Средний свободный путь

I — средний свободный путь [c.298]

Ч. Гиншельвуд [16, стр. 8] пишет, что для изучения кинетики химических реакций газообразное состояние представляет особые преимущества, так как кинетическая теория дает много детальных сведений о внутреннем состоянии газов о средней скорости молекул, расиределении их скоростей, о типах движения различных молекул и среднем свободном пути, на основании которых, при известной скорости молекул, можно вычислить число столкновений в единицу времени. [c.28]

Картина химической реакции в жидкой фазе гораздо сложнее. Имеется мало точных сведений относительно среднего свободного пути молекул в жидкостях, что не позволяет вычислить число столкновений. [c.28]

Основная идея метода заключается в том, что средний диаметр пор адсорбента может быть охарактеризован числом, представляющим средний свободный путь молекулы газа в порах при столь низких давлениях, что практически столкновения молекул происходят лишь со стенками. Этот средний свободный путь, характерный для индивидуального пористого твердого тела, может быть вычислен из измерений теплопроводности твердого тела при трех разных давлениях. [c.426]

Так как средний свободный путь пробега газовых молекул гораздо больше диаметра поры, необходимо брать коэффициент диффузии для молекулярного потока. Последний определяется соотношением [c.198]

При определении длины среднего свободного пути пробега, для обеих молекул принимался эффективный диаметр 20 X 10 . [c.104]

Слабая зависимость среднего свободного пути излучения от толщины волокон при средних диаметрах менее 4 10" см может быть также объяснена разным характером зависимости числа волокон от массы, приходящейся на единицу длины, и от диаметра волокон. Основная масса стекла концентрируется в волокнах большего диаметра, и поэтому плотность распределения волокон не так высока, как это следует в соответствии [c.382]

X — средний свободный путь молекулы. гп — масса молекулы. [c.7]

При низких давлениях средний свободный путь испарившейся частицы очень велик, поэтому быстрота испарения ограничивается только упругостью паров испаряющейся жидкости. [c.99]

Средний свободный путь в воздухе при 20° С 4,86 Л =- см Р 1,91 дюймов Р [c.258]

Рассеяние фононов вследствие дефектов решетки или неоднородностей структуры обусловливает сопротивление тепловому потоку. Анизотропия теплопроводности в полимерных материалах зависит от молекулярной массы полимера, степени ориентации, наличия полярных боковых групп. В аморфных стеклах средний свободный путь фононов относительно мал и соизмерим с атомными расстояниями. [c.56]

Эффективный коэффициент диффузии нужно измерить экспериментально. Значение его зависит обычно от давления и температуры, а также от строения пор катализатора. Действительно, механизм диффузии в порах сложен, поскольку размеры их могут быть меньше среднего свободного пути диффундирующих молекул. Мы не станем [c.475]

Такая большая степень разделения обеспечивается только в том случае, если средний свободный путь газовых молекул значительно больше, чем диаметр отверстия. Практически это делает необходимым ведение процесса газовой диффузии при давлениях ниже атмосферного. [c.55]

Поскольку к плоскости с координатой I приходят без столкновения молекулы, находящиеся на расстоянии среднего свободного пути % с обеих сторон от этой плоскости, т. е. от плоскостей с координатами 2+А, и X—Я, то изменение у выбранной плоскости составит (2+Я)-/(2-Я). [c.28]

Уравнение (1.42) характеризует явление диффузии для случая, когда градиенты концентрации молекул газов с помощью посторонних источников и стоков поддерживаются постоянными, причем молекулы обоих газов обладают равными или близкими значениями средней скорости Ыа и среднего свободного пути К. Это условие практически выполняется для газов с близкими значениями молекулярной массы, находящихся при равных температурах. [c.32]

Эффективность упрочнения зависит от среднего свободного пути (X) частицы и промежутка между ними (/). Между Я, I, Си (объемная доля фазы II) существуют следующие соотношения [1, 29] [c.141]

Уравнение (VIII.5.3) показывает, что вязкое сопротивление нронор-цнонально давлению. Прибор, основанный на этом принципе, был разработан Ленгмюром [7] для измерения очень низких давлений. Он основан на измерении силы торможения, оказываемой разреженным газом на висящий диск. Однако прибор должен быть градуирован для каждого отдельного газа, с тем чтобы учесть коэффициент аккомодации а в уравнении (VIII.5.3). Особенность вязкости при низких давлениях заключается в том, что вязкое сонротивление не зависит от расстояния между стенками (пока это расстояние значительно меньше среднего свободного пути). [c.162]

В таблице приведены коэффициенты теплоироводности газов и паров при давлении Р= ат или в области давлений, в которой X не зависит от Р (т. е. ири таких давлениях, когда средний свободный путь молекул весьма мал по сравнению с толщиной, проводящего теплоту слоя). [c.927]

Рис 6 10 Зависимость скорости термофореза аэрозольных частцц от обратной ве1ичииы радиуса частиц при различных давлениях (или различной дчине среднего свободного пути молекут газа) [c.201]

Предсказание профиля резиста требует моделирования экспозиции и проявления. Для количественного описания распределения энергии в полимерном слое, помещенном на подложку, наиболее часто используется метод Монте-Карло. Он состоит в моделировании траектории электронов в системе резист — подложка на ЭВМ. Взаимодействие электрона со средой представляет собой ряд последовательных отражений, при которых происходит изменение направления движения электрона и потеря им энергии. В большинстве подходов используют модель с одним отражением, направление которого случайно. При этом предполагается, что направление движения электрона изменяется в результате его упругого отражения от атомного ядра, причем угол столкновения может быть вычислен из приближенных решений уравнения Шре-дингера, предложенных Борном [7]. Угловое распределение рассеянных электронов зависит от потенциала. Чаще всего используют потенциал Томаса — Ферми, рассчитываемый в предположении, что на движущийся электрон действует атомный заряд близлежащего ядра, величина которого корректируется с учетом электронной оболочки атома. Предполагается также, что между двумя упругими столкновениями электрон движется по прямой с длиной, равной среднему свободному пути, и теряет энергию. Потерю энергии электроном обычно рассчитывают в соответствии с приближением постепенного понижения (метод СЗОА) по уравнению Бете [c.216]

В жидкости молекула А движется через пе11тральпую зону с трансляционной энергией, равной той, которую она имела бы в газе, а именно /, НТ, а потому и со скоростью, идентичной средней ее скорости в газовом состоянии. Однако в течение большей части времени между двумя столкновениями ее скорость, как показано на рис. И, значительно выше, чем в нейтральной зоне. Следовательно, в жидком состоянии средняя скорость молекулы выше, чем при той же температуре в газовом состоянии. Поэтому число сто.чкновений, испытываемых молекулой в едииицу времени, будет больше в жидкости, чем в газе, вследствие того, что расстояние между столкновениями (средний свободный путь) сильно уменьшается в жидкости, поскольку пространства между молекулами, через которые они только и могут двигаться, составляют лишь небольш Ю долю общего объема. Это сильное возрастание частоты столкновений приводит к соответствующему увеличению рассеяния энергии направленного движения ламинар- [c.38]

Газ Диаметр молекулы в см Скорость в см/сек Средний свободный путь при 0° С и 760 мм рт, ст. в см Число столкновение в 1 сехв 1 см [c.7]

Первые результаты, частично опубликованные в работе [6], получены при комнатной температуре стенок камеры. Установлево, что Q линейно изменяется с давлением газа вплоть до 15 мк, свидетельствуя о достаточно длинном среднем свободном пути пробега молекул. На фиг. 4 приведены эти результаты для водорода. С другой стороны, Q очень слабо зависит от температуры нити в области температур 850—1500° С для всех [c.326]

Давление паров большинства кристаллических органических веществ бывает низким, обычно много ниже атмосферного давления, так что особую важность приобретают методы измерения давления в области от 0,1 до 10 атм. Для этих целей было разработано много устройств и методов, частично рассмотренных в обзорах Партингтона [536] и Милацо [436]. Давление ниже 1 мм рт. ст. измеряется обычными ионизационными приборами различных типов, термопарными, термисторными и другими вакуумметрами, основывающимися на измерении сопротивления. Бейнон и Николь-сон 167] применили для этого ионизационный прибор, в котором для ионизации газа используются заряженные частицы (альфа-частицы от радиоактивного источника). При низких давлениях необходимо остерегаться ошибок, связанных с термической транспирацией, которая может иметь место, когда средний свободный путь молекул пара становится сравнимым с диаметром используемых в системе трубок [165]. Абсолютная калибровка таких устройств, необходимая для точных измерений давления, затруднительна, но наклон кривых давления пара может быть измерен достаточно точно, так что энтальпия сублимации определяется вполне надежно. [c.38]

Эффект Франка — Рабиновича. Рассмотрим молекулу АВ, диссоциирующую иа радикалы А и В. Радикал А теряет весь избыток энергии в столкновении с третьим телом на расстоянии X (средний свободный путь) от В. В результате этого радикал А движется с равной вероятностью в любом направлении. Вероятность а встречи А вновь с радикалом В определяется отнощением площадей [c.76]

ХОД фотоэлектронов при 3580 А еще не полностью объяснен. Однако Макларен и Роджерс указали па два эффекта, которые могут понижать фотопроводимость при этой длине волны. Во-первых, фотоны более сильно абсорбируются в поверхностных слоях, чем в объеме кристалла поэтому, для того чтобы фотоэлектроны и дырки могли быть обнаружены, они должны продиффундировать из области с высокой плотностью рекомбинационных центров в относительно бездефектную сердцевину кристалла. Это ведет к снижению среднего свободного пути носителей тока и объясняет наблюдаемую зависимость фотопроводимости от интенсивности света (/ 0- [c.178]

Коэффициент диффузии зависит от размера пор, если средний свободный путь, который обычно равен нескольким сотням ангстрем, больше размера пор. Так как удельная поверхность также связана с разхмером пор, должна суш,ествовать возможность ее определения по измерению диффузии в условиях кнудсенов-ского потока [47, 77, 201]. Вейс [206] вывел такое уравнение для модели однородной структуры, состоящей из беспорядочно расположенных точечных ядер. [c.92]

Рис. 6.10. Зависимость скорости термо-фореэа аэрозольных частиц от обратной величины радиуса частиц при различных давлениях (или различной длине среднего свободного пути молекул газа)

Швебель [210] провел весьма поучительный опыт. Он скондён-сировал атомы золота на монокристалле золота, в основном на плоскости (100). Полученная кривая зависимости коэффициента конденсации от температуры приведена на рис. 43. Швебель нашел, кроме того, что в интервале температур, в котором коэффициент конденсации равен единице, сталкивающиеся с поверхностью атомы золота не внедряются в решетку подложки, а скорее образуют на ней центры кристаллизации, которые растут независимо. Однако найдено, что в той области температур, в которой коэффициент конденсации меньше единицы, граница раздела подложки растет в перпендикулярном к себе направлении. Эти данные можно объяснить конкуренцией между захватом ад-атомов на местах выступов, образованием центров кристаллизации па уступах и десорбцией. При более высоких температурах длина среднего свободного пути диффундирующего ад-атома немного больше, чем пространство, заключенное между ступенями, так что очень вероятны внедрение ад-атомов на ступенях и регулярный рост поверхности. Поскольку с увеличением температуры вероятность десорбции возрастает быстрее, чем поверхностная диффузия, то коэффициент конденсации имеет низкое значение. При более низких температурах длина среднего свободного пути ад-атома становится меньше расстояния между ступенями и к тому же имеется большее соотношение пересыщения. Следовательно, преобладает образование центров отдельных кристаллов, [c.181]

В дополнение к изучению поведения при плавлении сильно вытянутых материалов исследованы и некоторые другие характеристики полимеров, связанные с их тепловыми свойствами. Так, была определена теплопроводность гидростатически экструдированных образцов ЛПЭ в широкой области температур в направлениях, параллельном (/С ) и перпендикулярном направлению экструзии (58, 59]. Оказалось, что при —173 °С отношение К Кх составляет / 20, причем значение К. сравнимо с величинойхарактерной для нержавеющей стали фис. 1.51). При этой температуре К определяется степенью непрерывности кристаллического порядка. Теплопроводность может быть интерпретирована на основе теплового аналога модифицированной модели Такаянаги действительно, между К. II при —173 °С и модулем на плато при —50 °С существует линейная корреляция. При температурах выше —173 °С значение К остается высоким, но с уменьшением среднего свободного пути фотонов происходит заметное рассеяние из-за того, что имеется сравнительно малое число длинных последовательностей кристаллитов. Как хорошо известно, даже при средней толщине кристаллитов 500 А и большим периодом в 200 А большинство межкристаллитных мостиков соединяет только соседние кристаллические области. [c.58]

Обнаружение метиленовых радикалов. С целью получения более определенных сведений относительно первичных продуктов разложения метана Бельгиц и Райдиль (1934, 1935 гг.) быстро пропускали газ при давлении в 0,1 мм рт. ст. над нагретыми до высокой температуры платиновыми или угольными нитями, после чего он ударялся об осадки теллура или иода, помещенные на расстоянии в 3 см. Такое короткое расстояние было выбрано в предположении, что оно равно вероятному среднему свободному пути радикалов в условиях опыта. Поэтому имелась надежда идентифицировать последние до их столкновения друг с другом или с другими частицами. [c.252]

Для более точного определения условий, в которых действует поток Кнудсена, вспомним, что кинетическая теория дает следующую величину для среднего свободного пути газовой молекулы [20] [c.497]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология