Свойства кристаллов структурно-чувствительные

Несомненно, каждый реальный кристалл обладает всеми перечисленными дефектами и его свойства в связи с этим должны существенно отличаться от свойств идеализированных кристаллов, модели которых были рассмотрены выше. Дефекты структуры действительно оказывают сильное влияние на многие свойства твердых тел. К ним относятся прочность, электропроводность, механические и электромагнитные потери, каталитические свойства и др. Эти свойства получили название структурно чувствительных. Для описания таких свойств рассмотренные выше модели являются малоподходящими. Однако часто оказывается, что ответственным за какое-либо определенное свойство реального кристалла является один тип дефектов. Это может быть обусловлено тем, что какой-либо дефект присутствует в гораздо большей концентрации, чем прочие, либо же тем, что на данное свойство прочие дефекты влияют в значительно меньшей степени. В таких случаях конкретное структурно чувствительное свойство можно достаточно удовлетворительно объяснить усовершенствованной моделью, включающей модель рассматриваемого дефекта (точечного или протяженного). [c.69]

Многие магнитные свойства — структурно чувствительны и сильно зависят и от поверхностного, и от объемного совершенства кристалла. Естественно поэтому предполагать наличие у НК и пленок особых магнитных свойств. [c.498]

Физические свойства веществ можно подразделить на две группы структурно чувствительные и структурно нечувствительные свойства. Первые зависят от атомной структуры кристаллов, вторые — главным образом от электронного строения атома и типа химической связи. Примером первых могут служить механические свойства, примером вторых — электрические и оптические. [c.243]

Данную характеристику подтверждают наблюдения оптической анизотропии алмазов, являющейся структурно-чувствительным свойством кристаллов. Аномальное двулучепреломление в алмазе— оптически изотропном материале — обусловлено неравномерными напряжениями в матрице, возникающими в присутствии дислокаций, примесей и включений, блочности, при изменении параметров решетки и т. д. [c.401]

В данном разделе будет рассмотрена взаимосвязь между различными физическими свойствами синтетических кристаллов кварца и условиями роста. Определенные различия в условиях роста кварца в природе и при искусственном выращивании в различных средах накладывают отпечаток и на структурно-чувствительные физические характеристики кварца как кристаллического материала. Успехи в области получения совершенных кристаллов, ставшие возможными на базе знания реальной структуры кварца в связи с условиями роста, определили широкое применение синтетических кристаллов, практически полностью заменивших природные как в радиоэлектронике, так и в оптическом приборостроении и в качестве сырья для ювелирной промышленности. [c.130]

При сопоставлении теории дефектов кристаллов с опытным материалом (не только в катализе, но и для других структурно-чувствительных свойств) постоянно приходится сталкиваться со следующим противоречием общего порядка. Даже при самом благоприятном сочетании предполагаемых в теории обстоятельств ожидаемое при равновесии [c.109]

С этой точки зрения идеальная поверхность вообще не адсорбирует. Адсорбционная способность обусловливается степенью отклонения реальной поверхности от идеального состояния. Таким образом, адсорбционная способность кристаллической поверхности, как и многие другие свойства кристаллов, принадлежите этой точки зрения к категории так называемых структурно-чувствительных свойств, т. е. свойств, определяемых не периодической структурой решетки, а, наоборот, локальными нарушениями этой периодичности. [c.365]

А. Ф. Иоффе [87 ] при исследовании электропроводности ионных кристаллов впервые ввел в рассмотрение процессы образования междоузельных ионов. В опытах А. Ф. Иоффе [88] и А. В. Степанова [891 приведены экспериментальные доказательства того, что проводимость относится к числу структурно-чувствительных свойств и изменяется в сотни раз в кристаллах каменной соли под действием пластической деформации. В 1926 году и затем в последующих работах [90, 911 Я- И. Френ- [c.37]

В 1.2 были рассмотрены принципы, которые лежат в основе строения кристаллов. Однако идеальное построение решетки, характеризующееся трехмерной периодичностью, не может быть реализовано при нормальных давлениях р и температурах Т. Различные отклонения от идеальной структуры приводят к реальной структуре. Исследование реальной структуры представляет сегодня очень важное научное направление в кристаллофизике и кристаллохимии, так как подавляющее большинство химических, физико-химических, электрических, магнитных, механических и других свойств кристаллов зависит от их реальной структуры. Поэтому целесообразно говорить о свойствах, чувствительных к нарушениям структуры [структурно-чувствительных свойствах) и свойствах, нечувствительных к таким нарушениям. [c.208]

Сокристаллизацию используют для изучения кристаллизации и свойств кристаллов. Это приводит к особенно хорошим результатам, если примесь чувствительна к структурным несовершенствам кристаллов и мигрирует между фазами более интенсивно, чем кристаллизант. [c.273]

Реальные кристаллы. Описанная в 50 внутренняя структура кристалла, характеризующаяся строгой пространственной периодичностью, представляет собой известную идеализацию. Исследование строения реальных кристаллов показало, что во всяком кристалле эта периодичность всегда несколько нарушена. В реальных кристаллах наблюдаются дефекты структуры. Число этих дефектов и их тип оказывают влияние на некоторые свойства кристаллических веществ. В ряде случаев это влияние очень сильно, а некоторые из этих структурно-чувствительных свойств имеют очень большое практическое значение. [c.158]

Современный технический прогресс тесно связан с созданием и широким применением новых неорганических материалов, среди которых находятся и ферриты. Своеобразное сочетание магнитных параметров, близких к параметрам ферромагнетиков, с электрическими полупроводниковыми свойствами делает ферриты интересным объектом исследования как с точки зрения строения вещества, так и их использования в новой технике, Моно- и поликристаллические ферриты, как правило, синтезируют при высоких температурах из кристаллических окислов, солевых расплавов или в результате транспортных реакций с участием парообразных носителей [1—4]. Скорость и степень протекания этих процессов в значительной мере зависят от присутствия дефектов в кристаллах, участвующих в синтезе, независимо от того,, являются ли эти кристаллы исходными материалами или продуктами реакций [5—6]. Более того, многие магнит- ные, электрические и оптические свойства ферритов являются структурно-чувствительными, т. е. определяются несовершенством (дефектами) их электронной и кристаллической структуры [7—8]. Очевидно, что для осуществления процессов, ведущих к получению ферритов с заданными свойствами, необходимо исследовать закономерности возникновения и природу дефектов, характер взаимодействия различных видов дефектов и их поведение при термическом и химическом воздейст- [c.260]

К структурно-чувствительным свойствам можно в определенной степени отнести и электрическую проводимость электролитических металлов. Для очень чистых металлов с кубической решеткой электропроводимость монокристалла не зависит от направления. Электропроводимость поликристалла должна быть ниже лишь за счет влияния границ зерен между отдельными кристаллами. Более сильными должны быть отличия монокристалла от поликристалла для кристаллов некубической системы. Кристаллы с гексагональной, тетрагональной или тригональ-ной структурой (например, Zn, d, Sb, Bi) обладают осевой симметрией, поэтому их сопротивление различно по главной оси и по перпендикулярным к ней направлениям. Для таких, даже самых чистых, металлов наличие текстуры вызывает изменение электропроводимости р 20]. Электропроводимость металлов, полученных электролизом, существенно зависит от природы металла [c.43]

Неравновесные собственные дефекты. На основании имеющихся данных можно считать, что концентрации собственных дефектов при высокой температуре близки к равновесным, особенно в порошкообразных люминофорах (см. гл. X). Однако в процессе охлаждения кристаллов диффузия дефектов быстро замедляется, и в охлажденном образце концентрация их всегда значительно выше той, которая отвечает комнатной температуре. Отсюда ясно, что она зависит от скорости охлаждения, изменяя которую можно проследить за влиянием собственных дефектов на люминесценцию и другие структурно-чувствительные свойства кристаллов. При этом, конечно, нужно учитывать и те связанные с примесями и интеркристаллическими реакциями явления, которые будут рассмотрены в последующих главах. [c.95]

Иногда утверждают, что химия кристаллофосфоров — это неорганическая и физическая химия тех классов соединений, которые способны к люминесценции. При этом игнорируется то обстоятельство, что природа люминофоров, как и физико-химических процессов, приводящих к появлению способности к люминесценции, может быть познана лишь в результате изучения закономерностей образования дефектов кристаллической решетки, тогда как в случае применения тех же соединений для целей, не связанных с использованием их структурно-чувствительных свойств, эта важнейшая для кристаллофосфоров проблема не представляет интереса и потому не изучается. Непонимание того, что химия люминофоров— это прежде всего раздел химии кристаллов с дефектами, приводит к отрицанию или игнорированию принципа компенсации валентности (заряда), ассоциации противоположно заряженных дефектов кристаллической решетки и взаимодействия в области дислокаций и межблочных поверхностей, т. е. представлений, которые лежат в самой основе физической химии кристаллофосфоров, полупроводников и лазерных материалов. [c.319]

Направленный синтез цеолитов, т. е. воспроизводимый синтез цеолитов с определенной структурой кремнекислородного каркаса и с заданным химическим составом кристаллов и последующее химическое и структурное модифицирование уже синтезированных кристаллов имеют весьма важное значение для управления адсорбционными и каталитическими свойствами цеолитов, особенно чувствительными к изменениям структуры и химического состава кристаллов. [c.16]

Различные структурные дефекты решетки избыточные атомы в междоузлиях, вакансии, дислокации, границы кристалла, оказывают значительное влияние на структурно-чувствительные свойства полупроводников. Многие полупроводниковые соединения являются фазами переменного состава с более или менее широкой областью существования. Свойства таких соединений определяются главным образом природой и концентрацией точечных дефектов. Управление структурно-чувствительными свойствами материалов сводится к выбору методов и установлению условий, обеспечивающих возможность контролируемого введения дефектов определенного типа в решетку кристалла либо в процессе его выращивания, либо при его последующих обработках. Однако для этого необходимо предварительно установить характер и степень изменения физических свойств при введении в решетку кристалла дефектов определенного типа (например, примесей) в зависимости от их концентрации. Сложность этой задачи заключается в том, что лишь в исключительных случаях удается изготовить кристалл, содержащий дефекты только [c.8]

Все природные и искусственные монокристаллы любых веществ, т. е. реальные кристаллы отличаются от идеальных, рассматриваемых в кристаллографии, тем, что в них наблюдаются различные нарушения периодичности расположения атомов. Эти нарушения, называемые структурными несовершенствами или дефектами, оказывают более или менее значительное влияние на структурно-чувствительные свойства кристаллов. Поэтому основной задачей материаловедения является изучение влияния дефектов и управление структурно-чувствительными свойствами каждого данного материала. [c.161]

Согласно теории и опыту работы с полупроводниковыми элементами (германием и кремнием) наиболее эффективным методом управления их структурно-чувствительными свойствами является легирование кристалла примесями введение примесей Б решетку данного чистого вещества соответствует образованию твердого раствора. При малых концентрациях примеси можно считать, что ее атомы распределяются равномерно по всему объему кристалла и что нарушения периодичности кристаллической решетки локализованы в небольшом объеме, окружающем атом-примеси. [c.163]

Проблема изготовления однородных кристаллов с требуемым комплексом структурно-чувствительных свойств, с заданными размерами и геометрической формой является основной задачей прикладного материаловедения. [c.239]

Примерами структурно-чувствительных свойств могут служить все свойства, связанные с движением атомов или электронов, неосновное оптическое поглощение и люминесценция, а также магнитные свойства кристаллов. [c.166]

Новиков Н. Н. Структура и структурно-чувствительные свойства реальных кристаллов. Киев Высшая школа, 1983. 260 с. [c.248]

Структурно чувствительньте свойства гетерогенных сплавов зависят от величины и фадиента напряжений, дисперс ности фаз, изолированности ферромагнитных кристаллов и других факторорассмотренных вьпне. [c.56]

В принципе все физические свойства кристаллов зависят от их структуры и, следовательно, от дефектности решетки. Однако не все свойства в равной мере чувствительны к наличию дефектов. Обычно число равновесных дефектов относительно невелико, поэтому к мало чувствительным свойствам относятся все те, которые зависят только от средних значений молекулярных параметров частиц в решетке. Сюда относятся такие термодинамические свойства, как теплоемкость и энергия кристаллов. Более чувствительны к наличию дефектов оптические свойства кристаллов в области основной полосы поглощения. Высокочувствительны те физические свойства, которые практически полностью определяются наличием отдельных дефектов в кристаллической решетйе — диффузия в кристаллах, электропроводность примесных полупроводников, поглощение света вне основной полосы поглощения, люминесценция, некоторые магнитные свойства, скорость химических реакций в кристаллах. Для химии большое значение имеет равновесная нестехиометричность ионных кристаллов, возникающая в связи с появлением в решетке структурных дефектов. [c.271]

Структурно чувствительным свойством является также скорость перемещения стенок доменов. Из-за взаимодействия с неоднородностями происходит торможение движения стенок доменов. В обычных кристаллах домены перемещаются со скоростью, не превышающей 0,5 км/с. В НК железа, по данным Де Блуа (1958 г.), она достигает 50 км/с. [c.498]

Все соединения этого типа являются фазами переменного состава. Полиморфизм и политипизм, свойственные многим из них, приводят к сильной зависимости структурно чувствительных свойств от условий выращивания кристалла и термической обработки. [c.369]

Наличие дефектов в отдельных кристаллах и зернах существенно влияет на сопротивляемость металлов и сплавов микроударному разрушению. Изучение этого вопроса представляет большой практический интерес. В настоящее время нет даже приближенной теории, связывающей механические характеристики металлов с количеством, формой и характером распределения в них микро-и макроскопических дефектов. Реальные металлы весьма несовершенны. Отклонением от идеальной структуры прежде всего являются границы зерен, микротрещинки, возникшие в процессе кристаллизации слитка или деформировании металла, макроскопические несплошности типа пор и другие дефекты, которые чаще всего являются следствием предыстории образца. Наличие большого количества микро- и макроскопических дефектов заметно проявляется в различных структурно-чувствительных свойствах, особенно при деформации и разрущении металла в микрообъемах. [c.82]

В работе [221 ] изложены результаты исследования кинетики нуклеации в расплаве сложного полупроводникового соединения AgзAsSз (прустит), кристаллы которого представляют большой интерес для новых направлений прикладной физики. На рис. 36 изображены три кривые зависимости скорости нуклеации от температуры расплава AgзAsSз. Здесь же показана температурная зависимость теплопроводности прустита в твердом и жидком переохлажденном состоянии. Кривые /(АГ) имеют Сложный немонотонный характер. Ярко выраженные максимумы скорости нуклеации отмечаются при температурах 477—476 470 462 454 и 422°С, менее выраженные максимумы — при температурах 445 437 434 и 430°С. С увеличением перегрева и длительности выдержки в перегретом состоянии скорость нуклеации уменьшается, а достигаемые переохлаждения расплава возрастают. При малом перегреве и выдержке в перегретом состоянии кривые ЦАТ) имеют большее число экстремальных точек. Общее понижение скорости нуклеации наблюдается в интервале температур, при которых теплопроводность жидкой и твердой фаз имеет максимальное значение. Это указывает на зависимость кинетики нуклеации от структурно-чувствительных свойств расплава и возникающей Твердой фазы. [c.94]

Точечные Д. с. в реальных кристаллах играют решающую роль в процессах диффузии, ъ различных химич. процессах, идущих как на поверхности, так и в объеме твердых тел, в том числе и каталитич. процессах, протекание к-рых существенно зависит от степени и характера неоднородности и наличия дефектов в структуре твердого тела. Вместе с тем точечные Д. с. играют важную роль в формировании т. наз. структурно-чувствительных свойств кристаллов электропроводности, фотоэлектрических и термоэлектрич. свойств. [c.537]

Для полупроводниковых кристаллов большое значение имеют вторичные Д. с., к-рые возникают на основе дефектов по Шотткп и дефектов по Френкелю и могут быть названы нару шениями идентичности в расположении атомов кристалла. Сюда относятся различные дефекты в структуре полупроводников, к-рые могут значительно изменить структурно-чувствительные свойства этих кристаллов (см. Полупроводники). [c.538]

Ряд Boii TB Т. т. не зависит илп в очень слабой степени завпсит от наличии дефектов структуры. Такие Boii Tna Т. т. наз. структурно-нечувствительными. К ним относятся упругие, оптические, тепловые и электрич. свойства. Другие свойства Т. т., т. наз. структурно-чувствительные, существенно зависят от характера, числа и распределения дефектов. К этим свойствам относятся пластичность, прочность, химич. активность, кинетика разного рода диффузионных процессов в Т. т. (см. Дефекты структуры. Дислокации в кристаллах и Механические свойства материалов). [c.22]

В реальных кристаллах многие свойства существенно зависят не только от типа равновесной кристаллической структуры, но и от дефектов этой структуры — нарушений периодичности и равновесия. Структурно-чувствительными свойствами кристаллов являются ионная и полупроводниковая электропроводность, фотопроводи- [c.306]

Рассмотрены кристаллохимия ферритов, механизм и кинетика их образования. Приведены основные сведения о фазовых соотношениях в ферритообразующих системах и их свойства. Особое внимание уделено процессам рекристаллизации ферритов, получению эпитаксиальных пленок из них, а также объемных кристаллов. В 1970 г. выходило учебное пособие Г. И. ЖУРавлева с аналогичным названием. Данное издание существенно переработано и дополнено описанием новых методов получения ферритовых порошков и изделий из них, роли рекристаллизации в управлении структурно-чувствительными свойствами ферритов, механизмов н кнлетнки их роста из расплавов и растворов, жидкофазной эпитаксии пленок, сведениями по технике безопасности. [c.2]

Дефекты в кристаллах принято классифицировать по их размерам точечные и атомные дефекты (нульмерные), линейные дефекты (одномерные), поверхностные дефекты (двумерные). Появление объемных дефектов соответствует выделению второй фазы и, следовательно, нарушению монокристалличности обра з-ца. В этом случае создается гетерогенная система, в которой выделившаяся фаза не оказывает непосредственного влиякия на структурно-чувствительные свойства материнской фазы, хотя свойства образца в целом претерпевают заметные и часто резкие изменения. [c.161]

В гл. IV были рассмотрены условия установления полного внутреннего равновесия в кристаллах, взаимодействующих с внещней фазой заданного состава при заданной температуре. Состояние равновесия характеризуется равенством химических потенциалов всех компонентов в сосуществующих фазах. Равновесные концентрации всех видов заряженных дефектов (атомных и точечных) связаны уравнением злектронейтральности, уравнениями, характеризующими обмен атомами между кристаллом и средой, и уравнениями, описывающими ионизацию дефектов. Следовательно, структурно-чувствительные свойства кристаллов зависят от процессов обмена атомами между объемом кристалла и внешней фазой. [c.358]

Вигнера, означающая увеличение энтальпии /40/ влияют на параметра и состояние кристаллической решетки и ее последующее поведение дри внеиних воадействиях. Это в находит свое выражение в модификации облучением различных, главным образом структурно-чувствительных свойств кристаллов. [c.48]

В элементарных полупроводниках основную роль играют точечные дефекты типа примесных атомов. В полупроводниковых соединениях, которые в принципе являются фазами переменного состава, первостепенное значение имеют точечные дефекты типа вакансий (нарушение стехиометрии). Они, как правило, определяют структурно-чувствительные электрофизические и физико-химические свойства полупроводящего вещества. В частности, дефекты Шотткн могут быть не только структурным несовершенством в кристаллах полупроводникового соединения, но н функционировать как электрически активные центры, выполняя функцию оноров или акцепторов. [c.50]