Линия базисная

Навеску АБС 0,2—0,5 г (точность взвешивания 0,0002 г) растворяют в тетрахлорметане в колбе вместимостью 25 мл. Регистрируют ИК-спектр полученного раствора относительно ССЬ в интервале волновых чисел 1200—1370 см . Рассчитывают оптическую плотность в максимуме полосы поглощения около 1220 см по методу базисной линии. Базисную линию проводят параллельно оси волновых чисел (длин волн) из точки максимума около 1330 см . [c.114]

Для определения используют метод базисной линии. Базисную линию проводят через точки максимального пропускания 2750 СМ и 3100 см . Измеряют значения максимального и минимального пропусканий при волновом числе 2925 см . [c.108]

Располагая полюсами 51 и отгонной и укрепляющей секций колонны и поверхностями энтальпий насыщенных паровых п жидких фаз, легко представить, как с помощью описанной прп изучении бинарных систем расчетной процедуры можно было бы последовательно определять элементы ректификации на всех ступенях колонны, разделяющей тройную смесь, путем попеременного проведения оперативных прямых и конод. Точки пересечения оперативных линий с поверхностями энтальпий паров и флегмы огибаются линиями, называемыми кривыми ректификации. Проекции этих кривых на плоскость базисного треугольника позволяют облегчить исследование ректификации тройных систем. Так, задаваясь разными значениями состава исходного сырья, можно покрыть всю плоскость треугольной диаграммы семейством огибающих кривых ректификации, дающих наглядное представление о направлении процесса перераспределения компонентов тройной системы по высоте колонного аппарата. Кривые ректификации для смесей, близких по свойствам к идеальным, на всем своем протяжении сохраняют один и тот же характер кривизны, выходят из вершины треугольника, отвечающей наименее летучему компоненту w, и направляются к вершине, представляющей наиболее летучий компонент а. [c.250]

Очевидно, для гипотетического случая нецелых чисел теоретических тарелок, заключенных между любыми двумя целыми значениями N, на диаграмме можно наметить ряд промежуточных точек, соединение которых плавной линией дает уже не ломаную линию, а кривую ректификации, ведущую от фигуративной точки одного продукта колонны к фигуративной точке другого. Задаваясь различными составами исходного сырья, можно покрыть всю плоскость базисного треугольника семейством кривых ректификации, дающих наглядное представление о направлении процесса перераспределения компонентов тройной системы по высоте колонны, в условиях режима полного орошения (рис. V.4). [c.251]

Фигуративная точка сырья всегда располагается в той области диаграммы, к которой кривая ректификации обращена своей вогнутостью. Поэтому кривую ректификации можно рассматривать как своеобразную граничную линию, разделяющую поле диаграммы на две области. Только системы с фигуративными точками, расположенными в области, к которой кривая ректификации обращена своей вогнутостью, могут быть подвергнуты разделению на два продукта, фигуративные точки которых расположены либо на данной кривой ректификации, либо правее ее (см. рис. V.4). Положение фигуративной точки сырья на прямой, соединяющей в базисном треугольнике соответствующие точки R ж D остатка [c.251]

Чем больше разрыв между соответственными линиями пара и жидкости, тем легче произвести разделение компонентов системы. На фиг. 48 а показано, что, если температура системы становится равной точке кипения 4 бинарного азеотропа компонентов а и TW, то изобарно-изотермические линии "d и e f касаются друг друга в точке j/e на стороне aw базисного треугольника. [c.145]

Определим теперь разрешающую способность прибора. В большинстве исследований органических и неорганических соединений необходимо знать отношение т/е с точностью в одну единицу (т.е. это 249 или 250). Разрешение прибора иногда выражают как т/Ат, если два пика, ш и ш + Ат, разделены и минимальная интенсивность между двумя пиками составляет только 2% полной т. Например, разрешение 250 означает, что два пика с т/е 250 и 251 разделены и что в минимуме между ними перо возвращается в положение, соответствующее не более 2% полного ионного тока (являющегося характеристикой интенсивности на рис. 16.2) относительно базисной линии. В приборах с худшим разрешением это невозможно для пиков с большими массами, и значение отношения т/е, для которого пики разрешаются, служит критерием определения разрешения. [c.317]

В последнее время для общей обработки термографических данных была применена вычислительная техника, с помощью которой разработан метод математического описания участка кривой ДТА, характеризующегося экстремальным отклонением от базисной линии, и расчет площади теплового эффекта. Экстремальный участок кривой ДТА описывается уравнением [c.15]

Характеристические температуры определяются тон температурой, по которой кривая отклоняется от базисной линии, давая эн-до- или экзотермический пик. [c.16]

Определение характеристик термических эффектов. В зависимости от формы пика существуют различные методы определения температуры его начала и конца. При резких перегибах кривой температура находится по точке перегиба / (рис. 6), при плавном перегибе кривой ДТА начало или конец эффекта устанавливаются пересечением прямой ветви пика с базисной линией "(в точке 2 или по точке касания прямой, проведенной к базисной линии под углом 45° (точка <3), [c.16]

Ширина пика — расстояние между его началом и концом. Если начало и конец пика находятся на уровне базисной линии, то ширина пика соответствует расстоянию между точками пересечения прямых ветвей пика с базисной линией (расстояние а, рис. 6). Если же начало или конец пика расположен выше или ниже базисной линии, то ширина пика равна расстоянию между точками пересечения прямой ветви кривой ДТА с базисной линией (отрезок б) или расстоянию между точками пересечения прямой ветви кривой ДТА с линией, проведенной из точки касания кривой пика с базисной линией (отрезок в). [c.16]

Таким образом, практически почти невозможно устранить факторы, вызывающие отклонение дифференциальной кривой в ту или другую сторону от базисной линии. Одним из основных методов, частично исключающих такое отклонение, является достаточно большое разбавление исследуемого вещества эталонным материалом. Однако очень большое разбавление резко снижает интенсивность термических эффектов, а порой полностью маскирует их. [c.20]

Образцы с незначительной величиной энергии фазового превращения при термическом анализе дают асимметричные пики, т. е. с постепенным достижением максимума и относительно быстрым возвращением к базисной линии. [c.20]

Для получения более точных результатов необходимо соблюдать следующие условия кривые ДТА и ДТГ после окончания фазовых превращений должны выходить на базисную линию недопустимо наложение на эффект, принимаемый для расчета энергии активации других термических эффектов расчет необходимо проводить по начальной ветви эффекта на участке, отвечающем степени превращения а <0,4 0,5. [c.38]

Рис, 9,4, Рассчитанные теоретически (линии) и экспериментальные (точки) значения констант Генри (К1 и, соответственно, К, см /м ) для адсорбции этана (прямая У и А) и пропана (прямая 2 и О) при разных температурах на базисной грани графита (расчет) и графитированной термической саже (эксперимент) [c.171]

Проба анализируемого раствора, помещаемая в сосуд Дьюара, и титрант, находящийся в бюретке, должны иметь одинаковую температуру. Затем регистрируют базисную линию, записывая изменение температуры без добавления титранта. При установившейся температуре (прямая ) начинают титрование и продолжают его до избытка титранта. Линия, соответствующая избытку реагента, опять должна получаться прямой. Точку эквивалентности можно найти экстраполяцией. [c.88]

Часто удается исключить поглощение других компонентов пробы и растворителя непосредственно при измерении оптической плотности. Для этого отсчеты дЯ 1 ведут, как показано на рис. 184, б. Этот прием называют методом базисных линий. Если фон , создаваемый погло- [c.335]

Метод с применением дифференциальной термопары называется дифференциально-терми-ческим анализом (ДТА). Условно кривые ДТА принято строить так или так калибровать прибор при автоматической записи кри-вых, что эндотермический эффект соответствует отклонению от базисной линии вниз, а экзотермический — вверх. [c.341]

В каждом случае показаны два альтернативных (и в равной мере приемлемых) выбора базисного набора. Положительное перекрывание (т.е. перекрывание в фазе) показано штриховой линией, [c.317]

В тех измерениях, когда требуется высокая точность, для дальнейшего улучшения работы спектрометра можно использовать вторую пару линий в спектре о-дихлорбензола. Для хорошо настроенного спектрометра минимум между сигналами в данном случае опускается до базисной линии (рис. 1П. 6, г). Таким образом, чем выше разрешение спектрометра, тем меньше разность частот двух резонансных сигналов, которые могут быть записаны раздельно, т. е. разрешены. [c.71]

Интенсивность фона, наблюдаемого на рентгенограммах, является не только результатом диффузного рассеяния рентгеновских лучей на образце, но также связана с инструментальными факторами (например, с рассеянием дифрагировавшего излучения атмосферным воздухом) [141]. Если инструментальные факторы одинаковы для исследуемых образцов, то появляется возможность сравнительного анализа роли самих образцов в формировании диффузного фона рассеяния на рентгенограммах. Интенсивность дифрагировавших рентгеновских лучей, зафиксированная на рентгенограмме, складывается из интенсивности рентгеновских пиков и интенсивности фона [130]. Для отделения интенсивности, связанной с фоном, в районе рентгеновских пиков, представленных псевдофункциями Фойгта, проводят базисные линии. Левая и правая точки каждой базисной линии соответствуют интенсивности фона слева и справа от рентгеновского пика. Для получения интегральной интенсивности фона площади под базисными линиями суммируют с площадями под линией фона вне рентгеновских пиков. [c.79]

Погрешность в вычислении интегральной интенсивности фона в основном зависит от правильности выбора базисных линий. Поскольку рентгеновские пики на рентгенограммах наноструктурной Си преимущественно описываются функцией Лоренца, т. е. имеют длинные хвосты, то оказалось очень трудно достаточно точно определить место, где кончается рентгеновский пик и начинается фон 79-82]. Для уменьшения погрешности базисные линии выбирали таким образом, чтобы их концы совпадали с концами широких интервалов углов дифракции, в которых производилась съемка рентгеновских пиков [79-82]. Как показано в работах [80, 81], ИПД Си приводит к росту интегральной интенсивности диффузного фона рассеяния рентгеновских лучей на 6 3 %. [c.79]

Метод базисной линии [c.99]

Если повернуть все три грани призмы на 90° вокруг нижнего основания так.чтобы они расположились в одной плоскости с базисным треугольником (фиг. 47), то оказывается возможным показать одновременно равновесные соотношения как в возможных трех бинарных системах, так и в тройной системе на одном плоскостном графике. Треугольная диаграмма в этом случае представляет горизонтальное сечение через призму и поэтому характеризует системы, находящиеся при постоянной температуре и давлении. В рассматриваемом случае выбранная температура выше температур кипения компонентов w и а, но ниже точки кипения компонента Ь. Поэтому изотерма = onst пересекает равновесные изобарные кривые кипения и конденсации бинарных систем компонентов w Ь и а—Ь, но не пересекает равновесных линий бинарной системы компонентов w—a. [c.144]

Упомянем также о базисных волновых функциях х( г - 5 ) с плавающей точкой центрирования. Это означает, что вектор более не совпадает с координатой ядра но находится неподалеку от / . Отклонение 5 = - р является дополнительным вариационным параметром. При построении МО ряд авторов использует также дополнительные базисные функции с точками центрирования на линиях связи, большей частью в точке, делящей длину связи пополам, а базисные функции с точками центрирования вдоль некоторых характерных линий. Таковой, например, в случае молекулы воды, является биссектриса угла НОН <НОН. Дальнейткс сведения о молекулярных базисах можно найти в монографиях [38 ], [34] и в обзоре Н.Ф. Степанова и В.И. Пупьццева . [c.241]

Теплопроводность и теплоемкость. Коэффициенты температуропроводности образца и инертного вещества всегда между собой отличаются, в результате чего наблюдается отклонение дифференциальной кривой от базисной линии. Даже если образец перед анализом имел те же самые термические характеристики, что и ииерт- [c.19]

Усадка и вспучивание образцов. В процессе термоанализа многие вещества претерпевают усадку или вспучивание, а иногда последовательно и то и другое. Изменение размеров образца вызывает изменение его тепловых характеристик, поэтому происходит отклонение дифференциальной кривой от базисной линии. При больших усадках образца образуется зазэр между стенкой тигля и образцом, что вызывает появление на кривой Д ГА так называемого ложного эффекта. В ряде случаев термоанализ сопровождается выделением из образца газовой фазы, которая, вспучивая его, также способствует значительному отклонению кривой ДТА от базисного положения. [c.20]

По этому методу правила орбитальной симметрии связываются с правилом Хюккеля относительно ароматичности, которое обсуждалось в гл. 2. Правило Хюккеля, согласно которому циклическая электронная система, содержащая Ап- -2 электронов, является ароматической (а следовательно, стабильной), применимо, конечно, к молекулам в основных состояниях. При использовании принципа орбитальной симметрии мы имеем дело не с основным, а с переходным состоянием. В этом методе рассматриваются не сами молекулярные орбитали, а скорее р-орбитали до их перекрывания, приводящего к образованию молекулярных орбиталей. Такой набор р-орбиталей называется базисным набором (рис. 15.2). При рассмотрении возможности согласованной реакции орбитали базисного набора необходимо расположить в соответствии с положением, которое они займут в переходном состоянии. На рис. 15.3 это изображено для [2 + +2]- и [4-Ь2]-циклоирисоединения, Затем следует обратить внимание на обращение знака. Из рис. 15.3 очевидно, что ни в одном из случаев обращения знака не происходит. Пунктирная линия на этом рисунке соединяет только отрицательные доли орбиталей. Системы без обращения знака или с четным числом таких обращений называются системами Хюккеля. Системы с нечетным числом инверсий знака называются системами Мёбиуса (по аналогии с лентой Мёбиуса, которая представляет собой математическую поверхность, изображенную на рис. 15.4). Мёбиусовские системы не вступают ни в одну из этих реакций, а примеры таких систем приведены в т. 4 (см. описание реакций 18-31 и 18-36). [c.247]

Правило непересечения было впервые предложено для кривых потенциа тьной эиергпи двухатомных молекул и имеет важное значение для спектроскопии. Приведенное выше доказательство следует тому же методу, что и данное Теллером, и хотя его критиковали за отсутствие строгости, правило непересечения твердо установлено на основе данных эксперимента п расчетов, В случае когда две базисные функции обладают разной симметрией, величина Наь тождественно равна нулю, и при этих обстоятельствах, вообш е говоря, можно найти точку, где (12.15) будет удовлетворяться. Таким образом, кривые потенциальной энергии или корреляционные линии, относяи иеся к состояниям разной симметрии, могут пересекаться. [c.264]

Амины также могут легко протонироваться, и, так же как ионы металлов или аммония, их можно легко разделять. Типичные значения pKs для алифатических аминов лежат в области от 9.5 до 10.8. На рис. 56 в качестве примера представлено разделение ионов металлов, аминов и аминоспиртов. И в данном случае непрямое УФ-детектировамие достигается имидазольной буферной системой. Благодаря высокому разрешению пиков, все вещества, как видно из рисунка, отделены друг от друга на уровне базисной линии. [c.64]

Рис. 8.10. Часть структуры КН2РО4 в проекции иа базисную плоскость (иоиы К не показаны). Штриховые линии — водородные связи, соединяющие тетраэдры РО4 в бесконечный трехмерный каркас.

Справочник химика 21

Химия и химическая технология