Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Анизотропия коэффициент

    Резюмируя изложенные выше результаты, следует заключить, что в последние годы благодаря применению метода ЯМР наши представления о структуре и динамике воды в гидрофильных объектах существенно расширились. Вместе с тем хотелось бы отметить некоторые наиболее важные проблемы, которые все еще ожидают своего решения. Необходимо 1) построить модель молекулярной подвижности связанной воды и определить взаимосвязь между трансляционным и вращательным движениями 2) определить причины анизотропии коэффициента диффузии в граничном слое 3) определить взаимосвязь ориентационных параметров со строением гидрофильного покрова гетерогенных систем 4) построить структурные модели воды для различных типов гидрофильных систем. [c.242]


    Между степенью графитации нефтяных коксов и групповым и химическим составом остатков можно заметить довольно отчетливую взаимосвязь. С увеличением содержания в сырье асфальтено) степень анизотропии коксов существенно снижается (рис. 69), Анизотропия коэффициентов термического расширения (а [/а )и [c.216]

    По тем же соображениям следует ожидать анизотропии коэффициента теплопроводности в ориентированных аморфных полимерах в стеклообразном состоянии (рис. 5.8). Это может иметь значение в таких процессах переработки, как термоформование. Но оба этих эффекта — ориентации аморфных полимеров и изменения молекулярной массы — незначительно изменяют величину k. [c.120]

Рис. 69. Влияние содержания асфальтенов на анизотропию коэффициента термического расширения (а) и удельного электросопротивления (б) кокса. Рис. 69. <a href="/info/403306">Влияние содержания</a> асфальтенов на анизотропию <a href="/info/120492">коэффициента термического расширения</a> (а) и <a href="/info/117271">удельного электросопротивления</a> (б) кокса.
Рис. I. Величина анизотропии коэффициента линейного расширения образцов в зависимости от способа прессования Рис. I. Величина анизотропии <a href="/info/161809">коэффициента линейного расширения</a> образцов в зависимости от способа прессования
    Однако чисто хаотическое движение пузырька осуществляется лишь в случае, когда величина свободной энергии системы не зависит от его положения. Чаще же всего это условие не выполняется, и на пузырек действуют вполне определенные движущие силы. При этом силовое поле может определяться градиентом температур [108, 113, 114], напряжений [115, возникающих как от приложения внешней нагрузки, так и из-за внутренних причин (анизотропия распухания и роста отдельных кристаллитов, анизотропия коэффициента теплового расширения и т. п.), и концентрации диффундирующего компонента в диффузионной зоне [116—118]. Оно может создаваться норой или дислокацией, находящейся в непосредственном соседстве, или границами зерен и внешними поверхностями, примыкающими к пузырьку [118] . [c.52]

Рис. 4. Влияние асфальтенов на анизотропию коэффициента термического расширения (А) и удельного электросопротивления (Б). Рис. 4. <a href="/info/1483051">Влияние асфальтенов</a> на анизотропию <a href="/info/120492">коэффициента термического расширения</a> (А) и удельного электросопротивления (Б).

    Была получена также зависимость (рис. 8) скорости течения от величины перепада давления на слое песка для четырех точек по диаметру. Как видно, даже для очень малых перепадов давления наклон кривых и = / (АР) суш ественно меняется но сечению реактора. Это объясняется тем, что в сыпучих однородных средах, ограниченных стенками реактора, появляется неоднородность — статическая анизотропия. Коэффициент проницаемости может [c.67]

    Температурный коэффициент линейного расширения неодима при 298 К а=9.98-10- . Для монокристалла -N(1 наблюдается сильно выраженная анизотропия коэффициента термического расширения. При 673 К вдоль оси а а=6,5-10- , а вдоль оси с а= 11,7-10- К . [c.564]

    Анизотропия коэффициентов сжимаемости х особенно выражена в слоистых структурах, в которых силы связи по различным направлениям сильно различаются. В табл. 2.1 и 2.2 приведены значения и о для различных относительно главной оси направлений. [c.40]

    Правда, непрерывная анизотропия, которая проявляется, на пример, в непрерывном изменении с направлением скорости рас пространения света, коэффициента теплопроводности или коэф фициента теплового расширения, присуща не только кристалли ческому состоянию. У некоторых веществ она спонтанно возни кает и в жидкой фазе (смектические и нематические фазы) ) Для кристаллов же характерна дискретная анизотропия, кото рая проявляется в том, что в определенных направлениях наблюдаются некоторые векторные свойства, отсутствующие в соседних направлениях. Такова анизотропия скорости роста кристалла или анизотропия коэффициента отражения рентгеновских лучей. [c.12]

    В образце, закристаллизованном перед охлаждением в напряженном состоянии, ориентация приводит к появлению анизотропии коэффициента линейного расширения. Как показывают экспериментальные данные для полихлоропрена , а]1<.а (где а и и — значения а в направлении, параллельном и перпендикулярном направлению растяжения). Это, так же как и характер анизотропии удлинения при кристаллизации растянутого образца полихлоропрена, может служить косвенным подтверждением преимущественного образования кристаллов, ось с которых ориентирована в направлении растяжения. [c.182]

    Анизотропия коэффициентов теплопроводности для некоторых кристаллов средней категории [c.222]

    В общем случае коэффициенты теплового расширения кристаллов являются функциями температуры и сама анизотропия коэффициентов тоже меняется при изменении температуры. [c.250]

    Кристаллографическая анизотропия коэффициента распределения связана с анизотропией адсорбционных свойств поверхности раздела. Вариант /Са>1>/Со соответствует экспериментальным данным [57]. Вместе с тем теория Холла не учитывает влияние скорости диффузии в жидкой фазе на скоростную зависимость К. [c.46]

    Анизотропия коэффициентов вязкости жидких кристаллов [c.7]

    Анизотропия коэффициентов вязкости ЖК 9 [c.9]

    Величина фазовой задержки между направлением магнитного поля и направлением директора (а значит — и величина 71) может быть измерена при исследовании ЭПР спектра парамагнитной метки, растворенной в нематическом жидком кристалле, вращающемся в магнитном поле [86], а также акустическими методами — при измерениях анизотропии скорости ультразвука [90, 91] или анизотропии коэффициента поглощения ультразвука [92, 93]. В последних двух случаях для измерения могут применяться анизотропии диамагнитной восприимчивости при известных величинах вращательной вязкости. [c.49]

Рис. 2.3.8. Зависимость анизотропии коэффициента поглощения ультразвука от времени в МББА при Т — = 30,5 °С (/, 2) и Г = = 24,4 °С (7, 2 ) при гя = = 1с (/. / ) и гн = 10с (2, 2 ) [95] Рис. 2.3.8. <a href="/info/764251">Зависимость анизотропии</a> <a href="/info/366895">коэффициента поглощения ультразвука</a> от времени в МББА при Т — = 30,5 °С (/, 2) и Г = = 24,4 °С (7, 2 ) при гя = = 1с (/. / ) и гн = 10с (2, 2 ) [95]
    Анализируя экспернментальные результаты с позиций высказанного предположения о том, что движущими силами слияния приграничных пузырьков в поликрпстал-лическом бериллии являются напряжения, возникающие вследствие анизотропии коэффициентов термического расширения и анизотропии распухания отдельных кристаллитов, можно прийти к выводу, что подверженность материалов распуханию должна заметно зависеть от их микроструктуры. Более того, можно ожидать, что при [c.76]

    Подобное явление, на наш взгляд, может быть объяснено, если признать справедливым высказанное ранее предположение о том, что мнграциря пузырьков в значительной мере обусловлена полями напряжений, возникающих в материале вследствие анизотропии коэффициентов термического расширения н распухания отдельных кристаллитов. На это указывают и данные по распуханию би- и монокристаллов бериллия (см. рис. 26). [c.85]

    В [575, 579] подчеркивается, что микродинамика граничной воды может быть тесно связана с микродинамикой границ раздела, вблизи которых она формируется. К. Пакер [575] предложил модель микродинамики граничной воды, в которой разделены быстрые (/) и медленные (s) движения, связанные с подвижностью индивидуальных молекул воды (/) и переориентацией микрообластей (время корреляции тл) или конечным временем пребывания молекулы воды в пределах данной мик-рообластн [Tiat d /(4Z))] (рис. 14.1). Вклад медленных движений в спектр молекулярных движений воды может возникать вследствие заторможенной подвижности воды вблизи активных центров поверхности, анизотропии ориентационного упорядочения или анизотропии коэффициента трансляционной диффузии вблизи межфазной границы. [c.231]


    Хелтенорс и Клингер в 1969 г. повторили измерения коэффициента диффузии фтора во льду другим методом (последовательным срезанием тонких образцов кристалла льда, их расплавлением и измерением электропроводности). Они приняли меры предосторожности, чтобы исключить поверхностную диффузию, и получили значение 10- см сек при 7 =—10°С, т. е. коэффициент диффузии молекулы НР во льду на четыре порядка больше, чем Н2О. Этими же авторами была обнаружена анизотропия коэффициента диффузии НР во льду, а именно в направлении, перпендикулярном оси С, коэффициент диффузии на 20% выше, чем в параллельном направлении. [c.65]

    КК 4 с волокнами карбида кремния. При практически равной прочности эти ККМ имеют преимущества перед аналогичными материалами с углеродными волокнами - повышенную стойкость к окислению при высоких температурах и значительно меньшую анизотропию коэффициента термического расширения. В качестве матрицы используют порошки боросиликатного, алюмосиликатного, литиевосиликатного стекла или смеси стекол. Волокна карбида кремния применяют в виде моноволокна или непрерывной пряжи со средним диаметром отдельных волокон 10 - 12 мкм ККМ, армированные моноволокном, по-лу чают горячим прессованием слоев из лент волокна и стеклянного порошка в среде аргона при температуре 1423К и давлении 6,9МПа. Керамический композит Si-Si , получаемый путем пропитки углеродного волокна (в состоянии свободной насыпки или в виде войлока) расплавом кремния, может содержать карбидную фазу в пределах 25 - 90%. Механические характеристики ККМ увеличиваются с ростом содержания Si . ККМ с волокнами углерода и карбида кремния обладают повышенной вязкостью разрушения, высокой удельной прочностью и жесткостью, малым коэффициентом теплового расширения. [c.159]

    V — оператор Лапласа). У твердых материалов коэфф. и к отличаются мало обычно принимают к = к — = кр. Коэфф. Т. м. является коэфф. диффузии внутренней энергии (kJ или энтальпии (к ). У анизотропных материалов (см. Анизотропия) коэффициенты. Т. м. по осн. направлениям являются компонентами тензора второго ранга. Коэфф. Т. м. учитывают при расчете нагрева и охлаждения материала (продол/кительности процесса и температурного распределения). Чем больше коэфф. Т. м. при постоянных коэфф. теплопроводности и теплоемкости, тем быстротечнее процесс. Зависимости коэфф. Т. м. от т-ры объясняются теми же физ. явлениями, к-рые обусловливают закономерности изменения теплопроводности и теплоемкости. Коэфф. Т. м. (табл.) вычисляют но известным коэфф. теплопроводности, теплоемкости и плотности материала или определяют на спец. приборах, где используют данные термометрирова-ння образцов простейшей формы, нагреваемых (либо охлаждаемых) в условиях поддержания определенных граничных условий теплообмена. Использование методов нестационарной тенлонроводности (методов регулярного теплового режима, квазистацио-нарных и др. нестационарных режимов) обусловлено тем, что коэфф. Т. м. является характеристикой нестационарных тепловых процессов. Лит. Чудновский А. Ф. Тепло-физические характеристики дисперсных материалов. М., 1982 Лыков А. В. Теория теплопроводности. М., 1967 К а р -с л о у Г., Е г е р Д. Теплопроводность твердых тел. Пер. с англ. М., 1964. [c.515]

    В работе [33] сделана попытка экспериментально определить структуру энергетической зоны TlSe на основе исследования анизотропии электрических свойств морюкри-сталлов. Показано, что проводимость в двух кристаллографических направлениях отличается по абсолютной величине, но температурный ход в зависимости от нанравления не меняется. Удельная электропроводность двух образцов при комнатной температуре в разных направлениях составляла 0,42 и 4,8-10- ом- см- , а также 0,17 и 2,5-10- ом- -см , различаясь по направлению почти на два порядка. Наблюдалась также анизотропия коэффициента термо-э.д.с. [c.160]

    Остаточные напряжения, обусловленные анизотропией коэффициента термического линейного расширения карбоволокна и существенным различием в значениях коэффициентов волокна и связующего, возникают в микрообъемах вокруг каждого моноволокна и в объемах полимера, разделяющих слои наполнителя с различной ориентацией волокон. В слоистых карбоволокнитах с перекрестным расположением слоев дополнительно возникают напряжения между слоями, которые соизмеримы с трансверсаль-ной (поперек волокон) прочностью однонаправленного материала. [c.217]

    Анизотропия коэффициентов вязкости при сдвиговом течении была впервые обнаружена М. Месови-чем [17], поэтому коэффициенты (г — 1, 2, 3) часто называют коэффициентами вязкости Месовича. Связь коэффициентов вязкости Месовича с коэффициентами вязкости Лесли устанавливается подстановкой компонентов директора и градиентов скорости в (1.1.7) и описывается выражениями [c.13]

    В работе [24] для получения крупнокристаллических образцов соединений типа АВХ, применялось вытягивание ампул с расплавом из печи со скоростью 3 сж/ч. Однако и в этом случае авторам [24] не удалось вырастить больших кристаллов, что объясняется, по их мнению, анизотропией коэффициента линейного расширения. Такой же причиной объясняется безуспешност попыток вырастить большие, свободные от трещин кристаллы ряда соединений типа АВХ, при помощи вытягивания ампул1.1 из печи, направленного охлаждения и зонной перекристаллизации [19]. [c.94]

    Об отсутствии равновесия на фронте кристаллизации свидетельствует, в частности, анизотропия коэффициентов распределения [68] и стремление к при увеличении / к пределу, не равному единице, при вы-)ащивании кристаллов малого диаметра из перемешиваемого расплава 69]. Более низкие значения скорости /, при которой нарушается равновесие на фронте кристаллизации, должны соответствовать примесям с меньшими значениями и послойно-спиральному росту слитка [59]. Одно из уравнений, предложенных для описания зависимости к от /, имеет вид (Термонд, 1962 г.)  [c.32]

    При применении углеродных пленок следует учитывать несколько факторов. Например, высокая анизотропия обычно требует, чтобы плоскость осадка соответствовала внешним поверхностям. Образцы для испытания на разрыв или изгиб, вырезанные из слоевых плоскостей под углом >-5°, могут поэтому разрушиться скорее за счет сдвига между слоями, чем за счет напрян ений в них. Получение изогнутых образцов является сложным, так как радиусы кривизны будут изменяться при нагревании и охлаждении по-разному. Наблюдаемый эффект обусловливается анизотропие коэффициентов термического расширения. Если это искривление ограничено формой осадка, например в трубке или вокруг угла, то изгибающие моменты [c.60]

    Теория процессов переноса в многоатомных газах излагается в гл. И. Этот важный для практического применения вопрос не нашел достаточного отражения в книгах Чепмена и Каулинга и Гиршфельдера, Кертисса и Берда. Конечно, подробное изложение теории переноса в многоатомных газах могло бы составить предмет отдельной монографии, но обзор ее современного состояния необходим для любого учебника по кинетической теории газов. Именно такой обзор дан в гл. 11. В этой же главе кратко обсуждается влияние магнитного поля на процессы переноса в парамагнитных газах эффект Зенфтле-бена—Беенаккера, приводящий к анизотропии коэффициентов теплопроводности и вязкости, которые приобретают тензорный характер. [c.7]

    Однако исследования не учитывали анизотропию коэффициента теплового расширения и упругих свойств и ее изменения с температурой. В то же время в книге показано, что для кристаллов низших сингоний это необходимо. Кроме того, при строгом теоретическом рассмотрении процессов зарождения дислокаций решение двухмерной упругой задачи недостаточно. Надо решать трехмерную термопластическую задачу. Такой расчет сложен. Дело осложняется еще и тем, что структура и свойства выращенных кристаллов зависят от содержания в них примесей. Так, из имеющихся работ следует, что для получения совершенных профилированных кристаллов кремния необходимо прежде всего решить вопрос о выборе такого материала формообразователя, который не взаимодействует с расплавом на возникновение дефектов в кристаллах сапфира оказывают сильное влияние включения газа. Поэтому необходимо дальнейшее экспериментальное и теоретическое изучение механизмов возникнове- [c.254]


Смотреть страницы где упоминается термин Анизотропия коэффициент: [c.231]    [c.45]    [c.219]    [c.163]    [c.187]    [c.160]    [c.187]    [c.4]   
Конструкционные стеклопластики (1979) -- [ c.105 , c.108 , c.159 , c.162 , c.164 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Анизотропия



© 2025 chem21.info Реклама на сайте