Пары испаряемого вещества

Скорость изотермического испарения в атмосферу, содержащую пары испаряющегося вещества, по Дальтону [6] равна [c.355]

В табл. 12 приведены свойства распыляемых металлов и солей и указаны соответствующие испарители (температура испарения, приведенная в таблице, определяется как температура, при которой давление паров испаряемого вещества достигает 0,01 мм рт. ст.). [c.78]

При повышении общего давления в системе, складывающегося из парциального давления паров испаряющихся веществ и давления остаточных газов, до 0,1 мм рт. ст. скорость испарения определяется уже скоростью диффузии паров через газ и составляет (0,7 — 0,9) [307]. Расчет степени (вакуумного) испарения примеси проводят с помощью уравнения, вытекающего из формулы (83) без учета особенностей конденсации примеси (т] = 1) и возможного неравномерного распределения ее в образце [c.242]

Из уравнения (5.11) видно, что в одних и тех же условиях (одинаковые температура и испаряющая поверхность) скорость испарения определяется давлением-насыщенного пара испаряющегося вещества Ря- Последнее является индивидуальной константой соединений, зависящей только от температуры. Кроме скорости испарения веществ, оно определяет максимально достижимую их концентрацию в газовой фазе (летучесть). [c.86]

Рис. 134. Свеча Яблочкова. С, и Сг—два параллельно расположенных угля А—изолирующее их друг от друга вещество, испаряющееся по мере укорочения углей. Дуга горит между верхними концами углей в парах испаряющегося вещества А.

Давление пара испаряемого вещества измеряется ионизационным манометром. Выходной сигнал манометра подается на вход дифференциального усилителя, а с него на устройство, регулирующее режим испарения изменением напряжения, подаваемого на цилиндр Венельта. [c.15]

При испарении методом электронной бомбардировки имеет место одно очень полезное побочное явление, а именно ионизация пара испаряемого вещества. Образующиеся при этом ионы могут быть использованы как для контроля скорости испарения путем измерения ионного тока в цепи коллектора, так и для очистки поверхности подложки (для этого к испаряемому материалу прикладывают положительный относительно подложки потенциал от 3 до 5 кв). [c.218]

Обычно устройство для измерения толщины состоит из кварцевого генератора и перестраиваемого эталона частоты измерительного блока. Кварцевый кристалл устанавливается в вакуумной системе в специальном держателе. При этом одна из граней кристалла остается открытой для потока пара испаряемого вещества. [c.264]

Распределения были получены при испарении шариков из Сг — 510 методом вспышки [137]. Конструкция испарителя приведена на рис. 43. Испарение шариков происходит почти полностью с плоского дна ленты испарителя. Однако наличие боковых стенок, необходимых для предотвращения выброса испаряемого вещества, оказывает существенное влияние на форму распределения по толщине. Показано, что скорость подачи шариков (порядка 1 г/мин) мгновенно создает давление паров свыше 2 X X 10 1 мм рт. ст. Следовательно, могут оказаться существенными взаимодействие как со стенками, так и с самим возникшим паром. Сравнение кривых, приведенных на рис. 30, показывает, что использование отклоняющего экрана в виде конуса существенно уменьшает эффект направленности, поскольку в этом случае для паров испаряющегося вещества увеличивается диаметр отверстия. Абсолютные скорости испарения зависят от степени направленности пучка. Так например, применение цилиндрического экрана приводит к тому, что толщина осажденной пленки в центре подложки в 1,45 раза превосходит толщину, рассчитанную из уравнения (62), тогда [c.86]

Новый тип ионизационного датчика был предложен Зега [288]. Этот вариант отличается от предыдущих тем, что для ионизации паров в нем используется электронная пушка малых размеров. Электронный луч сканирует по входному окну датчика, сквозь которое проходят пары испаряемого вещества, с частотой 750 Гц. Вследствие этого возникает переменный сигнал, амплитуда которого пропорциональна плотности пара остаточный же газ приводит к появлению постоянного сигнала. С помощью этого дат- [c.138]

При сорбционном насыщении контактным способом, когда температуры соприкасающихся материалов одинаковы, требуется, чтобы упругость пара испаряемого вещества превышала упругость пара того металла, на который наносится покрытие. Этому условию удовлетворяет, например, насыщение железа алюминием, хромом, кремнием, марганцем, цинком (см. рис. 2). Процесс осуществляют в герметичных или негерметичных контейнерах в атмосфере [c.49]

Улетучивание определяли в электрической дуге путем измерения расстояния от дуги до места наблюдаемой конденсации паров испаряемых веществ. Тарировали с помощью металлов с известной температурой заметного улетучивания. [c.98]

Такой процесс называют молекулярной дистилляцией, он соответствует условиям, когда давление пара испаряемого вещества не превышает Ю мм рт. ст. [c.389]

Рнас—давление насыщенного пара испаряющегося вещества, мм рт. ст. [c.18]

В примененной нами методике определения давления пара испарение производилось с поверхности сильно измельченного вещества в конденсационную трубу, оказывающую значительное сопротивление потоку пара испаряемого вещества, в отличие от метода Лангмюра [3], где испарение происходит как бы в бесконечный объем . Пары вещества конденсировались на частях трубы, выступающих из зоны обогрева. [c.238]

В настоящее время имеется ряд различных методов измерений, отличающихся по чувствительности и точности. Измерительные устройства размещаются в камере, предназначенной для нанесения покрытий, близко к образцу, и с их помощью измеряют толщину в процессе нанесения покрытия. Можно измерять плотность потока пара испаряемого вещества, либо измеряя количество актов ионизации, которая имеет место, когда молекулы пара соударяются с электроном, либо измеряя силу, с которой налетающие частицы действуют на поверхность. Для всех испаряемых материалов можно использовать массочувствительные устройства. В основе их действия лежит определение веса осаждаемого вещества на микровесах или регистрация изменения частоты колебаний маленького кварцевого кристалла, на который осаждается испаряемое вещество. В контрольном устройстве для измерения толщины тонких пленок с помощью кварцевого кристалла резонанс имеет место при частоте, зависящей от массы материала, осаждаемого на поверхность. Частота колебаний нагруженного кристалла сравнивается с частотой чистого кристалла, и уменьшение частоты является мерой толщины пленки. Типичное значение чувствительности для контрольного устройства с кристаллом составляет изменение часто- [c.213]

Р — фактическое давление насыщенных паров испаряющегося вещества в пространстве, в котором происходит испарение, дн1см [c.355]

Предполагая, что скорость испарения постоянна по всей площади испарения и не меняется во времени, можно определить величину Г из экспериментальных данных и затем, подставляя ее в уравнение (48), получить величину давления паров. Численные значения скоростей испарения по массе для металлов при различных давлениях паров были табулированы Дэш-маном [21]. При р — 10 мм рт. ст. величина Г для большинства элементов обычно имеет порядок 10 г-см- .с . Фазовый переход этого типа, представляющий собой испарение со свободной поверхности, обычно называют Ленгмюровским или свободным испарением. Поскольку предположение, что в = 1, обычно не выполняется по причинам, которые будут рассмотрены далее, то в уравнение (48) необходимо вводить коэффициент испарения в < 1. Кнудсен предложил другой метод испарения, который свободен от неопределенности, связанной с возможным отличием от единицы. В его методе испарение происходит как эффузия из изотермического объема с малым отверстием (ячейка Кнудсена). Поскольку площадь, с которой происходит испарение внутри ячейки, велика по сравнению с площадью отверстия, то внутри устанавливается равновесное давление р. Диаметр отверстия должен составлять одну десятую или меньше от величины средней длины свободного пробега молекул газа при равновесном давлении газа р. Кроме того, толщина стенки отверстия должна быть пренебрежимо малой с тем, чтобы частицы газа, покидающие ячейку, не рассеивались, не адсорбировались и не десорбировались на стенке отверстия. При этих условиях поверхность испарения находится в равновесии с паром испаряемого вещества при р и отражения молекул пара не происходит, т. е. величина о = 1. Если площадь отверстия равна Ае, то полный эффузионный поток из кнудсеновской ячейки в вакуум составляет Ае 2пткТ) (р — р) молекул в секунду. [c.39]

В табл. 4 приведены температуры и материалы испарителей для испарения простых элементов. Точки плавления и температуры, необходимые для получения давления паров испаряемого вещества 10 мм рт. ст. взяты из работы Хонига [19]. Для отдельных элементов эти данные отличаются от более старых значений, представленных в широко используемой таблице Холленда [59]. Кроме того, были использованы собранные Пирани и Яр-вудом материалы по технике испарения элементарных веществ [61]. Коэффициенты испарения а большинства веществ взяты из работы Хирса и Паунда (35] за исключением Sb и As [62]. Отдельные материалы и типы испарителей рассматриваются более подробно в следующих параграфах. [c.56]

Для распределения по толщине от эффузионных ячеек формула Клаузинга является в лучшем случае первым приближением, так как в ней не учтены различные виды молекулярных взаимодействий в пределах отверстия, в пучке, с молекулами остаточных газов и на окружающих поверхностях. Эти взаимодействия хотя и нельзя исключать, однако их влияние на картину распределения очень трудно определить количественно. В качестве примера можно рассмотреть сложный механизм испарения, предложенный Ратцом и Хирсом [129]. Этот механизм включает в себя адсорбцию, поверхностную диффузию и десорбцию паров испаряемого вещества в окрестности отверстия. В результате такого взаимодействия со стенками поток испаряемого вещества содержит молекулы с различной предысторией. Среди них есть группа молекул, которые двигаются непосредственно изнутри эффузионной ячейки. В другую группу входят молекулы, которые вначале адсорбировались на стенках, диффундировали к отверстию и затем вновь испарялись. Происхождение третьей группы молекул связано с тем, что концентрация адсорбированных молекул на верхней кромке отверстия не уменьшается до нуля. Действительно, молекулы диффундируют к отверстию и покрывают часть внешней поверхности, откуда и происходит десорбция. Предполагая, что диффузное реиспарение адсорбированных молекул происходит по косинусоидальному закону, авторы провели машинный расчет для определения картин испарения 510 из эффузионных отверстий различной формы. На рис. 28 представлены результаты для цилиндрического отверстия, в котором длина цилиндра равна его диаметру. Из рисунка следует, что доля адсорбированных и повторно испаренных молекул оказывается существенной. Оказалось, что рассчитанное распределение очень хорошо совпадает с результатами изме- [c.83]

В связи с этим представляют интерес исследования испарения золота методом вспышки с нити при температуре 2000° С [138]. Авторы обнаружили, что распределение атомов по скоростям в парах оказалось уже максвелловского распределения. Этот результат аналогичен данным Эрлера и Крауса [132] для эффузии 810 при высоких давлениях, и если встать на их точку зрения, то следует заключить, что при испарении методом вспышки должно происходить сильное межмолекулярное взаимодействие в парах испаряемого вещества. [c.87]

С, полностью восстанавливаются после охлаждения [310]. Возможность обезгаживания кристаллов обеспечивает их] использование в сверхвысоком вакууме. Исследования [313] показали, что если адсорбция и десорбция на поверхности кристалла отсутствуют, то частота колебаний не зависит от величины давления во всем диапазоне высокого и сверхвысокого вакуума. Несмотря на то, что пластины, вырезанные в направлении АТ-среза, имеют наименьший возможный температурный коэффициент частоты, все же необходимо принимать специальные меры, чтобы уменьшить изменение температуры кристалла за счет излучения от испарителя и выделения теплоты конденсации. Поэтому кристаллодержатель обычно охлаждается водой и образует радиационный экран, который окружает весь кристалл, за исключением рабочей поверхности. Тепло, получаемое по необходимости открытой поверхностью, все же вызывает увеличение температуры кристалла на несколько градусов Цельсия, что приводит к сдвигу частоты от 10 до 100 Гц [145, 310, 311] или эквивалентному изменению в массе от 10 до 10 г/см. Этот эффект можно ослабить, если использовать входное отверстие с малым диаметром (см. рис. 54, б), однако при проведении точных измерений им нельзя вовсе пренебрегать. Берндт [139] рекомендует на время, когда датчик открыт для испарителя и паров испаряемого вещества, держать заслонку перед подложкой закрытой. Это приводит к тому что основные изменения температуры датчика произойдут до того, как начнется осаждение веществ на подложку. [c.149]

Величина коэффициентов Кляузинга в наших опытах колебалась в пределах 0,097—0,11. Относительно высокое сопротивление конденсационной трубы потоку пара испаряющегося вещества создавало вблизи испаряющего вещества некоторый объем, состояние пара в котором было очень близко к насыщению. Поэтому величина абсолютной поверхности для нас не имела значения требовалось лишь знать величину поперечного сечения конденсационной трубы, равное сечению испарительной чашечки. [c.239]

Как уже отмечалось выше, пучок пара испаряемого вещества, форлш-руемый отверстием в ячейке Кнудсена и коллиматорной диафрагмой, конденсируется на мишени, подвешенной к одному из концов коромысла весов. Состав конденсата на мишени при испарении твердых растворов [c.308]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология