Электронная эмиссия

Известно, что возникновение вольта-потенциала между двумя металлами в вакууме связано с образованием ионов при электронной эмиссии из металлов. Более того, явление электронной эмиссии обусловливает экспериментальную возможность определения величины вольта-потенциалов. В 1916 г. И. Лангмюр обратил внимание на соответствие между рядом металлов по работам выхода электронов, т. е. рядом Вольта, и электрохимическим рядом напряжения. Действительно, наиболее отрицательные потенциалы наблюдаются у щелочных металлов, имеющих наименьшую работу выхода электронов. Однако это совпадение только качественное, так как при этом не учитывается зависимость потенциалов электродов от концентрации ионов. Следует подчеркнуть, что нельзя измерить разность электрических потенциалов точек, расположенных в различных фазах. Можно измерить только разность потенциалов точек, лежащих в одной фазе, так как переход заряженной частицы через границу фаз сопровождается работой, равной разности химических потенциалов веществ в двух фазах. Разность электрических потенциалов может быть измерена только между точками, лежащими в одной фазе, потому что при этом разность химических потенциалов равна нулю. Так, разность потенциалов цепи всегда измеряют у двух одинаковых металлических проводников. [c.382]

Эмиссионный электронный микроскоп. В эмиссионном микроскопе изображение объекта создается электронами, испускаемыми поверхностью самого объекта. Эмиссия электронов с поверхности образца инициируется нагреванием последнего (термоэлектронная эмиссия), бомбардировкой поверхности электронами или ионами (вторичная электронная эмиссия) и облучением фотонами (фотоэлектронная эмиссия). Испускаемые поверхностью электроны собирательной линзой (иммерсионным объективом) ускоряются и направляются на экран. Вследствие того что разные участки поверхности объекта имеют различную эмиссионную способность, на экране возникают участки неодинаковой яркости, что и является изображением реальной поверхности. На яркость изображения влияет также и рельеф поверхности. [c.155]

В дальнейшем эти результаты были подтверждены работами по электронной эмиссии и фотоэффекту. [c.637]

Металлический гафний применяется для изготовления стержней ядерных реакторов, регулирующих мощность благодаря большой способности к захвату нейтронов. Из гафния изготовляют также нити и катоды электронных трубок, поскольку он тугоплавок и обладает способностью к высокой электронной эмиссии. Сплавы, содержащие гафний, используются для изготовления турбореактивных двигателей, ракет и спутников. [c.369]

Необходимо иметь в виду, что остатки газов, например в электронных лампах, могут сильно влиять на электронную эмиссию с поверхности катода и на другие параметры прибора. Например, доказано, что у оксидных катодов (см. гл. XI, 2) намного увеличивается работа выхода электронов и понижается электронная эмиссия при отравлении их кислородом, двуокисью углерода и другими газами. [c.172]

Указанные явления свидетельствуют о необходимости проводить исследование геометрических, структурных и энергетических свойств поверхности. Для этих целей применяют интерферометрию, радиографию, рентгенографию, а также методы, в которых определяют поверхностную проводимость и используют явление электронной эмиссии. [c.8]

Хемосорбированные атомы и ионы довольно сильно изменяют некоторые свойства адсорбентов. Особенно сильное изменение претерпевает работа выхода при электронной эмиссии (а следовательно, также и сродство к электрону), которая при этом может как уменьшаться, так и увеличиваться. Изменения работы выхода в свою очередь также оказывают влияние на величину энергии адсорбции. [c.109]

При плазменном напылении применяют главным образом вольфрамовые электроды, марки которых приведены в табл. 2.10. Чистый вольфрам в качестве катода использовать нецелесообразно, так как он обладает сравнительно высоким значением работы выхода, и для получения требуемой электронной эмиссии его необходимо нафевать до высоких температур, что нередко служит причиной его разрушения. Для снижения работы выхода и повышения стойкости катода в последний добавляют активирующие присадки - оксид тория (Т11О2), оксид лантана (ЬаОз) и другие, которые понижают работу выхода до 2,7 -3,3 эВ. Вследствие этого облегчается ионизация атомов указанных присадок, уменьшается температура столба плазменной дуги в прикатодной области, что в конечном счете способствует улучшению зажигания и повышению стабильности горения сжатой дуги. [c.62]

Один из механизмов связан с различной скоростью перехода разноименно заряженных частиц.из одной фазы в другую. Простейший случай образования двойного электрического слоя по такому механизму — испускание электронов поверхностью нагретых металлов (электронная эмиссия). В этом случае сам металл в сколько-нибудь значительном количестве не испаряется, эмиссия же электронов происходит легко, и поверхность металла заряжается положительно. Между поверхностью металла и окружающим ее внешним пространством возникает разность потенциалов. По достижении равновесного состояния распределение частиц в обеих фазах неравномерное положительно заряженный металл притягивает электроны из внешней среды, а они отталкивают электроны металла от его поверхности внутрь. В результате в поверхностном слое металла образуется избыток положительно заряженных ионов, а на поверхности внешнего пространства— избыток электронов. Такое распределение разноименно заряженных частиц и создает двойной электрический слой. [c.165]

Продукты сорбции являются, очевидно, химическими соединениями, хотя и соверщенно необычными. Именно благодаря их необычности они еще не получили полных прав гражданства среди химических соединений. Тот факт, что это действительно химические соединения, был однозначно доказан Лэнгмюром. Он, в частности, показал, что сорбция кислорода при 1600° С снижает электронную эмиссию вольфрама в несколько тысяч раз в то время [c.49]

Релаксационный процесс вторичной электронной эмиссии дает начало методу оже-электронной спектроскопии ОЭС , разработанному Д. Харрисом (США). [c.134]

Металлы — это простые вещества, которым одновременно присущи высокие и изотропные электро- и теплопроводность, электронная эмиссия, ковкость, характерные металлический блеск и звон при ударе, в подавляющем больщинстве высокая плотность и твердость в компактном состоянии и при условиях, близких к нормальным. С химической точки зрения, металлы — восстановители в подавляющем большинстве случаев. [c.319]

Узкий пучок ультразвуковых лучей, излучаемых пьезоэлектрической кварцевой пластинкой, освещает рассматриваемый предмет. Отраженные от предмета ультразвуковые лучи попадают в акустическую собирательную линзу, в фокусе которой установлен приемник, представляющий собой пьезоэлектрическую (например, кварцевую) пластинку. Приемная пластинка является основанием (дном) катодной трубки. Узкий пучок катодных лучей внутри катодной трубки падает на внутреннюю поверхность приемной пластинки и выбивает с ее поверхности вторичные электроны, собираемые на аноде, Под действием зарядов, образованных на внутренней поверхности приемной пластинки в результате облучения ее ультразвуком, вторичная электронная эмиссия с поверхности [c.126]

S Е A i А (США). Растровый электронный микроскоп, работающий при ускоряющих напряжениях до 50 кВ м имеющий предельное разрешение 10 им в режиме вторичной электронной эмиссии. Микроскоп может использоваться вместе с рентгеновским микроанализатором. [c.154]

Поскольку В электронной эмиссии и в равновесиях между соприкасающимися фазами участвуют электроны, находящиеся на высшем энергетическом уровне, то ер соответствует электрохимическому потенциалу электрона в металле при абсолютном нуле [c.281]

Вольта-потенциал может быть обнаружен экспериментально в ряде явлений при ионизации воздуха между металлами радиоактивным излучением при размыкании и замыкании металлов (опыты Вольта) между нагретыми металлами в вакууме, так как при нагревании электронная эмиссия настолько увеличивается, что обусловливает достаточную проводимость между металлами. [c.384]

Элементарные металлы — вещества, построенные из атомов металлических элементов. Характеризуются кристаллическими решетками особого катионо-электронного, или металлического, типа, электронной проводимостью и способностью к электронной эмиссии в твердом и жидком состояниях. В газовом состоянии металлы существуют преимущественно в виде одноатомных молекул. [c.36]

Тлеющий разряд возникает при малых давлениях газа (единицы и десятые доли кПа) и значительных сопротивлениях во внешней цепи. Тлеющий разряд представляет собой совокупность нескольких значительно отличающихся светящихся и темных участков в газовом промежутке (рис. 111.59). Наибольшее падение напряжения наблюдается в зоне 2 (катодном темном пространстве), где имеет место увеличение кинетической энергии электронов за счет электрического поля. Электроны вылетают из катода в результате ударов положительных ионов и быстрых атомов о материал катода (вторичная ионно-электронная эмиссия). Движущиеся к аноду электроны, соударяясь с молекулами и атомами, возбуждают и ионизируют их. Переход из возбужденных состояний в нормальное сопровождается свечением. Тлеющий разряд используется в газосветных лампах, наполненных аргоном, неоном с добавками паров ртути. [c.251]

Автоскан (Ли1о5сап) (ФРГ). Растровый э.пектронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях до 30 кВ при этом достигается предельное разрешение 7 нм в растрово-просвечнваюшем режиме и 10 нм в режиме вторичной электронной эмиссии увеличение от 7 до 240 ООО раз. У микроскопа [c.153]

Барий обладает ценными для электровакуумного производства свойствами увеличивать электронную эмиссию и поглощать газы (О и N2). [c.228]

Фотоумножители. В настоящее время обычно используется другой тип вакуумных фотоэлектрических приемников — фотоумножители. В них совмещены вакуумный фотоэлемент и усилитель, действие которого основано на вторичной электронной эмиссии. Первичные электроны, освобожденные из катода под воздействием света, ускоряются электрическим полем и попадают на металлическую пластинку — эмиттер (рис. 119, а). За счет своей кинетической энергии они вырывают с поверхности эмиттера вторичные электроны. При этом каж- [c.188]

Электронная эмиссия. Электроны проводимости в металле обладают высокой подвижностью, однако за границу раздела металл — вакуум (или другая сложная среда) они не могут проникнуть. Граница раздела создается положительно заряженными остовами атомов, и для преодоления ее электро- [c.264]

Электронная эмиссия. Электроны проводимости в металле обладают высокой подвижностью, однако за границу раздела металл—вакуум (или другая сложная среда) они не могут проникнуть. Граница раздела создается положительно заряженными остовами атомов, и для преодоления ее электрону необходимо получить дополнительную энергию за счет флуктуаций тепловой энергии или за счет поглощения лучистой энергии, или при столкновении о поверхностью металла частиц с высокой энергией. Эта дополнительная энергия носит название работы выхода электронов <Ра, а процесс выхода электронов называют эмиссией. Энергетическая диаграмма выхода электрона на поверхность раздела металла при-ведена на рис. 122. [c.238]

Для создания электронных пучков используют специальные электронные пушки с катодами в виде проволочной петли из вольфрама или сплава вольфрама с рением [14]. Плотность тока термоэлектронной эмиссии достигает 5 А/см2. В. игольчатых катодах к вершине петли прикрепляют иглу с радиусом кривизны менее 1 мкм, с поверхности которой в полях напряженностью 10 -10 В/см в результате электронной эмиссии плотность тока возрастает до 10 Л/рм2. В технологических установ1 ах с интенсивными (сильноточными) электронными потоками находят применение плазменные эмиттеры на основе тлеющих и дуговых разрядов [15]. В этих эмиттерах площадь и форма эмиссионной границы определяется свойствами плазмы и условиями токоотбо- [c.102]

Здесь имеются в виду методы, которые основываются на явлениях фотоэффекта, получаемого при использовании монохроматического электромагнитного излучения, и вторичной электронной эмиссии. Собственно фотоэлектронной спектроскопией (ФЭС) называют метод, в котором вещество облучают в вакуумной УФ области электромагнитного спектра. Приоритет открытия явления эмиссии фотоэлектронов в газах под действием УФ облучения, положившего начало развитию метода ФЭС, принадлежит Ф. И. Вилесову (СССР). В рентгеноэлектронной спектроскопии (РЭС, или ЭСХА, что означает электронная спектроскопия для химического анализа) используют монохроматическое рентгеновское излучение. Создателем этого метода применительно к изучению поверхности твердых тел является шведский ученый К. Зигбан. Для возбуждения эмисии электропов может использоваться также электронный пучок, тогда говорят о методе индуцированной электронной эмиссии спектроскопии . [c.134]

Экспериментальное пусковое напряжение отрицательной короны изменяется в широком диапазоне, но значительно ниже значений, рассчитанных по уравнению (Х.7). Неустойчивый характер этой короны объясняется Робиншном наличием загрязнений и дефектов поверхности катода, которые влияют на электронную эмиссию. Отрицательная корона, как можно видеть из характеристик на рис. Х-28 и Х-29, обеспечивает более высокие максимальные значения перекрывающих потенциалов и более высокие критические давления (плотности). [c.496]

Электронная эмиссия была доказана и при других химических реакциях. На основании этого предложена модель поверхности металлов. Она состоит из двойного электрического слоя с внешним отрицательным и внутренним положительным зарядами. Ч< ез этот слой для выхода на поверхность должны диффундировать внvтpeн- [c.127]

Как уже было отмечено в разделе V, работа выхода металла, характеризующая энергию, необходимую для удаления из него электрона, в то же время сродство этого металла к электрону во многих случаях оказывает значительное влияние на величину теплоты хемосорбции. Истинная величина работы выхода различна для разных кристаллографических граней металла. Это положите качественно весьма эффектно демонстрируется эмиссионными изображениями, получаемыми нри помощи мюллеровского электронного проектора. В 1937 г. Мюллер [210], изучая автоэлектронную эмиссию с вольфрамового монокристал-лического острия, наблюдал, что грань 110 обладает наиболее слабой эмиссией электронов. Эмиссия с грани 211 была сильнее, далее следовала грань 100 и, наконец, наиболее сильной эмиссией обладала грань 111 . В настоящее время еще ие решен вопрос о том, действ нтельно ли эти кристаллические грани существуют на поверхности острия н.чи нет [211а, б, 212] Воз- [c.122]

Теплота хемосорбции зависит также от ориентации поверхности. Качественно эта закономерность вполне опчетливо демонстрируется полученными в эмиссионном микроскопе изображениями металлов, на поверхности которы.ч адсорбированы различные атомы. На эмиссионном изображении отчетливо видны различные ориентации кристаллитов металлического образца. Благодаря этому можно показать, что электронная эмиссия зависит от степени покрытия поверхности адсорбированными ато-jviaMH, которая в свою очередь определяется ориентацией поверхностного слоя металла и температурой [219—221]. [c.124]

И-500 (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам имеет увсличе 1ие от 100 до 800 000 раз, работает при ускоряющем напряжении до 125 кВ. У микроскопа имеются приставки для охлаждения и нагревания до 800°С. Вместе с приставкой HSE-2 микроскоп мокнет работать и как сканирующий, при этом достигается разрешение в режиме растрового просвечивания 3 нм и режиме вторичной электронной эмиссии 7 нм. При использовании микроскопа совместно с многими рентгеновскими спектрометрами можно проводить микроанализ. [c.147]

JEM-IOO (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ. Дает возможность получать микродифракцию с участка размером до 20 нм. Вместе с приставкой ASID-4D может работать и как сканирующий, при этом достигается более высокое разрешение, чем у предыдущего микроскопа в растрово-просвечивающем режиме 0,15 нм и в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм. [c.147]

Stereos an 180 (Англия). Растровый электронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях ло 60 кВ, при этом достигается предельное разрешение 7 нм в растрово-просвечивающем режиме и 10 нм в режиме вторичной электронной эмиссии. У микроскопа имеются приставки для нагревания до 400°С и деформации образца. Микроскоп может использоваться вместе со спектрометром. [c.154]

HFS-2 (Япония). Растровый электронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях до 25 кВ,. при этом достигаются следующие предельные разрешения и максимальные увеличения в растрово-просвечивающем режиме 3 нм и 500 000 раз в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм и 250 000 раз. Сканирующий электронный микроскоп используется вместе с рентгеновским микроанзлизатором и имеет предельное разрешение 7 нм и максимальное увеличение 200 ООО раз. [c.154]

RSEM (Голландия). Растровый электронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях до 50 кВ, при этом достигается предельное разрешение 10 нм как при растрово-просвечивающем режиме, так и в режиме электронной эмиссии. Микроскоп имеет телевизионное изображение и может использоваться совместно с рентгеновским микроанализатором. [c.154]

Барий довольно широко распространен в природе, составляя 0,05 вес. % в земной коре. В природе встречается в виде солей, главным образом, витерита ВаСОз и барита ВаЗОд. Плотность бария 3,75 г/сл , температура плавления 704° С, температура кипения 1540° С. На способности бария энергично реагировать с кислородом и азотом основано главное его применение в качестве гетера в производстве электровакуумных приборов. Так как барий является средством увеличения электронной эмиссии, то наряду с другими гетерами предпочтение в производстве электронных приборов отдается барию. [c.323]

Химия (1986) -- [ c.264 ]

Химия (1979) -- [ c.238 ]

Кристаллохимия (1971) -- [ c.205 ]

Механохимия высокомолекулярных соединений Издание третье (1978) -- [ c.67 , c.226 , c.227 , c.356 ]

Катализ в неорганической и органической химии книга вторая (1949) -- [ c.248 , c.251 ]

Свойства редких элементов (1953) -- [ c.321 ]

Химия (1975) -- [ c.218 ]

Механохимия высокомолекулярных соединений (1971) -- [ c.9 , c.11 , c.15 , c.47 , c.168 , c.235 , c.294 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология