Дефекты, влияние двумерные

Изучение вклада в реальную структуру всевозможных дефектов сталкивается с трудностями, которые обусловлены многообразием источников дефектообразования. В связи с этим необходима их систематизация, в основу которой можно положить принцип, учитывающий степень воздействия этих дефектов на диссипацию энергии в монокристаллах. На основе этого принципа всю совокупность дефектов условно можно разделить на три группы. К первой группе относятся так называемые трехмерные дефекты — всевозможные включения макроскопических размеров. Ко второй группе относятся двумерные дефекты — блочные и малоугловые границы, линии скольжения и дислокации. И, наконец, к третьей группе можно отнести одномерные дефекты вакансии, примеси, кластеры. Так как почти все вышеуказанные дефекты в монокристаллах при высоких температурах подвижны, то учесть их вклад без знания динамики дефектов практически невозможно. Несомненно, более эффективное влияние на реальную структуру оказывают дефекты третьей группы, поскольку их плотность в монокристаллах может быть очень высокой. [c.77]

Это объяснение является, очевидно, слишком упрощенным, так как основано на двумерной модели энергетических зон графита. По-видимому, следует принимать во внимание влияние взаимодействия между соседними углеродными гексагональными сетками, а также другие вторичные эффекты. Сопоставление совокупности данных позволяет в настоящее время предполагать, что в маточном графите, если он только не содержит дефектов, вклад такого взаимодействия в электронную проводимость весьма невелик. Однако полностью нельзя [c.178]

Постепенно усложняя рассмотрение электродных процессов, авторы переходят к рассмотрению особенностей разряда простых и комплексных ионов, к совместному разряду ионов водорода и металла и влиянию выделяющегося водорода на осаждение металлов, к электроосаждению сплавов в результате совместного разряда нескольких ионов, к электроосаждению блестящих металлов и сплавов. При изложении процессов электрокристаллизации наряду с послойным ростом образовавшихся двумерных зародышей рассматривается спиральный рост, обусловленный дефектами кристаллической решетки, при которых ступень роста имеется лишь на части грани. При росте такая ступень не исчезает, дойдя до конца грани, как на идеальном кристалле, а все время поворачивается, образуя на грани новые слои. [c.5]

Как уже было сказано, Бенар [18] наблюдал картины конвекции, состоящие из многоугольных, в основном шестиугольных, ячеек с подъемом жидкости в центре каждой ячейки и опусканием на периферии (рис. 2, 5). Самые упорядоченные структуры этого типа имеют симметрию пчелиных сот. Под влиянием экспериментов Бенара сложилось мнение, что основная форма стационарной ламинарной конвекции в горизонтальном слое — шестиугольные ячейки (ячейки Бенара). Позднейшие эксперименты выявили коренное различие в структуре течений между случаями, когда верхняя поверхность слоя свободна (как у Бенара) и когда слой прикрыт сверху твердой пластиной. При наличии такой пластины, если Р не слишком мало, в довольно широком диапазоне значений параметров установившееся течение обычно имеет вид системы валов (рис. 2, <з 6). Если отвлечься от обычно присутствующих нерегулярностей, или структурных дефектов, то поле скоростей такой конвекции в первом приближении двумерно (см., например, [164, 199, 135]). Речь здесь идет об основном течении, которое развивается как вторичное [c.63]

Даже если валиковая структура в лабораторном эксперименте очень правильна и не имеет дефектов, валы, тем не менее, обычно не бывают совершенно прямыми, а течение в них — вполне двумерным. И это так уже хотя бы потому, что в реальности течение всегда охватывает лишь часть бесконечного слоя, будучи ограничено боковыми стенками, которые могут оказать немалое влияние на его структуру. [c.89]

Дефекты влияют на многие физические свойства кристаллов. Различают точечные дефекты, роль которых играют примесные атомы, и собственные точечные дефекты, например вакантные узлы решетки или атомы в междоузлиях, и линейные дефекты — дислокации, а также двумерные дефекты — границы зерен. Для исследования влияния дефектной структуры кристаллов на их свойства необходимо приготовить материал, предельно свободный от различных несовершенств. Из него затем можно получить кристаллы с известным и достаточно точно дозированным количеством дефектов. Таким образом, первыми возникают проблемы очистки кристалла от примесных атомов и устранения в нем собственных дефектов, концентрация которых превышает термодинамически равновесную. [c.9]

В работах Ю. М. Полукарова с сотр. [82] установлено, что увеличение перенапряжения катода при электроосаждении меди вызывает переход от слоисто-спирального роста осадка к образованию и росту двумерных зародышей с появлением дефектов упаковки двойникового типа добавки к электролиту меднения поверхностно активных веществ резко повышают вероятность образования дефектов упаковки, увеличивают искажения кристаллической решетки и плотность дислокаций. Заряд двойного электрического слоя ускоряет процессы возврата в тонких осадках меди (эффект Ребиндера), приводящие к появлению внутренних напряжений растяжения. Влияние электрохимических условий осаждения на состояние кристаллической решетки осадков становится определяющим при достаточно большой толщине осажденного слоя на пластически деформированной монокристал-лической подложке дефектность слоев осадка постепенно уменьшалась при утолщении слоя, а при росте осадка на подложке из граней совершенного монокристалла, наоборот, увеличивалась до значений, соответствующих условиям электролиза. [c.93]

Влияние дефектов на распределение напряжений в двумерном теле было впервые рассмотрено Инглисом [84, с. 219]. Гриффит [75] рассмотрел модель Инглиса применительно к случаю линейной трещины. Для определения условий механического разрушения были приняты два критерия. Первый — механическое разрушение происходит тогда, когда напряжение в вершине микро трещины достигает критического значения, определяемого струк турой и когезионными силами материала второй — общая энер ГИЯ системы уменьшается с увеличением размера дефекта с Система становится нестабильной, и размер трещины будет увели чиваться, если [c.53]

Таким образом, показано, что на поверхности серебра и других металлов, являющихся катализаторами окисления, сосуществуют разные формы адсорбированного кислорода, которые находятся в виде ионов (О2 и 0 ) либо образуют двумерные или с большим числом слоев поверхностные окислы разного состава и структуры. Под влиянием хемосорбции или целевой реакции окисления происходит перестройка поверхности металла [59], например на платине возникает окисел Р1з04, на серебре Ag20з и т. д. В этих структурах кислород более реакционноспособен, чем в РЮ, Ag20 и др. В зависимости от природы поверхности ( дефекты , дислокации, заряд и т. д.) изменяется соотношение различных форм кислорода, способных окислять углеводороды с разной селективностью. [c.40]

Для обсуждения влияния дефектов на диаграмму рассеяния рассмотрим случай рдноосно ориентированного образца (волокна), который представляется двумерной решеткой с векторами решетки 1 (горизонтальное направление) и 2 (вертикалшое направление) и индексами Миллера (Н, к). Влияние ограниченного размера кристалла на диаграмму рассея ния не будет учитываться. По аналогии с Бонартом [16] и Хоземаном и Багчи [15] на рис. 1 представлены искажения решеток и соответствующие диаграммы рассеяния. [c.22]

Если графит рассматривать как идеальный трехмерный монокристалл, то электронные уровни можно было бы описывать с точки зрения резонанса валентных связей [188]. Однако гораздо более широкое применение получили методы молекулярных ор бит. Сравнительно давно было доказано [187, 1091], что я-зону графита можно рассматривать как зону, расщепленную на заполненную валентную зону и пустую зону проводимости, которые или только касаются друг друга, или слегка перекрываются [188]. Точка соединения этих двух зон показана на фит. 35 [627]. Расчет энергетических зон для двумерной модели с сильной связью, проделанный Корбато [186], свидетельствует о том, что взаимодействия на расстоянии вплоть до девятого соседнего атома все еще оказывают влияние на конечные результаты вычислений это обстоятельство проливает некоторый свет на степень влияния дефектов сетки на физические и химические свойства графита (ср. [167]). [c.125]

В главе 4 рассматриваются факторы, от которых зависит, будут ли устойчивыми двумерные или трехмерные конвективные течения и, следовательно, какие из них смогут осуществиться. Для многих ситуаций, в которых устойчивы трехмерные течения, характерно наличие асимметрии между верхней и нижней половиной слоя ( асимметрии верх—низ ). Устойчивые трехмерные течения могут возникать и в результате развития неустойчивостей двумерных валиковых течений. Наконец, в главе исследуется формирование структур, образованных квазидвумерными валами, а также влияние боковых стенок на эти процессы. Кроме того, описаны основные типы дефектов валиковых структур. [c.10]

Влияние дефектов на поле напряжений в двумерном теле было впервые изучено Инглисом . Им рассмотрен случай бесконечной пластины с центральным эллиптическим отверстием сила прикладывается к внешним границам пластины. Была использована эллиптическая система координат, причем граница дефекта в недеформированном состоянии определяется константой о- Эта [c.127]

Механизмы роста идеальных кристаллов путем образования двумерных зародышей или роста кристаллов в результате незарастающих ступенек, создаваемых на поверхности винтовыми дислокациями, хотя и присущи росту реальных кристаллов, но лишь в специальных условиях обусловливают скорость и особенности их роста. Действительно, в реальных условиях роста, где имеют место значительные колебания температуры и концентраций частиц питающей фазы в различных точках растущей грани, следует считать, что эта последняя всегда характеризуется шероховатостью. Шероховатость на идеально ориентированной естественно гладкой грани возникает за короткое время после начала роста вследствие колебаний внешних условий, так как вероятность образования двумерных зародышей имеет разное значение в различных точках поверхности и постоянно меняется во времени. Наличие почти неизбежных структурных дефектов еще более усугубляет влияние колебаний внешних условий. [c.260]

Существует несколько гипотез относительно механизма роста кристаллов. Например, нуклеарный механизм связывают с образованием двумерных зародышей, а дислокационный — с влиянием поверхностных дефектов на центрах кристаллизации эти два подхода совмещены в нз клеарно-дислокационный механиз.м. Это, естественно, не исчерпывает всех возможных моделей роста, но они являются наиболее распространенными. [c.57]