Ионизация на поверхности

Аналогично этому гидратация гидрофильных коллоидов обусловливается электростатическими силами, т. е. за счет электрических зарядов, возникающих вследствие ионизации. На поверхности коллоидных частиц высокомолекулярных веществ образуются оболочки, состоящие из диполей воды, ориентированных в зависимости от знака заряда ВМС своим положительным или отрицательным концом. [c.333]

В противоположность силикатным материалам, пластинки из органических веществ (парафин, полистирол и др.) не обнаруживают поверхностной электропроводности как в вакууме, так и в присутствии паров воды и хлористого водорода, что указывает на отсутствие ионизации на поверхности. [c.123]

Электроотрицательные вещества или соединения, образующие их на горячей поверхности, притягивают электроны из металла, что приводит к понижению верхнего уровня электронов в металле и, следовательно, к повышению их работы выхода Повыщение работы выхода, в свою очередь, приводит к возможности ионизации на поверхности атомов щелочных и других метал- [c.131]

Независимо от типа прибора, важным его элементом является ионный источник. Его назначением является создание направленного ионного пучка, обладающего энергией, достаточной для того, чтобы пройти анализатор до приёмника ионов без рассеяния. Ионный источник должен быть универсальным, т. е. допускать получение ионов возможно большего числа веществ, обладать высокой эффективностью ионизации (отношением числа образовавшихся ионов к числу молекул, находящихся в источнике) и высокой светосилой (отношением числа ионов, вышедших из источника и сформированных в ионный пучок, к полному числу образованных ионов), а также обеспечивать ионный луч строгой геометрической конфигурации (с малым углом расхождения). Типы используемых ионных источников достаточно многочисленны искровой, с ионизацией электронным ударом, с фотоионизацией, с ионизацией на поверхности накалённого металла, с индуктивно связанной плазмой и др. Для примера на рис. 4.2.3 приведена схема ионного источника с ионизацией электронным ударом. [c.93]

Рис. 3. 4. Переходные кривые для у-излучения (за единицу принята ионизация на поверхности).

Ионизация на поверхности. Процесс образования И., как правило, резко облегчается, когда нейтральная частица находится на поверхности твердого тела. При образовании положительного И. на поверхности металла происходит отрыв электрона от молекулы и переход его к металлу. В этом последнем акте выделяется энергия, равная по абсолютной величине работе выхода электрона из металла. Т. обр., суммарная затрата энергии на образование И. на поверхности равна I — ф, где I — энергия ионизации, а ф — работа выхода. Отношение числа И. к числу нейтральных частиц в пучке, летящем с нагретой поверхности, будет равно ехр [— (I—ф)/Д Т], где Е — газовая постоянная, а Г — абс. темп-ра поверхности. Для веществ с низкими потенциалами ионизации (тяжелые щелочные металлы) легко достигаются условия, когда удар атома о поверхность приводит к его ионизации с вероятностью, равной единице. [c.159]

Ионизация на поверхности в случае молекул представляет более сложное явление, в к-ром большую роль должны играть процессы диссоциации с адсорбцией нейтрального осколка, а также ионно-молеку-лярные взаимодействия. При адсорбции на поверхности металла электроотрицательных атомов последние могут присоединять к себе электрон, выходящий из металла. При этом на вырывание электрона из металла расходуется энергия ф, а при прилипании электрона к атому выделяется энергия е, равная энергии сродства атома к электрону. Т. обр., затрата энергии на образование отрицательного И. на поверхности будет равна ф — е. Отношение числа отрицательных И. к числу нейтральных атомов, летящих с нагретой поверхности, будет в этом случае равно ехр —(ф — е)Л7 ]. Исследование эмиссии отрицательных ионов с поверхности позволяет определить важную энергетич. характеристику атомов — величину их сродства к электрону. [c.159]

Если величина потенциала ионизации существенно превышает максимальное значение локальной работы выхода электронов из вольфрама, то логарифм ионного тока с поверхности оказывается линейной функцией обратного значения температуры поверхности. При одновременной ионизации на поверхности атомов двух элементов изменение отношения ионных токов с температурой определяется только разностью потенциалов ионизации этих элементов. [c.26]

Природа ионной эмиссии с накаленной платины исследована мало. Были выполнены эксперименты по исследованию ыасс-спектрометрического состава ионного тока с платины. Основную компоненту его составляют ионы щелочных металлов. Определяющий процесс— это ионизация на поверхности платины атомов щелочных металлов, испаряемых с керамического керна спирали датчика. Предполагают, что резкое возрастание ионного тока в присутствии галогенов обусловлено ростом работы выхода платиновой поверхности [110]. [c.134]

Термоэлектронная теория хорошо объясняет эмиссию для катодов, выполненных из тугоплавких материалов, но не дает ответа на вопрос о происхождении ионизации на поверхности [c.98]

Освобождение электрона, или ионизация на поверхности катода, как и ионизация в объеме газа, может происходить под влиянием различных факторов. [c.237]

Кроме перечисленных выше возможных составляющих поверхностного тока при больших обратных смещениях может возникнуть еще одна, обусловленная развитием ударной ионизации на поверхности р—л-перехода. Возникновение ударной ионизации на поверхности приводит к резкому возрастанию обратного тока с увеличением напряжения, наблюдается поверхностный пробой. Напряжение такого пробоя определяется шириной обедненной области р— га-перехода на поверхности, которая в свою очередь зависит от величины и знака поверхностного заряда [7]. При обработке поверхности прибора стеклом напряжение, с которого начинается резкий рост обратного тока, заметно изменяется (рис. 3). Это говорит об изменении поверхностного заряда. Поверхность прибора очищается от хемосорбированных молекул, а ширина обедненной области р—и-перехода на поверхности приближается к ширине в объеме. Это приводит к увеличению напряжения поверхностного пробоя вплоть до значения, соответствующего объемному пробою. Для наших приборов напряжение объемного пробоя лежит в пределах от 120 до 180 в, [c.210]

Предположив для определенности, что газовым реагентом является водород, далее будем считать, что токообразование лимитируют процессы диффузии водорода через пленку электролита и ионизации на поверхности электрода. Плотности тока для этих процессов имеют вид [c.233]

Известно, что никель способен функционировать в щелочном растворе, как водородный электрод в обычных условиях, т. е. при насыщении раствора молекулярным водородом. Введение в газовую среду Н-атомов из постороннего источника сопровождается их ионизацией на поверхности никеля по реакции [c.78]

В ионном микроскопе тонкое острие, подобное аналогичному устройству в электронном полевом микроскопе, является анодом. В основе метода лежит явление ионизации на поверхности металла молекул или атомов газа в сильном электрическом поле за счет туннелирования валентных электронов в металл. В качестве газа изображения применяется гелий и другие инертные газы. Ионы газа, ускоряясь полем 10 Ч-10 В/см дают на экране изображение атомной структуры поверхности. На рис. 2.10 показана схема полевого ионного микроскопа с усилением изображения. [c.50]

После ионизации на поверхности атомов неметаллов и газов последние переходят в электролит за счет процесса адсорбции и десорбции. [c.43]

В псх ледиее время в ВЭЖХ-МС получила распространение также тенденция сочетать метод переноса на движущейся ленте с методами, включающими ионизацию на поверхности, например масс-спектрометрию вторичных ионов (МСВИ) [22, 23], бомбардировку быстрыми атомами (ББА) [24] и лазерную десорбцию [25] При применении этих методов упомянутые выше ограничения метода движущейся леиты, связанные с возможностью термического разложения определяемых соединений в процессе удаления растворителя, могут быть почти полностью устранены [c.134]

Адсорбированные ионы водорода и кислорода взаимодействуют между собой, образуя продукты реакции. Указанные стадии протекают не последовательно, а параллельно, во взаилюдействии друг с другом, что и составляет специфику катализа. Например, азот на поверхности железа ионизируется довольно трудно, однако в присутствии Еодорода, способного отдавать электроны металлу, этот процесс облегчается. Аналогично способность перекиси водорода быть и окислителем и восстановителем облегчает ее ионизацию на поверхности платины. [c.101]

Лоддинг (Ь о (1 (I 1 п А. К. Е.). Была ли проделана какая-нибудь работа с целью точного выяснения, что происходит с нитратами щелочных металлов при ионизации на поверхности Ведь если сам процесс установлен неверно, то и поправка на эффект фракционирования будет ошибочной. [c.106]

Недостатком указанной методики является чрезвычайно большое изменение эффехтшности ионизации на поверхности при переходе от вещества к веществу. В отдельных случаях выход ионов свинца достигает 0,001 от числа атомов свинца, и тогда оказывается возможным использовать для регистрации нонного тока обычный цилиндр Фарадея. В других же случаях эффективность ионизации может оказаться на 1—2 порядка ниже, что делает необходимым применение электронного умножителя. Процессы образования положительных ионов не вполне понятны, и поэтому имеется очень мало данных, на основании которых можно было бы создать наилучшие конструкции ионных источников подобного типа. Но основным препятствием для проведения изотопного анализа микроколичеств свинца является опасность введения во время химических операций примесей в анализируемое вещество. [c.519]

Процессы ионизации частиц газа в разряде можно разделить на процессы ионизации в объёме газа и на процессы ионизации на поверхности ьлектродов. Причиной последних процессов являются различные виды так называемой электронной эмиссии выход свободных электронов из металлов и полупроводников. Процессы электронной эмисспи являются единственными причинами, со л-дающими проводимость высокого вакуума. [c.12]

В пользу заключения, что нельзя объяснить поддержание положительного коронного разряда только первым из перечисленных здесь механизмов, говорит то обстоятельство, что положительная корона появляется и поддерживается также и на отдельно взятом тонком проводе или острие, когда другим электродом служит лишь земля или далеко отстоящие окружающие предметы. В этом случае процессы ионизации на поверхности катода не могут играть большой роли для поддержания разряда потому, что напряжённость поля у катода очень мала, а отрицательные ионы, если они здесь и образуются в очень незначительном количестве, должны теряться на длинном пути до коронирующего электрода вследствие рекомбинации с положительными ионами. Поэтому необходимо допустить, что и при других условиях фотононизация газа собственным излучением играет существенную роль для поддержания положительной короны. [c.610]

Пропорциональность скачка и скорости полимеризации концентрации катализатора говорит о постоянстве размеров кристаллов иода при изменении его общего количества в системе, причем Ra — концентрация каталитически активных (ионизованных) мест на поверхности криста.тлов иода. Следовательно, энергия активации скачка (Еа) связана с энергией ионизации на поверхности иода, а энергия активации скорости полимеризации складывается из Еа и энергии выхода из дефекта ( )- Отсюда E — = 28 ккал/моль. Эта величина хорошо согласуется с энергией активации полимеризации триоксана на Sn U (подача катализатора с поверхности) и полимеризации на эфирате ВРз. [c.368]

Предположение об образовании ионной связи [6—8] недавно было подвергнуто критике Эмметтом и Теллером [20] и позднее Купером и Эли [21]. Согласно расчетам названных авторов, все возможные процессы ионизации на поверхности переходных металлов чрезвычайно эндотермичны. В подтверждение этого вывода Эли [22] приводит экспериментальные значения поверхностных потенциалов, полученные Босуорсом и Ридиэлом [23], Оатли [24] и Миньоле [25]. Эти данные можно интерпретировать, считая, что на водородном атоме, адсорбированном на вольфраме или платине, находится лишь часть заряда электрона. Согласно Эли, малый дипольный момент (0,4 единиц дебая) [c.19]

Эти величины определяют ионизацию, создаваемую 7-излуче-нием радиоактивных элементов в воздухе на самой границе раздела атмосфера — суша, т. е. величину, которая вследствие симметрии (если не учитывать обратного рассеяния излучения от почвы) должна составлятв половину ионизации в очень большом слое атмосферы. Так как для рассматриваемого нами диапазона энергий (-квантов толщина слоя половинного ослабления в воздухе колеблется от 35 до 200 м, разница между степенью ионизации на поверхности земли и на высоте 1 лг при наших грубых оценках не имеет никакого значения. Вместе с тем если пользоваться полученными величинами при определении ионизации внутри помещений, то эти данные могут оказаться завышенными в десятки раз. [c.33]