Структура политипов

Политипия. Интерпретация рентгенограмм слоистых структур со сложным характером чередования слоев [c.121]

Несколько напоминает политипию случай образования серии дискретных фаз со слоистой структурой. Положение части линий при этом также остается неизменным, а при сравнительно малых углах появляется несколько дополнительных линий, имеющих однотипные индексы. Как и в случае политипии, разность Q этих линий должна быть связана с величиной большого периода, например С, соотношением [c.124]

В свою очередь, эквивалентность вариантов чередования слоев способствует возникновению ошибок в регулярности (периодичности) наложения слоев по определенному закону. Такие ошибки могут привести к различным слоевым нарушениям, то есть к образованию двойников, синтаксических сростков и так называемых OD-кристаллов [114, 215], структуры которых различаются степенью слоевой разупорядоченности — от максимально упорядоченных структур (MDO, или политипов) до полностью разупорядоченных. [c.172]

Возможны также и политипы. Такие структуры различаются только типом окружения — тригонально-антипризм этическим (октаэдрическим) или тригонально-призматическим — атомов X, находящихся на внешних поверхностях двойных слоев. [c.123]

Период повторяемости вдоль оси с равен 33,85 А по сравнению с 22,53 А для р-А]20з. -Структура обычно стабилизируется некоторым количеством М и (или) Li. Очевидно, что р- и (У -структуры можно считать политипами и обозначить 2Н н ЗН (разд. 4.1.8) либо при желании указать число слоев кислорода в базовой субъячейке 2Н(5) и ЗК(5). Более сложные структуры этого семейства были расшифрованы методом электронной микроскопии (динамическое рассеяние от кристаллов с большой толщиной) и обозначаются 15Н(5) и ЗОН(5) с периодами повторяемости вдоль гексагональной оси, равными 169,5 и 339 А [3], Имеются сведения о других структурах, в основе которых лежат повторяющиеся элементы, построенные из большего числа слоев шпинели, например 2Н(7) и ЗК(7). [c.319]

Структуры, в которых осуществляется тригонально-призма-тическая координация атомов металла, содержат пары смежных слоев серы, которые накладываются друг на друга без. смещения (и поэтому не являются плотноупакованными), но мультиплетные слон S—М—S укладываются точно так же, как простые в обычной последовательности плотнейшей упаковки. Наиболее простые структуры такого вида иллюстрируются на рис. 4.11 (т. 1), на котором использована такая же номенклатура, как для политипов слюды цифры указывают число составных слоев (S—М—S) в повторяющейся единице. Примерами-могут служить [c.506]

Первые попытки теоретического моделирования структуры концентрационных политипов предприняты в [38, 39]. [c.109]

Структуры политипов близки, первые координац. сферы у атомов в кристаллах одинаковы. Так, для Si во всех политипах сохраняется тетраэдрич. окружение атомов, изменения наблюдаются в третьей и вьш1е координац сферах. Все политипы имеют одинаковую плотность, они не переходят друг в друга. Образование политипов объясняют наличием примесей, винтовых дислокаций, колебаниями структуры (порядок-беспорядок) [c.27]

Политипия (или политипизм) — явление, характерное для некоторых плотно упакованных и слоистых структур. Политипы — это структуры, построенные из одних и тех же слоев с разной последовательностью их чередования. Параметры решетки у политипов в плоскости слоя неизменны, а в направлении, перпендикулярном слоям, различны, но всегда кратны расстоянию между ближайшими слоями. Различие политипов проявляется и в некоторых их свойствах, особенно в оптических. [c.173]

Многие полиморфные модификации различаются только типом чередования слоев плотнейшей упаковки, например модификации металлов с кубической и гексагональной плотно упакованной структурами, модификации иодида кадмия, сульфида цинка, карборунда и т.д. При заданных давлении и температуре обычно только одна из этих модификаций является термодинамически стабильной, а остальные существуют в ithx условиях вследствие ничтожной скорости превращения н стабильное состояние. В некоторых случаях образуются модификации с очень сложными, многослойными упаковками. Эти модификации назьшаются политип-ными. Склонность к политипии особенно четко выражена у слоистых структур. При политипии существует дальний порядок в чередовании слоев, и этим политипия отличается от дефектов упаковки, когда дальний порядок отсутствует. Некоторые способы синтеза кристаллов (конденсация паров, транспортные реакции) особенно часто сопровождаются образованием политипных форм. Образование дефектов [c.121]

Реальная структура М. отличается от идеальной наличием де4)ектов (вакансии в отдельных узлах кристаллич. решетки, примесные атомы или ионы в узлах или между узлами, изменение валентности у части ионов) и дислокаций. Упорядочение вакансий можег приводить к увеличению одного из параметров элементарной ячейки. Для слоистых М, (слюды, графит, молибденит и др.) характерна политипия, при к-рой пронсходит небольшой сдвиг слоев (пакетов) относительно друг друга с изменением периодичности в их чередовании. В результате разл. политипы одного М, отличаются друг от др>га параметрами вдоль одной из осей (причем эти параметры кратны одной и той же величине). При этом может происходить изменение вида симметрии элементарной ячейки вплоть до изменения сингонии. Однако существ, перестройки структуры, как при поли.морфизме, не происходит. [c.86]

ПОЛИТИПЙЗМ (политипия) (от греч. polys-многочисленный и typos-отпечаток, форма, образец), частный случай полиморфизма, наблюдается в нек-рых кристаллах со слоистой структурой. Политипные модификации-политипы-45 [c.27]

Дм Т. цинка, d, Hg характерно явление политипии и в зависимости от условий они кристаллизуются в кубич. структуре типа сфалерита или гексагональной типа вюрци-m Наим, число Т. характерно для переходных металлов с относительно устойчивыми d - и rf -конфигурациями атомных оболочек. Напр., Сг, Мп и Re образуют не более двух Т., а Ag, Au, Zn, d, Hg-по одному (AgjTe, AuT j, dTe и т.д.). По мере увеличения содержания Те характер хим. [c.516]

Электронофафически можно проводить фазовый анализ в-ва (в этом случае совокупность значений и сравнивают с имеющимися банками данных), можно изучать фазовые переходы в образцах и устанавливать геом. соотношения между возникающими фазами, исследовать полиморфизм и политипию. Методом Э. исследованы структуры ионных кристаллов, кристаллогвдратов, оксидов, карбвдов и нитридов металлов, полупроводниковых соединений, орг. в-в, полимеров, белков, разл. минералов (в частности, слоистых силикатов) и др. Э. часто комбинируют с электронной микроскопией высокого разрешения, позволяющей получать прямое изображение атомной решетки кристалла. [c.451]

Особенно широкий спектр различных молекулярных структур и надмолекулярных образований наблюдается при конденсации (гомогенной или гетерогенной) углерода из парогазовой среды, плазмы, молекулярноионного пучка или растворов. Продуктами синтеза, получаюшимися в виде глобул, пленок, усов и т.п., в зависимости от условий и скорости проведения процесса, здесь могут быть практически все известные и неизвестные кристаллические и аморфные формы углерода графитовые - двухслойный политип или обычный гексагональньп фафит, трехслойный - кубический или ромбоэдрический фафит и т.д. алмазные - двухслойный политип, т.е. гексагональный алмаз или лонсдейлит, трехслойный - обычный кубический алмаз, четырехслойный алмаз и т.д. карбиновые. Субструктура и некоторые свойства напыленных углеродных пленок описаны в работах . [c.26]

Нарущение ориентационного порядка особенно ярко проявляется у кристаллов со слоистой структурой, которым присуще явление политипии и тесно связанные с ним явления двойникования, синтак-сии, слоевой разупорядоченности. Явление политипии известно в [c.171]

Более сложные тетраэдрические сетки. Все прочие трехмерные сетки со связанностью 4 более сложны, чем алмазная сетка, которая оказывается единственной содержащей минимальное число точек (2) в топологической элементарной ячейке. Мы уже рассматривали родственную сетку гексагонального алмаза. Как и обычный алмаз, она представляет собой сочленение шестиугольников, но в своей наиболее симметричной конфигурации она состоит из циклов, имеющих как форму кресла, так и форму ванны в отличие от алмаза, где все циклы относятся к первому типу. Позиции чередующихся точек в этих двух сетках (т. е. позиции атомов S или Zn в цинковой обманке и в вюртците) соотносятся между собой как кубическая и гексагональная плотнейшие упаковки (гл. 4), и соответственно имеется бесконечно большое число тесно связанных структур, отвечающих более сложной последовательности плотноупакованных слоев. Многие из этих структур обнаружены в кристаллах Si (см. политипы карборунда, разд. 23.3). Структура высокотемпературного оксида ВеО (разд. 12.2.4) родственна вюртцитоподобной структуре низкотемпературной формы. [c.160]

Непосредственно db, смешанные кристаллы dBrl, РЫг и другие соединения кристаллизуются более чем в одной из этих структур и также в структурах с более сложны.ми чередованиями слоев. К настоящему времени охарактеризовано более 80 политипов dh- Для нас они не представляют особого интереса, поскольку довольно очевидно, что их образование связано с механизмом роста, и все они построены из одних и тех же базисных слоев. Важнее показать, каким образом этот очень простой слой участвует в построении структур разнообразных соединений. И мы не будем здесь детально анализировать способы упаковки слоев. Ниже будут описаны 5 типов [c.310]

Структура оксида УаОз рассмотрена в разд. 12.7.2 для ванадия характерно КЧ 5 с одной очень короткой связью V—О. В противоположность УгОб структурная химия оксидов ЫЬ205 и ТзгОб весьма сложна. Для обозначения многочисленных полиморфных модификаций N1)205 пришлось использовать многие буквы латинского и греческого алфавитов [2]. Во всех этих модификациях присутствуют октаэдры N50, , сочлененные друг с другом по общим вершинам и ребрам в различных комбинациях. Читателю полезно сначала обратиться к разд, 5,3,5, а затем уже к обсуждению сложных оксидов титана, ванадия, ниобия и др. в разд. 13.7, где описано, как из слоев или блоков структуры КеОз образуются более сложные структуры. Причина сложности кристаллохимии оксидов ЫЬгОб кроется в том, что-субъячейки могут быть соединены друг с другом бесчисленным множеством способов. Не исключено, что эти модификации следует рассматривать скорее как проявление политипии, чем как полиморфизм, так как образование таких фаз зависит от механизма роста, и в некоторых случаях они могут стабилнзи- [c.255]

Свойства. Бесцветное устойчивое на воздухе вещество, кристаллизующееся в виде блестящих гексагональных листочков, / л 381 °С /ивп 710 °С d 5,67. Гексагональная слоистая кристаллическая структура с политипией простейший ТПП dlail) (а=4,24 А с=6,84 А часто с =4с). Растворимость (в 100 мл растворителя) в HjO 82,5 г (24 °С), 121 г (95 °С) в метаноле [c.1135]

Структуры отличаются типом плотнейшей упаковки, но координационное число остается одним и тем же у всех модификаций. Например, 5 модификаций ZnS, 8 модификаций карборунда, 3 модификации dJ2 и т. п. Этот случай полиморфизма часто называют политипией. Три модификации ТЮг— рутил, брукит и ана-таз — отличаются друг от друга типом упаковки рутил имеет гексагональную упаковку, анатаз — кубическую, [c.224]

Естественно, что потенциальные возможности подхода [36, 37] не ограничиваются задачей определения элементного состава политипов. Современные вычислительные методы квантовой теории, как это мы попытались продемонстрировать в настоящей монографии, оказьшаются эффективными при решении проблем кристаллохимии, позволяют проводить корректные расчеты многих иных физикохимических свойств твердофазных систем. Отсюда, получаемая информация о фундаментальных электронно-энергетических состояниях политипов определяет перспективы описания явления концентрационного политипизма во взаимосвязи электронное строение — состав — структура — свойства. [c.109]

В работе [38] вьшолнен комплекс расчетов по моделированию особенностей структуры концентрационных политипов на примере системы A1N—О. В указанной системе известен [31] ряд многослойных структур, образованных блоками разного химического состава с общей формулой (А1Ы) , А120з, где z — целое число. Способы упаковки блоков определяют существование структур гексагональной (Я) или ромбоэдрической (R) симметрий. Экспериментально зафиксированы 21R, 21R, VIH, 1бЯи 32Я-и)литипы (число перед индексом симметрии указывает количество атомных слоев в элементарной ячейке). [c.109]

Рис. 5.9. Модель структуры 8iA10N-политипа [39], содержащая блок дефектов — сопряженные монослои состава О——N—(51о А1о ), обозначенные 1—4, соответственно

Кристаллам слоистой структуры, обладающим политипией, присуще образование винтовых дислокаций, возникаюгцих при обходе препятствия растущими слоями, которые не смыкаются точно. Краевые дислокации в слюде образуются в результате перекрытия незаверщенных слоев. Дислокации часто декорированы скоплениями закрытых расслоений типа газовых пузырьков. Изучение дислокационного строения кристаллов фторфлогопита может быть проведено с помощью травления и электронной микроскопии. [c.45]

Члены семейства родственных структур, образование которых зависит от механизма роста кристаллов, называются политипами. Они не являются обычными полиморфными модификациями и возникают только у соединений, имеющих определенные типы структуры. Наиболее известными примерами являются Si , dia, ZnS и некоторые комплексные оксиды и особенно ферриты, которые в дальнейшем будут рассмотрены более детально. [c.21]

Смотреть страницы где упоминается термин Структура политипов: [c.105] [c.109] [c.223] [c.407] [c.519] [c.27] [c.59] [c.380] [c.31] [c.319] [c.505] [c.147] [c.315] [c.1575] [c.4] [c.94] [c.109] [c.110] [c.110] [c.112] [c.183]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология