Вульфа Брегга условие

Монокристаллы являются естественными дифракционными решетками, обеспечивающими разложение рентгеновских лучей в спектр. Условия, необходимые для возникновения типичной для рентгеновских лучей дифракционной картины, вытекают- из закона Вульфа — Брегга. Если длина волны рентгеновских лучей равна X, то дифракционные максимумы в соответствии с законом Вульфа — Брегга должны удовлетворять уравнению [c.36]

Брегга (рис. 64). Не меняя угла скольжения (т. е. сохраняя условие Вульфа— [c.113]

В методе поликристалла (метод Дебая — Шеррера) используется монохроматическое излучение к и поликристаллический образец, состоящий из множества мелких кристалликов, хаотически ориентированных по отношению к первичному пучку рентгеновских лучей. Если образец состоит из сравнительно мелких кристалликов (порядка 1—5 мкм), то в участке образца, облучаемом рентгеновским пучком, всегда найдется достаточное число таких кристалликов, ориентация которых удовлетворяет условию Вульфа — Брегга (1.36в). [c.118]

Дальнейший анализ дебаеграммы значительно сложнее. Геометрия дифракционного эффекта в методе порошка не дает никаких указаний об отдельных индексах дифракционных лучей (ср. с методом вращения). Это затрудняет переход от уравнения Брегга—Вульфа к условиям Лауэ, а следовательно, получение данных о константах решетки а, Ь, с, а, р, у. [c.224]

Если же подобная частичная монохроматизация недостаточна и следует совершенно освободиться от белого излучения и от р -волн, то пользуются монохроматизацией от кристалла (табл. 3). Будучи установлен под углом, удовлетворяющим условию Вульфа —Брегга, кристалл отразит под тем же углом тот монохроматический луч, для которого соблюдено условие Вульфа — Брэгга (вместе с излучением с длиной вол- к ны л в том же направлении отражаются высшие гармоники —, — [c.39]

Практически такой эксперимент и расчеты проводятся следующим образом. Выбирается линия для исследования (например, 110 для полипропилена при 20= 14°08 ). По формуле Вульфа—Брегга рассчитываются положения линии второго порядка (п = 2 для полипропилена при 20 = 28° 30 ) и третьего порядка п = 3 в уравнении Вульфа — Брегга 20 = 43° 18 ). Подбираются условия съемки линий второго и третьего порядка. При переходе от линии первого порядка к другим линиям приходится значительно увеличивать интенсивность первичного пучка. Напомним, что в этих экспериментах обязательна монохроматизация излучения (например, фильтром Росса), учет воздушного рассеяния и использования эталона-монокристалла для учета инструментального расширения линии. [c.36]

Из условия Вульфа — Брегга определяется максимальное зна- [c.238]

Не меняя угла скольжения (т. е. сохраняя условие Вульфа — Брегга), будем вращать кристалл вокруг оси первичного пучка. Отраженный луч, очевидно, опишет в пространстве конус с углом при вершине, равном 4 . Другое семейство плоскостей этого же кристалла даст такой же конус, но уже с иным углом при вершине и т. д. [c.149]

Пусть некоторое семейство плоскостей в кристалле образует с падающим пучком монохроматических рентгеновских лучей угол 0, удовлетворяющий уравнению Вульфа — Брегга (рис. 78). Не меняя угла скольжения (т. е. сохраняя условие Вульфа — Брегга), будем вращать кристалл вокруг оси первичного пучка. Отраженный луч, очевидно, опишет в пространстве конус с углом при вершине, равном 40. Другое семейство плоскостей этого же кристалла даст такой же конус, но уже с иным углом при вершине и т. п. Ес.ли на пути отраженных лучей перпендикулярно первичному пучку поставить фотопластинку, то на ней зафиксируется [c.141]

В обоих случаях, если толщина изогнутого кристалла много меньше радиуса его кривизны, условия отражения рентгеновских лучей будут с достаточной для практики точностью описываться совокупностью уравнений Лауэ или соотношением Брегга—Вульфа, справедливыми для плоского кристалла. [c.11]

Рассматривая только геометрию дифракционной картины, можно, принимать условно, что рассеивают или отражают не атомы (и не-электроны атомов), а узлы решетки или узловые сетки решетки. Очевидно также, что направления дифрагированных кристаллом лучей, регулируются условиями Лауэ (или уравнением Брегга—Вульфа), независимо от того, являются ли атомы точечными или учитывается пространственное распределение электронов, находятся ли атомы в по-. кое или совершают тепловые колебания, происходит или не происхо--дит ослабление первичного пучка при прохождении сквозь кристалл вследствие поглощения. [c.191]

В методе порошка, или дсбаеграмм, используют монохроматическое рентгеновское излучение. Поликристаллический образец помещают на пути узкого рентгеновского луча (рис. 5.7, а). Поскольку в порошке имеются кристаллы любой ориентации по отношению к лучу, всегда найдутся такие кристаллы, положение которых отвечает условию Вульфа — Брегга. В конечном итоге все те кристаллики в порошке, которые имеют соответствуюище межплоскостные расстояния ( 1, 2, 3,. ..,d , попадают по отношению к падающему лучу в отражающее (но не гасящее) положение. Отраженные лучи образуют конус со строго определенным углом расхождения. [c.118]

В методе Лауэ используется неподвижный монокристалл и непрерывный (сплошной) спектр рентгеновского излучения, т. е. варьируется длина волны X. Монокристалл К (см. рис. V.1) работает как спектральный прибор из всего непрерывного спектра рентгеновского излучения Я < Ящах выбираются только те длины волны, для которых при заданной ориентации монокристалла, т. 0. при фиксированных выполняется условие Вульфа — Брегга. [c.113]

Метод Дебая — Шеррера. Данный метод позволяет выполнять ренггеноструктурные исследования с порошкообразным веществом. Пусть некоторое семейство плоскостей в кристалле образует с падающим пучком монохроматического рентгеновского излучения угол 0, удовлетворяющий уравнению Вульфа — Бреггов (рис. 57). Не меняя угла скольжения (т. е. сохраняя условие Вульфа — Брег-га), будем вращать кристалл вокруг оси первичного пучка. Отраженный пучок излучения опишет в пространстве конус с углом при вершине, равным 40. Другое семейство плоскостей этого же кристалла даст такой же конус, но уже с иным углом при вершине и т. п. Если на пути отраженных пучков излучения перпендикулярно первичному пучку поставить фотопластинку, то на ней зафиксируется ряд концентрических колец по числу семейств атомных плоскостей, отражающих рентгеновское излучение. [c.114]

Дифракция нейтронов. Прн прохождении пучка медленных нейтронов через кристалл возникают вторичные, дифрагированные (т. е. отраженные ) кристаллическими плоскостями пучки нейтронов. Направ,пения пучков, дифрагированных кристаллом, о 1ределяются условиями Вульфа—Брегга Я, = 51пН, где с1 пк1 — [c.928]

Кристаллические нейтронные фильтры. Для системы беспорядочно ориентированных кристаллитов в ло-ликристаллическом нейтронном фильтре условие Вульфа — Брегга удовлетворяется тс Лько для нейтронов с длиной волны Л. < 2йи, гда — максимальное меж-плоскостпое расстояние кристаллической решетки. При прохождении пучка нейтронов через такой фильтр из пучка вследствие когерентного рассеяния будут выводиться нейтроны с Ослабление нейтронов с А > 2й, происходит за счет процессов иекогерентного упругого рассеяния, теплового неупругого рассеяния и поглощения. Для многих веществ сечения последних трех процессов много меньше, чем сечение когерентного рассеяния, поэтому в пучке, прошедшем через фильтр, практически отсутствуют нейтроны с кс Ы, . [c.929]

При обычном исследовании в светлом поле также будут наблюдаться отражения от кристаллографических плоскостей,конечно, если будет выполняться условие Вульфа — Брегга. Отраженные лучи будут поглощены апертурной диафрагмой и соот -ветствующие участки на изображении будут казаться более темными. [c.20]

При двухмерной дифракции максимумы йозникают не только при рассеянии под углами удовлетворяющими условию Вульфа-Бреггов. Рассеяние в направлениях, не удовлетворяющих этому условию, называют аномальным. Следовательно, рассеяние, вызванное зонами Гинье — Престона, является аномальным. [c.411]

Для исследования совершенства кристаллической структуры монокристалла применено проходящее монохроматическое излучение [40]. Рентгеновские лучи, расходящиеся из точечного источника, попадают на кристалл, который ориентирован та , что 01НИ отражаются от плоскостей, составляющих большой угол с поверхностью кристалла. Если отражающая плоскость выбрана таким образом, что падающие и отраженные лучи составляют примерно одинаковый угол с кристаллом, то поглощение в кристалле примерно одинаково для всех лучей. В случае совершенного кристалла на пленке получится пятно с однородным почернением. Изменение интенсивности свидетельствует о наличии неодинаковой отражающей способности рассматриваемого кристалла. Разработано два вида методик секционной и проекционной топографии. В методе секционной топографии плоскость отражения должна быть перпендикулярна к поверхности кристалла и кристалл должен передвигаться. При проекционной топографии кристалл и пленка совершают равномерное поступательное движение относительно первичного пучка при строгом выполнении условий отражения Вульфа-Брегга данными плоскостями. Между кристаллом и пластинкой ставился экран, не пропускающий прямой рентгеновский пучок (рис. 3). [c.309]

Боррманн [44] применил открытый им эффект для получения микрорентгенографий. Суть метода заключается в следующем когда через кристалл проходят рентгеновские лучи, внутри него образуется стоячая электромагнитная волна вдоль плоскостей, для которых выполняется условие Вульфа-Брегга вол1на распространяется с периодичностью решетки, т. е. атомы решетки могут либо находиться в пучностях волны, либо в ее узлах. [c.310]

В методе Лауэ монокристаллический образец устанавливается в рентгеновской кал1ере неподвижно, каждая система отражающих плоскостей ориентирована под постоянным углом к немонохроматическому пучку рентгеновских лучей. Таким образом, в этом методе угол скольжения 0 имеет ряд постоянных значений (для различных плоскостей), а длина волны Я (в полихроматическом пучке) переменна. Из этого пучка дифрагируют те лучи, длины волн которых подчиняются условию Вульфа-Брегга. Дифракционные пятна на лауэграмме располагаются по эллипсам, гиперболам, прямым, проходящим через пятно от первичного пучка симметрия расположения пятен отражает симметрию кр исталла. [c.67]

Это соотношение называется условием. Вульфа — Бреггов. [c.170]

Помещая на пути рассеянных рентгеновских лучей фотопластинку, получают так называемую рентгенограмму кристалла (рис. 57 и 58), фиксирующую положение максимумов освещенности. Зная длину волны Я примененных лучей и определяя углы а, отвечающие максимумам яркости, рассчитывают, пользуясь условием Вульфа — Бреггов (IV, 1), расстояние d между слоями и, следовательно, между атомами (и ионами) в кристалле. [c.170]

Разработкой теории и конструированием спектрографов с вертикальной фокусировкой лучей занимались в середине тридцатых годов Кунцль, Далейшек и Таерле [10, 11, 12]. В 193/—1938 гг. последние описали оригинальную конструкцию спектрографа, основанного на этом принципе. По данным этих авторов, им удалось добиться значительного повышения светосилы рентгеновских спектральных приборов и, работая при больших расстояниях между щелью спектрографа, кристаллом и фотопленкой, довести разрешающую способность спектрографов этого типа до величины около 2700, что сопоставимо с разрешающей способностью существующих двойных кристалл-спектрографов. Особенностью геометрических условий фокусировки таких приборов, как показал Кунцль [10], является зависимость радиуса кривизны их кристалла от длины волны и, следовательно, от угла (Брегга — Вульфа) отражающихся от него рентгеновских лучей. Если р — радиус кривизны кристалла, — радиус окружности изображения спектро- графа, а 6 — угол Брегга — Вульфа, то [c.17]

Направления лучей, дифрагируемых каждой из решеток , на ко- торые мы разлагали сложную структуру, определяются тремя условиями Лауэ (или уравнением Брегга—Вульфа). Поскольку все решетки одинаковы (имеют равные периоды идентичности) и одинаково ориентированы, все N дифракционных лучей с данными индексами pqr, одновременно удовлетворяя условиям Лауэ, совпадают по направлению, и нами наблюдается лишь суммарный эффект. Новых направлений при усложнении структуры возникнуть не может. [c.189]

При регистрации рентгеновских лучей с помощью ионизационного прибора имеется возможность проследить за изменением интенсивности дифракционного луча при отклонении кристалла от положения, отвечающего условию Брегга — Вульфа. Эта особенность и используется при уточнении юстировки кристалла в дифрактометрах. Монокристальная приставка к дифрактометру УРС-50И позволяет проводить исследование порядным методом по экваториальной схеме. Как было выяснено в гл. ХП1, этот метод требует, чтобы с осью гониометрической головки был совмещен некоторый заданный узловой ряд обратной рещетки. Иначе говоря, кристалл должен быть ориентирован на головке так, чтобы заданная серия узловых сеток его решетки располагалась строго перпендикулярно оси головки. Уточнение юстировки удобнее всего проводить по отражениям от этой серии сеток. [c.428]

Здесь — элемент телесного угла 9 — угол Брегга — Вульфа R — радиус кривизны отражающего кристалла а — постоянная прибора, равная расстоянию между кристаллом и фокусом рентгеновской трубки Se — оптимальный для данного угла отражения размер фокусного пятна, а г = — R sinQ. Иными словами, для создания идентичных условий съемки для различных линий, располагающихся в конечном интервале углов отражения, размер фокусного пятна рентгеновской трубки спектрографа должен изменяться по тригонометрическому закону, а не оставаться постоянным, как это имеет место в щироко используемых приборах. Это обстоятельство приводит к неравномерности щкалы чувствительности спектрографа и к убыванию чувствительности при возрастании угла отражения. [c.134]

Этот вопрос, в такой общей — чисто качественной — форме, уже затрагивался в I томе курса в связи с необходимостью доказать применимость условий Лауэ (и уравнения Брегга—Вульфа) не только к простым трехмерным совокупностям атомов, но и к реальным кристаллам. В ходе доказательства и было показано, что лучи, дифрагиро- [c.7]

До сих пор мы полагали, что кристалл, благодаря правильному периодическому строению, рассеивает рентгеновские лучи только в тех направлениях, которые строго удовлетворяют условиям Лауэ (уравнению Брегга—Вульфа). Однако это основное положение справедливо только в идеальных условиях и при бесконечной протяженности решетки во всех направлениях. Сохраним пока идеальные условия опыта (т. е. будем по-прежнему считать, что кристалл имеет абсолютно правильное строение без каких-либо нарушений, а первичный пучок строго параллелен), но ограничим протяженность решетки. Сразу же обнаружится, что кристалл, имеюш,ий конечные размеры, должен давать дифракционные максимумы определенной угловой ширины интенсивность рассеяния должна спадать на некотором конечном интервале углов от значения M4j до нуля по мере отклонения от направления, строго удов-летворяюш,его условиям Лауэ. В этом нетрудно убедиться. [c.46]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология