Модель дефекта

Рис. 19. Модель дефекта, описываемая соотношением (146)

Рис. 2.111. Спектры сигналов ударных преобразователей с различными приемниками при выявлении модели дефекта в образце из алюминиевого сплава

Общий подход к оценке максимальной амплитуды отражения от моделей дефектов [c.117]

Модели дефектов, по-видимому, целесообразно рассмотреть не здесь, а в соответствующих главах (гл. И1—X), в которых описаны свойства конденсатов. [c.70]

К такому же результату приводит сопоставление активационных объемов, вычисленных через энтальпию активации пластической деформации [43] и через изменение термодинамического потенциала модели дефектов в виде зародышей фазы а в фазе р (матрица металла). Действительно, при образовании зародышей [c.51]

К такому же результату приводит сопоставление активационных объемов, вычисленных через энтальпию активации пластической деформации [47 ] и через изменение термодинамического потенциала модели дефектов в виде зародышей фазы а в фазе р (матрица металла). Действительно, при образовании зародышей фазы а в фазе р разность изменений изобарного и изохорного потенциалов, т. е. работ изотермо-изобарического и изотермо-изохорического процессов, приводящих к одинаковому конечному состоянию, определяется [15] из выражения [c.54]

Переходный тип дифракции между объемным и плоским отражателями наблюдают на моделях дефектов эллиптической формы. Эллиптический цилиндр в предельных случаях совпадает с круговым [c.52]

Формулы табл. 2.1 позволяют рассчитать максимальное значение эхосигнала от дефекта, расположенного на определенном расстоянии от преобразователя. В дальней зоне это соответствует положению отражателя на оси преобразователя. В ближней зоне максимальный эхосигнал может давать отражатель, лежащий в стороне от оси. Приведем формулы для расчета значений эхосигналов от моделей дефектов, расположенных не на оси в дальней зоне преобразователя, в том числе дефектов, наклонных к оси (затухание не учтено). Для повышения точности учтено ослабление амплитуды излучаемых продольных волн вследствие частичной трансформации в поперечные. [c.180]

Рис. 2.133. Нормированные экспериментальные зависимости амплитуды сигнала совмещенного преобразователя от диаметра модели дефекта при частотной (i), амплитудной (2) и амплитудно-частотной (5) обработках

Условную чувствительность при контроле ЗТ-методом, как отмечалось в разд. 2.3.3, определяют значением ослабления донного сигнала на бездефектном участке рельса, вызываемого моделью дефекта. Количественной характеристикой обнаруживаемо сти дефекта является [c.466]

Дефектоскоп настраивают по стандартным образцам с искусственными дефектами, создаваемыми разными способами. Один из них — закладка в материал пакета из фторопластовой пленки. В этом случае, несмотря на отсутствие адгезии, пленка может иметь плотный контакт с материалом ОК, пропускающий упругие колебания. Прозрачность такой модели дефекта увеличивается с уменьшение частоты. Поэтому ее применяют в основном при контроле на высоких частотах. [c.502]

Модели дефектов обычно имеют форму квадрата, их размеры выбирают в зависимости от параметров ОК и рабочих диаметров преобразователей. При настройке имитатор накладывают на поверхность ОК в зоне контроля. В зоне меньшего дефекта УЗ-сигнал должен проходить между преобразователями, в зоне большего - полностью задерживаться. Например, при рабочем диаметре преобразователей 20 мм сигнал проходит, если размеры искусственных дефектов равны [c.503]

Контроль клеевого нахлесточного соединения между двумя листами методом прохождения возможен также с односторонним доступом к ОК и бесконтактным излучением и приемом УЗ-волн [425, с. 20/161]. В одном из склеенных внахлестку алюминиевых листов толщиной по 1,6 мм импульсами лазера возбуждали моду <зо волны Лэмба. Для этого оптическим путем на поверхности листа формировали решетку из освещенных лазером параллельных линий, разделенных расстояниями 2,1 мм, равными длине волны этой моды в листе (см. разд. 1.2.4). Прошедшую через нахлесточное соединение волну принимали бесконтактным конденсаторным микрофоном. Помехи устраняли фильтром. Дефекты имитировали введением между листами пленки старого клея, не имеющего адгезии к металлу. Протяженность моделей дефектов была равна ширине нахлестки (30 мм). Модели дефектов резко уменьшали амплитуду сигнала и уверенно выявлялись. [c.518]

В случае контроля тонких слоев, расслоений, трещин и плоских включений, которые в дальнейшем для сокращения будем называть дефект , имея в виду только данный класс дефектов, естественной математической моделью дефекта является симметричное распределение вида [c.148]

Расчет эхо-сигналов от отражателей. При выполнении расчетов принимают, что реальный дефект - это отражатель правильной формы. Различают теоретические модели дефектов и искусственные дефекты (искусственные отражатели), которые изготовляют на практике. Для длинного цилиндра (называется боковым отверстием), плоской и вогнутой поверхностей объекта контроля модели и искусственные отражатели совпадают. Формулы для расчета эхо-сигналов, называемые формулами акустического тракта, даны в табл. 11. (В формулы, приведенные в графах 3-5, необходимо ввести сомножитель для учета затухания). [c.232]

Чувствительность настраивают по образцам с моделями дефектов (цилиндрический, угловой или сегментный отражатели) по этим же моделям проверяют точность работы глубиномера. [c.257]

Рис. 71. Результаты измерения и расчета (штриховые линии) механического импеданса двуслойного образца с моделями дефектов различных размеров

Рис. 1.8. Модель дефекта 201 в полиэтилене.

МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ДЕФЕКТОВ [c.174]

Полученные выше формулы позволяют описать упругое взаимодействие отдельных точечных дефектов. Но прежде чем приступить к записи общих соотношений, обратим внимание на выделенное положение изотропной среды, где точечный дефект с шаровой симметрией создает чисто сдвиговое поле напряжений. Оказывается, что в линейном приближении взаимодействие центров дилатации в изотропной среде отсутствует. Действительно, если считать, что (19.19) или (19.20) характеризует действие на один центр дилатации упругого поля другого центра дилатации, то в (19.19) или (19.20) следует положить Ohi — 0. Однако отсутствие взаимодействия двух точечных дефектов в линейном приближении есть следствие предельно простой модели и изотропии среды, а не общее правило. В анизотропной среде или даже в изотропной среде с несимметричной моделью дефекта всегда имеется упругое взаимодействие точечных дефектов. Это взаимодействие удобно характеризовать энергией (19.17), считая, что й( относится к одному дефекту, а деформация гт создана другим дефектом. Энергия взаимодействия двух точечных дефектов естественным образом может быть выражена через тензор Грина соответствующей среды. Пусть один дефект находится в точке г = Гу (его характеристика йЯ ), а второй — в точке г = (его характеристика й11>). Тогда применение формулы (15.9) приводит нас к такому выражению для упругой дисторсии [c.298]

Естественные дефекты могут иметь самую различную форму, ориентацию и акустические свойства, которые заранее неизвестны, поэтому при анализе эхометода формулы акустического тракта выводят для моделей дефектов в виде полых отражателей простой формы тонкого диска, сферы, цилиндра, тонкой полосы, плоскости и т. д. Физическая реализация некоторых моделей дефектов представляет большие технологические трудности (например, трудно выполнить тонкий диск, не нарушая целостности окружающего твердого материала), поэтому при экспериментах и производственном контроле модели дефектов заменяют искусственными отражателями (рис. 2.10) д,тк — плоскодонным отверстием, сферу — отверстием со сферическим дном и т. д. Амплитуды эхосигналов от моделей дефектов и искусственных отражателей мало отличаются, когда их размеры больше длины волны ультразвука. В противном случае амплитуды эхосигналов могут не совпадать. [c.107]

Расчетные значения "а [31] и А1/ [56] для диэлектрической релаксации, основанные на моделях дефектов, согласуются с экспериментальными величинами. [c.118]

Некоторые авторы [31, 58, 92, 98] вычисляли величины Е и Еь исходя из моделей дефектов. [c.119]

Э. и. Адирович [107] рассмотрел поведение электронов в области дефектов структуры ионного кристалла, представляющих собой вакантные анионные узлы (модель Р-центра). В этой модели дефекта Э. И. Адирович заменяет ближайшие к пустому узлу положительные и отрицательные ионы сферическим электрическим двойным слоем, способным осциллировать вблизи некоторого равновесного радиуса. На основе такой модели были рассмотрены энергетические состояния электрона в области дефекта, влияние движения соседних с дефектом структуры ионов на эти состояния, безызлучательные переходы электрона в области дефекта. Модель позволяет качественно выяснить ряд важных вопросов взаимодействия электрона с решеткой. [c.46]

Полученные данные хорошо укладываются в единую модель дефекта. Предположим, что в некоторых точках кристалла атом алюминия находится не в тетраэдрической, а в тригональной конфигурации, т. е. связан с тремя атомами кислорода. Так как в кристалле цеолита типа А атомы алюминия чередуются с атомами кремния, тригональной конфигурации алюминия сопутствуют кислородные вакансии и двойные связи —О или < 81 = 0. Вблизи [c.413]

Помимо примесей, сильное влияние на свойства окислов оказывает соотношение металл кислород. При небольших отступлениях от стехиометрического состава сильно возрастает проводимость. Модель дефектов строилась по аналогии с собственными дефектами в щелочногалоидных кристаллах, т. е. предполагалось, что образуются вакансии в анионной или катионной подрешетке или ионы в междоузлиях. Вакансии захватывают электроны или дырки. Электронейтральность кристалла, как и в случае примесей, обеспечивается изменением валентности эквивалентного количества основных переходных ионов. [c.4]

Крегер [478] проанализировал различные модели дефектов в иОг+в с избытком (б > О) и недостатком (б < О) кислорода. [c.191]

В континуальной модели дефект рассматривается как искажение континуума, обладающего свойствами макроскопического кристалла. [c.19]

Экспериментальное определение фактора корреляции. Интерпретация результатов опытов на основе модели дефектов Френкеля—Шоттки и их ассоциатов [c.45]

Свободный объем AFf (20—22) см /моль , найденный из данных работ 21—23], скорее согласуется с моделью дефектов по Френкелю, так как он меньше молярного объема Ag . .равного 26 см /моль . В случае механизма по Шоттки для AVt необходим, по-видимому, по крайней мере один молярный объем. [c.206]

Здесь коэффициент А характеризует отражательную способность модели дефекта и может принимать различные значения в зависимости от его формы и соотношения размера отражателя и длины волны ультразвука /1= / 2шах соответствует максимальному значению / на заданном расстоянии г/гб от преобразователя. Максимум взят потому, что при выявлении дефекта, перемещая преобразователь, стремятся получить максимальную амплитуду сигнала. Функция /] зависит от формы преобразователя и отношения г/гв. В приложении на рис. П.11 показана функция / 2 для круглого преобразователя, а на рис. П.12, а функция 1. [c.117]

Штриховыми линиями показаны кривые, соответствующие переходу неравенства (2.48) в равенство для некоторых значений b a=d D. Они построены следующим способом. По АРД-диаграмме для эхометода (см. рис. 2.12) измерен интервал между кривыми с соответствующими значениями d/D и кривой донный сигнал . Измерения выполнены для расстояния г, равного половине толщины ОК, поскольку в эхометода модель дефекта располагалась на расстоянии г, а в теневом—/-/2. Аналогично кривая донный сигнал построена для удвоенного пробега ультразвука в ОК с учетом зеркального характера отражения от дна. Измеренный интервал в дБ переведен в относительные единицы и вычтен из еди- [c.153]

Путь УЗ от излучателя до дефекта и затем к приемнику называют акустическим трактом. Формулы акустического тракта определяют ослабление УЗ-сиг-нала на этом пути. При расчетах реальные дефекты представляют полыми отражателями правильной формы. Различают теоретические модели дефектов (лучше имитирующие реальные дефекты) и искусственные дефекты, иначе - искусственные отражатели, которые изготовляют на практике. Иногда модели и искусственные [c.176]

Формулы для расчета эхосигналов от некоторых искусственных отражателей и моделей дефектов при контроле эхозеркальным методом сведены в табл. 2.8. Все формулы - для поперечных волн, углы наклона преобразователей - между первым и вторым критическими. Обозначения те же, что в табл. 2.1 и 2.2, со следующими дополнениями 2 = К а) х X К 90° -а) - коэффициент двойного отражения (см. разд. 1.1.4) г и г - расстояния излучатель-отражатель и отражатель-приемник, одно из них включает путь от дна изделия до преобразователя (на рисунках табл. 2.8 - до приемника). Коэффициент прозрачности и затухание в призмах, как и в табл. 2.2, опущены. Фор- [c.248]

К концу 70-х годов XX века применения ИК-техники в НК оставались скорее качественными, что не позволило тепловому методу успешно конкурировать с другими методами НК. Новый уровень использования ТК стал возможным с внедрением достижений теории теплопроводности, основы которой изложены в известных монографиях X. Карслоу и Д. Эгера [4] и А.В. Лыкова [5]. "Теплофизический" подход к ТК использовали в своих работах Д. Балажа, В.П. Вавилов и Р. Тейлор, П. Маклафлин и X. Мирчанда-ни, Ю.А. Попов и А.Е. Карпельсон и другие исследователи, которые ввели в рассмотрение одно-, двух- и трехмерные модели дефектов [6-9]. [c.9]

Классическое решение для нагрева неадиабатической пластины. Простейшая одномерная модель дефекта при одностороннем ТК изображена на рис. 3.4, будучи дальнейшим упрощением модели на рис. 3.3. Дефект является абсолютным теплоизолятором, на его границе выполняется условие дТ/дг = 0. В дефектной зоне в процессе теплопроводности участ- [c.65]

Ионы ОН имеют аномально высокую подвижность в воде, примерно вдвое меньшую, чем ионы НзО +, а их кинетические свойства можно объяснить, исходя из модели "дефектов протонов", которая полностью аналогична модели Н90" (модель с избытком протонов). Меньшая подвижность объясняется тем, что на ОН со стороны соседних молекул воды действует меньший закручивающий момент, чем наН30+ [12]. [c.299]

Модели дефектов обычно строятся по аналогии с хорошо изученными дефектами в ш,елочногалоидных кристаллах или по аналогии с классическими полупроводниками, с четырьмя валентными электронами. Природа дефектов в ионных кристаллах типа щелочногалоидных и в ковалентных кристаллах, таких как германий, кремний и соединения типа А В, в основном описывается с достаточным приближением в первом случае ионной моделью, во втором случае — зонной теорией полупроводников. И в том и в другом случае заполненные состояния отделены от свободных запрещенной зоной. [c.3]

Совместное легирование кислородом и большими количествами титана и циркония должно было еще больше увеличить остаточные токи формовки, однако они находились на уровне токов образцов из чистого тантала 1.4 + 0.1 мкА/см . Причина этого, возможно, — отсутствие контакта значительной части окисла с металлом при большом содержании на его поверхности окисной фазы, которое имеет место в соответствии с моделью дефектов Вермилиа. [c.43]

Выполнены теоретические и экспериментальные исследования достоверности выявления и идентификации методами НК типичных дефектов оборудования ГХК. Исследования выполнены по действующим методикам ультразвукового контроля (УЗК). УЗ-исследования проводились эхометодом на натурных образцах с ВИР толщиной стенки 19 мм, использовались автоматизированный сканирующий комплекс М500/600 фирмы Сапоп (Япония) и ручная сканирующая рамка с дефектоскопом, позволяющие получать, регистрировать и обрабатывать эхосигналы по точкам, расположенным одна от другой на расстоянии не более размера пластины УЗ-преобразователя. По результатам строились модели дефектов от ВИР при различной чувст- [c.239]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология