Факторы, определяющие структуру кристаллов

Можно показать, что каждый коэффициент ряда Фурье, называемый структурной амплитудой, равен величине соответствующего структурного фактора Р, деленной на объем V элементарной ячейки. Так как в общем случае структурный фактор— мнимая величина, структурная амплитуда является также мнимой величиной и как всякое мнимое число она характеризуется модулем и фазой. Таким образом, трехмерное распределение электронной плотности р в кристалле может быть представлено в виде тройных рядов Фурье, коэффициенты которых выражаются через структурный фактор, деленный на объем элементарной ячейки, т. е. р = где д — функция выражения, заключенного в скобки. Если все структурные факторы Р известны, можно вычислить р и, следовательно, определить структуру кристалла. Однако по почернению пленки удается судить лишь о величине интенсивности, т. е. об В общем случае Р равно произведению некоторого мнимого числа и его ком- [c.235]

В настоящее время принято считать, что факторы, обусловливающие относительные значения G в ряду гомологичных соединений, таких, как нитраты, броматы или перхлораты, чрезвычайно сложны и, вероятно, определяются структурой кристалла, величиной электронно-фононного взаимодействия, плотностью кристалла, средней энергией колебательных состояний, эффектом клетки и т. д. Эти параметры слишком мало изучены, чтобы можно было проводить какие-то оценки их относительной роли в процессах радиолиза неорганических твердых тел. [c.315]

Оно основано на предложенном им понятии электронной концентрации. Эта последняя равна среднему числу валентных электронов, приходящихся на один атом в кристалле. Каждый атом в металле окружен в среднем числом электронов, равным электронной концентрации. По мнению Юм-Розери, положение каждого атома в металле определяется его притяжением к почти свободным электронам, расположенным около него. Поэтому в разных металлах и сплавах, имеющих одинаковую электронную концентрацию, структуры должны быть подобны. В некоторых случаях правило Юм-Розери оправдывается. Но 01Ю имеет множество отклонений. С его помощью нельзя объяснить полиморфные переходы в металлах и то, что многие из них плавятся без изменения электронной концентрации. Ясно, что электронная концентрация — не единственный фактор, определяющий структуру чистого металла. Это видно также из анализа строения сплавов, где появляются исключения почти при любой попытке объяснения структуры, основанной на понятии электронной концентрации [13]. [c.176]

Структуры кристаллов изучают гл. обр. с помощью рентгеновского структурного анапиза. Этим методом определено более 100 тыс. структур неорг. и орг. кристаллов. Для неорг. кристаллов с применением разл. методов уточнения (учет поправок на поглощение, анизотропию атомно-темпе-ратурного фактора и т. д.) удается восстановить ф-цию р(г) с разрешением до 0,05 нм в определять расстояния между [c.99]

В общем случае, механизм реконструкции примесных состояний из мелких (делокализованных) в глубокие (локализованные) будет определяться общим энергетическим выигрышем протекания такого процесса (с учетом величины энергетического барьера), и в каждом конкретном случае будет зависеть от многих факторов — природы исходного кристалла и его структуры, типа примеси, наличия дополнительных дефектов и их концентрации, внешних условий (давление, температура и т. д.). [c.47]

Механизм роста нитевидных кристаллов изучен недостаточно. Структура кристалла является главнейшим фактором, определяющим его морфологию. В структурах кристаллов наиболее прочные направления химической связи могут быть выявлены геометрически, так как им соответствуют кратчайшие расстояния между атомами. В общем случае кратчайшим расстояниям (т. е. направлениям сильнейших связей), вдоль которых происходит преимущественный рост кристалла, соответствуют минимальные периоды повторяемости, соотношение которых определяет габитус кристаллов (рис. 35). [c.103]

Рентгеновские и особенно электронномикроскопические исследования показали, что существует большое разнообразие гетерофазных структур, отличающихся друг от друга формами и ориентировками включений относительно кристаллографических осей матрицы, а также их взаимным расположением. Эти три фактора определяют понятие морфологии гетерофазного кристалла. [c.192]

Следует учитывать также, что зависимость адсорбции от кристаллической структуры твердого тела — это в конечном счете зависимость от электронных факторов, поскольку геометрия кристалла и его поверхности определяется также электронной структурой [85, 223—225]. [c.61]

Скорость и направление старения гидроксида алюминия зависят от исходной его модификации и условий процесса температуры, pH, состава среды, влажности и ряда других факторов. Продолжительность старения определяет размер кристаллов и пористую структуру гидроксида и оксида алюминия. Обнаружено, что процесс кристаллизации гидроксида алюминия в изотермических условиях состоит из распада первичных кристаллитов и агломерации, протекаюш,их одновременно [271]. [c.130]

При понижении темп-ры роль колебаний и энтропийного фактора в установлении равновесия в решетке снижается. При Г = О К равновесная структура кристалла определяется минимумом потенциальной энергии решетки (с точностью до величины эффектов нулевых колебаний, влияние к-рых на установление равновесной структуры кристалла, состоящего из больших молекул, незначительно). Структура кристалла, отвечающая минимуму его потенциальной энергии, должна с большой точностью совпадать со структурой его, соответствующей абсолютному нулю темп-р. Внутреннюю энергию кристаллич. вещества можно рассчитать, используя известные потенциальные функции вида [c.503]

Промышленности. Пленки также применяются для исследований методом дифракции электронов и определения кристаллической структуры. Этот метод позволяет определять атомные позиции металла и неметалла в структуре кристалла карбидов и нитридов, тогда как в связи с большим различием рентгеновских атомных факторов рассеяния металла и неметалла (С, Ы) рентгеновским методом можно определить только позиции атомов металлов. Другая область применения очень тонких ( 1000—10 ООО А) карбидных и нитридных пленок —сверхпроводящие схемы (см. гл. 7). [c.26]

Ориентируя кристалл определенным образом, можно определить постоянные решетки, а, следовательно, и размеры элементарной ячейки. Зная плотность кристалла, можно рассчитать массу элементарной ячейки, а зная химический состав кристалла и атомный вес элементов, можно определить число атомов в элементарной ячейке. Наконец, дифракционная картина позволяет установить тип симметрии кристалла. Получаемой таким путем информации часто достаточно для определения структуры кристалла, по крайней мере в простых системах (для более сложных структур требуется более тщательный анализ). Атомы различного сорта в зависимости от числа электронов обладают различной способностью рассеивать рентгеновские лучи, что выражается фактором рассеяния . Общая интенсивность пучка, дифрагированного элементарной ячейкой, состоит из вкладов различных атомов, а усиление или ослабление интенсивности объясняется тем или иным геометрическим расположением атомов или различием факторов рассеяния. [c.26]

И все же следует подчеркнуть, что развитие граней у того или иного кристалла является определяющим фактором его симметрии. Кроме того, для опознавания какого-либо кристалла существенно, что не только его грани, но и все другие сведения о внешней симметрии и его свойствах определяют симметрию, характерную для этого кристалла. Симметрию кристалла помогают определить фигуры травления, рентгенограммы, а также изучение оптических, электрических, термических и других свойств кристалла, зависящих от внутренней структуры кристалла. [c.241]

Вероятность обмена местами между атомами определяется в соответствии с формулой (11.6) энергетическим барьером Еа между двумя соседними атомами А и В (рис. 6.7). Высота этих барьеров зависит от структуры кристалла, свойств движущихся атомов, механизма диффузии, межатомных сил и других факторов. Энергия активации процесса обмена мест при термодиффузии должна вноситься тепловыми колебаниями элементов решетки. Поэтому напрашивается мысль, что диффузия связана с частотой колебаний атомов. Среднее число переходов п в единицу времени (частота обмена мест) дается больцмановской функцией распределения энергии [c.240]

В принципе уравнение (8.10) позволяет полностью определить структуру любого кристалла. Для этого нужно знать только параметры элементарной ячейки и наблюдаемые структурные факторы. Тогда можно оценить ряды Фурье и найти распределение рассеивающего вещества в элементарной ячейке. Вблизи положений атомов электронная плотность р(хуг) будет иметь максимум, тогда как между атомами р хуг) спадает до нуля. Строго говоря, следовало бы рассматривать ряд, состоящий из бесконечного числа структурных факторов, однако на практике приходится ограничиваться конечным числом. Это способствует возникновению некоторых погрешностей в положениях атомных пиков, но для рентгеноструктурного анализа эти ошибки не существенны, так как у кривых атомного рассеяния по мере увеличения брэгговского угла наблюдается спад, при- [c.176]

Ионная связь по природе электростатическая. Она не направлена противоположно заряженные ионы притягивают друг друга независимо от их относительных положений. Поэтому структуры кристаллов с чисто ионными связями определяются геометрическими факторами, т. е. относительным числом различных ионов и радиусами ионов. [c.146]

Отметим, что большинство существующих оптических методов имеет различную разрешающую способность в вертикальном и горизонтальном (тангенциальном) направлениях. В методе фазового контраста [98] вертикальная разрешающая способность определяется рядом факторов самой структурой ступеней, отражательной способностью кристалла, рассеянием света на кристалле или на объективе, апертурой и др. По оценке Форти [99], при наблюдении в отраженном свете металлических [c.32]

Закон постоянных соотношений в химическом соединении свидетельствует о необходимости насыщения ковалентных связей небольшого числа атомов или валентностей небольшого числа ионов в соответствии с формулой молекулы. Когда же образуется кристалл, то насыщение связей между огромным числом атомов не является единственным фактором, определяющим устойчивость кристаллического образования. В полярных или в ковалентных кристаллах основной структурной единицей является не молекула, а элементарная ячейка. Состав элементарной ячейки, определяется в первую очередь условиями упаковки атомов и уравновешивания зарядов, а кристаллическая структура соединения — геометрическими и электростатическими факторами. В ковалентных кристаллах требования насыщения валентностей и их пространственного распределения жестки, и состав кристалла должен соответствовать стехиометрической формуле. Известно, однако, что образования в кристаллах вакансий и межузельных атомов являются процессами эндотермическими, и, следовательно, при всех конечных температурах концентрация таких дефектов должна иметь конечное значение. Это показывает, что в кристаллах довольно легко осуществляется перераспределение межатомных связей, обеспечивающее локальное, а значит, и суммарное отклонение от стехиометрии. [c.194]

Органические кристаллы. Органические вещества большей частью (кроме солей) обладают молекулярной решеткой. Как показали работы А. И. Китайгородского, при отсутствии усложняющих влияний структура кристаллов многих из этих веществ отвечает плотной упаковке молекул. При этом существенное значение имеет также и пространственный (стерический) фактор. Он определяется геометрической формой самих молекул данного соединения. Так, длинные прямые цепочки высших углеводородов, плоские молекулы бензола или нафталина, пространственные молекулы терпенов уже своей геометрической формой влияют на структуру решетки. Однако образование водородных связей (в особенности у веществ, содержащих гидроксильную или карбоксильную группу), а также междипольное взаимодействие должны оказывать искажающее влияние и в этих случаях. [c.199]

Кристалл представляет собой трехмерное периодическое расположение атомов и может быть представлен трехмерными рядами Фурье. Можно показать, что если структурные факторы рефлексов с индексами кЫ) представить в виде коэфициентов соответствующих членов рядов Фурье (частоты кЫ), то получающийся трехмерный интеграл Фурье представляет собой шкалу плотности электронов внутри элементарной ячейки. Максимум электронной плотности будет соответствовать атому. Если известны фазы структурных факторов, можно определить структуру при условии наличия достаточного количества рефлексов для вычисления коэфициентов достаточного числа членов ряда Фурье. Любой подход к проблеме опре- деления структуры является фактически попыткой опре- [c.330]

Дислокационная структура кристалла при вытягивании из расплава формируется в результате одновременного действия большого количества факторов. Часть дислокаций образуется ростовым путем, и их возникновение определяется такими процессами на фронте кристаллизации, как например, нарушение послойного механизма роста, некогерентная стыковка слоев на фронте кристаллизации, изменение его конфигурации, вхождение в кристалл примесей и разного рода включений. [c.86]

Методом ЭПР исследуются молекулы, атомы и радикалы в газовой фазе, матрицах, растворах (в том числе и сольватированные электроны), в кристаллах и порошках. Из спектра ЭПР и особенностей его тонкой и сверхтонкой структуры можно получать важные сведения об электронной конфигурации атомов и ионов, о свойствах атомных ядер. ЭПР — один из наиболее чувствительных методов обнаружения и идентификации свободных радикалов, установления их электронной конфигурации и геометрии. Метод ЭПР применяется и для исследования комплексных соединений, в частности соединений переходных и редкоземельных металлов. При этом величина -фактора и его зависимость от направления определяются силой и симметрией [c.148]

Уравнение (262) в общем можно применять для качественной оценки некоторых факторов, оказывающих влияние на процесс зародышеобразования, однако для сложных процессов уравнение непригодно. Это объясняется тем, что рост кристаллов определяется не только диффузионными процессами, происходящими в жидкой фазе, но также свойствами структуры растущих кристаллов, как, например, дефектами кристаллической решетки, внедрением в нее ионов из добавляемых растворов и т. д. [c.202]

На основании рентгенографического исследования большого числа кристаллических структур В. М. Гольдшмидту удалось открыть закон, который мы называем сейчас основным законом кристаллохимии. К сожалению, этот закон, несмотря на дальнейшие уточнения, до сих пор еще не носит строго количественного характера. По Гольдшмидту, кристаллическая стурктура вещества определяется численным соотношением, соотношением размеров и поляризационными свойствами различных строящих кристалл частиц и типом связи, существующим между ними. Для ионных соединений Гольдшмидт принимает, что кристалл составлен из соприкасающихся между собой ионов противоположного знака, причем чем больше координационное число, тем устойчивее структура. У соединений с одинаковым типом химической формулы, например АХ, координационное число зависит от соотношения радиусов противоположно заряженных ионов. Простые геометрические соображения показывают, что координационное число 3 возможно, если отношение радиусов центрального иона к окружающим больше 0.15. Если оно меньше 0.15, то центральный ион не может касаться одновременно всех трех противоположно заряженных ионов и должна появиться структура с координационным числом 2. При соотношении радиусов более 0.22 центральный ион может касаться четырех противоположно заряженных ионов, расположенных в углах тетраэдра. При этом структура с координационным числом 3 остается геометрически возможной, но будет метастабильной, так как устойчивее будет структура с координационным числом 4. Начиная с отношения Х равного 0.41, центральный ион может касаться 6 окружающих его ионов, расположенных по углам октаэдра, а при отношении 0.73 и выше он может касаться 8 ионов, расположенных по углам куба. Однако, как уже говорилось выше, ионы не являются твердыми несжимаемыми шарами, поэтому чисто геометрические соотношения не являются единственными факторами, определяющими структуру кристалла. Поляризационные свойства атомов и ионов, а также возможность появления нового типа связи играют не менее существенную роль, поэтому геометрические границы нередко смещаются как в одну, так и в другую сторону. [c.86]

Морфология образующихся частиц зависит от целого ряда факторов, но наиболее важным является соотношение скоростей их зарожд ения и роста, которые в свою очередь в значительной степени зависят от пересыщения системы. Окончательный размер частиц определяется числом центров кристаллизации и скоростью осаждения вещества. Умеренно растворимые вещества, например карбонаты, обычно осаждаются в виде очень мелких частиц. При медленном, регулируемом росте умеренно растворимых солей можно получать монодисиерсные осадки. При высоких степенях пересыщения первичный критический центр кристаллизации может быть меньше размера элементарной ячейки решетки и начинает расти, не имея упорядоченной кристаллической структуры. Таким путем можно получать аморфные или частично кристаллизованные осадки [И]. При низких степенях пересыщения образуется хорошо сформированный кристаллический осадок, причем форма частиц зависит от структуры кристалла и от процессов, преобладающих на поверхности раздела фаз в ходе роста. На морфологию осадка сильно влияет скорость роста кристаллов. При низких скоростях образуются компактные кристаллы, форма которых соответствует кристаллической структуре. Ионы в растворе вблизи поверхности раздела кристалл — жидкость играют важную роль в модификации формы кристалла. При высоких степенях пересыщения нередко образуются объемистые осадки с дендритными частицами. При еще больших уровнях пересыщения получаются очень мелкие частицы, способные к агломерации или образованию золей. [c.19]

Это различие для расстояния О—Н в среднем составляет 0,15.Д. (нейтронограф. 1,0 А рентгенограф. 0,85 А). Эффект несколько меньше для более тяжелых атомов он связан, по-видимому, с несферичностью электронного распределения, обусловленного образованием химической связи. Это сказывается на рентгеновском факторе рассеяния атома (который зависит от орбитальных электронов), но не на рассеянии нейтронов, которое для диамагнитных атомов определяется лишь ядерными свойствами. В методах уточнения структур кристаллов используются рассчитанные атомные факторы рассеяния, так что если предполагается сферическое электронное распределение, а положение атомного ядра определяется как центр тяжести его электронной оболочки, то рентгенографическая позиция атома может отличаться от позиции, определенной нейтронодифракционным методом 1]. [c.26]

Например, если примеси могут образовать фазу, изоструктур-ную легируемой матрице, то результатом допирования явится кластеризация примесей, и в системе возникают локальные химические неоднородности (примесные комплексы). В противном случае результирующее состояние системы будут определять по крайней мере два возможных эффекта — реконструкция каждого дефекта и кластеризация разносортных дефектов. Естественно, что механизм формирования конечного состояния сложнолегированной системы будет зависеть от многих факторов — химического состава и структуры кристалла, химической природы и концентрации примесей, внешних условий. [c.59]

Из сказанного выше становится очевидным, что толш ина образующихся кристаллов определяется кинетическими факторами, однако до настоящего времени окончательно не выяснен фундаментальный вопрос о том, почему полимеры кристаллизуются по механизму складывания макромолекул. С точки зрения количественной теории, эта проблема играет, пожалуй, даже более важную роль при интерпретации однородности образующихся монокристаллов по толщине, а также изменения толщины в зависимости от температуры кристаллизации и т. п., чем первоначально возникший вопрос о механизме зарождения кристаллов. В кинетической теории складчатая структура кристаллов либо принимается априорно [4, 6, 7], либо делаются попытки доказать, что условия зародышеобразования в случае складывания макромолекул (т. е. внутримолекулярной кристаллизации) являются более благоприятными по сравнению с условиями образования зародышей в виде пучков [4, 5], однако вряд ли можно утверждать, что именно это приводит к складыванию цепей. Дополнительно эти вопросы будут исследованы в разделе И1.4. [c.196]

Мы рассмотрели ряд проблем теории химической связи в кристаллах и теперь подведе.. г итоги. По-видимому, главный вывод, который можно сделать из всего обсуждения, заключается в следующем между молекулярной квантовой химией и теорией зонпой структуры кристаллов (или даже вообще между химией и физикой твердого тела) имеется гораздо больше параллелей, чем обычно принято думать. Так, одни и те же факторы по всей вероятности, определяют как своеобразный характер зонной структуры ал.маза, так и особенности химической связи в углеводородах. Аналогичным образом хорошо известный всем химикам феномен инертной пары Сиджвика приводит к закономерной эволюции зонной структуры в вертикальных рядах полупроводников А В и, в частности, связан с локализацией в точке Ь абсолютного минимума полосы проводимости кристалла германия. [c.222]

По Фоксу и Хекстеру, в уравнении (9) имеется два члена, отвечающих за сдвиг частоты перехода при конденсации один из них зависит от структуры кристалла и не зависит от формы кристаллита, а другой (новый член) наоборот —зависит только от формы кристалла. Таким образом, сдвиги-и расщепления полос могут зависеть как от формы, так и от структуры кристалла. В теории используется модель Лоренца, представляющая сферу в поляризованном континууме, и член, зависящий от формы кристалла, связан с поверхностной поляризацией. В работе подробно обсуждены кубические кристаллы и показано, что, во-первых, их спектры могут определяться новыми правилами отбора и, во-вторых, что вследствие снятия вырождения может появиться больше линий, чем следует из рассмотрения фактор-группы (раздел П,Д). Для некоторых кристаллов (МгО, СО2, 81 4, ЫаСЮз и СН4) было проведено сравнение с экспериментальными данными. Хотя для окончательного подтверждения влияния формы кристалла еще необходимы специальные экспериментальные исследования, однако интенсивные полосы, по-видимому, уже достаточно ясно показывают, что такое влияние существует. [c.606]

Если структура кристалла расшифрована и определены средние положения атомов, то температурный фактор, а следовательно, и характер теплового движения каждого атома можно найти путем сравнения наблюдаемых факторов отражения (/-кривых) с вычислен-НШ1И но теоретическим распределениям электронов. [c.45]

Название этой книги подразумевает, что два важных аспекта неорганической химии (в действительности химии вообще) — это строение и реакционная способность. Подобная двойственность известна в физике (статика и динамика) и в нашей повседневной жизни status quo и перемены). Какие свойства атомов и молекул должны определять строение и реакционную способность молекул Очевидно, строение индивидуальных атомов будет определять их валентные возможности, а последние будут обусловливать строение молекул и структуру кристаллов. Статическая структура, в свою очередь, является важным фактором возможной реакционной способности молекул при образовании новых соединений. [c.21]

Модель структуры получена методом векторной конвергенции из трехмерной модифицированной функции межатомных векторов. Уточнение структуры проведено расчетами по методу наименьших квадратов. Положения атомов водорода определены из кристалло-хихмических соображений и уточнены методом наименьших квадратов (табл. 45). Окончательное значение фактора расходимостп R hkl) равно 7,6%, точность онределения межатомных расстояний —0,010 А. [c.116]

Изображение, получаемое с помощью просвечивающего электронного микроскопа, может содержать контраст двух типов. Высокое (до десятых долей нанометра) разрещение характеризуется контрастом первого типа — фазовым контрастом, получаемым при интерференции в плоскости изображения дифрагированных лучей. Именно этот тип контраста позволяет проводить прямое изучение атомной структуры кристалла. Фазовый контраст сильно зависит от положения фокальной плоскости объективной линзы. Так, точный фокус характеризуется минимальным контрастом оптимальное значение дефокусировки (по Шерцеру) определяется сферической и хроматической аберрациями. При отклонениях от оптимального значения дефокусировки на изображении в фазовом контрасте могут появляться различные артефакты. Другим фактором, определяющим фазовый контраст, является число дифракционных линий, участвующих в формировании изображения. Это число можно регулировать объективной диафрагмой, расположенной вблизи фокальной плоскости объективнЬй линзы. [c.247]

Книга состоит из трех частей. В первой излагаются теории возникновения элементов, химического строения и природы Земли, Луны и метеоритов для того, чтобы определить пределы составов, в которых протекают химические процессы. Во второй части рассматриваются те химические факторы (а именно структуры кристаллов и расплавов, термодинамика и кинетика), которые контролируют распределение элементов в породах и минералах, с некоторым акцентом на магматических и метаморфических системах. Показано также, как понимание этих факторов может способствовать решению петрологических и геохимических проблем. Здесь же приводится краткий обзор имеющихся сведений о распределении элементов и использовании данных изотопной геохимии. В третьей части обсуледается геохимия природных вод, включая вопросы взаимодействия воды с горными породами. Книга не касается ни фазовых равновесий, поскольку они обычно освещаются в учебниках по петрологии, ни различных методов изотопной геохронологии. [c.8]

Одним из основных факторов, определяющих степень выделения и скорость отделения твердых углеводородов от жидкой фазы в процессах депарафинизации и обезмасливаиия, является качество депарафинируемого сырья. Как указывалось выше, большая часть твердых углеводородов относится к изоморфным веществам, способным к совместной кристаллизации с образованием смешанных кристаллов, причем в зависимости от условий выделения из растворов эти кристаллы могут быть разных структуры и размеров. При прочих равных условиях форма и размер этих кристаллов определяются фракционным составом сырья. С повышением пределов выкипания фракции уменьшается полнота отделения кристаллов твердых углеводородов от растворов масляной части, что связано с повышением концентрации твердых углеводородов и изменением их химического состава. При охлаждении раствора сырья с большим содержанием твердых углеводородов в соответствующем растворителе в начальный момент кристаллизации образуется слишком много зародышей кристаллов, на которых при дальнейшем охлаждении кристаллизуются выделяющиеся из раствора твердые углеводороды. В этом случае конечные кристаллы имеют малые размеры, что приводит к уменьшению скорости фильтрования и выхода депарафииированного масла при увеличении содержания масла в твердой фазе. Рост кристаллов определяется типом углеводородов, выделяющихся из растворов в виде зародышей, на которых затем кристаллизуются остальные компоненты твердой фазы [6]. [c.136]

Магнетит FegOi имеет шпинельную структуру, подобную MgAljOi и представляющую собой кубическую упаковку ионов кислорода, в промежутках между которыми распределены ионы Fe и Fe +. В невосстановленном катализаторе много крупных кристаллов, (рис. 39). Во время восстановления, весь кислород удаляется, но усадки не происходит, поэтому получается очень пористое железо, занимающее тот же общий объем, что и исходный магнетит (см. гл. 2, рис. 9). Эта пористость является важным фактором, влияющим на активность используемого катализатора. Другим важным фактором является дисперсность отдельных кристаллов железа, образованных при восстановлении, которая в основном определяется природой и количеством присутствующих промоторов. [c.159]

Дисперсная фаза структурированных НДС в ядерной части на определенном этапе представлена газопаровыми пузырьками, капельками изотропной и анизотропной жидкости, кристаллами, ассоциатами и комплексами асфальтосмолистых веществ и других ВМС, кристаллитами углерода. Во многих случаях эти виды ДФ могут находиться в структурированных НДС одновременно. При этом следу ст подчеркнуть, что частицы ДФ данного вида, находящиеся в конденсированном состоянии, могут бьггь представлены органическими соединениями различных классов или относящимися только к одному классу, гомологическому ряду или группе. Так, кристаллическое ядро ДФ может быть образовано парафиновыми, ароматическими или смешанными углеводородами в таких системах как нефть, дистиллятные и остаточные продукты переработки нефти и газа, битумы и пеки, находящиеся при температурах, более низких, чем температура их застывания или стеклования, или сетчатыми ароматическими макромолекулами в графите. Состав, структура, размеры, объемные и поверхностные свойства ядерной части частиц ДФ, конкретный набор и концентрация различных видов ДФ в данной структурированной НДС в процессах получения нефтяного углерода определяются многими факторами природа сырья, температурно-временной режим и давление карбонизации, среда, степень превращения сырья, технологические и аппаратурные особенности процесса, тип и интенсивность внешних энергетических воздействий и т.д. [c.108]

Мы видим, что аморфные вещества не являются разупорядо-ченными кристаллическими веществами. И, таким образом, кристаллическая модель не может отражать природу аморфных веществ, так же как кристаллическая решетка не может содержать никакой информации о структуре аморфных веществ. Кристаллическая модель твердого вещества не отражает существования направленной составляющей связи, соединяющей структурные единицы твердого вещества. Между тем давно известно, что природа кристаллов определяется в конечном счете именно этим фактором. В самом деле, тип кристаллической структуры определяется характером межатомной связи и кристаллические структуры издавна классифицируются по типу связи ковалентной, водородной или ионной, металлической, молекулярной — ван-дер-ваальсовской. При этом различают координационные, каркасные, слоистые, цепочные и островные структуры. [c.162]

Гетерогенность структуры полимеров и ее энергетических характеристик на всех уровнях и термофлуктуационный статистический характер освобождения тех или иных степеней свободы молекулярного движения приводят к появлению большого числа вторичных областей релаксации, которые являются размытыми, т. е. имеют место не точки, а области переходов. Плавление кристаллов происходит в результате двух факторов энергетического (преодоление сил межмолекулярного взаимодействия) и энтропийного (повышение гибкости полимерных цепей). Поэтому в зависимости от сил межмолекулярного взаимодействия и жесткости молекулярных цепей может существенно изменяться. Так как 7 с и Тпл определяются уровнем подвижности молекулярных цепей, между ними существует связь следующего вида 0,5 7 пл< к 7 с<0,87 пл- В соотношении 7 пл = onst-7 с Для симметричных полимеров onst = 0,5, а для несимметричных (в которых атом главной цепи не содержит двух одинаковых заместителей) onst = = 0,66. [c.274]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология