Плоскость кристаллической решетки

Рис. 5.4. Схема возникновения эффекта гашения рассеянной кристаллом волны I — падающий луч 2 и Л — отраженные лучи 4 —отражающие плоскости кристаллической решетки

Линейные дефекты, или дислокации, возникают в местах обрыва плоскостей кристаллической решетки и закручивания этих плоскостей, а также при последовательном соединении точечных дефектов в виде цепочек. [c.178]

Рис. 67. Интерференция волн, рассеянных под углом 6 от двух атомов, находящихся в соседних плоскостях кристаллической решетки а — фронт падающей волны 6 — фронт рассеянной волны

Рис. 70. Интерференция волн, рассеянных под углом 0 от двух атомов, находящихся в соседних плоскостях кристаллической решетки

Теперь рассмотрим две волны, отраженные от атомов, находящихся в двух соседних плоскостях кристаллической решетки. Как видно из рис. 70, волна, рассеянная атомом нижней плоскости, у [c.183]

При прохождении через решетку кристалла рентгеновские лучи неравномерно рассеиваются и интерферируют между собой, усиливаясь или ослабляясь. Максимумы интерференции лучей отраженных от определенного семейства параллельно расположенных плоскостей кристаллической решетки, выражаются уравнением Вульфа—Брегга [c.60]

При внешних воздействиях на кристалл, превосходящих предел прочности на сдвиг и сжатие, он раскалывается на две части и более. Наименьшие усилия для разрушения необходимы по плоскостям спайности, при больших усилиях возможны раскалывания и по другим плоскостям кристаллической решетки, особенно если эти плоскости имеют различного рода дефекты. [c.254]

Взаимодействуя с углеродом, многие элементы периодической системы образуют карб> ды. Эти соединения представляют самостоятельный интерес, так как обладают рядом ценных свойств тугоплавкостью, прочностью, высоким модулем упругости и др. Однако они могут образовываться и при работе графита в контакте с деталями из других материалов, ограничивая его применение в этих условиях. Особенностью химического поведения графита, связанное сего кристаллической структурой, является образование слоистых соединений. Атомы или молекулы некоторых веществ могут внедряться между базисными плоскостями кристаллической решетки графита, что сопровождается увеличением геометрических размеров кристаллитов в направлении оси с за счет раздвигания базисных плоскостей. [c.117]

Длина вектора h(hkl) равна обратной величине расстояния между соседними параллельными плоскостями кристаллической решетки. [c.116]

Детальное исследование участков структуры А и В при еще большем увеличении, когда удается разрешить отдельные атомные плоскости кристаллической решетки (рис. 2.7а, б), позволило прийти к заключению, что границы зерен представляют собой периодические, ступенчатые образования из фасеток, параллельных (100). Каждая фасетка содержала около 4-5 атомных слоев, принадлежащих плоскости (111). Плотность фасеток была весьма высокой и составила примерно 10 м . На изображениях атомных плоскостей вблизи границ зерен часто наблюдается существенное искажение или искривление кристаллической решетки. Некого- [c.67]

При регистрации на фотопленке дифракционная картина рентгеновского излучения на монокристалле состоит из серий регулярно расположенных пятен, позиции которых зависят от размера элементарной ячейки и ориентации кристалла. Брэгг в 1913 году показал, что угловое распределение таких максимумов рассеяния можно рассчитать исходя из того, что процесс дифракции подчиняется законам геометрического отражения на серии плоскостей кристаллической решетки (рис. 11.2-5). В этих условиях максимумы интерференции будут наблюдаться только в том случае, когда параллельные дифрагированные волны (1, 2, 3 и т. д.) имеют разницу в пути с ближайшими соседями в Л(2тг). Условие Брэгга [c.396]

Как определяют индексы Миллера hkl для плоскости кристаллической решетки Нарисуйте первые от начала координат плоскости решетки 110, 120 и 010 для двумерной проекции ромбической элементарной ячейки с параметрами а = 10 A, [c.414]

Рис. 9.6. Параметры кристаллографических ячеек (а) и системы плоскостей кристаллической решетки целлюлозы в проекции на плоскость аЬ ячейки (б). В скобках приведены принятые в кристаллографии обозначения плоскостей

Для этой цели необходимо прежде всего рассмотреть вопрос, как будут отражаться рентгеновские лучи от плоскостей кристаллической решетки, если в последней имеется несколько типов атомов и, следовательно, они не располагаются в узлах решетки. [c.113]

Рентгенография дает прямую информацию о расположении атомов в молекулах и кристаллах. Рентгеновские лучи, т. е. электромагнитные волны с длиной порядка 0,1 нм, рассеиваются иа электронных оболочках атомов. Интерференция волн, рассеянных веществом, приводит к возникновению дифракционной картины. При рассеянии иа кристалле можно рассматривать дифракцию как отражение рентгеновских лучей плоскостями кристаллической решетки (рис. 5.1). Дифракция наблюдается, если рассеянные волны находятся в фазе, т. е. разность хода равна целому числу п волн. Если расстояние между кристаллическими плоскостями равно (1, то условие дифракции (отражения) дается формулой Брэгга — Вульфа [c.130]

В данной книге приняты обозначения кристаллических осей а, Ьн с, как они используются обычно в литературе. В последние годы продольную ось иногда стали обозначать с и возникли разногласия в использовании обозначений а и Ь [52, 172]. Следует заметить, что изменение в обозначении кристаллических осей влечет за собой и изменение индексов плоскостей кристаллической решетки. Главные плоскости кристаллической ячейки целлюлозы показаны на рис. 4.15. Эти плоскости на рентгенограммах или электронных дифрактограммах отражаются в виде пиков различной интенсивности (рис. 4.16). [c.69]

Рис. 4.15. Основные плоскости кристаллической решетки в ячейке целлюлозы I

Наибольшее влияние на габитус кристаллов оказывает температура синтеза. При прочих равных условиях тонкие прозрачные для электронного пучка волокна синтетического муллита получаются только при низких температурах. С увеличением температуры толщина кристаллов возрастает, а степень волокнистости уменьшается. Анализ точечных электронограмм муллита показал, что они соответствуют в большинстве случаев плоскостям (110), (010) обратной решетки и, следовательно, отвечают плоскостям кристаллической решетки с теми же индексами (для ромбической сингонии индексы соответствующих плоскостей прямой и обратной решетки имеют с точностью до постоянного множителя одинаковые значения). Расчет точечных электронограмм дает следующие значения параметров а = 0,754 нм и с = 0,2982 нм, что характерно для муллита. Дифракционные картины муллита содержат запрещенные рефлексы. На рис. 51, г представлено сечение (ЛО/) обратной решетки муллита. Для этого сечения характерны четкие отражения 002, 200, 400 и т. д. Наблюдаются запрещенные диффузные рефлексы. На точечных электронограммах, отображающих сечения (ПО) обратной решетки муллита, запрещенные рефлексы расположены в центре прямоугольника, образованного рефлексами 00/ и кШ. Электронно-микроскопическое исследование показывает, что независимо от физико-химических условий синтеза иглы муллита являются монокристаллами с осью роста С. 154 [c.154]

Таблица 9. Зависимость энергии взаимодействия кдж/моль) одноатомной молекулы от взаимного расположения атомов на базисной плоскости кристаллической решетки графита

Все металлы с понижением температуры упрочняются, их предел текучести и предел прочности возрастают. Действие температуры сказывается в том, что с ее понижением тепловые колебания атомов уменьшаются и это затрудняет относительное перемещение одной атомной плоскости кристаллической решетки относительно другой. Зависимости предела текучести и прочности от температуры показаны на рис. 99. [c.188]

Известно, что при кристаллизации из жидкого состояния кристаллическая решетка металлов не отвечает идеально упорядоченному состоянию (обнаруживается ряд дефектов). Такими являются узлы решетки, не занятые ионами (дырки), искривлеиие плоскостей кристаллической решетки (дислокации) и т. д. Длительное нагревание металла упорядочивает решетку кристаллов [c.107]

И-500 (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам имеет увсличе 1ие от 100 до 800 000 раз, работает при ускоряющем напряжении до 125 кВ. У микроскопа имеются приставки для охлаждения и нагревания до 800°С. Вместе с приставкой HSE-2 микроскоп мокнет работать и как сканирующий, при этом достигается разрешение в режиме растрового просвечивания 3 нм и режиме вторичной электронной эмиссии 7 нм. При использовании микроскопа совместно с многими рентгеновскими спектрометрами можно проводить микроанализ. [c.147]

JEM-IOO (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ. Дает возможность получать микродифракцию с участка размером до 20 нм. Вместе с приставкой ASID-4D может работать и как сканирующий, при этом достигается более высокое разрешение, чем у предыдущего микроскопа в растрово-просвечивающем режиме 0,15 нм и в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм. [c.147]

Эльмископ 1202 (ФРГ), Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,2 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ, имеет увеличение от 200 до SOOOQx. Приставки к микроскопу для просвечивающей растровой микроскопии, стереустройство, устройство для нагревания, охлаждения и растяжения объекта и др. [c.148]

Теперь рассмотрим две волны, отраженные от атомов, находящихся в двух соседних плоскостях кристаллической решетки. Как видно из рис. 67, волна, рассеянная атомом нижней плоскости к моменту формирования фронта волны, пройдет дополнительное расстояние 2iisin9, т. е. между волнами, рассеянными атомами разных плоскостей, будет существовать разность хода и тем самым смещение по фазе. В общем случае, поскольку рассеяние происходит от большого числа плоскостей, это приведет к взаимному гашению волн, и отражение наблюдаться не будет. Однако если эта разность хода окажется кратной длине волны рентгеновского излучения, то волны, рассеянные атомами разных плоскостей, будут отставать друг от друга на целое [c.161]

В общем случае у Ф и, поскольку процесс электропереноса компонентов сопровождается общим переносом вещества сплава (перемещение плоскостей кристаллической решетки в сторону анода или катода). Подобное явление наблюдается и при диффузии в негомогенных сплавах (эффект Киркендолла). Поэтому величину V нужно рассчитывать по следующей формуле [c.205]

МОЖНО получить путем сравнения с дифракционной картиной эталонного вещества, например Ь1р или Т1С1з, для которого известно расстояние между плоскостями кристаллической решетки. [c.136]

Относительные фазовые углы фhkl для атомов в элементарной ячейке можно определить с использованием уравнения Брэгга (ур. 11.2-1), что иллюстрируется брэгговским отражением 120 на рис. 11.2-7. Пространственные координаты Xj, yj и для уто атома выражаются долями параметров элементарной ячейки а, Ь и с. Для атомов в соседних плоскостях кристаллической решетки (О и А на рис. 11.2-7) максимумы интерференции возможны, когда дифрагировавшие волны (1 и 2 в нашем случае) после брэгговского отражения характеризуются разностью (< 120)1 равной 2тг. При рассмотрении рис. 11.2-7 становится видно, что атомы В и С, которые отстоят от плоскости, проходящей через начало координат, на плоскости 2 и 3 соответственно, вызывают соответствующие им фазовые сдвиги 4тг и бтг. Для общего случая атома j с координатами Xj, и фазовый угол по отношению к началу координат (0,0,0) будет выражаться следующим уравнением [c.398]

Для автоматического индексирования плоскостей кристаллической решетки применяют компьютерные программы, что позволяет определять параметры элементарной ячейки (с точностью до 0,001 А и выше) и плотности, если известна химическая формула вещества. Для твердых растворов значения параметров элементарной ячейки линейно меняются в зависимости от атомных процентных содержаний компонентов, например в кубической системе u-Au величина а возрастает от 3,608 А для чистой меди до 4,070 А для чистого золота. Измерения межплоскостных расстояний решетки для высоких углов брэгговского отражения приведут, следовательно, к определению состава сплава. Изменения в значениях dhki при изменении температуры или внешнего давления позволяют соответственно определять коэффициенты термического рас- [c.403]

Основной закон, которому подчиняется геометрия дифракционного изображения, установлен английскими физиками — отцом и сыном Брэггами и русским кристаллографом Г. В. Вульфом. Оказывается, направлению, в котором все волны усиливают друг друга, соответствует простой и наглядный смысл сильный луч как бы отразился от плоскости, проходящей через узлы решетки. Все узловые плоскости кристаллической решетки выступают параллельными семействами. Каждому такому семейству соответствует определенное межплоскостное расстояние, обозначаемое обычно буквой d. Отражение луча от системы плоскостей происходит не при любом угле падения, а только в том случае, когда длина волны излучения Я, угол отражения 0 и межплоскостное расстояние связаны формулой [c.353]

Явление дифракции рентгеновских лучей на кристаллических решетках открыл в 1912 г. Лауз. Затем, независимо друг от друга, русский ученый Вульф и английский физик Брегг вывели основной закон рентгенографии, использовав аналогию с законом зеркального отражения световых лучей. Отраженные от параллельных плоскостей кристаллической решетки лучи интерферируют в том случае, когда система находится в отражающем положении , т.е. лучи совпадают по фазе. Для этого разность хода падающего и отраженного лучей в соответствии с законом Вульфа - Брегга должна быть равна целому числу волн [c.145]

Второй метод определения размеров кристаллитов - метод малоугловой дифракции рентгеновских лучей, когда углы 0 составляют примерно 1... 2°. В этом случае возникают интерференции дальних порядков, то есть лучей, отражающихся не плоскостями кристаллической решетки, а целыми кристаллитами. Однако результаты измерений не всегда можно однозначно интерпретировать, поскольку малоугловое рассеяние рентгеновских лучей целлюлозой представляет суммарный эффект рассеяния от пустот в волокне и участков с различной плотностью. Методики исследования и расщифровки рентгенограмм нуждаются в уточнении и совершенствовании. [c.242]

Материалы, подвергаемые помолу, можно условно разбить на 3 группы, характерные для каталитических производств. Первая группа — материалы, состояш,ие из крупных монокристаллов и кристаллических сростков. Разрушения при измельчении происходят в основном в местах сраш,ивания кристаллов или по плоскостям кристаллической решетки. Помол таких материалов целесообразно проводить на барабанных шаровых, вибрационных или роликовых мельницах, а для тонкого помола использовать струйные мельницы. [c.212]

Из приведенных в табл. VIII,4 и VIII,5 результатов следует, что суммирование вкладов отдельных плоскостей кристаллической решетки может быть заменено суммированием вкладов только нескольких первых плоскостей и интегрированием по остальному объему решетки. Отсюда вытекает, что значения обобш енноп -функции Римана можно с удовлетворительной точностью рассчитать по фор- [c.275]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология