Ом см . На практике такое сопротивление заряду встречается крайне редко, если только не приняты особые меры для предотвращения любого переноса заряда через границу раздела. Следовательно, теорию ИМПТ удастся проверить экспериментально только в том случае, если будет найден материал для мембраны с сопротивлением переносу заряда не менее Ю Ом см . [c.415]

Коллинз и Джаната [38] показали, что описанная в работе [37] мембрана реагирует на изменения концентраций многих небольших неорганических ионов в растворе и что через эту мембрану может проходить постоянный ток. Следовательно, граница раздела этой мембраны и раствора не поляризована. Аналогичные результаты были получены и при изучении мембран, изготовленных только из полимеров (ПВХ, полистирола, блоксополимера полистирол-полибутадиен) [6]. Оказалось, что по сопротивлению переносу заряда такие мембраны располагаются между хорошими ионоселективными мембранами и поляризованными электродами. Смешанный потенциал границы раздела определяется потоками нескольких ионов. Высказывалось предположение, что наблюдаемый отклик на иммунореагенты обусловлен совместным эффектом адсорбции белков и ионного обмена, изменяющим смешанный потенциал [38]. Так как адсорбции белка могут способствовать иммобилизованные иммунореагенты, то легко сделать некорректное заключение о непосредственной связи между выходным сигналом устройства и иммунохимической реакцией. В действительности же выходной сигнал является вторичным явлением, а изменение потенциала обусловлено многочисленными неорганическими ионами. Даже ничтожно малое изменение концентрации любого из этих ионов вызовет изменение смешанного потенциала на границе раздела. Следовательно, основная цель разработки высокоспецифичных иммунохимических сенсоров остается недостижимой, поскольку сенсор, по сути дела, оказывается абсолютно неспецифичным. До настоящего времени не найдено полимера, остающегося идеально поляризованным в водных растворах. [c.416]

В настоящее время метод импеданса все шире применяют в корро-зиометрии, поскольку коррозия как фарадеевский процесс (прохождение тока через электрохимическую систему) описывается фарадеевским импедансом. К достоинствам метода относятся использование очень слабых электрических сигналов ( АЕ < 5 мВ), которые не оказывают воздействия на корродирующую систему, а также возможность измерения скорости коррозии в средах с низкой электропроводностью [103 ] и оценки защитных свойств покрытий на металле [104], коща метод поляризационного сопротивления непригоден. Это обусловило интенсивные работы по установлению взаимосвязи скорости коррозии и составляющих фарадеевского импеданса [102,105]. Согласно теории [102]корро-зионный ток (скорость коррозии) определяется сопротивлением переноса заряда (т.е. сопротивлением электрохимической реакции переменному току при активационном контроле) Кт. Величину Кт можно рассматривать как предел ( радеевского импеданса при бесконечной частоте переменного тока [106 ], поскольку экспериментальные данные лучше согласуются со значениями импеданса, измеренными при достаточной высокой частоте, коща не нарушается диффузионное и адсорбционное равновесие в электрохимической системе [c.20]

По второму способу определение сопротивления переносу заряда Rn) производилось по обычной компенсационной схеме следующим образом при компенсации омического падения нанряже- [c.64]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология