БИС большие интегральные

Под воздействием высокотемпературного облучения плотность образцов уменьшается, а распухание растет, и тем значительнее, чем больше интегральная доза и выше температура облучения (рис. 26). [c.82]

Из П. и его сплавов изготовляют мед. инструменты, детали кардиостимуляторов, зубные протезы, оправки, нек-рые лек. ср-ва. В электронике используют, в частности, палладиевые пасты для произ-ва больших интегральных схем, в электротехнике-электрич. контакты из П. для этих целей выпускают пружинящие контакты из П. с добавками Сг и Zr, а также сплавы Pd-Ag и Pd- u. Способность П. растворять Hj используют для тонкой очистки Н , каталитич. гидрирования и дегидрирования и др. Обычно для зтого используют сплавы с Ag, Rh и др. металлами, а также палладиевую чернь. С сер. 70-х гг. 20 в. П. в виде сплавов с Pt стали использовать в катализаторах дожигания выхлопных газов автомобилей. В стекольной пром-сти сплавы П. применяют в тиглях для варки стекла, в фильерах для получения искусств, шелка и вискозной нити. [c.441]

Микропроцессоры. С развитием технологии цифровых интегральных схем появилась возможность создания достаточно сложных и в то же время недорогих устройств обработки цифровой информации в виде весьма компактных микросхем. Однако увеличение сложности реализуемых в них алгоритмов обработки сужает область их применения и приводит к необходимости выпуска большой номенклатуры микросхем. Устранить противоречие между сложностью больших интегральных схем (БИС) и их универсальностью удалось за счет создания программируемых БИС, позволяющих изменять режим работы путем подачи определенных командных сигналов. Основным типом таких БИС являются микропроцессоры - программно-управляемые устройства обработки информации, выполненные в виде одной или нескольких микросхем. [c.51]

ВИС — большие интегральные схемы [c.5]

Монокристаллический кремний получают вытягиванием монокристалла из его расплава (метод Чохральского). В полупроводниковой промышленности чистый кремний необходим как основа для изготовления полупроводниковых диодов, триодов, тиристоров, солнечных фотоэлементов, микропроцессоров, больших интегральных схем и т. д. [c.149]

Одним из способов повышения чувствительности при контроле протяженных сред с большим интегральным затуханием является снижение рабочей частоты, приводящее к уменьшению затухания УЗ-волн (рис. 4.36) [167]. Поэтому в специализированных дефектоскопах для контроля таких ОК применяют частоты менее [c.542]

В гл. IX обсуждалась зависимость локальной селективности последовательной реакции от кинетических режимов основной и побочной реакций. В изотермическом реакторе большей локальной селективности в подавляющем большинстве случаев соответствует и большая интегральная селективность если распространить это [c.199]

Некоторые приборы обеспечивают различную скорость движения держателя тонкослойной пластинки. Для любого пятна при более медленной скорости сканирования будет получаться большее интегральное показание прибора или площадь пика, так что важно поддерживать постоянную скорость для всех наблюдений при конкретном определении. [c.85]

Чтобы проиллюстрировать взаимозависимость многих инженерно-технических факторов, рассмотрим простой модельный пример пусть имеются две модели одинаковых по установочным габаритам и производительности центрифуг, но одна из них может работать десять лет, а другая — не менее тридцати. Очевидно, что амортизационные расходы на первую будут втрое больше, чем на вторую, но это далеко не все. Центрифуги первого типа нужно разместить так, чтобы иметь возможность заменять их новыми, по мере исчерпания ресурса каждого блока или агрегата, а центрифуги второго типа можно расположить как электронные элементы в большой интегральной схеме, без всякой возможности извлечь что-то по частям, но зато гораздо компактнее. Таким образом, в интегральную оценку экономичности центрифуг их гарантированная долговечность может войти двояко и как прямые расходы на замену оборудования, и как фактор различного размещения оборудования разной долговечности. [c.187]

Наблюдающийся при облучении н. гептана при 60° значительный рост выхода кислоты при достаточно больших интегральных дозах обусловлен. [c.160]

Фторсодержащие соединения в технологии изготовления больших интегральных схем [c.232]

На рис. 3.91 представлено изменение по годам стандартной шири ны линии больших интегральных схем (БИС). Точки на рисунке соот ветствуют ширине линий ва момент публикации для запоминающих устройств с произвольной выборкой (ЗУ ПВ) [34]. Почти двукратное увеличение за год степени интеграции основывалось на увеличении площади кристалла, улучшении схемотехники элемента и интегральной техно логии. [c.232]

Для того чтобы понять, каким образом осуществляется произ водство больших интегральных схем, следует обратиться к рис. 3.92, на котором изображен типовой процесс изготовления БИС на МОП структурах (на рисунке кружком обведены процессы, в которых в том или ином виде используются соединения фтора). [c.232]

Отсюда следует, что чем ниже температура , тем больше интегральная поглощаемая мощность. На измерении интегральной поглощаемой мощности, пропорциональной концентрации неспаренных электронов N о, основано измерение концентрацип парамагнитных частиц в исследуемом веществе. [c.22]

Такой же процесс можно наблюдать и у современных интеграторов, используемых в газовой хроматографии. При этом изменения происходят как количественные, так и качественные. Прежде всего интеграторы почти полностью вытесняются специализированными мини-ЭВМ на больших интегральных схемах, размеры которых остаются такими же, как у интеграторов. Эти ЭВМ работают в он-лайн режиме с газовым хроматографом, и информация обрабатывается по мере поступления. Превращение интеграторов в специализированные ЭВМ отражается и в их названии вычислительный интегратор, интегратор с выходной записью данных (рапорт-интегратор), процессор для газового хроматографа и т. д. Развитие обработки и автоматизации газохроматографической информации характеризуется данными, приведенными на схеме [9]. [c.29]

Лазерное иэлучеиие иссюльзуют для стимулирования р-ций в твердых телах, в частности при создании больших интегральных схем в микроэлектронике. Соответствующие р-1Ши м. б. и чисто тепловыми, и фотохимическими. Решающий фактор-возможность острой фокусировки лазерного излучения и гибкого управления им. [c.566]

Термическое О. обычио осуществляют при нагр. изделий в атмосфере, содержащей Oj или водяной пар. Напр., термическое О. железа и низколегир. сталей, называемое воронением, проводят в печах, нагретых до 300-350 °С, или при непосредств. нагревании изделий иа воздухе, добиваясь необходимого цвета обрабатываемой пов-сти. Легир. стали термически оксидируют при более высокой т-ре (400-700 °Q в течение 50-60 мин. Магнитные железоникелевые сплавы (пермаллои) оксидируют при 400-800 °С в течение 30-90 мин. Термическое О.-одна из важнейших операций пм-нарной технологии создаваемые диэлектрич. пленки защищают готовые полупроводниковые структуры от внеш. воздействий, изолируют активные области дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Наиб, часто термическое О. применяют при изготовлении кремниевых структур. При этом Si окисляется на глубину ок. 1 мкм при 700-1200 С. С нач. 80-х гг. в произ-ве кремниевых больших интегральных схем О. проводят при повышенном (до Ю Па) давлении О2 или водяного пара (термокомпрессионное О.). [c.352]

Экпериментально определяют стандартное отклонение конкретного элемента рельефа во время процесса [148], эта зависимость и является мерой стабильности всего литографического процесса. Требования к воспроизводимости элементов повышаются в связи с ростом точности совмещения и увеличением плотности схем на кристалле в производстве больших интегральных схем. [c.65]

Л.А.Блюменфельд и А.А.Берлин с соавторами открыли новые магнитные свойства макромолекулярных соединений с системой сопряженных двойных связей. Эти вещества дают узкие сигналы ЭПР с -фактором свободного спина, интенсивность которых повышается с ростом сопряжения. Этот эффект является внутримолекулярным и характеризует основное состояние облака я-электронов. Спектры этих веществ в твердом состоянии характеризуются также наличием широких асимметричных линий ЭПР большой интегральной интенсивности. Эти результаты дали возможность совершенно по-новому интерпретировать спектры ЭПР углей. Так, по последним данным, в спектрах ЭПР некоторых углей и твердых продуктах их термической обработки обнаружены два сильно перекрывающихся сигнала — широкий и узкий. По-видимому, сигнал ЭПР дают как связи циклических многоядерных ароматических системах, так и алициклические сопряженные С—Ссвязи. В углях низких стадий зрелости размеры ядерной части недостаточно велики, а в углях высоких стадий зрелости отсутствуют алициклические двойные сопряженные связи. Таким образом, данные ЭПР также свидетельствуют о наличии в углях конденсированных ароматических систем или, по крайней мере, систем сопряженных двойных С—С<вя-зей, закономерно изменяющихся в ряду зрелости углей. [c.107]

Выход углеродистых продуктов карбонизации тем больше,чем больше интегральная сила осциллятора и злектроннодонорная способность вещества. Таким образом, процесс карбонизации индивидуальных компонентов и смесей орбитально контролируем и протекает с участием граничных псевдомолекулярных орбиталеЛ. Аналогично был доказан орбитальный контроль процесса растворения АСВ. [c.29]

Сложномодулированные сигналы используют также при толщинометрии изделий из материалов с большим интегральным затуханием ультразвука. Согласно положениям радиотехники, погрешность определения временного положения эхо-сигнала тем меньше, чем больше энергия этого сигнала и чем выше отношение сигнал/шум. Следовательно, использование высокоэнергетичных сложномодулиро-ванных сигналов с последующей их оптимальной фильтрацией решает проблему толщинометрии толстостенных изделий из ПКМ [375]. [c.546]

Микропроцессор (МП) - программноуправляемое устройство, предназначенное для обработки цифровой информации и управления процессом этой обработки, выполненное в виде одной (или нескольких) большой интегральной схемы (БИС). Возможности однокристальных микропроцессоров определяются уровнем развития микроэлектронной технологии. Для увеличения производительности процессоров, иногда используют секционные многокристальные микропроцессоры. Многокристальные МП получаются в том случае, когда производится разделение логической схемы процессора на отдельные функционально законченные части, каждая из которых реализуется в виде отдельной интегральной схемы. [c.142]

В фотоуровнемерах используют фотоэлементы с внешни. фотоэффектом и фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления). Фотоэлементы с внешним фотоэффектом (вакуумные) применяют чаще, так как они обладают высокой стабильностью характеристик и малой инерционностью. Фотосопротивления имеют очень большую интегральную чувствитель- [c.87]

ЭВМ удобны в случаях одновременного контроля и учета многих параметров Функционально-законченный программно-уп-равляемый малоразрядный блок, выполненный в виде одной или нескольких больших интегральных схем, называют микропроцессором (выполняет до нескольких миллионов операций в секунду) Его используют для управления ферментационными процессами Микропроцессоры можно устанавливать непосредственно на обслуживаемых аппаратах [c.282]

Создание и производство новых и значительное усовершенствование существующих приборов за счет применения новой элементной базы, а именно решеток неклассического типа, включая голографические приемников излучения, в том числе многоканальных специальных и больших интегральных схем для электронных устройств приборов лазеров для возбуждения спектров комбинационного рассеяния (КР) и люминесценции. Новые элементы позволяют создать приборы со значительно более высокими параметрами точности и чувствительности измерений, боль-1ПИМ временным разрешением, увеличенной производительностью и существенным расширением областей применения. [c.10]

Приведенные данные однозначно показывают, что даже при большой интегральной дозе не происходит укрупнения частиц, т. е. рентгеновские лучи не оказывают никакого влияния на стабильность золей ЗЮз-Следует отметить, что в облученных золях ЗЮг не наблюдается накопления Н2О2, хотя нет оснований полагать, что растворенный в золе кислород не восстанавливается до перекиси водорода при облучении. [c.130]

Очевидно, что площади Л и В на рис. 3. 16 не равны, что указывает на несколько больший интегральный цоток т. полученный из кривой 4 рис. 3. 14, [c.118]

С рйстом температуры в спектрах чистых спиртов все больше и больше проявляется полоса свободных ОН-групп [5]. Для чистых спиртов коэффициент экстинции Емакс свободных ОН-групп меньше, чем в растворе, а ширина соответствующей полосы Дvl/2 больше. Интегральная величина / 6dv остается постоянной. Употребляемый выше термин свободные указывает на отсутствие образования водородных связей, но не исключает дисперсионных взаимодействий в системе, что отличает ее от идеальных газов. Существование свободных ОН-групп в спиртах и воде (лучше в НОВ) можно определить на количе- [c.51]

Другим интересным примером рационального выбора подходящих условий для экстракции является разработка процесса трамекс для выделения и очистки америция, кюрия и других трансплутониевых элементов [295]. Трансилутонневые элементы образуются при облучении плутония или урана большим интегральным потоком нейтронов в ядерных 146 [c.146]

Наибольшее практическое применение получили линейные эмиттеры, которые за счет большей поверхности ионизации позволяют получить большой интегральный ток при меньших, по сравнению с остриями, полях, в результате чего чувствительность прибора повышается. Особенно эффективными оказались нитевидные эмиттеры с металлическим дендритообразным по- [c.16]

Большей интегральной чувствительностью обладают полупроводниковые болометры — термистеры. [c.291]

Полученное в результате фотолитографии рельефное изображение шаблона в слое резиста (негативное или позитивное), нанесенного на слой диоксида или нитрида кремния, находящийся на кремнии, служит защитной маской при вытравливании этих диэлектриков до кремния в эти окна при последующих операциях идет диффузия примесей в кремний. При этОлМ получают требуемые характеристики отдельных транзисторов и схемы в целом. Большая интегральная схема содержит десятки тысяч транзисторных элементов, соединенных проводниками алюминием или поли-кристаллическим кремнием с высоким содержанием примесей. Для образования сложной интегральной схемы литографический процесс надо проводить несколько раз, при этом каждый элемент схемы должен быть воспроизведен с требуемой точностью [4]. [c.11]

Современные технические устройства представляют собой совокупность большого числа так называемых комплектующих изделий , объединенных электрическими, электронными, оптоэлек-тропными, механическими связями в узлы, блоки, системы, комплексы для решения тех или иных задач. Электронные автоматизированные системы управления, ЭВМ и другие устройства могут включать в себя тысячи, десятки и даже сотни тысяч комплектующих изделий. Многие из них, например большие интегральные микросхемы (БИС), представляют собой композиционную совокупность десятков и даже сотен тысяч транзисторов. Подобные изделия сами по себе являются достаточно сложными техническими устройствами, поэтому сложной оказывается и система, в ко- [c.5]

В настоящее время в эксплуатации находятся средства измерений четырех поколений. Приборы первого и второго поколений построены соответственно на электровакуумных и полупроводниковых (транзисторы, диоды) элементах в них применена аналоговая обработка сигналов. В приборах третьего поколения наряду с полупроводниковыми элементами используются интегральные микросхемы малой и средней степени интеграции. При этом имеет место как аналоговая, так и цифровая обработка сигналов на основе жесткой логики. Средства измерений четвертого поколения характеризуются использованием микропроцессорных систем (МПС) и больших интегральных схем с программно-управляемой цифровой обработкой измерительной информации. Применение больших интегральных схем приводит к резкому соращению числа используемых в приборе элементов. Однако эта тенденция существенно нивелируется и даже перекрывается ростом функциональной сложности измерительной техники. Объективными причинами ее усложнения являются увеличение объема измерительных задач, решаемых одним средством измерений, повышение уровня автоматизации, введение интерфейсных функций и др. Усложнение измерительной техники, повышение ее точности, высокий уровень [c.151]

НЫХ водородной связью силанольных групп характеризуется значительной шириной и большей интегральной интенсивностью, чем у соответствующих карбинолов [662]. Сдвиг этой полосы (Avoh) за счет ассоциации составляет 200—400 см , т. е. значительно больше, чем у карбинолов, и обусловлен повышенной кислотностью силанолов [232, 349, 627, 659, 663, 664, 668, 670, 674]. В ИК-спектрах дейтеросиланолов RaSiOD частоты поглощения свободных и ассоциированных групп 0D составляют соответственно 2710—2730 и 2435—2455 см [348, 659, 675]. [c.67]

Но такие лампы обычно обладают меньшей спектрально яркостью в области линий поглощения, чем газоразрядные лам пы с парами металлов и очень большой интегральной яркостьк создающей заметно большее количество паразитного рассеян ного излучения. Оба эти фактора приводят, как правило, уменьшению детективности анализа при использовании источ ников, дающих сплошной спектр, но зато появляется возмож ность одновременного определения нескольких элементов. Пс этому такие лампы целесообразно применять в некоторых про изводственных задачах, а также тогда, когда исходное количе ство анализируемой пробы очень мало и не позволяет выпол нить ряд последовательных анализов. [c.28]

Для склеивания на воздухе и в воде металлических и стеклопластиковых поверхностей, устранение вмятин, трещин, раковин при ремонте металлических и стеклопластнковых судовых конструкций при температуре 0—30 °С Для пропитки и наклейки слоев стеклоткани на поврежденные места металлических и стекло-пластпковых судовых конструкций по влажной поверхности и в воде при температуре О—30 °С Двухкомпонентные пастообразные композиции с токопроводящим наполнителем для крепления (с обеспечением заземления) диодных полупроводниковых больших интегральных схем [c.166]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология