Виртуальные состояния

Согласно принципу неопределенности (см. гл. I), энергия электрона в промежуточном состоянии определена лишь с точностью до Ае — Й/т , где т,- — время жизни виртуального состояния. [c.420]

Виртуальные состояния можно рассматривать как предельный случай распадающихся состояний при стремлении q к нулю. Тогда плотность потока /V также стремится к нулю. [c.589]

Виртуальные состояния могут возникнуть при уменьшении потенциальной энергии притяжения в системах со связанными состояниями. Пусть, например, потенциал притяжения имеет вид где g — безразмерный параметр. Предположим, что [c.589]

Таким образом, матрица рассеяния 8 к) в триплетном спиновом состоянии имеет нулевое значение (соответствующее связанному состоянию системы — дейтрон) на отрицательной мнимой оси при значении А = —г/йг = — 2,32-10 см . Энергия этого состояния Е = — й Д2р,о2 — 2,23 МэВ. Синглетному спиновому состоянию соответствует нуль функции 8 (к) на положительной оси при значении к = —= 0,40-10 см . Энергия этого виртуального состояния Еа = —0,066 МэВ. [c.589]

Во-первых, для исследования электронной структуры во всех трех случаях необходимо, вообще говоря, принимать во внимание все электроны из объема твердого тела, поскольку соответствующие одноэлектронные состояния делокализованы и каждый из электронов может оказаться вблизи поверхности, принимать участие в образовании хемосорбционной связи или в каталитической реакции. То же относится и к дырочным состояниям. Другими словами, мы имеем дело не с конечной системой подобной молекуле, а с системой, характеризующейся наличием непрерывного спектра электронных и дырочных (виртуальных) состояний. Квантовохимические методы расчета электронной структуры молекул, основанные на решении алгебраического уравнения (1.13), не могут быть использованы для исследования таких объектов, если не сделаны какие-либо дополнительные допущения. [c.48]

А- - НВ. Разности энергий последних, из которых исключается виртуальное состояние свободных ионов, сопоставимы с расчетом по правилу (16). [c.149]

Заметим, далее, что роль функции Грина Ог, в подобных выражениях в основном сводится к размазыванию взаимодействия по сравнению с чистым одночастичным. Чтобы качественно описать это размазывание, можно ограничиться борновским приближением с/, = 0, так как оно определяется главным образом энергией виртуального состояния Г . Поэтому заменим Ог в (44.24) на функцию (ср. [c.609]

Наибольший интерес представляет нижнее возбужденное состояние мономера. Возможно, первым таким состоянием является триплетное, а следующим — синглетное. Необходимо выяснить роль этих экситонных состояний в такого рода процессах. Прежде всего неясен вопрос, какое возбужденное состояние необходимо для взрывной полимеризации На основании опытов по облучению быстрыми электронами на этот вопрос ответить нельзя, так как можно рассчитать, что под действием быстрых электронов среди всех образовавшихся возбужденных молекул около 30% составляют молекулы в триплетном возбужденном состоянии, остальные — в синглет-ном. Предположим, что для процесса полимеризации необходимо триплетное возбужденное состояние. С точки зрения энергетического баланса такое состояние представляет большой интерес, потому что его энергия меньше. При разрыве я-связи и образовании ст-связи в каком-то едином процессе как раз выделится энергия 1 эв. Если бы эта энергия оказалась достаточной для возбуждения триплетного состояния, то в этом месте образовался бы триплетный экситон, который в другом месте может вызвать процесс полимеризации. Однако, по-видимому, энергии 1 эв недостаточно для возбуждения триплетного состояния. Если такой процесс и идет, то экситон мономера в нем не участвует и энергия должна превращаться в теплоту. Можно придумать другой процесс, который значительно менее вероятен. Если бы образовалось сразу две о-связи, то вероятность такого коллективного процесса была бы значительно меньше, так как он бы шел через промежуточные виртуальные состояния. [c.289]

Согласно этой схеме молекула, взаимодействуя с фотоном монохроматического излучения сначала возбуждается до какого-то неустойчивого, так называемого виртуального, состояния. Затем она может отдавать этот фотон, не обмениваясь с ним энергией, т. е. возвращаясь в исходное состояние,— это релеев-ское рассеяние света. Возможно, однако, заимствование молекулой части энергии фотона, т. е. отдается фотон меньщей энергии, а молекула переходит на более высокий по сравнению с исходным энергетический уровень Е, — это стоксово КР. Если молекула уже находилась в возбужденном состоянии Е, то пр взаимодействии с фотоном она может отдавать часть своей энергии рассеивая фотон большей энергии и переходя на более низкий энергетический уровень Е",— это антистоксово КР. В связи с меньшей заселенностью более высоких уровней в соответствии с тепловым распределением молекул антистоксовых переходов в единицу времени происходит меньше, чем стоксовых, так что интенсив- [c.176]

Состояния I — ЭТО промежуточные, или виртуальные, состояния. Как мы ТОЛЬКО что видели, они отличаются от начального состояния на один фотон. Точно так же и состояние т отличается от состояния I на один фотон, так что конечное состояние отличается от начального на два фотона. Интегрируя обе части равенства (3.10), находим [c.205]

Эффективные сечения оптически разрещенных переходов в борцовском приближении, т. е. когда в качестве исходных принимаются предположения, что плоская волна, характеризующая ударяющую частицу, не искажается силовым полем рассеивающей частицы, а обратные переходы и образование виртуальных состояний не имеют места, выражаются формулой [12, 23] [c.102]

Формулы (1,4-23г), (I, 4-23д) и (1,4-23е) соответствуют более сложным процессам рассеяния, которые рассмотрены в гл. V. Возможно, что член (1,4-23е) описывает наиболее интересный процесс, когда молекула, атом или ион взаимодействует не с одним, а с двумя фотонами hvo. При этом переход совершается через виртуальные состояния гири сопровождается излучением с частотой + (если [c.28]

Однако устойчивость состояния термодинамического равновесия имеет место при определенных условиях. Найдем такие условия для простых систем. Для этого рассмотрим систему, находящуюся в равновесии с окружающей средой, которая характеризуется определенными значениями температуры То и давления Ро- Допустим, что состояние системы изменилось и она перешла в некоторое произвольное, но принципиально возможное состояние, не производя при этом никакой полезной работы. Такое состояние системы называется виртуальным. Переход системы в виртуальное состояние сопровождается некоторыми независимыми изменениями параметров состояния 6V, 6S и изменением внутренней энергии системы на величину AU. Если бы исходное состояние системы было неустойчивым, то переход в виртуальное состояние действительно произошел бы и при этом согласно (1.77), (1.78) величины AU, бУ и 8S удовлетворяли бы неравенству [c.72]

Так как параметры состояния системы при переходе в виртуальное состояние изменяются произвольно, то М1 не находится в определенной зависимости от виртуальных изменений параметров состояния системы 65 и Однако в прямой зависимости от них находится вариация внутренней энергии Ш, определяемая через 65 и бУ по правилам дифференциального исчисления соотношением [c.73]

При большом значении V—ф для адсорбата с незаполненным или частично заполненным валентным уровнем трудно априори определить характер химической связи. Иногда, например при адсорбции Hg на W и на Мо [1269], а также водорода на метал л о-подобных карбидах переходных металлов IV—V групп [770], возможно обменное взаимодействие с примесным виртуальным состоянием электронов зоны проводимости адсорбента такой обмен не приводит к переносу заряда, а обусловлен преимущественно локальным орбитальным перекрытием со смещением электронной плотности в сторону адсорбата (случай полярной ковалентной связи. [c.20]

Квантовомеханический расчет поглощения характеризуется тем, что непрямые переходы рассматриваются как бы происходящими через ряд промежуточных, виртуальных состояний, которым можно приписать очень малое время жизни. Энергия при переходе в виртуальное состояние не сохраняется, но импульс сохраняется. Соз ранениеэнергии имеет место для всего перехода в целом. Для каждого акта испускания или поглощения фонона имеются два возможных пути двойного перехода (см. рис. 172, б). Во-первых, под действием света электрон без заметного изменения своего [c.420]

Как можно видеть из рис. 9.2-2, колебательные переходы непосредственно возбуждаются ИК-излучением, при этом время жизни возбужденных состояний примерно 10 с. В случае рамановского эффекта (т. е. комбинационного рассеяния) молекула в результате рассеяния фотона переходит в короткожи-вущее виртуальное состояние и возвращается либо в исходное, либо в более низшее или высшее состояние спустя 10 с. Эти взаимодействия приводят в результате к появлению вышеописанных рэлеевских, стоксовых и антистоксовых линий в спектре. [c.167]

Если для некоторого состояния системы матрица рассеяния обращается в нуль на положительной мнимой оси (<71 = О, 2>0), то соответствующая волновая функция на больших расстояниях экспоненциально возрастает. Такие состояния называют виртуальными, или антисвязанными. Виртуальные состояния, в отличие от распадающихся квазистационарных состояний, имеют Л О и отрицательное значение энергии Е = — h qll(2n). Однако они не могут отражать реальных стационарных состояний, так как соответствующие им радиальные волновые функции экспоненциально возрастают при удалении от центра. [c.588]

О составной молекуле и применяют для описания такой системы метод молекулярных орбиталей (МО). Вычисления по методу молекулярных орбиталей для небольших межато.мных расстояний, когда суш,ествепными являются только силы отталкивания, в особенности вычисления для системы Не — Не, рассмотрены в предыдуш,е.м разд. 111-1. С увеличением расстояния К перекрывание между двумя молекулами уменьшается, и в конце концов при некотором К таким перекрыванием можно пренебречь. Тогда, раскладывая потенциал взаимодействия обоих молекул по мультиполям и ограничиваясь в разложении только дипольным членом, приходим к выражению —С/Л для потенциала дальнодействую-щих лондоновских дисперсионных сил притяжения. Следует отметить, однако, что неясно, при каких расстояниях между атомами указанное разложение справедливо. Выражение, полученное с точностью до членов второго порядка теории возмущений и описывающее взаи.модействия лондоновского типа, содержит сумму по всем возбужденным виртуальным состояниям обоих атомов. При этом, конечно, предполагается, что-отсутствует перекрывание между волновыми функциями но только в основном, но и в возбужденных состояниях. Однако боровский радиус пропорционален п , и поэтому разложение по мультиполям должно быть справедливым при значительно больших расстояниях, чем это обычно предполагается [8]. [c.232]

При комбинационном рассеянии промежуточные возбужденные так называемые виртуальные состояния с энегией или Н о- -Е не яв- [c.114]

Комбинационное рассеяние света (КР) представляет собой один из процессов, возникающих при взаимодействии излучения и вещества. Для комбинационного рассеяния света характерно изменение частоты рассеянного излучения по сравнению с частотой первичного (возбуждающего) излучения. При этом в отличие от люминесценции, которая также представляет собой вторичное излучение с измененной частотой, при комбинационном рассеянии света рассеивающая система не переходит в возбужденное состояние на конечные (хотя бы и малые) интервалы времени. Подобные возбужденные состояния в процессах рассеяния играют роль лищь виртуальных состояний (см. 4). [c.11]

Так, при исследовании мало изученной природы гибели генного материала в онтогенезе матрица рассеяния обещает себя оправдать. Кривая процесса гибели индивидуальных геномов распадается на более длинную ветвь при переходе от нормального к виртуальному состоянию, которое распространяется на весь клеточный геном, скорее всего из-за потери обратных связей между геномом и плазмоном. Такой разрыв обратных связей часто вызывается острым ингибированием одного жизненно важного фермента, как, например, при переходе от видимой модификации к гибели на последней ступени растущей модификации [6, 7]. С другой стороны, он может быть вызвав процесрами постепенного [c.27]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология