Полная интенсивность атомного рассеяния

Глава 1. Взаимодействие рентгеновских лучей с веществом и рентгеновские спектры. 1-1. Характеристическое рентгеновское излучение (длины волн К-серии рентгеновского излучения, длины волн Ь-серии рентг(Шовского излучения, относительные интенсивности линий if-серии характеристического спектра, ширина линий характеристического спектра, индексы асимметрии линий характеристического спектра). 1-2. Перевод С-единиц в абсолютные ангстремы. 1-3. Соотношения между единицами коэффициентов поглощения. 1-4. Рассеяние рентгеновских лучей (рассеяние рентгеновских лучей различных энергий электронными оболочками и ядрами атомов, рассеяние рентгеновских лучей в газах, массовые коэффициенты рассеяния рентгеновских лучей, массовые коэффициенты рассеяния о /р, коэффициенты рассеяния сечения некогерентного рассеяния рентгеновских лучей). 1-5. Поглощение рентгеновских лучей (скачок поглощения для некоторых элементов, вычисление коэффициентов поглощения, номограмма для определения коэффициентов поглощения). 1-6. Суммарное ослабление рентгеновских лучей (атомные коэффициенты ослабления для элементов, массовые коэффициенты ослабления у,/р для элементов, массовые коэффициенты ослабления ц/р для больших длин волн, массовые коэффициенты ослабления ц/р для малых длин волн, массовые коэффициенты ослабления ц/р для некоторых соединений, толщина слоя половинного ослабления рентгеновских лучей для некоторых элементов, толщина слоя ослабления при различных углах падения лучей на образец). 1-7. Ионизирующее действие рентгеновских лучей. 1-8. Преломление рентгеновских лучей (единичные декременты показателя преломления, углы полного внутреннего отражения). [c.320]

Полная интенсивность атомного рассеяния....... [c.266]

Перейдем к более подробному рассмотрению теории рассеяния быстрых электронов газообразными молекулами. Для этого еще раз представим в схематическом виде постановку задачи рассеяния электронов молекулами пара в современной газовой электронографии. Сформированный в электронографе поток быстрых электронов одинаковой энергии в некоторой области колонны прибора пересекается потоком молекул исследуемого вещества. Интенсивность рассеяния электронов на молекулах фиксируется фотопластинкой. В ходе эксперимента необходимо, чтобы электронный пучок был достаточно слабым (при этом не нужно было бы учитывать взаимодействие электронов между собой), монохроматичным и стационарным, плоскопараллельным и коллимированным, т. е. энергия электронов — порядка десятков тысяч электронвольт. Поток молекул должен быть бесконечно узким, а плотность молекул в потоке так мала, чтобы можно было пренебречь возможностью рассеяния электрона сначала на одной, а потом на другой молекуле. Итак, в этом случае полную интенсивность рассеяния пучка быстрых электронов УУ-атомной молекулой можно описать следующим выражением (общее уравнение интенсивности рассеяния пучка) [c.131]

Выражение для полной интенсивности атомного рассеяния включает два слагаемых интенсивность упругого рассеяния и неупругого рассеяния. Если используется точное выражение для /упр, то имеем [c.131]

Учитывая неупругое атомное рассеяние, полную интенсивность можно представить суммой двух слагаемых /ат( ) и /мол(5) [c.133]

Сг, N2, О2, р2 и СО при помощи молекулярных волновых функций Хартри—Фока, учитывающих химическую связь, и атомных волновых функций Хартри—Фока в приближении независимых атомов и составлены их разности. Результаты расчета показывают, что влияние химической связи сказывается в пределах нескольких процентов от полной интенсивности при малых углах рассеяния, причем вариации электронной плотности от молекулы к молекуле заметно отражаются на соответствующих изменениях формы рассеянной интенсивности. Этот результат находится в полном соответствии с экспериментальными измерениями для молекул N2 и О2 [127]. [c.254]

Из вышесказанного ясно, что на рентгенограмме упорядоченного твердого раствора появятся дополнительные (сверхструктурные) линии с нечетной суммой индексов (рис. 16.2), интенсивность которых (при полном порядке) пропорциональна квадрату разности атомных функций рассеяния"компонентов А и В. [c.388]

Применяя рентгеновский структурный анализ, изучают молекулярно-атомное строение вещества — структуру кристаллов, жидкостей, газов, строение электронной оболочки атома и т. п. Этот анализ является дифракционным методом. При падении рентгеновских лучей на какое-либо тело электроны атомов этого тела рассеивают их во всех направлениях. Рассеянные лучи интерферируют друг с другом, и в некоторых направлениях, зависящих от характера и расположения атомов облучаемого вещества, получается усиление рассеянной волны, в других, наоборот, полное ее поглощение. Методы рентгеновского структурного анализа сводятся к изучению расположения и интенсивности интерференционных пучков лучей и выяснению на этом основании картины строения вещества. [c.17]

Рентгенографический метод с его разработанной и в принципе стандартной техникой получения полного дифракционного эффекта и измерения интенсивности каждого отражения в отдельности занимает по праву ведущее место в структурном анализе. Преимущество электронографии выявляется там, где ставится задача точного определения координат легких атомов в присутствии тяжелого (зависимость интенсивности рассеяния от атомного номера выражена более слабо, чем в случае рентгеновских лучей). В частности, электронографический метод успешно применяется для фиксации атома водорода. [c.619]

Для количественного анализа клиноптилолита наиболее подходящими аналитическими рефлексами являются (004) с д = 0,395 нм и 044 с с/ 0,900 нм. В тех случаях, когда в породе присутствует полевой шпат, эти отражения перекрываются и можно использовать рефлексы 0201 с = 0,900 нм. Присутствие кальцита не позволяет использовать рефлексы в области 0,3 нм, а кристобалита — в области 0,4 нм. При этом возрастает погрешность определения, так как интенсивность отражения 020 сильно зависит от состава обменных катионов. Рентгенографическое изучение различных катионных форм клиноптилолита (табл. 24) указывает на значительную зависимость интенсивности линий от размера и заряда обменных катионов межплоскостные же расстояния практически не изменяются. При замещении иона Ма на и некоторые тяжелые металлы (Ад, РЬ) наблюдается значительное уменьшение интенсивности всех линий и особенно самых сильных. Характерно уменьшение интенсивности отражения 020 I при замещении натрия цезием весьма резкое уменьшение интенсивности линии 020 сменяется более постепенным вплоть до практически полного исчезновения этой линии в цезиевой форме клиноптилолита. Описанный эффект связан с различиями атомных факторов рассеяния цезия и натрия. При обратном переводе клиноптилолита в натриевую форму интенсивность линий полностью восстанавливается. [c.59]

В практике радиационно-химических исследований для измерения полного тока пучка или его распределения по некоторой поверхности могут быть использованы камеры, представляюш ие собой упрош[енный вариант цилиндра Фарадея. Такая камера состоит из полого графитового цилиндра, закрытого тонкой металлизированной полимерной пленкой (например, полиэтилен-терефталатной с напыленным алюминием) и помещенного в алюминиевый кожух той же формы. Металлическое покрытие пленки соединено с кожухом. Толщина пленки должна быть достаточно мала, чтобы пренебречь потерей интенсивности пучка, и достаточно велика, чтобы исключить прохождение через нее электронов, отраженных от дна графитового цилиндра и [1е поглощенных его боковыми стенками. Как уже указывалось, коэффициент обратного рассеяния слабо зависит от энергии электронов и определяется главным образом атомным номером рассеивателя. Коэффициент рассеяния для углерода равен 2%, а отношение средней энергии рассеянных [c.41]

У задачи определения, или решения, структуры огромное число неизвестных положение каждого атома в элементарной ячейке, тип атома и, следовательно, ожидаемый атомный фактор рассеяния и, наконец, фаза, связанная с каждым дифракционным пятном. Но есть также и значительное количество доступных данных интенсивности дифракции, пространственная группа, элементарная ячейка кристалла и обычно значительная информация об исследуемой молекуле (например, частичная или полная химическая структура и, возможно, даже некоторые конформационные данные). [c.371]

Несмотря на большой интерес к исследованиям процессов с участием атомов азота, получение атомных пучков азота в основном и возбужденном состояниях с интенсивностью, достаточной для исследования их. рассеяния, представляет очень сложную задачу. Это связано с тем, что при использовании ВЧ- и СВЧ-разряда кроме атомов N в основном состоянии Ss/2 образуются также возбужденные состояния атомов Dj и а также многочисленные возбужденные состояния молекул N2, активность которых обусловлена большим запасом энергии и длительным временем жизни [93]. Детальный анализ состояний атомов азота в пучке, генерируемых СВЧ-разрядом, выполнен в работе [94], где использовано кварцевое сопло диаметром 1,8 мм и длиной 0,4 мм. Кварцевая трубка была обработана фосфорной кислотой. Атомы получали в разряде частотой 2,45 ГГц мощностью 100 Вт в N2 или смесях N2 с Не и Аг при полном давлении 5—10 Торр. Селектированный по скорости пучок анализировался при помощи магнитного селектора Штерна—Герлаха. Этот пучок содержал 9% атомов, причем подавляющее их количество находилось в двух метастабильных состояниях Dj и Pj в отношении 2,5 1. [c.153]

Поскольку в газе имеется весь набор возможных пространственных ориентацш молекулы, дифракционная картина исследуемого газа будет обладать радиальной симметрией. Полное рассеяние слагается из рассеяния на отдельных атомах (так называемое атомное рассеяние) и из рассеяния па всех возможных парах атомов (молекулярное рассеяние). Именно молекулярное рассеяние и представляет интерес для исследователя. Оно проявляется сравнительно слабо на фоне интенсивного атомного рассеяния, что создает значительные трудности при его наблюдении. [c.169]

Как отмечалось, непосредственным отображением ближнего порядка в жидкостях является кривая интенсивности когерентного рассеяния /(5), точнее — структурный фактор а(5) = 1 8)/ШР 5)]. С помощью этой функции определяются электропроводность и ряд других зависящих от структуры величин. Поэтому выводы о структуре жидкости должны основываться прежде всего на анализе характерных признаков кривых интенсивности — положения и относительной величины максимумов, сопоставления экспериментальных кривых а 8) с вычисленными на основе различного типа моделей. Заключения о структуре, сделанные только на основе анализа кривых радиального распределения атомной плотности, могут оказаться неоднозначными из-за погрешностей расчета функций распределения и недискрет-ности пиков на кривых распределения. Наиболее полные и достоверные данные о структуре жидкости можно получить, применяя параллельно метод сравнения кривых интенсивности и метод анализа функций распределения. [c.172]

Принадлежность кристалла к той или иной пространственной группе устанавливается исследованием его структуры методами рентгено-структурного, электронографического и нейтронографического анализов [8, 9]. После того как рентгенограмма (или элек-тронограмма) получена и проиндицирована, можно установить, от каких плоскостей кристалла рефлексы отсутствуют. Знание закономерностей погасаний позволяет определить так называемую рентгеновскую группу, включающую одну или несколько федоровских групп. Полное определение атомной структуры кристалла возможно только после определения интенсивности рефлексов, так как значения координат частиц в элементарной ячейке влияют на величину структурной амплитуды, определяющей интенсивность рассеяния. [c.21]