Поверхность вторичная

Узкий пучок ультразвуковых лучей, излучаемых пьезоэлектрической кварцевой пластинкой, освещает рассматриваемый предмет. Отраженные от предмета ультразвуковые лучи попадают в акустическую собирательную линзу, в фокусе которой установлен приемник, представляющий собой пьезоэлектрическую (например, кварцевую) пластинку. Приемная пластинка является основанием (дном) катодной трубки. Узкий пучок катодных лучей внутри катодной трубки падает на внутреннюю поверхность приемной пластинки и выбивает с ее поверхности вторичные электроны, собираемые на аноде, Под действием зарядов, образованных на внутренней поверхности приемной пластинки в результате облучения ее ультразвуком, вторичная электронная эмиссия с поверхности [c.126]

Рабочая поверхность вторичного излучателя должна быть по возможности большой и располагаться в области наиболее высоких скоростей и температур газов. При этом по отношению к радиационным поверхностям нагрева излучатель должен быть расположен так, чтобы угловой коэффициент имел максимальное значение, т. е. чтобы поверхности нагрева экранов видели возможно большую часть рабочей поверхности излучателя. Очевидно, что для увеличения рабочей поверхности вторичного излучателя предпочтительнее его выполнять не из целого, а из битого огнеупорного кирпича. [c.69]

Вылетающие с поверхности вторичные электроны обладают низкой кинетической энергией, поэтому их следует ускорить потенциалом в несколько сотен вольт. Ускоренные вторичные электроны направляются на детектор (кристалл-сцинтиллятор) и регистрируются. Отраженные электроны, энергия которых близка к энергии первичного пучка, детектируют без ускорения, используя сцинтилляционные или полупроводниковые устройства. [c.333]

Попытка применить метиленовую синь для оценки удельной поверхности вторичной пористой структуры гранулированных цеолитов не дала положительных результатов [33]. Краситель не проникает внутрь гранул, и даже после контакта с цеолитом в течение 200 ч адсорбция ограничивается наружным слоем гранул толщиной 0,1 мм. При измельчении гранул происходит разрушение вторичной пористой структуры. В равной степени была безуспешной попытка определить внешнюю поверхность кристаллов цеолитов по адсорбции красителей из растворов образование устойчивых эмульсий снижает точность эксперимента. [c.54]

Как показывает табл. 3-10, цеолиты без связующего по физическим свойствам близки к обычным цеолитам, но превосходят их по механической прочности. Наличие активной поверхности вторичных нор позволяет значительно увеличить скорость транспорта молекул адсорбата к микропорам. Благодаря этому цеолиты без связующего преимущественно применяются в некоторых технологических процессах, в первую очередь при осушке жидкостей (см. стр. 391), [c.123]

Слоисто-ленточные минералы. Типичными представителями их являются палыгорскит и сепиолит. Первичные поры слоисто-ленточной группы представлены цеолитными каналами 3,7 X 6,4 А и 5,6 X 11,0 А соответственно. В эти каналы проникают молекулы воды, метанола, аммиака, но не углеводородов. Поверхность вторичных пор этих минералов достаточно хорошо развита, в связи с чем адсорбенты активно поглощают высокомолекулярные вещества, в частности, углеводороды. [c.128]

Роль характера поверхности вторичных пор проявляется в кинетических свойствах цеолитов [40]. При осушке масла цеолитами без связующего степень осушки, время защитного действия слоя и динамическая активность значительно возрастают. Повышение температуры увеличивает скорость поглощения воды. Это наглядно видно из рассмотрения выходных кривых нроцесса, представленных на рис. 18,20. [c.391]

Различие в скоростях адсорбции воды цеолитами со связующим и без него связано с разным характером диффузионного потока. В случае, если поверхность вторичных пор образована инертным материалом, скорость транспорта к микропорам, сосредоточенным в кристаллах цеолитов, определяется мало интенсивной объемной диффузией. В цеолитах без связующего ускорение транспорта адсорбата (влаги) обусловлено поверхностной диффузией его молекул по адсорбционно активной гидрофильной поверхности вторичных пор, образованных сростками кристаллов цеолитов. [c.391]

Роль характера поверхности вторичных пор проявляется в кинетических свойствах цеолитов. При осушке масла цеолитами без связующего степень осушки, время защитного действия слоя и динамическая активность значительно возрастают. Повышение температуры увеличивает скорость поглощения воды. [c.404]

Различие в скоростях адсорбции воды цеолитами со связующим и без него связано с разным характером диффузионного потока. В случае если поверхность вторичных пор образована инертным материалом, скорость транспорта к микропорам, сосредоточенным в [c.404]

Следующий метод, применяемый для исследования поверхностных явлений,— это метод вторичной ионно-ионной эмиссии. При бомбардировке поверхности твердого тела первичным пучком положительно заряженных ионов (обычно ионами инертного газа, например, Аг+) происходит эмиссия с поверхности вторичных положительных и отрицательных ионов — вторичная ионно-ионная эмиссия, а также нейтральных и некоторых других частиц [3, 8—11]. Прямое масс-спектрометрическое изучение вторичных ионов, а в ряде случаев дополнительное изучение вторичных нейтральных частиц (с ионизацией их электронным ударом) дает ценную информацию о поверхности твердого тела. [c.49]

Что же касается цеолитов, сформованных со связующим, то вариации в свойствах и размерах поверхности вторичных иор могут вносить дополнительно заметную дисперсию в конечные результаты, поскольку определяемая величина теплоты адсорбции близка к аддитивной величине Q = QnV-a + < в1 в)/(Т п + где индексы п и в относятся к первичной и вторичной пористым структурам. [c.156]

Составы растворов, находящихся в равновесии с одним определенным компонентом, изображаются точками определенной части пространства внутри тетраэдра. Эта часть называется пространством или объемом первичного выделения (или пространством или объемом первичной кристаллизации) определенного компонента. Таких пространств четыре, и они соприкасаются друг с другом по указанным ниже поверхностям вторичных выделений. Если фигуративная точка состава исходного сплава попадет в то или иное пространство первичной кристаллизации, то при охлаждении этого сплава первым начинает выделяться тот компонент, фигуративная точка которого (соответствующая вершина тетраэдра) находится в данном объеме кристаллизации. [c.317]

Часто поверхности вторичной кристаллизации называют поверхностями двойных эвтектик, а линии третичной кристаллизации —. линиями тройных эвтектик, что вряд ли целесообразно (см. гл. ХУП). [c.319]

Если фигуративная точка исходной смеси попадает па поверхность вторичной кристаллизации, то в процессе охлаждения расплавленной смеси первичное выделение отсутствует и затвердевание начинается сразу кристаллизацией двух компонентов. [c.319]

Положение такой поверхности зависит от температуры, и при понижении последней она отходит от фигуративной точки соответствующего компонента, увеличивая, таким образом, пространство неоднородного состояния. При достаточном понижении температуры такие поверхности начнут возникать и около фигуративных точек других компонентов, создавая пространства неоднородных состояний. Само собой разумеется, что эти поверхности пересекаются с гранями тетраэдра по изотермическим сечениям тройных систем, отвечающих соответствующим граням тетраэдра. При понижении температуры они двигаются в тетраэдре, удаляясь от его вершины внутрь его, т. е. навстречу друг другу. Наконец, пара их пересечется в точке, лежащей на ребре тетраэдра и являющейся эвтектикой соответствующей двойной системы. То же будет происходить и с остальными поверхностями все они рано или поздно пересекутся попарно друг с другом. При понижении температуры ниже эвтектической точки соответствующей двойной системы эти поверхности, пересекаясь по две, дают линии, которые образуют поверхности вторичной кристаллизации. Затем следует тройное пересечение в точках тройных эвтектик, и далее эти поверхности, пересекаясь по три, дают точки пересечения, которые образуют линии третичных кристаллизаций. В конце концов все эти поверхности (их всего четыре по числу компонентов системы) уменьшают свои площади до полного исчезновения в точке четверной эвтектики. Аналогичным образом ведут себя изотермы (изотермические линии) в тройных системах. [c.320]

Следует обратить внимание на то, что каждой определенной температуре отвечает вполне определенное положение этих поверхностей, так как они являются изотермическими поверхностями. Обычно отмечают линии и точки пересечения поверхностей вторичных выделений и линий третичных выделений с соответствующими изотермическими поверхностями (отвечающими определенным температурам, которые отстают друг от друга на один и тот же температурный интервал) и получают, таким образом, изотермические линии, которые и дают изотермы на проекциях диаграммы. Эти изотермы не аналогичны изотермическим линиям на проекциях тройных систем последним аналогичны указанные выше изотермические поверхности. [c.320]

При взаимодействии со связующим, сажа, как отмечалюсь выше, может быть центром образования мезофазы в каменноугольном пеке или экранировать образующуюся мезофазу в нефтяном пеке. При критических (предельных) концентрациях сажи, когда связующее целиком располагается на поверхности вторичных агрегатов и в их свободных объемах, его структура и толщина слоя определяются рядом условий, в том числе режимами вальцевания и переработки в шнеке. [c.209]

В некоторых случаях смещение адсорбционного равновесия имеет место в результате происходящих на поверхности вторичных процессов. Одним из них может быть растворение адсорбироБанного вещества в поглотителе, т. е. переход его с поверхности внутрь последнего (абсорбция). Прн этом поверхность освобождается и может адсорбировать новые порции поглощаемого вещества. Именно так, по-видимому, протекает поглощение водорода металлическим палладием. Рассматриваемые в совокупности процессы адсорбции и абсорбции носят общее название сорбции. [c.268]

На рис. 66 показана разработанная под руководством автора потолочная компоновка односопловых инжекционных горелок Ленгипроинжпроекта с кольцевым стабилизатором и горелок ЛНИИ АКХ с устройством на поду топки вторичного излучателя в виде горки из битого шамотного кирпича. Приведенный вариант потолочной компоновки был осуществлен и испытан на котле типа Уни-версал-6 при установке двух горелок ИГК-бОМ Мосгазпроекта. Испытания показали, что при потолочной компоновке горелок на котле, имеющем верхний отвод продуктов горения, обеспечивается хорошее использование объема топочной камеры, свободное развитие факела и эффективная работа вторичного излучателя. Факел, выдаваемый инжекционной горелкой, имеет большую дальнобойность и омывает поверхность вторичного излучателя с достаточной скоростью, обеспечивающей нагрев излучателя до высокой температуры. Поверхность вторичного излучателя обращена к боковым поверхностям нагрева, что обеспечивает повышение передачи тепла излучением. [c.146]

Осушке были подвергнуты отбензиненный на углеадсорбционной установке природный газ и три сырых газа из различных скважин, один из которых содержал 0,3% кислых примесей двуокиси углерода и сероводорода. В цеолитовом адсорбере поглощалось совместно с водой 11 10 раз меньше бензина, чем в адсорбере с окисью алюминия. Бензин, десорбированный из цеолита, имел более высокие границы выкипания на инертной поверхности вторичных пор цеолита NaA происходит концентрирование только высокомолекулярных углеводородов. Цеолит обеспечивал во всех случаях ббльшую глубину осушки при более высокой влагоемкости. Объем осушенного до точки росы (—5 °С) гааа составлял 30 тыс. м /т окиси алюминия п 100 тыс. мз/т цеолита. [c.375]

Несмотря на то, что основным требованием к соединениям, используемым в качестве пластификатора, является их совместимость с полимером, уже давно для модификации свойств полимеров использовались вещества,- несовместимые с эфирами целлюлозы. При этом предполагалось [35], что пластификация полимеров несовместимыми с ними пластификаторами реализуется за счет увеличения рыхлости упаковки макромолекул. Позднее Козлов с сотр. [101, 102] предложил механизм, объясняющий действие плохих пластификаторов. Согласно этому механизму несовместимый пластификатор может взаимодействовать только с молекулами, находящимися на поверхности вторичных структурных образований. При этом межструктурная пластификация осуществляется без сколько-нибудь существенного изменения эластических свойств полимера. Незначительные количества пластификатора оказываются достаточными для обеспечения начального акта распада крупных надмолекулярных структур, что приводит к повышению их тепловой подвижности. Температура стеклования по-. лимера при этом не должна снижаться. По мнению Тагер и сотр. [103], подвижность формирующихся структурных образований связана не с внутренним, а с внешним трением и при межструктур-ной пластификации действуют те же законы, что и при граничной [c.153]

Уменьшение амплитуды в случае песка или цеолитов ЗА и 4А было приписано дополнительной осевой диффузии при инертном наполнителе или взаимодействию с поверхностью вторичных пор цеолитов. Если молекулы бутенов проникают в первичную пористость цеолита, то измеренная высота пика уменьшается в соответствии со скоростью диффузии и адсорбции. Количество бутенов, идущих на измерение, пренебрежимо мало по сравнению с емкостью цеолитов. Доля десорбирующихся в поток газа-носителя молекул бутенов при выбранных условиях опыта остается минимальной, так что можно говорить о необратимой адсорбции. [c.291]

М. Е. Селин, С. Я. Тронин, Е. Д. Богомазов, К. М. Николаев, С. Г. Ченурной (Москва). Работа Шелнера и Броддака свидетельствует об эффективности применения импульсного метода для исследования сорбционных процессов. Однако, на наш взгляд, оценка степени сорби-руемости бутенов по изменению высот пиков допустима только тогда, когда сохраняется постоянство ширины пиков, свидетельствующее о постоянстве условий, вызывающих их размытие. Поскольку ширина пиков не контролировалась, уменьшение высоты пиков могло быть вследствие увеличения обратимой сорбции г ис-бутена-2 на поверхности вторичных пор цеолита. Отсюда следует, что более точная оценка сорбируемости в импульсном режиме будет достигаться при расчетах по площадям пиков (необратимая сорбция). [c.337]

Методы ионной спектроскопии. Применительно к проблемам катализа главное внимание уделялось только двум методам ионной микроскопии вторичной ионнной масс-спектро-метрии (ВИМС) и спектроскопии рассеянных медленных ионов (РМИ). Оба метода основаны на бомбардировке поверхности ионами. В методе ВИМС [60, 61] испускаемые поверхностью вторичные ионы идентифицируются в масс-спектрометре. Метод РМИ заключается в измерении энергии ионов, которые рассеиваются при упругом столкновении с поверхностью [62— 6.5]. [c.161]

Таким образом, широкая линия в спектре ЭПР хинонов, адсорбированных на окиси алюминия, возникает в результате полностью обратимого донорно-акцепторного взаимодействия адсорбированной молекулы с поверхностью, причем хинон играет в этом комплексе роль донора электронов. Для достаточно реакционноспособных хинонов наблюдалось появление в спектре ЭПР узких бесструктурных линий, связанных с образованием стабилизированных поверхностью вторичных продуктов. Возможно, в случае тетрацианэтилена и полинитробензолов анион-радикалы образуются не в результате взаимодействия с донорными центрами поверхности, как предполагалось ранее, а вследствие вторичных реакций и затем стабилизируются поверхностью. [c.234]

Возьмем расплав, состав которого изображается точкой на поверхности ликвидуса иад поверхностью вторичных выделений асЪ, но не на линии e d (см. рис. XIX.13). Иа рис. XIX.15 проекция этой точки обозначена т. Исходный расплав т начинает кристаллизоваться, выделяя тройной твердый раствор X . В процессе первичного выделения фигуративная точка жидкости пройдет путь птЖ, а фигуративная точка твердой фазы — путь жуа,, т. е. в конце этого пути точка жидкости придет на кривую ed (в положение Ж у), а точка твердого раствора — на ветвь ас кривой асд (в ноложение а . В этот момент точка т лежит на конноде так как наша система при [c.240]

Составы растворов, находящихся в равновесии одновременно с двумя твердыми компонентами, изображаются поверхностями, которые называются поверхностями вторичных выделений. При отнятии теплоты из этих растворов кристаллизуются два компонента. В диаграмме имеется шесть поверхностей вторичных выделений поверхность совместной кристаллизации А и В — е ЕуЕЕц-, А и С — е Е ЕЕд, А и В — е ЕуЕЕд, В и С — е Е ЕЕ , Б и В — е Е ЕЕу, С и В — е Е ЕЕ . Таким образом, поверхность вторичного выделения проходит через эвтектическую точку соответствующей двойной системы. Все шесть поверхностей имеют общую точку Е. [c.317]

Точки Еу, Е , ЕдЖ Е — тройные эвтектики в тройных системах А—В—В, В—С—В, А—С—В и А—В—С. Таким образом, линия третичного выделения проходит через тройную эвтектическую точку соответствующей тройной системы. Далее, линия третичного выделения является линией пересечения соответствующих двух поверхностей вторичного выделения. Так, например, поверхность е Е-уЕЕц, вторичного выделения компонентов А и В пересекается с поверхностью е Е ЕЕ вторичного выделения компонентов В и Спо линии 4 третичного выделения компонентов А, В и С. [c.317]

В, С и В, но так как не происходит их выделения, то отношение между их концентрациями остается постоянным. Поэтому фигуративная точка жидкой фазы нашей системы будет двигаться по прямой, соединяющей вершину тетраэдра А с исходной точкой Р, удаляясь от А. Через некоторое время эта фигуративная точка придет на соответствующую поверхность вторичного выделения в точку С. В зависимости от положения исходной точки Р в объеме первичной кристаллизации фигуративная точка жидкой фазы могла бы прийти на одну из следующих трех поверхностей вторичной кристаллизации вуЕуЕЕ , е ЕдЕЕ и е(,ЕуЕЕд. В рассматриваемом случае такой поверхнвстью будет поверхность е Е ЕЕд. [c.318]

Таким образом, наша фигуративная точка находится одновременно на двух новерхностях на поверхности вторичного выделения е ЕуЕЕ и на плоскости, проходяще через ребро тетраэдра АВ и точку С, т. е. на линии их пересечения СН. При дальнегшем охлаждении системы она будет двигаться по этой линии, удаляясь от точки С. В конце концов настанет момент, когда эта фигуративная точка придет в точку Н, лежащую на линии Е Е третичного выделения компонентов А, С, В. Теперь жидкая фаза насыщена этим тремя компонентами. При дальнейшем охлаждении нашей системы будет происходить одновременная кристаллизация всех этих трех веществ, и фигуративная точка жид ОЙ фазы пойдет по линии третич1 ой ристаллизации ЕдЕ, удаляясь от точки Н и приближаясь к точке Е (четверной эвтектики). По достижении последней наступит четвертичная кристаллизация — одновременное выделение всех четырех компонентов А, В, С, В. Равновесие здесь будет условно-но вариа Тным (пять фаз — четыре твердых и одна жидкая). Поэтому и температура, и состав жидкой фазы будут оставаться посто- [c.318]

Остановимся подробнее на некоторых деталях рассматриваемого процесса. После первичного выделения одного из компонентов следует вторичное выделение, причем кристаллизуется этот же компонент в сочетании с одним из трех оставшихся. В каком именно комплексе он будет сочетаться при вторичном выделении, зависит от положения фигуративной точки состава исходной смеси. Как уже было показано, если эту точку соединить прямой с вершиной тетраэдра, отвечаюш ей тому компоненту, который начинает выделяться первым, и продолжить эту прямую, то она нересечет одну из трех поверхностей вторичного выделения. [c.319]

Рассмотрим теперь схему проекции тетраэдрической диаграммы AB D на грань АВС для системы с простой эвтектикой (рис. XXIII.И). Получаются проекции эвтектик двойных систем е , е , е , е , е , эвтектик тройных систем Еу, Е ,, Е , Е , четверной эвтектики Е, проекции линий вторичных выделений в тройных системах Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е е , Е вц, Ецву, Ефд, 465, и проекции поверхностей вторичных выделений в четверной системе EE- e-Ji , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , ЕЕ е Е , EE,eJi . [c.322]

Рассмотрим в качестве примера диаграмму системы, образованной свинцом, оловом, висмутом и кадмием по работе Парравано и Сировича [4]. По данным этих авторов, это система с простой эвтектикой На рис. XXIII. 12, а показан вид пространственной диаграммы конденсированного состояния этой системы. На рисунке видны все элементы, упомянутые нами при описании общего вида диаграмм, причем у соответствующих эвтектических точек написаны температуры плавления. Обращает внимание низкая температура плавления четверной эвтектики (69° С). На поверхностях вторичных выделений видны некоторые изотермические сечения. [c.322]

Рассмотрим кратко, какое усложнение вносит в описанную диаграмму четверной системы образование одной парой компонентов (например, А и В) двойного соединения (например, АВ). При этом будем иметь уже не четыре, а пять пространств первичного выделения прибавится пространство первичного выделения химического соединения АВ. Равным образом окажется девять поверхностей вторичного выделения, семь кривых третичного выделения и две нонвариантные точки. Если химическое соединение плавится конгруэнтпо, то можно тетраэдрическую диаграмму (рис. XXIII.13) разделить плоскостью, проходящей через фигуративную точку соединения S и через ребро, соединяющее вершины, отвечающие компонентам, не участвующим в образовании соединения (в пашем случае это будет ребро D), на два тетраэдра, отвечающие двум четверным системам с простыми эвтектиками. Эти тетраэдры, конечно, уже не будут правильными, подобно тому, как при триангуляции тройной системы получаются неравносторонние треугольники. Операция разделения тетраэдрической диаграммы первичной четверной системы на диаграммы вторичных четверных систем носит название тетраэдрации она аналогична триангуляции тройных систем. [c.322]

Вершины призмы отвечают чистым солям. Если двойные соли не образуются. т. е. когда твердые фазы состоят только из шести солей АХ, ВХ, СХ, AY, BY, Y, то весь объем призмы разобьется на шесть объемов кристаллизации перечисленных содей, которые видны на диаграмме, изображенной на рис. ХХП1.18. Эти объемы разделяются при помощи поверхностей вторичных кристаллизаций, отвечающих одновременной кристаллизации соответствующей пары солей. Поверхности вторичных кристаллизаций пересекаются по пограничным линиям, отвечающим совместной кристаллизации той и.ди иной тройки солей. [c.328]