Термическая электронная эмиссия

У самостоятельных дуг эта эмиссия поддерживается тепловыделением самой дуги, у несамостоятельных — специальным его нагревом. Проводимость газового канала самостоятельных (термических) дуг обусловливается термической ионизацией газа, причем температуры электронов, ионов и нейтральных частиц в канале приблизительно одинаковы. Разряды низкого давления с подогреваемым активированным катодом (несамостоятельные дуги) могут, как и в случае тлеющего разряда, иметь температуру электронов, много большую ионной температуры (рис. 23.12—23.15). [c.433]

ТЕРМИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ [c.291]

ТЕРМИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ (продолжение) [c.292]

Методы зондирующего воздействия обычно применяются для изучения поверхностей металлов. Здесь получены наиболее достоверные качественные и в значительной степени количественные результаты. При применении этих методов к химически и термически нестойким и изменчивым в сверхвысоком вакууме поверхностям возникают большие трудности как в проведении опытов, так и в интерпретации результатов. Тем не менее метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии был применен для исследования некоторых из рассмотренных в этой лекции модифицирующих слоев. В частности, использовалось возбуждение образца излучением Ка алюминия (/lv = 1486 эБ) и изучалась эмиссия электронов. Полученный фотоэлектронный спектр состоит из ряда дискретных [c.110]

Дуговой разряд наблюдается при силе тока не менее нескольких ампер. Для этого типа разряда характерно малое, порядка 10 в, катодное падение потенциала и высокая плотность тока. Для горения дугового разряда существенна высокая электронная эмиссия катода, термическая ионизация в плазменном столбе. Спектр дуги обычно содержит линии материала катода. [c.427]

Проведенные исследования показали, что различные виды ионизации масел приводят к различным результатам. Отрицательные ионы, возникающие в масле за счет его электризации при трении о металлические поверхности и за счет эмиссии электронов из металла, защищают молекулы масла от присоединения кислорода. Положительные оны, образующиеся при механической, термической я фотоионизации, а также при ионизации электрическим полем, значительно интенсифицируют процесс окисления и старения масла в объеме. Поэтому, если масло, например, подвергается интенсивному окислению, сопровождающемуся появлением положительных ионов, то значительное ингибирующее действие может быть получено при пропускании через его объем постоянного электрического тока — потока электронов, несущих отрицательный электрический заряд. [c.132]

Это явление характеризуется коэффициентом вторичной эмиссии з, который представляет отношение электронов эмиссии к электронам падающим и поглощенным. Однако вторичная эмиссия является только одним из многих процессов, имеющих место при облучении электронами. Другими следствиями бомбардировки могут быть флуоресценция, изменения в эффективности флуоресценции, электропроводности, химических связях, действии ферментов, термическом расширении и поглощении видимого света, инфракрасного и ультрафиолетового излучения, а также ионизации и образование распределения зарядов в самом кристалле. Облучающие электроны могут отражаться, рассеиваться и терять энергию ( разброс ). Ни один из этих эффектов в данной главе не рассматривается, но в разделе П,2 можно найти сведения об определении сродства к электрону методами торможения электронного луча. [c.692]

Выдвигались предположения о том, что локальные поля, обусловленные шероховатостями поверхности, могут быть на самом деле намного больше, или что эмиссионные константы, используемые в расчетах, относятся к чистым металлам, в то время как поверхность катодов в разряде может быть покрыта какими-либо слоями, увеличивающими эмиссию. Однако в настоящее время нет убедительных доказательств за или против теории автоэлектронной эмиссии. Другое предположение заключается в том, что термическая ионизация раскаленных газов над катодным пятном создает нужные плотности заряженных частиц. Катод притягивает положительные ионы, которые обусловливают ток в области катодного падения. Механизм электронной эмиссии с катода до сих пор неясен. [c.288]

Таким образом, механизм дуги можно представить себе следующим. Из катода в результате высокой степени его разогрева (термоэлектронная эмиссия) или наличия около его поверхности больших напряженностей электрического поля (10 —10 в см — автоэлектронная эмиссия) вырывается поток электронов. Первый случай имеет место для материалов катода с высокой температурой плавления и испарения металла (уголь, графит, вольфрам, молибден), благодаря чему температура на их поверхности может достигать в катодных пятнах значений 2 500—3 000° С и выше, когда начинается заметная термоэлектронная эмиссия. Второй случай соответствует материалам с низкой температурой кипения и испарения (ртуть, титан, медь). В области катодного падения поток электронов разгоняется настолько, что за ее пределами происходит интенсивная ионизация частиц газа в дуговом промежутке, причем здесь, по-видимому, весьма существенна роль ступенчатой ионизации. Образовавшиеся положительные ионы под действием поля направляются к катоду и разогревают его вторичные и первичные электроны направляются через столб дуги в направлении анода. На их пути происходят новые соударения (главным образом термическая ионизация) и образование новых заряженных частиц, что компенсирует их исчезновение в более холодных частях столба путем рекомбинации и диффузии. При попадании на анод отрицательные частицы нейтрализуются, выбивая из него некоторое количество положительных ионов, устремляющихся через столб дуги к катоду. Плазма столба в целом нейтральна, т. е. концентрация положительных и отрицательных частиц одинакова, но из-за того, что подвижность электронов по [c.29]

В этой главе мы хотели возможно более полно показать, как обстоит дело с экспериментальными методами изучения катализа и адсорбции. Поэтому мы по возможности полно рассмотрели почти все методики и приборы, используемые для этих целей в настоящее время. Мы опустили лишь небольшое число специализированных подходов, а именно изучение экзо-электронной эмиссии катализаторов [548—550], применение рентгеновских спектров К-кщя поглощения [551—553] и дифференциальный термический анализ [554—556]. [c.149]

При делокализации дырки из КЛС возникает горячая зонная дырка с энергией -3,5 эВ, значительно превышающей термическую ширину запрещенной зоны. Размен этой энергии идет по двум каналам ударная ионизация, приводящая к размножению зонных дырок и электронов, и эмиссия фононов, приводящая к нагреву образца. После делокализации дырки из КЛС образуется кластер (V,N6,Ag) , что приводит к исчезновению пика плотности состояний в валентной зоне и отщеплению локального уровня от потолка валентной зоны, близкого по своему положению к уровню изолированной катионной вакансии. Появление этого уровня создает условия для повторения рассмотренной выше цепочки процессов, т.е. для продолжения цепной реакции. [c.87]

Кроме того, бомбардируя поверхность ванны, электроны пучка вызывают появление вторичных электронов, а также рентгеновских лучей. Наконец, поверхность расплавленной и перегретой ванны представляет собой мощный источник термической эмиссии электронов. Все эти статьи расхода энергии покрываются в конечном счете за счет энергии попадающих на ванну электронов пучка. [c.255]

Поверхность расплавленной ванны, которая может быть значительно перегрета (на 200—1 000° С) над температурой плавления металла, представляет собой мощный источник термической эмиссии электронов. [c.237]

Мощность, уносимая потоком электронов термической эмиссии, может быть определена из выражения [c.237]

Принципиальная схема ионного источника ЭУ приведена на рис. 2.1. Бомбардирующие электроны образуются в результате термической эмиссии из нагретого до высокой температуры катода (филамент), изготовленного из рениевой или вольфрамовой проволоки. Электроны ускоряются разностью потенциалов (V) между катодом (7) и анодом (2) и попадают в область ионизации. Постоянный магнит 4) коллимирует электронный пучок и ограничивает его в узкой спиральной траектории, что увеличивает вероятность взаимодействия электронов с молекулами исследуемого вещества (М°), которое поступает из системы напуска в парообразном состоянии. Парциальное давление вещества в газообразном состоянии составляет КЬ -КН торр. [c.18]

Так, атом натрия в основном состоянии имеет конфигурацию Is 2 2 2/ 3s . Электрон -орбитали может быть легко возбужден, так что перейдет на Зр-орбиталь. Возвращение возбужденного электрона обратно на 35-орбиталь сопровождается излучением фотона в видимой области спектра. Поэтому при внесении натриевой соли в бесцветное пламя газовой горелки она окрашивается в желтый цвет. Под действием высокой температуры пламени наступает термическая диссоциация соли, возбуждение 35-электрона и эмиссия желтого света (Я = 589 нм) при его возвращении на исходную 35-орбиталь. [c.156]

Рассматривавшиеся до сих пор результаты относятся главным образом к реакциям в основном электронном состоянии. Имеются также некоторые сведения о диссоциации в электронно-возбужденных состояниях. Наблюдение за термической эмиссией электронно-возбужденных молекул ЫОг в процессе диссоциации за ударной волной позволило получить данные о заселенности колебательных уровней электронно-возбужденных молекул N02 [52д]. Установлено, что заселенность колебательных уровней, лежащих вблизи предела диссоциации возбужденного состояния, значительно отличается от той, которая задается больцмановским распределением. Этот эксперименталь- [c.40]

Даже в том случае, когда весь образец пропускается через ионизационную камеру во время съемки масс-спектра, лишь незначительный процент молекул подвергается ионизации, а большая часть пара откачивается насосами неизмененной. Таким образом, чувствительность может быть повышена применением большего ионизирующего электронного тока [ 174]. Другие типы ионных источников, как, например, источник с термической эмиссией, более эффективны, чем источники с бомбардировкой электронами. На них в ряде случаев может быть ионизирована большая часть исследуемого материала так, в случае анализа рубидия на непрерывно откачиваемых приборах для исследования достаточно 10 г образца. При анализе неорганических твердых образцов используется искровой источник [416]. Применение фотопластинки в качестве детектора позволяет понизить уровень обнаружения до 1-10 %, так как пластинку с большой выдержкой можно рассматривать как интегрирующее устройство. [c.190]

Ha рис. 1, а косвенно показано, что электрон-ионный обмен при реагировании в минеральной части экибастузского угля и эмиссия электронов из частиц золы могут быть обусловлены диссоциацией исходных минералов на первой стадии, термическими изменениями структуры кристаллов кварца и образованием небольшого количества муллита на второй. [c.179]

Анализ термически нестабильных, труднолетучих соединений с использованием традиционных методов ионизации (электронный удар, химическая ионизация, ионизация в сильном электрическом поле) неизбежно связан с возможностью разложения образца в процессе его введения в ионный источник. В отдельных случаях разложения можно избежать, переводя анализируемые объекты в более летучие и термически более стабильные производные (дериватизация). Ограничения этого приема очевидны поиски иных способов ионизации привели к созданию методов, основанных на эмиссии ионов из вещества в конденсированном состоянии. Масс-спектры вторичных ионов, получаемые под действием ионных, электронных и атомных пучков, а также лазерного излучения содержат интенсивные пики молекулярных и осколочных ионов. Их совокупность позволяет определять молекулярную массу и структуру исследуемого образца. [c.176]

Среди термически неравновесных процессов, в которых образование ионов происходит под действием излучения, наибольшее распространение получила ионно-ионная эмиссия [250], образование ионов под действием атомных пучков, лазера и пучка электронов высокой энергии. [c.177]

При более высоких температурах важным становится термическое возбуждение электронов в металле, приводящее к увеличению тока эмиссии, поскольку электроны, обладающие большими энергиями, чем уровень Ферми, имеют более низкий барьер, через который они должны туннелировать. При еще более высоких температурах эмиссия осуществляется как за счет туннелирования, так и за счет термического возбуждения, превосходящего барьер. Представляется, что теоретическое описание такого режима находится в неудовлетворительном состоянии [42]. [c.160]

При очень низких кинетических энергиях (меньше 5 эВ) взаимодействие по существу ограничивается самым верхним поверхностным слоем материала мишени. Когда атом инертного газа с такой низкой кинетической энергией падает на атомарно-чистую поверхность металла, то он может либо отразиться от поверхности, либо прийти с ней в термическое равновесие и затем десорбироваться. В этой области энергий состояние описывается с помощью коэффициентов аккомодации, прилипания и передачи импульса. Важную роль- играет потенциальная энергия бомбардирующих частиц (возбужденных атомов или ионов), поскольку она определяет элект-ронны е переходы, которые могут привести к эмиссии вторичных электронов или, в случае сложных материалов или наличия примесей, адсорбированных на поверхности,— к разрыву или восстановлению химических связей. Это вызывает десорбцию, химические реакции, полимеризацию и т. д. К аналогичным эффектам приводят электронное облучение или освещение. [c.353]

Тон юий слой металла, который обычно используется для соз-дамия электрической и термической проводимости у изоляторов, является также источником общей массы вторичных электронов. Слой металла, например золота толщиной 10 нм, конечно, повышал бы коэффициент вторичной электронной эмиссии б для органического о р>азца., исследуемого при низком ускоряющем напряжении, НО мог бы сильно снижать б для керамики, содержащей значительное количество оюислов щелочноземельных элементов. [c.181]

Отмеченные изменения кривизны определяют и вид электронного изображения, приведенного на рис. 58. Высоковольтная десорбция выравнивает 110 и окружающие области. Неэмиттн-рующий центр эмиссионного снимка имеет большие размеры, чем обычно в случае термически обработанного эмиттера. Последний стремится к такой конфигурации, при которой грани с низкими индексами оказываются плоскими, сводя к минимуму полную свободную энергию поверхности. В случае же острия, подвергнз- того высоковольтной обработке, плоскости 211 участвуют в образовании острых ребер. Вследствие этого усиливается электронная эмиссия и рассматриваемые поверхности становятся менее четкими, чем на снимках с термически обработанных объектов, где грани 211 являются плоскими. Подобные характеристики служат удобными показателями формы, а также чистоты поверхности, полученной в результате высоковольтной десорбции при этом нет необходимости наблюдать ионное изображение. [c.217]

Таннер [433] и Поуэл и Брейта [327] связывают активность контактных катализаторов с эмиссией электронов или наличием потоков ионов. Таннер предполагает, что на электронную эмиссию действуют те же термические усло ВИЯ, которые определяют каталитическую активность. Питч [321] проблему каталитической активности твердых веществ, применяемых в качестве катализаторов, рассматривает в связи с активными центрами, имеющими специальные свободные электронные связи, которые могут вызывать преимущественно энергетическое действие. Это энергетическое воздействие подтверждается тем, что свободная электронная связь характерна для промежуточных ступеней каталитической активности. [c.251]

Таким образом, если использование электронной эмиссии твердых частиц угля и однокомпонентных химических соединений с малой работой выхода электронов из кристаллов не может служить практическим средством повышения проводимости в термически ионизированной равновесной коллоидной плазме, то использование многостадийного твердофазного реагирования с образующимися высокодисперсными субмнкроскопическими новообразованиями приводит к сдвигу ионизационного равновесия, который может быть использован в МГД-генераторе открытого цикла. [c.169]

Основанием дуги на поверхности катода является так называемое катодное пятно, являющееся источником эмиссии первичных электронов. Плотность тока в катодном пятне определяется суммарной электронной эмиссией катодного пятна, причем в разных условиях может преобладать либо термическая, либо автоэлек-тронная эмиссия. [c.239]

Сцинтилляционные счетчики работают практически безынерционно и их разрешающее время ограничено длительностью высвечивания. Поэтому такие счетчики могут регистрировать импульсы, следующие один за другим через такие малые промежутки времени, как 10 —10 сек. Это, в частности, позволяет изучать такие быстрые явления, как время жизни и превращения мезонов, позитронов и др., или стадии сложного радиоактивного распада, протекающего быстро следующими одна за другой ступенями. Серьезным осложнением в работе с сцинтилляционными счетчиками является большой фон, создаваемый не только космическими лучами или радиоактивными загрязнениями, как в счетчике Гейгера — Мюллера, но и эмиссией термических электронов с катода. Это затруднение может быть, однако, устранено применением избирательных счетных схем. [c.229]

Ионизация металлов под действием рентгеновского, ультрафиолетового и даже видимого излучения была установлена в связи с изучением т К называемой экзоэлектронной эмиссии . Эта. эмиссия наблюдается обычно при комнатной или несколько повышенной температуре с поверхностей сильно нарушенных кристаллов с большим количеством дефектов и измеряется счетчиком Гейгера. При объяснении этого явления предполагается, что механическая обработка или облучение приводит к образованию на шоверхности металла дополнительных уровней дефектов с пониженной. работой выхода, так что для выброса электронов достаточна термическая энергия уже при комнатной температуре. [c.157]

На электронно-эмиссионной фотографии вольфрамового острия после испарения при низких температурах (рис. 58) преобладают обширные неэмиттирующие плоскости (ПО). Эмиссия исходит главным образом от плоскостей с более высокими индексами, окружающих 100 и в гораздо мепьшей степени — от треугольных 111 , Области 100 , так же как 211 , очерчены очень плохо. Это не соответствует обычным термически обработанным эмиттерам, на снимках которых области 100 и 211 проявляются как четкие и выделяющиеся области слабой эмиссии. [c.216]

Действие катализатора может сводиться к снятию ограничений с передачи энергии путем создания пертурбаций между системами, сравнительно изолированными в других условиях. Ионы считаются наиболее эффективными в этом отношении. Брюер [72] сделал попытку связать образование ионов с катализом ловерхцостью. Согласно взглядам Бревера, адсорбированные ионы газа, которые он называет адионы , обнаруживаются измерением работы выхода электронов и увеличением положительного термического тока. Отрывающийся от проводящей поверхности ион или электрон производит работу, преодолевая электростатическое притяжение. Присутствие аднонов уменьшает работу выхода электронов, противодействуя полю притяжения. Экспериментальные результаты, полученные из измерений увеличения фотоэлектрической эмиссии, показывают, что работа выхода в различных точках поверхности разная, и поле около адиона приблизительно равно десяти радиусам иона. [c.251]

Чаще всего имеют дело с дугами с раскаленным катодом, температура которого составляет несколько тысяч градусов. Наиболее нагретой частью катода является катодное пятно. Усиленное испускание электронов (термоэлектронов) катодом есть одно из условий существования электрической дуги. Однако существуют дуги и с холодными электродами (например, ртутная дуга). Дуговой разряд в этом случае поддерживается автоэлект-ронной эмиссией катода, обусловленной туннельным прохождением электронов сквозь потенциальный барьер, образованный двойным электрическим слоем на поверхности катода. Не исключена также возможность,, что источником Эотектрических зарядов в дуге с холодными электродами, горящей при высоких давлениях, служит термическая ионизация нагретого газа около катода. [c.444]

В начале главы I была показана связь между атомной эмиссией, абсорбцией и флуоресценцией. Явление атомной флуоресценции было исследовано Вудом еще в начале нашего века, а Вайнфорднер [125] первым использовал его для химического анализа. Свет от интенсивного источника резонансного излучения исследуемого элемента фокусируется в пламени. Пучок флуоресцентного излучения наблюдают под углом 90° к направлению пучка света от источника и пропускают через монохроматор к фотоприемнику. Теоретически этот сигнал пропорционален концентрации атомов элемента в пламени. Чтобы отличить сигнал флуоресценции от излучения той же длины волны, вызванного термическим возбуждением атомов в пламени, свет источника модулируется, и электронная схема детектора настраивается на частоту модуляции. Необходимо также отличать сигнал флуоресценции от света, который рассеивается пламенем. В некоторых случаях это осуществляется путем освещения пламени светом такой длины волны, которая возбуждает атомы до более высокого энергетического уровня, и наблюдением флуоресценции на другой длине волны, излучаемой возбужденными атомами при переходе на метастабильные уровни. [c.51]

В слаботочных дугах отсутствует сколь-либо значительное гидроди-наМ Ичеокое течение, и ионы движутся от анода к катоду под действием электрического поля. Для поддержания этого постоянного потока ионов, необходимого с точки зрения электрической нейтральности столба дуги, если исключить эмиссию ионов с анода, связанную с его абляцией, должно происходить образование ионов в тонком слое, прилегающем к аноду. В соответствии с данными Хокера и Беза [Л. 8] образование ионов в этом слое может происходить либо за счет ионизации полем, либо за счет термической ионизации. В первом случае падение потенциала в этом слое должно быть равно по крайней мере первому потенциалу возбуждения (полагая ступенчатую ионизацию) газа, образующего атмосферу дуги во втором случае падение напряжения в слое меньше, чем первый потенциал возбуждения. В обоих случаях для получения ионов необходима затрата определенной энергии электрического поля. Эта энергия поля передается электронам, в результате чего они приобретают способность производить ионы путем столкновения. Однако, так как соотношение между числом электронов и числом ионов, проходящих через произвольное сечение столба дуги, пропорционально отношению скорости дрейфа, то только незначительная доля электронов (менее 1%) участвует в процессе ионизации. Большая часть электронов проходит через прианодный слой, не отдавая тяжелым частицам вновь полученную энергию. Таким образом, в слаботочных дугах практически энергия поля прианодного слоя передается аноду путем соударения электронов. Согласно Хокеру и Безу [Л. 8] толщина прианодного слоя, образованного отрицательным пространственным зарядом, имеет порядок величины одного свободного пробега электронов (от одного до нескольких микрон). Это значение толщины хорошо согласуется с величиной, измеренной Блоком и Финкельнбургом [Л. 9] с помощью зонда согласно их измерениям толщина слоя равна 2 мк. Непосредственно я 115 [c.115]

Сущность метода заключается в том, что полупроводник подвергают воздействию соответствующего возбуждения при низкой температуре, часто при температуре жидкого азота, а затем медленно нагревают в темноте с постоянной скоростью, наблюдая происходящую при этом эмиссию света и изменения проводимости. Освещение при низкой температуре приводит к образованию электронов и дырок соответственно в зоне проводимости и в валентной зоне, причем заселенность примесных уровней зависит от сечения захвата уровня и кинетики рекомбинации во время процесса освещения. При выключении освещения свободные электроны и дырки либо рекомбинируют, либо захватываются, что приводит к замораживанию неравновесного распределения захваченных электронов. При медленном и равномернолг повышении температуры электроны термически освобождаются, так что наблюдается скачкообразное увеличение электропроводности, определяемое числом захваченных носителей тока [c.306]

Число образованных при этом ионов всегда очень мало по сравнению с числом прореагировавших молекул. Вопрос о роли этого явления в механизме химических процессов остается пока открытым. Комптон и Лэнгмюр пришли к выводу, что эмиссия электронов при действии таких газов, как H S, H l, СО , НгО, СОС , S l,, О,, lj и ВГг, на электроположительные металлы, как например натрий, калий и амальгамированный алюминий, является отчасти термоионной, а отчасти фотоэлектрической, связанной с явлениями хемилюминесценции. Однако наблюдалось много других случаев эмиссии ионов и электронов, где образование электронов следует повидимому отнести за счет испускания их активными молекулами, энергетически способными к такой эмиссии и образующимися в качестве промежуточных продуктов при химической реакции О. В. Ричардсон (Ri hardson) и Линд дали в своих книгах превосходный обзор работ об ионизации яри химических процессах. Более позднее исследование Брюйером окисления NO, термического распада NOj, N Og и О3 и окисления NO, посредством Og привело к выводу, что отношение числа образующихся при реакции ионов к числу прореагировавших молекул порядка 10 . [c.53]

П. газового разряд а. При электрич. разряде в газе низкой плотности ионизация производится электронным ударом. При достаточно высоком приложенном напряжении становится возможным размножение электронов по типу цеппой реакции возникает электронная лавина и происходит электрич. пробой газа. Различают электродный и безэлект-родный разряд. В первом большое значение имеют явления на электродах термическая, полевая (автоэлектронная) и вторичная эмиссия электронов. В безэлектродпом высокочастотном разряде концентрация электронов определяется размножением их в электронной лавине и рекомбинацией при тройных столкновениях в объеме и после диффузии на стенки, аналогично концентрации активных центров цепной реакции. [c.21]

Процессы, приводящие к эмиссии положительных и отрицательных ионов.с поверхности твердого тела, можно подразделить на термически равновесные, в которых испарение частиц происходит в результате нагрева эмиттера, и неравновесные, когда ионы эмиттируются с поверхности под действием облучения лазером, ионными, электронными и атомными пучками [243]. [c.176]

Мюллер [154] показал, что микроскоп с аутоэлектронной эмиссией можно модифицировать таким образом, что станет возможным измерение Ф для отдельных плоскостей кончика эмиттера. Он отметил, что измерения освещенности экрана приводят к ошибке и что необходимо выделить и измерить действительный эмиссионный ток, идущий с данной части острия. Измеряемый эмиссионный ток приходит с площади диаметром порядка 100 А. В табл. 2 представлены данные Мюллера, приведенные к абсолютной шкале, основанной на усредненной величине термоионной работы выхода электрона для вольфрама 4,50 эв. Интервалы величин, найденные для плоскостей (ПО) и (112), соответствуют разным режимам температурного отжига острия. Соблазнительно [149] приписать эти изменения изменениям шероховатости поверхности или раз-упорядоченности, возникающей на более шероховатых поверхностях, обладающих в соответствии с предсказаниями Смолуховского [135] более низкими значениями работы выхода электрона. Данные ван Оострома, также сведенные в табл. 2, подтверждают эти соображения, поскольку испаряющиеся под влиянием поля поверхности должны быть менее разупорядоченны, чем поверхности, подвергнутые термическому отпуску. Низкие значения, найденные путем термоионной эмиссии для плоскостей (ПО) и (112), также являются показателем увеличения шероховатости этих плоскостей при высоких температурах. Это особенно интересно для плоскости (ПО), которая, будучи сингулярной, может подвергаться общему огрублению при высоких температурах [разд. И, 1(2)]. [c.164]

Кроме названной, ч и-сто термической ду- Катой <. г и, при электродах из некоторых металлов, имеющих низкую температуру кипения, наблюдается так называемая дуга с холодным катодом, в которой необходимая для поддержания разряда эмиссия электронов с катода создается за счет большого градиента электрического поля [5]. [c.371]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология