Энергия ионнои решетки

ЛЛЯ электрона Зз атома натрия, включенного в решётку, получаем уровень энергии, лежащий несколько ниже пустого уровня Зз ионной решётки (рис. 124). Этот энергетический уровень о, называемый уровнем дефекта или примеси, является дискретным, т. е. ве расширенным в полосу, так как он принадлежит лишь ограниченному числу атомов. [c.280]

Такую же превалирующую роль играет электростатическая (в классическом смысле) компонента адсорбционной энергии и в явлениях смачивания кристаллических порошков (с ионными решётками) полярными жидкостями, что мы и покажем в дальнейшем. [c.72]

В рассмотренных здесь случаях мы имеем депо с электростатической адсорбцией, когда молекулы смачивающей или адсорбируемой полярной жидкости в сильном электростатическом неоднородном поле ионов решётки адсорбента располагаются на притяжение и притягиваются к адсорбенту при наличии большой электростатической адсорбционной энергии ). [c.82]

Различие в величине /дисп для различных точек адсорбирующей поверхности, очевидно, зависит от величин и 8-, так как коэффициенты при них не меняются, если мы рассчитываем /дисп для одних и тех же кристаллической решётки и адсорбируемого газа. Поэтому, чтобы получить адсорбционное поле над решёткой из дискретно расположенных ионов (например, над кубической ионной решёткой), необходимо суммировать (а не интегрировать) для каждой точки над решёткой энергии взаимодействия , обусловленные ионами, лежащими в первом (ближайшем) поверхностном слое решётки, затем во втором, в третьем и т.д. (рис. 15). [c.95]

Утверждение, что переход электронов в полосу проводимости невозможен для диэлектриков и возможен для полупроводников и что в металлах на каждый атом приходится в общих чертах по одному электрону проводимости, представляет собой перефразировку того положения, что в идеальных диэлектриках даже валентные электроны крепко связаны с атомами или ионами, составляющими кристаллическую решётку в полупроводниках эта связь много слабее, а в металлах во всех узлах кристаллической решётки находятся атомы, от которых оторвано по одному валентному электрону, и эти электроны могут передвигаться по всему объёму металла. Расположение полос энергетических уровней и расстояние между ними можно рассчитать, исходя из энергии связи электронов в составляющих кристаллическую решётку атомах. [c.46]

II вообще об атомных и электронных процессах. Так, мы знаем теперь, что положительные ионы металла расположены в узлах некоторой правильной пространственной решётки, что колебания этих ионов около положения равновесия подчинены законам квантовой физики и обусловливают в основном теплоёмкость металлов, что те же квантовые законы управляют взаимодействием атомов и электронов и движением как электронов в металле, так и молекул газа, наконец, что электроны обладают волновыми свойствами наравне со свойствами частицы. Прежнее представление о свободных электронах и об их движении, совершенно не учитывавшее взаимодействия электронов с ионами и атомами и не знавшее квантовых законов, не может теперь удовлетворять физика. Но и все новые, более совершенные видоизменения электронной теории принимают 1) что в металлах существуют электроны, передвигающиеся так или иначе по всему металлу, 2) что при увеличении температуры скорость движения электронов увеличивается, 3) что при вылете из поверхности металла электрон должен затратить некоторую работу за счёт энергии своего движения. [c.80]

Что касается механизма вторичной эмиссии иод действием положительных ионов, то он долл5еп существенно отличаться от механизма вторичной электронной эмиссии под действием электронов. Ироникновения медленных положительных ионов внутрь металла не происходит. Имеющиеся данные о распределении скоростей электронов, эмиттируемых различными металлами при бомбардировке их положительными ионами калия, позволяют вывести заключение, что выход электронов из металла обусловливается передачей положительными ионами их кинетической энергии кристаллической решётке металла с последующей передаче11 этой энергии в немногих наиболее благоприятных случаях одному из электронов проводимости металла. [c.92]

Более детальные подсчёты показывают, что при не слишком больших скоростях ионов на интенсивность распыления оказывает большое влияние закон распределения энергии между ионами. Учитывается также, что далеко не все атомы, освободившиеся из кристаллической решётки катода, попадают в виде распылённых частиц на стенки и на другие электроды трубки, а часть их возвращается обратно на поверхность катода. Полученные таким путём количественные результаты хорошо совпадают с экспериментальными данными в случае большого давления газа и малого катодного падения [1528]. [c.470]

Тем же методом раскрывается и смысл суммы 22f отвечающей дисперсионной энергии взаимодействия ионов кристаллической решётки с адсорбированным атомом при его положении на перпендикуляре из середины ребра ячейки на расстоянии от поверхности кристалла. [c.101]

В таблице IV приведены данные для энергии ионной решётки KG1, показывающие существенное значение энергии отталкивания 7отт ( + 54,1) в общем балансе энергии решётки ( — 159,2). [c.54]

Другой вариант теории вторичной электронной эмиссии предложен советским физиком А. Е. Кадышевнчем. Исходные положения теории Кадышевича электронный газ в металле является вырожденным газом с распределением энергии по Ферми упругие столкновения с ионами решётки металла изменяют направление движения первичного электрона проникающий в металл первичный электрон и созданные им вторичные электроны тормозятся благодаря взаимодействию с электронами проводимости. Взаимодействие электронов с ионами решётки учитывается путём рассмотрения упругих соударений электрона с решёткой. Кадышевич учитывает суммарно как рассеяние, обусловленное наличием решётки и её периодического поля, так и рассеяние, вызванное тепловыми колебаниями решётки. Кадышевичу удаётся объяснить ряд типичных особенностей вторичной эмиссии, в том числе возрастание коэффициента о нри увеличении угла падения первичных электронов (возрастание тем более быстрое, чем больше скорость первичных электронов) и малые значения о для щелочных металлов. В последнем случае концентрация свободных электронов бо,пьше, чем у другах металлов следовательно, торможение, обусловленное кулоновым взаимодействием между электронами, тон е больше, а соответствующий полный пробег как первичных, так и вторичных электронов меньше. [c.85]

В настоящее время наиболее правдоподобной является теория катодного распьшения, представляющая собой синтез теории ионного удара и теории испарения. По этой теории энергия иона передаётся не одному атому, а некоторому их числу, другими словами, предполагается, что при ударе положительного иона о пространственную решётку металла происходит сильное местное нагревание на очень небольшом участке поверхности металла. За короткий промежуток временп вследствие теплопроводности металла температура нагретого элемента поверхности быстро падает за счёт увеличения нагретой площади, но за это короткое время успевает произойти отрыв отдельных атомов металла. [c.273]

Другой вариант теории вторичной электронной эмиссии предложен Кадышевичем [519]. Исходные положеиия теории Кады-шевича электронный газ в металле является вырожденным газом с распределением энергии по Ферми упругие столкновения с ионами решётки металла изменяют направление движения первичного электрона проникающий в металл первичный электрон и созданные им непосредственно или ступенчатым путём вторичные электроны тормозятся благодаря взаимодействию с электронами проводимости. Взаимодействие электронов с ионами решётки учитывается путём рассмотрения упругих соударений электрона с решёткой. Вводя полный пробег >) упругого рассея- [c.183]

Менаду ионами возникает притяжение за счёт электростатических сил, и образуется кристаллическая решётка. Величина сил и энергия кристаллической решётки вычислялись на этом этапе на основании закона Кулоиа, причём ионы рассматривались как жёсткие шары с зарядом в центре. При таком подходе работа удаления двух ионов друг от друга в бесконечность равна [c.156]

Зиая потенциал ср, т. е. работу отрыва одного иона в решётке, нетрудно рассчитать значение энергии U решётки для одного граммоля, взятой с обратным знаком (анергия сублимации с образованием ионов) [c.160]

Наконец, энергия взаимодействия диполя р. со всеми ионами решётки в положенпи равновесия получается суммированием выражений (20) при разных значениях т (или с) [c.50]

Подведём итоги и сделаем некоторые выводы из рассмотренного случая адсорбции полярных молекул на гранях кристаллов с ионной решёткой. Подсчёт даёт для 1/дц величину того же порядка, что и экспериментально наблюдаемые теплоты адсорбции и смачивания. При переходе от адсорбции молекул воды к адсорбции молекул в гомологическом ряду спиртов на одном и том же адсорбенте (Ва304) наблюдается ожидаемый параллелизм между ходом величин электростатической компоненты адсорбционной энергии и наблюдаемыми величинами тенлот смачивания, но нет полного количественного согласия. Теоретически подсчитанная дисперсионная компонента дисп но порядку величины оказалась значительно меньше экспериментально наблюдаемого при адсорбции теплового эффекта. [c.93]

Приведённые в таблицах XX и XXI отношения эл/ дпсп показывают значительное преобладание дисперсионного эффекта i/дисп над электростатическим эффектом в адсорбционной энергии атома благородного газа (аргона) на ионной решётке (КС1 и sJ), так что мы вправе отнести этот случай к дисперсионной адсорбции. [c.110]

Никакой непосредственной связи между спектрами поглощения и излучения не существует возбуждение свечения может вроизводиться путём поглощения возбуждающего света основным веществом кристаллической решётки, а излучение всегда связано с ионами активатора. Таким образом, в процессе высвечивания происходит перенос энергии возбуждения из мест поглощения, расположенных в основном веществе решётки, к мостам излучения—к ионам активатора. [c.34]

Как видно из таблицы 25, влияние дисперсионных сил для решёток со средними по размерам ионами невелико, достигая 1- 2% энергии решётки (при точности самих расчётов около 1%). Отсюда ни в коем случае нельзя сделать вывод, что влиянием диснерсионных сил на структуру и энергию решётки mohiho пренебречь. [c.170]

Так как силы отталкивания обладают заметной неличной лишь при очень малых расстояниях между обоими ионами и прн удалении их друг от друга очень быстро уменьшаются, то затрачиваемая на преодоление их работа сравнительно невелика. Как показывают более точные расчёты, она составляет всего лишь около 10% полной энергии решётки, р поэтому для приближённых вычислений ею сначала можно пренебречь. Воспользовавшись [c.276]

В частности, над наивысшей заполненной энергетической поло- сой кристаллической решётки находятся резко ограниченные, неполностью занятые, энергетические уровни (уровни дефект , решётки или примеси) избыточных атомов неметалла, так как эти атомы обладают меньшим количеством электронов, чем сода--ветствующие их ионы (рис. 127). Электроны наивысшей заполненной полосы энергии могут поэтому попасть, благодаря тепло-. вому возбуждению, на неполностью занятый уровень примеси, %, обозначаемый через % . Таким образом, в заполненной ранее, наивысшей полосе энергии образуется недостаток электронов я становится возможной электронная проводимость. При этом, в отличие от нормальной электронной проводимости, от узла к узлу переходят незанятые места в соответствующей энергетической [c.281]

Как раздел этой науки мы рассматриваем здесь случай взаимодействия решётки ионного кристалла с полярной молекулой, в частности поверхностное силовое поле ряда сульфатов щёлочноземельных металлов— aS04, SrS04 и BaS04—при адсорбции на них молекул воды и гомологического ряда спиртов, когда электростатическая компонента адсорбционной энергии преобладает над дисперсионной. [c.89]

Как при определении энергии сил притяжения, так и при подсчёте результирующей потенциальной энергии спл отталкивания между адсорбированным атомом и решёткой кристалла следует провести суммирование по всем ионам в кристалле, приняв во внимание особенность хматематического выражения энергии сил отталкивания, [c.107]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология