Работа отрыва атомов

О прочности связи того или иного электрона с ядром количественно можно судить по величине энергии ионизации, т. е. по той работе, какая должна быть затрачена на отрыв электрона от атома. Например, атом углерода (2 = 6) содержит шесть электронов. Электронная формула элемента 15 2х 2р . В настоящее время известно, какую энергию (в электронвольтах) надо затратить на то, чтобы от атома С последовательно оторвать все шесть электронов (рис. IV- ). Из рисунка IV- видно, что по мере оголения ядра энергия, затра- [c.59]

При помощи рис. 146 легко убедиться в том, что молекула N г так же, как и атом Аг, обладает в рассматриваемых последовательностях максимальной ионизационной работой (из-за прочной связи с электроном) и минимальной (даже эндотермической) величиной сродства к электрону (из-за отсутствия энергетически выгодных вакансий для их помещения). Электрон легче оторвать от О г, так как при этом уходит из молекулы антисвязевой электрон, а отрыв от С2 облегчен тем, что длина связи из-за недостатка электронов велика, а именно 1,25 А, а вместе с ней уменьшена и работа ионизации по сравнению с N3. [c.267]

Детальное ознакомление с работами [21, 631 показывает, что полученное значение не вызывает сомнений. Можно предположить, что радикал СН2, образующийся из возбужденной молекулы СН обладает иными свойствами, чем предполагали ранее. При диссоциации СН4 отрыв атомов, связанных с углеродом, сопровождается изменением состояния электронной оболочки последнего, в результате чего [64, 651 образуется возбужденный радикал СНг, в котором атом углерода четырехвалентен и находится в состоянии гибридизации зр-орбит. В нормальном же или невозбужденном радикале СН2 атом углерода двухвалентен и находится в состоянии гибридизации орбит. [c.219]

Отрыв атома металла от кристаллита. Возможность миграции атомов до публикации работ [4.28, 4.29] не учитывалась из-за того, что процесс отрыва атома металла от кристаллита и перехода на поверхность носителя считался энергетически невыгодным. Поскольку теплота сублимации, например, платины равна 564 кДж/моль, а атом металла на поверхности оксидного носителя обычно считается адсорбированным физически (т. е. связанным силами Ван-дер-Ваальса) с теплотой меньшей, чем 83 кДж/моль, то энергия активации отрыва атома должна была быть не ниже 480 кДж/моль. Между тем спекание кристаллитов металлов, таких как платина, протекает обычно при температурах между 500 и 700 °С. Для того чтобы в этих условиях скорость спекания была заметна, необходимо, чтобы энергия активации была ниже 250—310 кДж/моль. Последнее, в свою очередь требует более сильного взаимодействия атома металла с поверхностью носителя. В работе [4.34] обнаружено, что наличие поверхностных дефектов или продуктов крекинга углеводородов увеличивает энергию взаимодействия металла с носителем. Эти данные послужили обоснованием для того, чтобы постулировать механизм, который включает более сильное, чем физическая адсорбция, взаимодействие атома металла с поверхностью носителя, что н понижает наблюдаемую энергию активации по крайней мере до 310 кДж/моль. [c.77]

Парафиновые углеводороды нормального строения. Разложение метана и этана было изучено гораздо лучше, чем любых других углеводородов. Очевидно, вследствие сложности процессов скорость этих или любой другой реакции разложения парафиновых углеводородов, выраженная через константу скорости для реакции первого порядка по уравнению Аррениуса, люжет лип1ь приближенно отрал- ать данные, фактически полученные в ншроком интервале температур, давлений и степеней превращения.. Однако на современном уровне знаний пспользование более сложного анализа кинетических данных для промышленных целей еще не оправдано.. Применение простого уравнения Аррениуса позволяет достаточно точно сравнить относительные скорости разложения различных углеводородов. Поскольку скоростям разложения метана и этана посвящено много работ (в частности [15J), в этом разделе основное внимание будет уделено разложению парафиновых углеводородов Сз и вьпие. [c.62]

Для высоких давлений весьма удобны реакторы с внутренним контуром циркуляции и магнитным приводом. Один из конструктивных вариантов такого реактора описан в работе [18]. Реактор (рис. Х.9) представляет собою автоклав, внутри которого установлен диффузор для направления потока газа с вмонтированной для зерен катализатора сеткой. Над диффузором расположены крылья-отра-жатели потока. В нижней части реактора расположен ротор, на котором укреплено колесо турбинки, прокачивающей газ через диффузор. Статор, представляюпщй собою катушку с вращающимся магнитным полем, надет на внешнюю сторону выступающей вниз гильзы автоклава, где расположен ротор. Конструкция испытана в работе при 500° С и 300 ат. Эта конструкция отличается компактностью, отнбсительной простотой, надежностью. К недостаткам этой конструкции можно отнести большой горячий объем, отсутствие контроля циркуляции газов, невозможность вывода продуктов реакции из циркуляционного цикла. [c.413]

Прошлые теоретические и экспериментальные работы [7—12] и последние исследования [13—17] показали, что процесс гидрокрекинга, или, как раньше его называли, крегинг в присутствии водорода (деструктивная гидрогенизация), представляет собой совокупность ряда параллельных и последовательных реакций. К ним относятся расщепление парафиновых, нафтеновых и оле-финовых углеводородов, отрыв боковых цепей ароматических и нафтеновых углеводородов, деструктивное гидрирование, или гидродеалкилирование алкиларома-тических углеводородов, гидрогенолиз сероорганических и азотсодержащих соединений, гидрирование продуктов расщепления, изомеризация, уплотнение полупродуктов и коксообразование. Гидрокрекинг, может протекать под давлением водорода от 30 до 700 ат и выше, при этом реакции уплотнения молекул и дегидрирования заметно подавляются. При высоких давлениях (200 ат и более) они могут предотвращаться практически полностью. [c.10]

Потенциал ионизации может служить количественной характеристикой прочности связи электрона с атомом. Однако об этом большей частью судят по той работе (энергии), какую необходимо затратить на отрыв электрона йт атома или от иона. Это — энергия ионизации. Она обычно выражается в электронвольтах на одну частицу, а также в килокалориях или килоджоулях на Л/д (Авогадрово число) частиц (т. е. на 1 г-атом) . [c.28]

Ранее уже отмечалось, что из-за отличия в размерах атомов бериллия, гелия и трития энергетически выгодно, чтобы последние задерживались и накапливались на дислокациях. Это означает, что отрыв дислокации от приставшего к ней газового атома требует затраты определенной работы ( 0,6-10 2 эрг). Двигаться же вместе с дислокацией указанный атом может лишь при температурах, при которых соответствующий ему коэффициент диффузии становится достаточно большим. Таким образом, по крайней мере при температурах облуче- [c.42]

Упомянутые здесь исследования свидетельствуют о сложности решения, проблемы построения математической модели процесса биологической очистки сточных вод. Эти модели были разработаны в основном по результатам экспериментов в лабораторных условиях, и применимость их к реальному расчету и ироектироваиию требует всесторонней проверки но условиям работы натурных сооружений. Отметим также, что модель биологического окисления примесей сточных вод должна отра-х ать сложность и постоянную изменчивость исходного состава обрабатываемых сточных вод. [c.180]

Боланд и Купер [18] показали, что при облучении в спиртовом растворе антрахинон-2,6-дисульфонат-ион отрывает атом водорода от а-углерода молекулы спирта. При этом образуются радикал красителя типа семихинона и радикал спирта. В дальнейшем Бридж и Портер [24] показали, что отрыв-атома водорода является первичным актом реакции. Краситель регенерируется в результате реакции с молекулярным кислородом, а свободный радикал субстрата-растворителя в дальнейшем окисляется до радикала перекиси, промежуточной между альдегидом и кислотой [см. уравнение (3)]. Аналогичная работа Боланда и Купера, проведенная на других субстратах в водных растворах, показала, что реакции глюкозидов и дисахаридов, представляющие окислительное расщепление глюкозидных связей, также могут быть объяснены с точки зрения образования промежуточного радикала перекиси [105] [c.316]

Допустим, что кристалл с простой кубической решеткой ограничен только плоскостями (100). Отрыв атома от такой плоскости требует большой работы, характеризуемой разрывом связей 5181 4, что значительно превосходит ф1/,. Но кристалл в форме куба неизбежно имеет атомы, расположенные в вершинах и связанные менее прочно, чем ф1/ . Для простой кубической решетки атом в вершине имеет связи 3 311 вместо 3 [ б 4 для положения у полукристалла (рис. 1,15). Следовательно, атом в вершине не стабилен и должен покинуть решетку. Оставшиеся 3 атома будут иметь связи 3 5 2, т. е. тоже [c.42]

В своих исследованиях по РЭС Зигбан и сотр. столкнулись с иногда осложняющим работу явлением --i испусканием оже-электронов. После того как из внутренних оболочек выброшен электрон, его место заполняется электроном с внешних оболочек. Этот переход (в действительности, последовательность, каскад переходов) сопровождается выделением энергии в виде рентгеновского излучения, но может произойти и безрадиационный переход, когда энергия перехода затрачивается на отрыв еще одного электрона. Испускаемые при этом электроны обладают определенной кинетической энергией, также характеризующей данный атом. [c.260]

Среди всех известных в настоящее время элементов нет таких, атомы которых при обычных условиях выбрасывали бы свои электроны. Обычно на отрыв электрона необходимо затра- -тить работу. Эта работа (энергия) носит название энергии ионизации. Она выражается в электронвольтах на 1 атом или же в килокалориях на 1 г-атом, т. е. на Авогадрово число атомов (число Авогадро Л А=6-10 3). [c.30]

Как уже указывалось ранее, причины ивменения в характере взаимодействия обсуждаемых систем связаны как с изменением природы донора и акцептора, так и с. воаможностьв изненения природн и строения самого комплекса. Так, для соединений ВХуРХз есть указания [20,21] на осуществление в них прямой донорно-акцепторной связи между атомами В и Р. Наряду со структурой с прямой связью М- —Э (назовем ее структурой ), у соединений Хз ЭХз может осуществляться мостиковая связь через атомы галогенов (отр я-тура П ). первом случав атомы элементов V группы выступают в качестве доноров, во втором - в качестве акцепторов электронной пары. Причем следует отметить, что мостиковые связи могут быть образованы как через два галогена (при этом структура аддуктов должна быть подобна структурам димерных молекул галогенидов Ж группы) так и через один атом галогена (тогда речь идет о мостике типа Х3М— Х-ЭХ2). На возможность осуществления последнего типа структуры имеются указания в работе Шемони о сотрудниками [19], основанные на результатах исследования ИК- и Рамановских спектров кристаллических и расплавленных аХз ЬХз. И, наконец, особенно при переходе к элементам нижних периодов возрастает возможность появления структуры Ш- комплексных соединений с иш-ным характером связи. Таким образом, конкуренция указанных типов связи в соединениях ШСз-ЭХз и приводит, по-видимому, к различив в поведении этих систем в зависимости от природн Э, К и х [c.167]

Отношение параметров a—MjQla для некоторых газов показано на рис. 16, где представлены результаты расчетов, выполненных с привлечением данных [82]. Видно, что в рассматриваемых условиях максимальный отрыв должен соответствовать инертным газам и в первую очередь Аг и Ne. Отрыв в гелии на одни-два порядка меньше, чем у аргона, что подтверждается данными работы [83]. В водороде и щелочных металлах АТ на несколько порядков ниже, чем в аргоне. Отрыв в атомарном азоте и кислороде в несколько раз ниже, чем в Аг, однако в области Г<8000°К его величина должна существенно снизиться из-за влияния псупругих взаимодействий электронов с молекулами. Это же относится к водороду и другим молекулярным газам. [c.105]

При этом, как показано на схеме, происходит отрыв протона от атома X субстрата и присоединение протона из среды к атому р [12]. Данный элемент модели, связанный с активацией субстрата и сопровождающийся отрывом протона от субстра-та, находит подтверждение в целом ряде экспериментальных работ, обобщенных в обзоре [163]. [c.123]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология