Травление изотропное

Предыдущие рассмотрения применимы к однородным изотропным материалам, т. е. к аморфным [61, 198, 200] и частично кристаллическим полимерам со слабо развитой микроструктурой [130]. В этих материалах направленность разрушения более или менее определяется полем локальных напряжений. Во всяком случае, судя по морфологии поверхности разрушения, ничего нельзя сказать о ее микроструктуре. Это не исключает существования определенной глобулярной микроструктуры (гл. 2, разд. 2.1.3), которую можно выявить путем ионного травления [132, 208]. Однако для полимеров с явно выраженной микроструктурой, обусловленной присутствием кристаллитов с вытянутыми цепями и сферолитов, отчетливо выявляются особенности поверхности разрушения. В таких полимерах сопротивление материала распространению трещины сильно зависит от ориентации плоскости разрушения относительно элемента структуры. [c.393]

Аморфные (стеклообразные) тела изотропны, т. е. векторные свойства их не зависят от направления. Эти тела имеют неправильные формы. Кристаллы характеризуются определенными формами многогранников с плоскими гранями, которые по закону гранных углов пересекаются при данной температуре у данной модификации вешества под определенными углами независимо от размеров и искажений, связанных с условиями роста кристаллов. Для каждой кристаллической модификации данного вещества свойственна определенная температура плавления. Кристаллы анизотропны у них многие так называемые векторные свойства (тепло- и электропроводность, прочность, термическое расширение, скорость роста, растворение, травление и т. д.) зависят от направления. Однако теплоемкость, плотность и прочие скалярные свойства у всех веществ не зависят от направления. [c.116]

В заключение следует остановиться на пиролитических углеродных волокнах (ПУВ) — графитовых усах. Хотя их получают при пиролизе в газовой фазе, по своему применению они ближе к углеродным волокнам, чем к пироуглероду. Кристаллооптический анализ показывает, что ПУВ состоят из центральной оптически изотропной части и оптически анизотропного углерода, монослои которого параллельны оси волокна. Монослои имеют локальные нарушения преимущественной ориентации. При этом в поляризованном свете структура шлифов осевого сечения ПУВ и поперечного сечения пирографита аналогичны [135]. Авторы указанной работы отмечают в обоих случаях наличие чередующихся участков с различной ориентацией кристаллитов, полагая, что центрами формирования первичных надмолекулярных образований в ПУВ являются утолщения и изгибы стержневой части. Первичные надмолекулярные образования выходят на внешнюю поверхность, образуя характерное кольчатое строение ПУВ. Внутри первичных находятся более мелкие вторичные образования, причем на границах между ними отмечается упорядоченность кристаллической структуры. Такой характер надмолекулярной организации обусловил физико-механические свойства ПУВ. Поскольку, как в случае пирографита, разрушение происходит по границам образований, прочность ПУВ зависит от концентрации и расположения включений дисперсного углерода. Травление таких волокон жидким окислителем (концентрированная серная кислота с бихроматом калия) показало периодическое изменение реакционной способности в радиальном направлении, сопровождаемое изменением прочности вследствие удаления различных слоев волокна, отличающихся надмолекулярной организацией структуры [c.242]

Изотропные мембраны образуются при облучении тонких полимерных пленок заряженными частицами с последующим травлением химическими реагентами. Выпускают изотропные мембраны на основе поликарбонатных пленок. [c.563]

Обычное мокрое травление имеет изотропный характер и в случае субмикронных структур не позволяет сохранить размеры изображения в допустимых пределах. Сухое плазменное травление дает возможность проводить травление подложки анизотропно и с высокой точностью. Обработка плазмой используется для проявления скрытого изображения (сухие резисты, см. раздел VI. 3) и часто для полного снятия слоя резиста после травления подложки. [c.59]

Травление представляет собой процесс удаления части материала путем химического или электрохимического растворения. Различают изотропное и локальное травление, которое в свою очередь может быть селективным и неселективным. [c.113]

Изотропное травление удаляет тонкий (обычно 1 —10 мкм) приповерхностный слой вместе с окислами. При химическом изотропном травлении микрорельеф поверхности усиливается (повышается шероховатость) из-за разной скорости растворения кристаллов ме- [c.113]

При металлизации пластмассовых изделий, при аддитивном методе изготовления печатных плат и при металлизации полостей отверстий в многослойных печатных платах существенное значение для адгезии пленки металла имеет наличие развитого микрорельефа поверхности подложки. Наименее трудоемким и наиболее эффективным способом создания шероховатой поверхности является химический способ изотропного травления полимерных материалов. [c.123]

Изотропное травление. При изотропном травлении полимерных материалов применяют травитель окисляющего действия на основе концентрированной серной кислоты, которая разрушает полимер. В состав травителя входят также хром (VI), необходимый для химического модифицирования поверхности с целью улучшения смачиваемости после травления, и буфер, например, ортофосфорная кислота (г/л) [c.123]

Мембраны с изотропной структурой получают облучением тонких полимерных пленок заряженными частицами или электромагнитным излучением с последующим травлением химическими реагентами [2]. [c.376]

Оговоримся, что исследования разных свойств кристаллов разными методами по-разному выявляют симметрию внутреннего строения кристалла. Например, изучение скорости прохождения света приводит к выводу о более высокой симметрии кристалла (так, все кристаллы кубической сингонии изотропны в отношении скорости света и неотличимы таким образом друг от друга). Травление обычно [c.61]

Рис. 4.3. Препарат ПБА — ДМАА (с=6%) в поляризованном свете (поляроиды скрещены). Видны изотропные капли в анизотропной матрице слева — картина травления анизотропной матрицы растворителем.

Изотропные мембраны. К этому типу мембран следует прежде всего отнести получившие широкое распространение в последние годы так называемые ядерные мембраны, или нуклеопоры. Эти мембраны образуются при облучении тонких, обычно полимерных пленок заряженными частицами с последующим травлением химическими реагентами [59—62]. [c.52]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

Мембраны с изотропной структурой. Эти мембраны получают облучением тонких полимерных пленок заряженными частицами или электромагнитным излучением с последующим травлением химическими реагентами, поэтому их называют ядерными мембранами, или нуклеопорами . [c.318]

Структура металлов и их сплавов. Твердение металла или металлического сплава всегда я-вляется процессом кристаллизации. Металлы или их сплавы никогда не образуют при затвердевгРйии аморфных или изотропных продуктов, как это происходит, например, у стекол. Кристал-литная структура многих металлов заметна уже невооруженным глазом особенно после травления их поверхности кислотами. В других случаях ее можно обнаружить лишь микроскопическим исследованием, а иногда только рентгенографически. Так как в отличие от кристаллизации из растворов при кристаллизации из расплава в виде целого куска металла отдельные поверхности кристалликов не могут свободно развиваться , у них получаются иные внешние очертания, чем у таких же кристаллов при свободной кристаллизации. Каждая отдельная частица испытывает давление соседних частиц. Частицы такого конгломерата, имеюш ие не характерные для свободного роста поверхности, а вынужденные (вследствие соприкосновения с соседними частицами) поверхности, называются кристаллитами. Кристаллиты, несмотря на то, что их поверхности не Являются поверхностями свободного роста кри- [c.607]

Наиболее перспективным вариантом является замена имплантации в SDE область изотропным травлением кремния в ней газообразным НС1 с последующим ХОГФ гетероструктуры Sij Ge , легированной бором в процессе осаждения. Полученные по такому варианту / - -переходы позволяют [c.113]

Обратная реакция в выражении (7.35) производит сухое, селективное, некоррозийное и изотропное травление меди. [c.180]

Кристаллы могут возникать различными путями (с.м. Кристаллизация). Они могут вырастать из газовой фазы (см. Сублимация) и из жидкой фазы — при охлаждении расплава, насыщенного р-ра или нри испарении насыщенного р-ра. Они могут образоваться и из других твердых тел — кристаллич. или аморфных — при изменепии темп-ры или давления, либо просто при их хранении. Наконец, кристаллы могут появиться непосредственно в химич. процессе образования данного вещества. Если не приняты специальные меры, то кристаллизация обычно приводит к образованию не монокристалла, а поликристаллич. тела. Отдельные маленькие кристаллики ( зерна ) в таком теле четко видны нод микроскопом на отполированной и подвергнутой травлению кислотой поверхпости металла. Обычные размеры зерна в поликристаллич. телах — металлах и сплавах — —10 см. Каждое зерт10-кристал.дит — это кристалл, принявший неправильную форму, т. к. его дальнейшему росту препятствовали соседние кристаллы. Зерна отделены друг от друга т. н. межкристаллитной прослойкой, в к-рой частицы расположены в нарушенном порядке, Межкристаллитные прослойки содержат значительное число чужеродных частиц, вытесненных туда в процессе роста зерен. Поскольку в поликристаллич. тепе отдельные маленькие кристаллы имеют совершенно случайные ориентации, то такое тело как целое (в объеме, содержащем достаточно много зерен) представляется изотропным. Однако иногда (напр., в ре- [c.420]

Трехкальциевый алюминат. Трехкальциевый алюминат в проходящем свете имеет вид изотропных шестиугольных пластинок, в отраженном свете — прямоугольных кристаллов (после травления шлифа 1 % Ным спиртовым раствором азотной кислоты). Для более удобного и быстрого определения трехкальциевого алюмината в иммерсии О. М. Астреева предложила применять окрашивание тонкоистертого клинкера особым красителем (кислотным ярко-голубым 3). Зерна трехкальциевого алюмината при этом приобретают сине-зеленый цвет, в то время как остальные минералы не изменяют своей окраски. [c.170]

Механизм травления состоит в воздействии на поверхность образца радикалов Р, СР, СР2, СРд. Это подтверждается изотропностью травления (образцы на электродах, стенках, за пределами разряда травятся с одинаковыми по порядку величины скоростями) [647]. Добавки кислорода увеличивают скорость травления, что объясняется связыванием углерода, в противном случае остающегося в виде атомов на поверхности образца и затрудняющего доступ радикалов к материалу. При травлении двуокиси кремния кислород для окисления углерода поставляется самим материалом. При увеличении дефицита фтора (переход от СР4 к СаРб, СдРе) все большее количество углерода остается на поверхности образца, что монотонно снижает скорость травления кремния, но не влияет на травление ЗЮг. [c.274]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология