Дефекты атомные

Подводя предварительные итоги результатов работ по компьютерному моделированию структурного и химического состояния примесных систем на основе Ш-нитридов, можно заключить, что при легировании кристалла изо- и гетеровалентными примесями может происходить реконструкция состояния дефекта с образованием глубоких примесных ОХ-, АХ-центров. Процесс реконструкции сопровождается изменением зарядового состояния примеси и значительными релаксационными сдвигами инородного атома. Образующаяся в окружении дефектов атомная конфигурация может рассматриваться как фрагмент промежуточной структуры между структурой матрицы и структурой стабильной бинарной фазы, которую образует элемент замещения с координирующими его атомами. [c.59]

Однако в реальной природе идеальных (без дефектов) атомных решеток и идеальных электронов (например, обладающих массой пц) не существует. Электроны в реальных атомных структурах обладают эффективными массами, скоростями и соответственно энергиями, присущими лишь данному атому. Их энергии, амплитуды и соответственно скорости принадлежат только этой атомной структуре, имеющей собственное и единственное в природе пространство импульсов. Электроны другого атома имеют другие амплитуды и скорости энергии (принадлежат другому единственному и природе пространству импульсов). [c.77]

Для конкретности мы говорим об адсорбированных атомах. Очевидно, однако, что все результаты этого параграфа в равной мере относятся и к атомам примеси, внедренным в решетку металла, и вообще к любым структурным дефектам атомного типа. [c.144]

Дефекты атомного размера точечные дефекты, дислокационные линии, одноатомные ступеньки на плоскостях скола. [c.507]

Д.ПЯ одного лишь перечисления и краткой характеристики всех известных в настоящее время типов нарушений идеальной структуры твердых тел и их отклонений от идеального химического состава с краткой характеристикой их свойств потребовалось бы слишком много места. Настоящее сообщение поэтому ограничено развитием классификации, начало которой было показано на рисунках. Существуют все переходы от макроскопических дефектов рис. 1 и 2, через микроскопические дефекты к дефектам атомных порядков рис. 4. Граница между ними по размерам сглаживается смещениями и деформациями, происходящими вблизи дефектов атомных и микроскопических размеров, [c.7]

Итак, для дефектов атомного типа в кристалле точечная группа симметрии всей системы однозначно определяется локальной симметрией той точки, где расположен дефект. Бели есть несколько эквивалентных по симметрии точек (орбита), то любая из них может рассматриваться как точка расположения дефекта, с учетом, однако, физической природы атомов для дефектов замещения. Так, в структуре КаС наличие вакансии в катионном или анионном узле приводит к дефектам раз ного рода, но одинаковой симметрии Он. В структуре алмаза точечный дефект, локализованный в любом из двух атомов в элементарной ячейке, имеет одинаковую природу и симметрию Та- [c.248]

Рассмотрим некоторые примеры. Начнем с дефектов в ЩГК, которые послужили отправным объектом для развития теории ионных кристаллов с ЛЦ [6, 8]. Простейший из них Р-центр (дефект атомного типа), который возникает при удалении аниона (однозарядного в кристаллах и захвате образовавшейся. [c.249]

Особое значение приобретают при механическом инициировании распада карбоцепных полимеров (в отличие от термического распада) реакции с участием слабых связей [75]. Дефекты атомных размеров -гетероатомы в основной цепи полимера, кислородсодержащие группировки, разветвления - играют опре-деляю цую роль в разрыве полимерных цепей и зарождении субмикроскопических дефектов сплошности именно точечные дефекты атомных размеров обусловливают снижение энергии активации разрушения эластомеров по сравнению с энергиями диссоциации химических связей полимерных цепей. [c.76]

Излучение Энергия, эе Электронные дефекты Атомные смещения [c.306]

Значение этих слов трудно переоценить. Однако эти предсказания были реализованы только в 1957 г. в области электронной микроскопии [4, 5], что позволило непосредственно увидеть различные дефекты атомной решетки. Реализация идей Алексея Васильевича в области рентгеновской дифракции задержалась из-за значительных экспериментальных трудностей, связанных с предельно высокой чувствительностью рентгеновского муара. [c.187]

Подробно изложены современные представления о структуре границ зерен в поликристаллах — геометрическая теория, структурные дефекты, атомная теория с учетом энергетических параметров, взаимодействие границ с примесными атомами и т. д. Рассмотрены механизмы, определяющие прочностные и другие физические свойства поликристаллов, а также механизмы миграции и перестройки границ, зернограничного проскальзывания и охрупчивания (тре-щинообразования), сегрегации и диффузии примесей, представляющие значительный научный и практический интерес. Книга содержит результаты оригинальных исследований авторов, а также новые данные советских и зарубежных исследований. [c.319]

С помощью просвечивающего микроскопа исследуют атомную и надатомную структуру субмикронных по толщине пленок и микрорельеф поверхности при использовании реплик. Информацию об атомной структуре дают приборы высокого разрешения (<0,3 нм) она включает сведения о расположении атомов и молекул в элементарной ячейке, изображение кристаллической решетки, дефекты атомного масштаба (вакансии, дислокации). Для исследования надатомной структуры микрокристаллов, зерен, сферолитов, микровключений, а также несовершенств более крупного размера (дефектов упаковки, границ зерен, микротрещин и т. д.) достаточно меньшее разрешение (0,5— [c.226]

Зарождение трещин в кристалле происходит в результате сдвига при наличии дислокаций или даже дефектов атомного размераг. Если принять различие в прочности теоретической и экспериментальной равным 10 , то из сравнения уравнений (28) и (29) имеем [c.143]

Такие методы выявления поверхностных дефектов атомного размера, как дифракция медленных электронов или методы определения ступенек скола с помощью декорирования наиболее интересны при исследовании за родышеобразования и роста. Они изложены в гл. 8 и 9. Электронная микроскопия и дифракция электронов на отражение обсуждаются в гл. 9 Последний метод обычно используется для получения информации о структуре этот метод интересен тем, что электронный луч, направленный пол углом 1° к поверхности, способен обнаружить шероховатости высотой до [c.507]

В кристаллических телах встречаются различные дефекты точечные (вакансии, атомы в междуузлиях, примесные атомы), линейные (дислокации), плоскостные (дефекты упаковки), объемные (фазовые включения). Одиночные дефекты подобного типа могут вызвать некоторые перенапряжения, а их агрегации еще более опасны, так как могут приводить к заметным локальным перенапряжениям. Различные дефекты могут быть и в аморфных низкомолекулярпых телах (также вакансии, примесные атомы и т. п.), и в полимерах ( концы молекул, примеси, искажения в строении цепных молекул), что способно играть определенную роль в распределении напряжений по объему тела, хотя особо высоких перенапряжений из-за дефектов атомных размеров здесь также вряд ли следует ожидать. [c.276]

В гл. IV были рассмотрены условия установления полного внутреннего равновесия в кристаллах, взаимодействующих с внещней фазой заданного состава при заданной температуре. Состояние равновесия характеризуется равенством химических потенциалов всех компонентов в сосуществующих фазах. Равновесные концентрации всех видов заряженных дефектов (атомных и точечных) связаны уравнением злектронейтральности, уравнениями, характеризующими обмен атомами между кристаллом и средой, и уравнениями, описывающими ионизацию дефектов. Следовательно, структурно-чувствительные свойства кристаллов зависят от процессов обмена атомами между объемом кристалла и внешней фазой. [c.358]

В первом случае точечная си.мметрия кристалла с дефектом определяется локальной точечной симметрией той точки кристалла, в которой появился дефект атомного типа. К операция. локальной симметрии точки г в молекуле или кристалле (в этой точке, в частности, может располагаться и ядро одного из атомов) относят все те операции точечной группы симметрии системы, которые оставляют эту точку неподвижной. Как мы отмечали в третьей главе, локальная группа симметрии в общем случае является подгруппой точечной группы симметрии молекулы или кристалла, содержащей помимо операций локальной группы и все операции, переводящие точку г в ей эквивалентные (см. 1.1). Если точка г не лежит ни на одном из элементов симметрии кристалла (поворотных осей, плоскостей), то ей соответствует локальная группа Сь если точка г оказывается на пересечении всех элементов симметрии, то ее локальная группа совпадает с точечной группой кристалла (для симморфных кристаллов). [c.247]

В таких условиях в стехиометрическом кристалле с равным числом разноименных дефектов атомное разупорядочение не приводит к избытку электронов или дырок доноры и акцепторы взаимно скомпенсированы. Поэтому избыток электронов или дырок обусловлен отклонением от стехиометрии. Это не так, если уровни расположены асимметрично. Теперь в компенсированном образце может быть больше носителей тока, чем в соответствующем образце без дефектов ( самоактивированная полупроводимость ) [73]. По-видимому, указанное явление характерно для сульфида кадмия [74—75]. Более резких различий нужно ожидать, когда положение уровней отличается настолько сильно, что ЮДИН дефект действует как однократный донор, а другой — как двойной акцептор, и наоборот. Такое поведение может наблюдаться в соединениях типа АВ и более вероятно для соединений АпВ, спф т. Оно отмечалось, по-видимому, в закиси меди и окиси хрома [76]. [c.349]

Теория зарождения трещин в кристаллах в результате сдвига основывается на дислокационной модели. В общем случае, однако, применительно к развитию трещин можно, по-видимому, ввести представление о подвижных структурных дефектах атомного размера, характер движения и распределения которых таков же, как и в дислокационной модели. (Вектор Бюргерса-переменная величина). Тогда основные положения теории дислокации применимы и к хрупким аморфным телам, закономерности разрушения которых мало отличаются от закономерностей хрупкого разрушения кристаллических тел. О существовании многочисленных атомных дефектов в поверхностных слоях частиц измельченных материалов свидетельствуют описанные выше нарушёния кристаллической структуры, механохимические процессы, а также терыолюминесцен-ция, экзоэлектронная эмиссия и другие явления. [c.122]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология