Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Иода диаграмма состояния

Рис. 38. Диаграмма состояния системы иода — сульфат натрия Рис. 38. <a href="/info/315031">Диаграмма состояния системы</a> иода — сульфат натрия

    Из диаграммы состояния следует, что при низких давлениях (р < 613,28 Па) лед при нагревании превращается непосредственно в пар, минуя жидкое состояние. Для каждого вещества при температуре ниже его тройной точки твердое тело при нагревании переходит непосредственно в пар. Так, твердый иод и оксид углерода (IV) непосредственно превращаются в газ при атмосферном давлении, так как давление в тройных точках этих веществ выше атмосферного. [c.112]

    При кристаллизации веществ из растворов и расплавов часто выделяются не чистые твердые вещества, а так называемые твердые растворы. Например, такие растворы образуют иод в бензоле. При охлаждении приблизительно до 5°С выпадающие из раствора кристаллы бензола окрашены иодом. Причем количество иода, растворенного в бензоле, пропорционально концентрации иода в жидком растворе. Распределение иода между жидкой и твердой фазами подобно распределению его между двумя несмешивающи-мися растворителями. Непрерывный ряд твердых растворов дают медь и золото, титан и цирконий, германий и кремний и т. п. при кристаллизации их расплавов. Фазовые диаграммы этих систем (рис. 62) аналогичны диаграммам состояния для двух смешивающихся жидкостей (рис. 57). Применительно к процессам кристаллизации для них справедливы законы Коновалова., Жидкая фаза [c.219]

    Тройной точке на диаграмме состояния иода соответствует температура 116°С и давление 90 мм рт. ст. Для получения жидкого иода необходимо, следовательно, создать такие условия, чтобы парциальное давление его паров превышало 90 мм рт. ст. (IV 3 доп. 36). Это проще все о достигается нагреванием достаточно большого количества кристаллов иода в колбе с узким горлом. [c.274]

    На диаграмме состояния иода тройной точке отвечает давление 12 кПа и температура 116° С. [c.40]

    Системы с взаиморастворимыми твердыми фазами. Если чистые вещества полностью смешиваются в жидкой и твердой фазах, их диаграммы состояния напоминают диаграммы систем пар—взаиморастворимые жидкие фазы (рис. 5.16, типы I, II, III). Примеры с промежуточными, максимальными и минимальными точками плавления смесей показаны на рис. 5.22,а—в. Часто встречаются комбинации этих простых типов диаграмм. Диаграмма системы иод + бром (рис..5.22,г) как бы составлена из двух типов диаграмм (а), соответствующих равновесию интермолекулярного соединения [c.264]

    Диаграммы состояния систем из веществ, образующих химические соединения. Примером такой системы является I —Те-иод и теллур образуют устойчивое соединение Те . Если при сплавлении веществ между ними образуется соединение, то на диаграмме появляется максимум, отвечающий его составу. Такие диаграммы (рис. 2.36) представляют собой как бы сочетание двух диаграмм вида рис. 2.35. Здесь две эвтектики и 2 области под кривыми Е С и сЕ2 — области сосуществования кристаллов, химического соединения А Вт (в данном случае ТеЦ) с растворами, насыщенными им. [c.291]


    Такие соединения образуются на основе донорно-акцепторного механизма. Сюда же относится соединение нентафторида иода с другим донором электронов — пиридином диаграмма состояния для системы пиридин — JFg представлена на рис. 71. [c.286]

    Построив так называемую диаграмму состояния системы по данным изменения температур плавления и затвердевания в зависимости от состава, можно проследить за всеми химическими превращениями, происходящими в этой системе. Именно таким путем было изучено взаимодействие дифторида ксенона с пентафторидом иода (а) и пентафторидом брома (б) и установлен состав и условия синтеза новых соединений ксенона. [c.96]

    Диафаммы состояния систем, состоящих из веществ, образующих химические соединения. Примером такой системы является 1-Те иод и теллур образуют устойчивое соединение ТеЬ. Если при сплавлении веществ между ними образуется химическое соединение, то на диаграмме состояния появляется максимум, отвечающий его составу. Такие диаграммы (рис. 2.34, вариант I) представляют собой как бы сочетание двух диаграмм вида, представленного на рис. 2.33. Как наглядно видно из общей диаграммы (вверху рисунка), в такой системе образуются две эвтектики Ei и Ег площади под кривыми Ei и сЕг - области сосуществования кристаллов химического соединения А Вт (в данном примере ТеЬ) с растворами, насыщенными им. [c.309]

    Рис. 2.1 поясняет корреляцию состояний трехатомного комплекса АВС с состояниями фрагментов на диаграмме адиабатический терм системы — координата реакции в случае, когда между фрагментами осуществляется дальнодействующее (например, поляризационное) притяжение. С позиций простого энергетического критерия комплекс АВС может распасться на АВ и С, если внутренняя энергия АВ меньше полной энергии Е. Этот вывод получается, если в качестве критической поверхности 5 выбрать сферу такого большого радиуса, что на ее поверхности притяжением фрагментов можно пренебречь. В соответствии с этим все состояния с Е у и / Е оказываются заселенными (вариант 1 статистической модели, см. табл. 2.1). Если, однако, учесть притяжение, но ограничиться его сферически симметричной частью, то распад комплекса АВС при некоторых относительных угловых моментах I оказывается невозможным вследствие того, что начальные и конечные состояния разделены центробежным барьером. В этом случае число открытых каналов можно найти, считая критическую поверхность 5 сферой, радиус которой Р зависит от I (вариант 2 статистической модели, см. табл. 2.1). Поэтому не все состояния с Еу ч Е окажутся заселенными [(см. [26])]. Наконец, если учесть анизотропию взаимодействия, а также изменение частоты колебаний фрагмента АВ иод влиянием возмущающего действия А, то часть каналов, которые в рамках предыдущего рассмотрения были открытыми, теперь окажутся закрытыми. Формально, для каждого канала надо рассматривать свою критическую поверхность 5 это усложнение, по сути дела, устраняет всю простоту метода переходного состояния (вариант 3 статистической модели, см. табл. 2.1). По-видимому, этот вариант статистической модели является наиболее общим, поскольку он позволяет описать случаи, промежуточные между случаями жесткого и [c.61]

    В разд. 3-1Б-1 была приведена диаграмма, поясняющая происхождение прогрессий полос (рис. 3-12) и последовательностей полос (рис. 3-13), а также дана диаграмма уровней энергии для полос поглощения системы, подобной парам иода (рис. 3-14). Однако такие диаграммы не передают распределения интенсивности по линиям в спектрах, например, газообразного 1г. Интенсивности можно качественно объяснить в терминах потенциальных кривых для основного и возбужденного состояний на основе принципа Франка — Кондона. Согласно этому принципу, время, требуемое для поглощения кванта света и результирующего перехода электрона в возбужденное состояние (около 10 сек), столь мало по сравнению с периодом колебания молекулы (около 10 сек), что за время акта поглощения и возбуждения электрона атомные ядра не успевают изменить сколько-нибудь заметно своего относительного расположения (т. е. сохраняются межъядерные расстояния г) и кинетической энергии ядер (сохраняются скорости ядер). [c.141]

    В сухом 1,4-диоксапе пентафторид иода частично растворим, при добавлении в избытке он образует соединение JFg G4H8O2, выпадающее в осадок. Это соединение плавится при 112° С соприкосновение его с влажным воздухом приводит к немедленному гидролизу [95]. Роджерс и ]Иейер [96] исследовали систему диоксан — пентафторид иода. Диаграмма состояния этой системы приведена на рис. 70. Анализ твердых фаз авторы не проводили, но они предполагают, что твердых растворов не образуется. Пунктирная линия на рис. 70 соответствует неисследованным областям диаграммы. Из рис. 70 видно, что комплекс 1 1 растворяется инконгруэнтно в случае же комплекса диоксан 2JFg имеет место неявный максимум, что может свидетельствовать о существовании перитектики. При высушивании под вакуумом комплекс 1 2 диссоциирует на JFg и комплекс 1 1. [c.286]


    I В.озникает вопрос, почему именно для иода характерна возгонка (сублимация) Как показано в 2, гл. IV, объясняется это тем, что тройная точка на диаграмме состояния йода лежит при давлении выше давления насыщенных паров в интервале температур вплоть до темпе- ратуры плавления т. пл. =113,5°. Давление насыщенных паров йода составляет 0,31 мм рт. ст. для 0° 90,5 мм рт. ст. для 113,8° и т. д., тогда как тройная течка йода на диаграмме состояния лежит выше 100 мм рт. ст, [(рис. 41), [c.263]

    На рис. 123 изображена диаграмма состояния би иод системы, в которой одна из компонент А образует в своеи н тхотемпературпой модификации непрерывный ряд твердых )п и ров со второй компонентой В. Высокотемпературная форма компоненты А образует твердые растворы Ма с комнопентой В лишь в ограниченных пределах. Поэтому, в соответствии с пра-ВИ.ЛОМ Д. П, Коновалова, температура превращения модификаций Ма М. повышается С увеличением концентрацйи компоненты В. [c.167]

    Диаграмма состояния, соответствующая простейшей системе, в которой компоненты А и С, а также В и С неограниченно взаимно растворимы, а компоненты А и В взаимно ограниченно растворимы, показана на рис. XV, 10. Составы двух жидких фаз, на которые распадается система, отвечающая, например, фигуративной точке п, могут быть определены только опытным путем. Это объяс няется тем, что в данном случае невозможно графически найти направление иод, так как вся плоскость треугольника относится ji одной и той же температуре.  [c.409]

    Как видно из диаграммы состояния системы Bi — Те вблизи соединения BiaTes (рис. 93), максимум температуры плавления смещен в сторону избытка висмута по сравнению со стехиометрическим составом. Поэтому кристаллы теллурида висмута, выращенные из расплава стехиометрического состава, содержат избыток атомов висмута, что и обусловливает дырочную проводимость. Образцы BigTes стехиометрического состава находятся в равновесии с расплавом, содержащим 63 ат. % Те, и имеют /г-тип проводимости. Сплавы, полученные из расплавов, более богатых теллуром, также обладают электронной проводимостью. Таким образом, в теллуриде висмута избыток висмута создает акцепторные уровни, а избыточный теллур — донорные. Иод в теллуриде висмута также является донорной примесью. Подобное поведение теллурида висмута и, по-видимому, других соединений AJbJ сближает их с полупроводниковыми соединениями Л" В . Это указывает на ковалентный характер химических связей в рассматриваемых соединениях, в частности в теллуриде висмута. [c.196]

    Простейшим примером однокомпонентной системы может служить иода. При сравнительно небольших давлениях вода может существовать в трех фазах газа, жидкости и одной из модифпкаг1,ий льда. Состояния воды могут быть описаны па графике зависимости давления от температуры, называемом диаграммой состояния воды (рис. 43). [c.107]

    Одна из этих конод, ат, принадлежит семейству конод, описывающих двухфазное равновесие ж а, соответствующее первичной кристаллизации а-твердого раствора из жидкости ж . Другая конода, т/, относится к семейству конод, описывающих двухфазное равновесие Жх Ф ж , соответствующее расслоению жидкости. Третья конода, а/, принадлежит семейству конод, описывающих двухфазное равновесие ж Ф а, соответствующее первичной кристаллизации а-твердого раствора из жидкости ж . Заметим в отношении этого последнего равновесия, что поскольку на линии аа первичная кристаллизация заканчивается затвердеванием жидкости, то эта линия должна находиться над областью а-твердого раствора, т. е. следовать в направлении вправо от точки а, как показано сплошной линией иа рис. 40. Направление этой линии, показанное на рис. 40 пунктиром, неправильно, так как нри этом она оказывается иод областью а-твердого раствора, и в таком случае для всего ряда сплавов, ординаты которых пересекают линию аа (пунктирную), вначале происходило бы затвердевание жидкости ж с образованием однородного твердого раствора а, а затем новое его расплавление (на линии аа ) с образованием жидкости Жз, что находится в противоречии с наблюдаемыми фактами. В таком случае линия аах но являлась бы также линией солидуса, а имела бы значение кривой растворимости для жидкости Жа в а-твердом растворе. Линия // по этим же причинам должна следовать в направлении вправо от точки /, имея значение линии ликвидуса а-твердого раствора при образовании его из жидкости ж . Мы обращаем впима-пие читателя на положение линий аа и // потому, что во многих руководствах по вопросам гетерогенного равновесия линия аа вычерчивается в диаграммах состояния, как указано на рис. 40 пунктиром. Наше внимание на это обратил в свое время академик А. А. Бочвар. [c.54]

    На рис. 78 потенциальная поверхность изображена только в одной проекции. Действительно, для молекулы с осью симметрии третьего порядка (например, молекулы СНз1) у потенциальной функции должно быть три минимума в плоскости, перпендикулярной оси симметрии. Это показано на контурной диаграмме на рис. 79. Как видно из рисунка, в случае молекулы СНз1 в вырожденном электронном состоянии атом иода при равновесной конфигурации молекулы не будет находиться на оси симметрии скорее всего, будет три эквивалентных равновесных положения, несколько удаленных от оси. При этом потенциальная функция как целое все еще сохраняет симметрию Сз . Если минимумы глубокие, т. е. если очень велика энергия, необходимая для перевода молекулы из одного минимума в другой, то молекулу в большинстве Случаев можно считать асимметричной, т. е. принадлежащей точечной группе Если же электронно-колебательное взаимодействие слабое, то для перевода молекулы из одного миниму- [c.137]

    Из диаграммы энергия МО — доля переноса электрона (см. рис. 3-8). видно, что наиболее устойчивым состоянием с переносом заряда без учета перекрывания должно быть квазивырожденноо при зарядах на Агеп2Сг° и иоде соответственно +0,5 и —0,5. В любых других случаях пара электронов располагается на разрыхляющей орбитали выше, чем один неспарепный электрон в связывающей орбитали, что приводит к обратному перераспределению заряда до состояния квазивырождения в точке с самосогласованным зарядом (ССЗ). [c.124]

    На рис. 78 потенциальная поверхность изображена только в одной проекции. Действительно, для молекулы с осью симметрии третьего порядка (например, молекулы СНз1) у потенциальной функции должно быть три минимума в плоскости, перпендикулярной оси симметрии. Это показано на контурной диаграмме на рис. 79. Как видно из рисунка, в случае молекулы СНз1 в вырожденном электронном состоянии атом иода при равновесной конфигурации молекулы не будет находиться на оси симметрии скорее всего, будет три эквивалентных равновесных положения, несколько удаленных от оси. При этом потенциальная функция как целое все еще сохраняет симметрию Если минимумы [c.137]


Смотреть страницы где упоминается термин Иода диаграмма состояния: [c.187]    [c.123]   
Физическая и коллоидная химия (1960) -- [ c.107 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Диаграммы состояния

иодо



© 2025 chem21.info Реклама на сайте